JPS62181482A - エキシマレ−ザ−装置 - Google Patents
エキシマレ−ザ−装置Info
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- JPS62181482A JPS62181482A JP2465886A JP2465886A JPS62181482A JP S62181482 A JPS62181482 A JP S62181482A JP 2465886 A JP2465886 A JP 2465886A JP 2465886 A JP2465886 A JP 2465886A JP S62181482 A JPS62181482 A JP S62181482A
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- excimer laser
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
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- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Lasers (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明はエキシマレーザ−装置に関し、特に。
レーザー媒質が循環するようにされたガス循環式放電型
エキシマレーザ−装とに関する。
エキシマレーザ−装とに関する。
B、従来の技術
第4図〜第7図に紫外線予備電離電極を有する従来のエ
キシマレーザ−装置を示す。
キシマレーザ−装置を示す。
第4図および第5図に示す従来のエキシマレーザ−装置
100では、不活性ガスやハロゲン分子の如き所定のレ
ーザー媒質が封入されたチャンバー1内に棒状の細長い
一対の主放電電極2,3が対向して配置されている。一
方の主放電電極2(以下、カソード電極と呼ぶ)は接地
されたカソード側の基板4に取付けられ、他方の主放電
電極3(以下、アノード電極と呼ぶ)は高電圧源に接続
されたアノード側の基板5に取付けられていている。ア
ノード電極3を挟んで、一対のピーキングキャパシタ6
.7がそれぞれ電極の長手方向に列設され、ピーキング
キャパシタ6.7のアノード側の端子は基板5と接続さ
れ、カソード側の端子は予備電離電極8,9を介してカ
ソード側のノ、(板4と接続されている。また、チャン
バ−1の長手方向端部には全反射ミラー10およびレー
ザービームを出射する部分反射ミラー11が設けられて
いる。
100では、不活性ガスやハロゲン分子の如き所定のレ
ーザー媒質が封入されたチャンバー1内に棒状の細長い
一対の主放電電極2,3が対向して配置されている。一
方の主放電電極2(以下、カソード電極と呼ぶ)は接地
されたカソード側の基板4に取付けられ、他方の主放電
電極3(以下、アノード電極と呼ぶ)は高電圧源に接続
されたアノード側の基板5に取付けられていている。ア
ノード電極3を挟んで、一対のピーキングキャパシタ6
.7がそれぞれ電極の長手方向に列設され、ピーキング
キャパシタ6.7のアノード側の端子は基板5と接続さ
れ、カソード側の端子は予備電離電極8,9を介してカ
ソード側のノ、(板4と接続されている。また、チャン
バ−1の長手方向端部には全反射ミラー10およびレー
ザービームを出射する部分反射ミラー11が設けられて
いる。
このように構成されたエキシマレーザ−装置においては
、ピーキングキャパシタ6.7に高電圧が印加されると
、予備電離電極8,9でスパークを発しながらピーキン
グキャパシタ6.7に電荷が蓄えられていく。予備電離
電極8.9で発生したスパークによる紫外光は、カソー
ド電極2と7)−ド電極3との間のレーザーガフを予備
的に電離するので、ピーキングキャパシタ6.7の充電
電位がレーザーガスの絶縁破壊電圧に達すると、ピーキ
ングキャパシタ6.7の電荷はカソード電極2とアノー
ド電極3との間で放電され、これにより、ミラー10.
11によりレーザー発振が得られて紫外光域の波長をも
つレーザービームが得られる。
、ピーキングキャパシタ6.7に高電圧が印加されると
、予備電離電極8,9でスパークを発しながらピーキン
グキャパシタ6.7に電荷が蓄えられていく。予備電離
電極8.9で発生したスパークによる紫外光は、カソー
ド電極2と7)−ド電極3との間のレーザーガフを予備
的に電離するので、ピーキングキャパシタ6.7の充電
電位がレーザーガスの絶縁破壊電圧に達すると、ピーキ
ングキャパシタ6.7の電荷はカソード電極2とアノー
ド電極3との間で放電され、これにより、ミラー10.
