JPS62181149A - 半導体レ−ザによる孔版原紙の作製方法 - Google Patents
半導体レ−ザによる孔版原紙の作製方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C1/00—Forme preparation
- B41C1/14—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing
- B41C1/145—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing by perforation using an energetic radiation beam, e.g. a laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザを利用して孔版原紙を作製する
孔版原紙の作製方法に関する。
孔版原紙の作製方法に関する。
（従来の技術）
近年、新聞等の製版器、印刷関連機器の分野或は微細、
精密加工を主とする加工分野においては、加工精度が極
めて優れているＬａ５ｅｒ（例えば気体レーザ、半導体
レーザ、固体レーザ、色素（液体）レーザ等）の実用化
が進んでいる。
精密加工を主とする加工分野においては、加工精度が極
めて優れているＬａ５ｅｒ（例えば気体レーザ、半導体
レーザ、固体レーザ、色素（液体）レーザ等）の実用化
が進んでいる。
ところでレーザは、その種類の中でも特に工業化が進ん
でいる気体（ガス）レーザが主流で、このガスレーザが
前記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用として
開発されている。
でいる気体（ガス）レーザが主流で、このガスレーザが
前記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用として
開発されている。
この種のガスレーザは、例えばレーザ媒質となるガスを
封入したガスレーザ管と、この管の陽、陰極間に電圧を
印加して放電させる電源部と、を有したガスレーザ装置
の誘電放出遷移により発生する。このガスレーザ装置が
、上記新聞等の製版器等に組込まれて、新聞或はボスク
等の孔版原紙をレーザ製版する。
封入したガスレーザ管と、この管の陽、陰極間に電圧を
印加して放電させる電源部と、を有したガスレーザ装置
の誘電放出遷移により発生する。このガスレーザ装置が
、上記新聞等の製版器等に組込まれて、新聞或はボスク
等の孔版原紙をレーザ製版する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、斯かるガスレーザ装置は、ガスレーザ管
に封入するガス（気体）が、物質の形体として最も密度
の低い希薄な状態であるために、同じレーザ出力を得る
ために必要な体積が、固体や液体を使う上記半導体、固
体、色素レーザに比べ大きくなる。この為、長尺なガス
レーザ管及び頚管に高電圧を印加する大型の電源部が必
要とされ、ガスレーザ装置自体が大型化していた。そこ
で斯かる欠点の改善策としては、上記半導体レーザを前
記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用とするこ
とである。しかし半導体レーザは、そのレーザ出力が上
記ガスレーザのレーザ出力に比べ比較的小さいため、前
記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用としては
実用上、無理があるばかりか、前記半導体レーザのレー
ザ出力を生かして、半導体レーザを一般的な原紙（例え
ばＢ５、Ａ４、Ｂ４サイズ等の原紙）に用いる場合でも
前記した理由があるため、一般的な原紙を対象としたレ
ーザ装置としても用いられていなかった。
に封入するガス（気体）が、物質の形体として最も密度
の低い希薄な状態であるために、同じレーザ出力を得る
ために必要な体積が、固体や液体を使う上記半導体、固
体、色素レーザに比べ大きくなる。この為、長尺なガス
レーザ管及び頚管に高電圧を印加する大型の電源部が必
要とされ、ガスレーザ装置自体が大型化していた。そこ
で斯かる欠点の改善策としては、上記半導体レーザを前
記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用とするこ
とである。しかし半導体レーザは、そのレーザ出力が上
記ガスレーザのレーザ出力に比べ比較的小さいため、前
記新聞等の製版器、印刷関連機器等への組込用としては