11によりレーザー発振が得られて紫外光域の波長をも
つレーザービームが得られる。
この従来のエキシマレーザ−装置100においては、ピ
ーキングキャパシタ6.7への充電時およびカソードお
よびアノード電極2,3間での放電時に予備電離電極8
,9間でアーク放゛1「か生じ、そのr備電敲電極8,
9の消耗が激しいばかりか、スパッタリングされた′上
極8,9の粉体がレーザーカスを1り染するので、レー
ザー発振効率の低下、レーザーガスの寿命の低下、レー
ザーミラー10,11の汚染という問題がある。
ーキングキャパシタ6.7への充電時およびカソードお
よびアノード電極2,3間での放電時に予備電離電極8
,9間でアーク放゛1「か生じ、そのr備電敲電極8,
9の消耗が激しいばかりか、スパッタリングされた′上
極8,9の粉体がレーザーカスを1り染するので、レー
ザー発振効率の低下、レーザーガスの寿命の低下、レー
ザーミラー10,11の汚染という問題がある。
そこで、ピーキングキャパシタ6.7の充電時にのみ予
備電離電極8,9間でアーク放電を生ぜしめ、カソード
電極2およびアノード電極3の間でグロー放電が生ずる
ときには予備電離電極8゜9間でアーク放電が起きない
第6図に示すようなエキシマレーザ−装置200が知ら
れている。このエキシマレーザ−装置200では、直径
が40mm〜50mm程度のピーキングキャパシタ6.
7がアノード電極3を挟んで図示左右に列設されて基板
4および5によって挟持されている。そして、高電圧が
予備電離電極8.9を介してピーキングキャパシタ6.
7に印加されるようになっている。なお、fjS6図[
1j、12は絶縁体である。
備電離電極8,9間でアーク放電を生ぜしめ、カソード
電極2およびアノード電極3の間でグロー放電が生ずる
ときには予備電離電極8゜9間でアーク放電が起きない
第6図に示すようなエキシマレーザ−装置200が知ら
れている。このエキシマレーザ−装置200では、直径
が40mm〜50mm程度のピーキングキャパシタ6.
7がアノード電極3を挟んで図示左右に列設されて基板
4および5によって挟持されている。そして、高電圧が
予備電離電極8.9を介してピーキングキャパシタ6.
7に印加されるようになっている。なお、fjS6図[
1j、12は絶縁体である。
従って、主放電電極2.3近傍の空間が基板4.5およ
びピーキングキャパシタ6.7により囲まれてレーザー
ガスの循環が悪い、そのため、この種従来のエキシマレ
ーザ−装置200では、第7図に示すように、カソード
側の基板4に開口4a、4bをあけ、図示矢印のように
レーザー媒質が流れるようにしている。
びピーキングキャパシタ6.7により囲まれてレーザー
ガスの循環が悪い、そのため、この種従来のエキシマレ
ーザ−装置200では、第7図に示すように、カソード
側の基板4に開口4a、4bをあけ、図示矢印のように
レーザー媒質が流れるようにしている。
C1発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第7図に示すような従来のエキシマレー
ザ−装置200では、ある程度レーザーガスの循環が可
能ではあるが、高速ガス循環が必要な数百Hz以上の高
峰り返しレーザー発振時には、ガス循環の効果がほとん
ど得られていないという問題点がある。
ザ−装置200では、ある程度レーザーガスの循環が可
能ではあるが、高速ガス循環が必要な数百Hz以上の高
峰り返しレーザー発振時には、ガス循環の効果がほとん
ど得られていないという問題点がある。
本発明の目的は、このような問題を解消し、予備電離電
極によるスパークが放電時に起きないようにし、しかも
高速ガス循環可能なエキシマレーザ−装置を提供するこ
とにある。
極によるスパークが放電時に起きないようにし、しかも
高速ガス循環可能なエキシマレーザ−装置を提供するこ
とにある。
D1問題点を解決するための手段
このような目的を達成するため、本発明エキシマレーザ
−装置では、ピーキングキャパシタを主放電電極の背後
に配置し、かつ主放電電極とピーキングキャパシタとを
結ぶ給電路であってガス流にさらされる給電路をガスの
流れ方向に板面がほぼ平行な板状給電路とした。
−装置では、ピーキングキャパシタを主放電電極の背後
に配置し、かつ主放電電極とピーキングキャパシタとを
結ぶ給電路であってガス流にさらされる給電路をガスの
流れ方向に板面がほぼ平行な板状給電路とした。
E、実施例
一第1の実施例−
第1図および第2図に第1の実施例を示す。
第1図はエキシマレーザ−装置300のチャンバーlを
fJS4図と同様の面で破断してその内部を示す図であ
り、第2図は第1図のII −If線断面図である。な
お、第4図〜第7図と同様の箇所には同一の符号を付し
て説明する。
fJS4図と同様の面で破断してその内部を示す図であ
り、第2図は第1図のII −If線断面図である。な
お、第4図〜第7図と同様の箇所には同一の符号を付し
て説明する。
50はアノード電極3およびピーキングキャパシタ6.