実用上、無理があるばかりか、前記半導体レーザのレー
ザ出力を生かして、半導体レーザを一般的な原紙（例え
ばＢ５、Ａ４、Ｂ４サイズ等の原紙）に用いる場合でも
前記した理由があるため、一般的な原紙を対象としたレ
ーザ装置としても用いられていなかった。
そこで本発明の目的とする処は、半導体レーザを利用し
て孔版原紙を作製することができるとともに、半導体レ
ーザを利用することでレーザ装置自体のコンパクト化を
図ることができる半導体レーザによる孔版原紙の作製方
法を提供することにある。
て孔版原紙を作製することができるとともに、半導体レ
ーザを利用することでレーザ装置自体のコンパクト化を
図ることができる半導体レーザによる孔版原紙の作製方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するための本発明は、原稿上の画像情
報を記ｔαした制御装置（１）の出力信号に基づいて作
動する半導体レーザ加工装置（３）により半導体レーザ
（７）を出射し、この半導体レーザ（７）を利用して原
紙（８）に穿孔（８ａ）を行ない孔版原紙を作製するよ
うにしたことにある。
報を記ｔαした制御装置（１）の出力信号に基づいて作
動する半導体レーザ加工装置（３）により半導体レーザ
（７）を出射し、この半導体レーザ（７）を利用して原
紙（８）に穿孔（８ａ）を行ない孔版原紙を作製するよ
うにしたことにある。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る制御装置及び半導体レーザ加工装
置の系統を示すブロック図、第２図は半導体レーザの結
晶構造体を示す図、第３図は半導体レーザ加工装置内部
の駆動説明図である。
置の系統を示すブロック図、第２図は半導体レーザの結
晶構造体を示す図、第３図は半導体レーザ加工装置内部
の駆動説明図である。
（１）は制御装置で、この装置（１）は、不図示の原稿
上の画像を静電的、光学的或は電磁的方法等により読取
り、時系列的画像情報に変換する読取り装置（２）から
の情報信号を入力するとともに、入力された情報信号を
変換した出力信号に基づいて作動する半導体レーザ加工
装置（３）を接続して設けている。又、この制御装置（
１）は、前記情報信号の増幅を行なう不図示の入力アン
プと、該アンプに順次接続したミキシング回路、記憶回
路及び出力アンプ等を備え、前記情報信号のレベルを、
入力アンプ内でビット信号に変換して、記憶回路に書き
込むとともに、ミキシング回路に出力し該回路内で前記
記憶回路より読出された信号レベルを前記入力アンプの
ビー／ ）信号レベルに対し適正値化し、この適正値化
された出力信号を出力アンプを通じて上記半導体レーザ
加工装置（３）に出力する。
上の画像を静電的、光学的或は電磁的方法等により読取
り、時系列的画像情報に変換する読取り装置（２）から
の情報信号を入力するとともに、入力された情報信号を
変換した出力信号に基づいて作動する半導体レーザ加工
装置（３）を接続して設けている。又、この制御装置（
１）は、前記情報信号の増幅を行なう不図示の入力アン
プと、該アンプに順次接続したミキシング回路、記憶回
路及び出力アンプ等を備え、前記情報信号のレベルを、
入力アンプ内でビット信号に変換して、記憶回路に書き
込むとともに、ミキシング回路に出力し該回路内で前記
記憶回路より読出された信号レベルを前記入力アンプの
ビー／ ）信号レベルに対し適正値化し、この適正値化
された出力信号を出力アンプを通じて上記半導体レーザ
加工装置（３）に出力する。
半導体レーザ加工装置（３）は、前記制御装置（１）か
らの出力信号を入力して電力を得る電源部（４）と、こ
の電源部（４）からの電力（電流）の流れにより半導体
レーザを出射し、原紙（８）に穿孔を行なう半導体レー
ザ装置（５）と、上記制御装置（１）からの出力信号を
入力して前記半導体レーザ装置（５）を駆動せしめる駆
動装置（８）とを設けてなる。前記半導体レーザ装置（
５）は、注入形半導体レーザ装置でこの装置（５）は上
記電源部（４）からの電流の流れによる誘導放出によっ
て、非常に大キく広がったコヒーレントな注入形半導体
レーザ光（７）を出射する半導体レーザ結晶構造体（８
）と、注入形半導体レーザ光（７）を完全反射させて半
導体レーザ加工装置（３）の所定位置より出射せしめる
ために所定角度を有して装置（６）内に設置されたグイ
クロイックミラー（ｌＯ）と、大きく広゛がった注入形
半導体レーザ光（９ａ）を集光せしめるとともに、集光
されたレーザ光（７）の射程距離内に上記原紙（８）が
位置する如く装置（５）内に設置された集光レンズ（１
１）とを設けている。上記駆動装置（６）は、第３図に
示す如く既述した制御装置（１）の出力信号を入力する
不図示の回路と、この回路を前記出力信号に基づいてオ
ン又はオフにする接点を備えた不図示の切換スイッチを
有した駆動部（８ａ）と、前記回路の信号に基づいて駆
動制御されるガントリクレーン機構（６ｂ）からなり、
前記駆動部（６ａ）からの信号によりガントリクレーン
機構（８ｂ）が、上述した半導体レーザ装置（５）を、
前後（第３図矢印Ａ参照）、左右（第３図矢印Ｂ参照）
方向に駆動せしめる。尚、前記駆動装置（６）は、装置
（６）を、原紙（８）を設置する不図示のステージ部に
接続して、原紙（８）自体を駆動せしめても良い。
らの出力信号を入力して電力を得る電源部（４）と、こ
の電源部（４）からの電力（電流）の流れにより半導体
レーザを出射し、原紙（８）に穿孔を行なう半導体レー
ザ装置（５）と、上記制御装置（１）からの出力信号を
入力して前記半導体レーザ装置（５）を駆動せしめる駆
動装置（８）とを設けてなる。前記半導体レーザ装置（
５）は、注入形半導体レーザ装置でこの装置（５）は上
記電源部（４）からの電流の流れによる誘導放出によっ
て、非常に大キく広がったコヒーレントな注入形半導体
レーザ光（７）を出射する半導体レーザ結晶構造体（８
）と、注入形半導体レーザ光（７）を完全反射させて半
導体レーザ加工装置（３）の所定位置より出射せしめる
ために所定角度を有して装置（６）内に設置されたグイ
クロイックミラー（ｌＯ）と、大きく広゛がった注入形
半導体レーザ光（９ａ）を集光せしめるとともに、集光
されたレーザ光（７）の射程距離内に上記原紙（８）が
位置する如く装置（５）内に設置された集光レンズ（１
１）とを設けている。上記駆動装置（６）は、第３図に
示す如く既述した制御装置（１）の出力信号を入力する
不図示の回路と、この回路を前記出力信号に基づいてオ
ン又はオフにする接点を備えた不図示の切換スイッチを
有した駆動部（８ａ）と、前記回路の信号に基づいて駆
動制御されるガントリクレーン機構（６ｂ）からなり、
前記駆動部（６ａ）からの信号によりガントリクレーン
機構（８ｂ）が、上述した半導体レーザ装置（５）を、
前後（第３図矢印Ａ参照）、左右（第３図矢印Ｂ参照）
方向に駆動せしめる。尚、前記駆動装置（６）は、装置
（６）を、原紙（８）を設置する不図示のステージ部に
接続して、原紙（８）自体を駆動せしめても良い。
ここで上記半導体レーザ結晶構造体（９）により、注入
形半導体レーザ（７）の原理を概略的に第２図に基づい
て説明すると、注入形半導体レーザ（７）は、Ｐ形の半
導体（９ｂ）とｎ形の半導体（９Ｃ）（７）接合を作り
、順方向（Ｐ形を正、ｎ形を負）に電流を流すことによ
る発光を、襞間によって作ったファプリー・ペロー共振
器（ＨＩｊ開面）（９ｄ）で共振させてレーザ光を出射
するＡｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザである。この
Ａ ｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザは、レーザ光の
寿命（１０５〜１０”時間）、光学的性質及び変調特性
等の動特性面で優れているので、レーザ光の光出力を３
０ｍＷ （ＪＪ準）から１０Ｏｎ＋Ｗ程度まで出すこと
が可能である。
形半導体レーザ（７）の原理を概略的に第２図に基づい
て説明すると、注入形半導体レーザ（７）は、Ｐ形の半
導体（９ｂ）とｎ形の半導体（９Ｃ）（７）接合を作り
、順方向（Ｐ形を正、ｎ形を負）に電流を流すことによ
る発光を、襞間によって作ったファプリー・ペロー共振
器（ＨＩｊ開面）（９ｄ）で共振させてレーザ光を出射
するＡｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザである。この
Ａ ｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザは、レーザ光の
寿命（１０５〜１０”時間）、光学的性質及び変調特性
等の動特性面で優れているので、レーザ光の光出力を３
０ｍＷ （ＪＪ準）から１０Ｏｎ＋Ｗ程度まで出すこと
が可能である。
一方、上記半導体レーザ加工装置（３）のレーザ光（７
）により孔版原紙に加工される原紙（８）は、前記加工
装置（３）に設けられた不図示のステージにセツティン
グされる。
）により孔版原紙に加工される原紙（８）は、前記加工
装置（３）に設けられた不図示のステージにセツティン
グされる。
以上の構成に基づく本発明は、制御装置（１）に半導体