7を支持する基板であり、その取付部51にアノード電
極3が取付けられ、取付部51から直交する方向に延在
する取付部52の両側面に、不図示のねじによりピーキ
ングキャパシタ6.7が取付けられる。そして、ピーキ
ングキャパシタ6.7の各電極61.71を結ぶ略U字
形状の給電路60が不図示のねじによりピーキングキャ
パシタ6.7の各電極61.71に取付けられる。そし
て、カソード電極2が各給電路60に不図示のねじによ
り取付けられている。
7を支持する基板であり、その取付部51にアノード電
極3が取付けられ、取付部51から直交する方向に延在
する取付部52の両側面に、不図示のねじによりピーキ
ングキャパシタ6.7が取付けられる。そして、ピーキ
ングキャパシタ6.7の各電極61.71を結ぶ略U字
形状の給電路60が不図示のねじによりピーキングキャ
パシタ6.7の各電極61.71に取付けられる。そし
て、カソード電極2が各給電路60に不図示のねじによ
り取付けられている。
第1図かられかるように、給電路60は一対のピーキン
グキャパシタ6.7毎に設けられ、各給電路60間には
適宜の間隔Gがとられているので、第2図矢印方向のレ
ーザーガスの流れを妨げないようになっている。ここで
、給電路60の厚みT(第1図)が細いほどその間隔G
が大きくなり、レーザーガス流に対する抵抗が小さくな
るが、あまり細くすると主放電回路のインダクタンス成
分が増えてしまうので、厚みTと間隔Gとの比を、1:
20”1:lの範囲に設定するのが好ましい。尚、給電
路は板状なので厚みに対し幅は長く給電路のインダクタ
ンスは、元来小さい。
グキャパシタ6.7毎に設けられ、各給電路60間には
適宜の間隔Gがとられているので、第2図矢印方向のレ
ーザーガスの流れを妨げないようになっている。ここで
、給電路60の厚みT(第1図)が細いほどその間隔G
が大きくなり、レーザーガス流に対する抵抗が小さくな
るが、あまり細くすると主放電回路のインダクタンス成
分が増えてしまうので、厚みTと間隔Gとの比を、1:
20”1:lの範囲に設定するのが好ましい。尚、給電
路は板状なので厚みに対し幅は長く給電路のインダクタ
ンスは、元来小さい。
−第2の実施例−
第3図は本発明の第2の実施例を示し、70が給電路で
あり、給電路の幅Wを相当に広くしたものである。それ
以外の構成は第1の実施例と金く同じである。
あり、給電路の幅Wを相当に広くしたものである。それ
以外の構成は第1の実施例と金く同じである。
このような広幅に給゛屯路70を形成することにより、
給電路70が、第3図に矢印で示すレーザーガスの流れ
に対して整流板として機能し、ガス流が乱流となるのが
防1トされ、第1の実施例に比べてより一層円滑なレー
ザーガス流を得ることができる。しかも、給電路70の
インダクタンスは第1の実施例のものより相当に小さい
値に抑えることができる。
給電路70が、第3図に矢印で示すレーザーガスの流れ
に対して整流板として機能し、ガス流が乱流となるのが
防1トされ、第1の実施例に比べてより一層円滑なレー
ザーガス流を得ることができる。しかも、給電路70の
インダクタンスは第1の実施例のものより相当に小さい
値に抑えることができる。
F0発明の効果
本発明では、主放電電極間を流れるレーザーガス流の妨
げにならないようにピーキングキャパシタを主放電電極
の背後に配置し、かつ、ピーキングキャパシタ間を結び
レーザーガス流にさらされる給電路の形状を、レーザー
ガス流に対して抵抗とならないように且つインダクタン
スが小さくなるようにしたので、従来の予備電離電極を
有するエキシマレーザ−装置に比べてより高速なレーザ
ーガス循環のできるエキシマレーザ−装置が得られる。
げにならないようにピーキングキャパシタを主放電電極
の背後に配置し、かつ、ピーキングキャパシタ間を結び
レーザーガス流にさらされる給電路の形状を、レーザー
ガス流に対して抵抗とならないように且つインダクタン
スが小さくなるようにしたので、従来の予備電離電極を
有するエキシマレーザ−装置に比べてより高速なレーザ
ーガス循環のできるエキシマレーザ−装置が得られる。
また、第2の実施例のように、給電路をレーザーガス流
の乱流を防止する整流板として機能し得る形状とすれば
、より一層効率のよいレーザー発振ができる。
の乱流を防止する整流板として機能し得る形状とすれば
、より一層効率のよいレーザー発振ができる。
第1図および第2図は本発明の第1の実施例を示し、第
1図はチャンバー内部を示す破断面図、第2図は第1図
のII −II線断面図、第3図は本発明の第2の実施
例を示し、第2図に相当する断面図、第4図および第5
図は従来のエキシマレーザ−装置の一例を示し、第4図
はチャンバー内部を示す破断面図、第5図は第4図のv
−V線断面図、第6図および第7図は従来のエキシマレ
ーザ−装置の他の2例を示し、第5図に相当する断面図
である。 l:チャンバ 2:カソード電極3ニアノード
電極 4,5:基板 6.7:ピーキングキャパシタ 8.9:予備電離電極 10:全反射ミラー11:
部分反射ミラー 5吐基板 60 、70 :給電路 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀 第3図 第4図 第5図
1図はチャンバー内部を示す破断面図、第2図は第1図
のII −II線断面図、第3図は本発明の第2の実施
例を示し、第2図に相当する断面図、第4図および第5
図は従来のエキシマレーザ−装置の一例を示し、第4図
はチャンバー内部を示す破断面図、第5図は第4図のv
−V線断面図、第6図および第7図は従来のエキシマレ
ーザ−装置の他の2例を示し、第5図に相当する断面図
である。 l:チャンバ 2:カソード電極3ニアノード
電極 4,5:基板 6.7:ピーキングキャパシタ 8.9:予備電離電極 10:全反射ミラー11:
部分反射ミラー 5吐基板 60 、70 :給電路 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一対の主放電電極と、該電極の近傍に配置された一
対の予備電離電極と、ピーキングキャパシタを含み、該
ピーキングキャパシタの充電時のみに予備電離電極でス
パークを起こす自動予備電離回路を備えてなるレーザー
ガス循環式放電型エキシマレーザー装置において、 前記ピーキングキャパシタを主放電電極の背後に配置し
、かつ主放電電極とピーキングキャパシタとを結ぶ給電
路であってガス流にさらされる給電路をガスの流れ方向
にほぼ平行な板状給電路としたことを特徴とするエキシ
マレーザー装置。 2)前記板状給電路がガス流の整流板を兼用しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエキシマレ
ーザー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2465886A JPS62181482A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | エキシマレ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2465886A JPS62181482A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | エキシマレ−ザ−装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62181482A true JPS62181482A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12144245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2465886A Pending JPS62181482A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | エキシマレ−ザ−装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62181482A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205485A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ発振器 |
JPH01268078A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Komatsu Ltd | エキシマレーザ発振装置 |
KR20200096650A (ko) * | 2018-01-17 | 2020-08-12 | 사이머 엘엘씨 | 레이저 챔버에서 방전 성능을 튜닝하기 위한 장치 |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2465886A patent/JPS62181482A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205485A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ発振器 |
JPH01268078A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Komatsu Ltd | エキシマレーザ発振装置 |
KR20200096650A (ko) * | 2018-01-17 | 2020-08-12 | 사이머 엘엘씨 | 레이저 챔버에서 방전 성능을 튜닝하기 위한 장치 |
CN111656626A (zh) * | 2018-01-17 | 2020-09-11 | 西默有限公司 | 用于在激光器腔室中调谐放电性能的装置 |
JP2021510926A (ja) * | 2018-01-17 | 2021-04-30 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | レーザチャンバにおける放電性能を調整する装置 |
US11349273B2 (en) | 2018-01-17 | 2022-05-31 | Cymer, Llc | Apparatus for tuning discharge performance in a laser chamber |
CN111656626B (zh) * | 2018-01-17 | 2023-07-14 | 西默有限公司 | 用于在激光器腔室中调谐放电性能的装置 |
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