レーザ加工装置（３）を接続して設けたことにより、前
記制御装置（１）に記憶された画像情報を変換した出力
信号に基づく前記加工装置（３）からの半導体レーザ（
７）を利用して、原紙（８）に第３図に示す如く穿孔（
８ａ）を簡単且つ鮮明に行なうことができ、もって孔版
原紙を作製することができるとともに、孔版原紙作製に
あたって半導体レーザを利用することで、半導体レーザ
加工装置（３）の電源部（４）のコンパクト化を、従来
のガスレーザ装置の電源部に比べ容易に達成することが
できて、半導体レーザ加工装置（３）自体の小型化を図
ることができる。
レーザ加工装置（３）を接続して設けたことにより、前
記制御装置（１）に記憶された画像情報を変換した出力
信号に基づく前記加工装置（３）からの半導体レーザ（
７）を利用して、原紙（８）に第３図に示す如く穿孔（
８ａ）を簡単且つ鮮明に行なうことができ、もって孔版
原紙を作製することができるとともに、孔版原紙作製に
あたって半導体レーザを利用することで、半導体レーザ
加工装置（３）の電源部（４）のコンパクト化を、従来
のガスレーザ装置の電源部に比べ容易に達成することが
できて、半導体レーザ加工装置（３）自体の小型化を図
ることができる。
又、上記原紙（８）を半導体レーザ加工装置（３）にセ
ツティングする場合は、原紙（８）自体の材質が融点の
低いもの（例えば塩ビ等）、又は原紙（８）自体を事前
に暖めたもの或は原紙（８）の表面に熱吸収性の良い材
料をコーティング（例えばカーボン等）したものを上記
加工装置（３）にセツティングすれば、半導体レーザ装
置（５）の半導体レーザ（７）による原紙（８）の穿孔
を迅速に行なうことができる。
ツティングする場合は、原紙（８）自体の材質が融点の
低いもの（例えば塩ビ等）、又は原紙（８）自体を事前
に暖めたもの或は原紙（８）の表面に熱吸収性の良い材
料をコーティング（例えばカーボン等）したものを上記
加工装置（３）にセツティングすれば、半導体レーザ装
置（５）の半導体レーザ（７）による原紙（８）の穿孔
を迅速に行なうことができる。
次に、第４図を参照して本発明に係る第２実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２実施例の第１実施例と異なる点は、第１実施例の制
御装置（１）内にマイクロコンピュータを使用した点で
ある。本実施例に於いて読取り装置（２）は、所要増幅
を行う入力アンプ（２０）を介してマイクロコンピュー
タ（２１）と接続し、また、半導体レーザ加工装置（３
）は出力アンプ（２２）を介してコンピュータ（２１）
と接続する。コンピュータ（２１）は各制御の実行、処
理を行う中央処理装置（ｃｐｕ）（２３）ヲ有１．．
コｃ７）Ｃ；ＰＵ（２３） ト前記入力アンプ（２ｏ
）を結合するＡ−Ｄ変換器を含む入力インターフェイス
（２４）、ＣＰＵ（２３）と前記出力アンプ（２２）を
結合するＤ−Ａ変換器を含む出力インターフェイス（２
５）、更にＣＰＵ（２３）とバスで結ばれるＲＯＭ 、
ＲＡＭを含む記憶装２ｔ （２Ｂ）にて構成され、上記
読取り装置（２）にて読取られた画像情報を入力アンプ
（２０）、入力インターフェイス（２４）、ＣＰＵ（２
３）を介して記憶装置（２Ｂ）に記憶するとともに、前
記ＣＰＵ（２３）により記憶装置（２６）から読み出さ
れた信号をＣＰＵ（２３） 、出力インターフェイス（
２５） 、出力アンプ（２２）を介して半導体エーザ加
工装置（３）に供給する。これにより加工装置（３）が
、半導体レーザ光（７）を出射して原紙（８）に穿孔を
行なう、なお、第４図中符号（２７）は、外部記憶装置
を示し原稿の内容を長期的にファイルでき、且つ任意に
記憶内容の記憶ができる。
御装置（１）内にマイクロコンピュータを使用した点で
ある。本実施例に於いて読取り装置（２）は、所要増幅
を行う入力アンプ（２０）を介してマイクロコンピュー
タ（２１）と接続し、また、半導体レーザ加工装置（３
）は出力アンプ（２２）を介してコンピュータ（２１）
と接続する。コンピュータ（２１）は各制御の実行、処
理を行う中央処理装置（ｃｐｕ）（２３）ヲ有１．．
コｃ７）Ｃ；ＰＵ（２３） ト前記入力アンプ（２ｏ
）を結合するＡ−Ｄ変換器を含む入力インターフェイス
（２４）、ＣＰＵ（２３）と前記出力アンプ（２２）を
結合するＤ−Ａ変換器を含む出力インターフェイス（２
５）、更にＣＰＵ（２３）とバスで結ばれるＲＯＭ 、
ＲＡＭを含む記憶装２ｔ （２Ｂ）にて構成され、上記
読取り装置（２）にて読取られた画像情報を入力アンプ
（２０）、入力インターフェイス（２４）、ＣＰＵ（２
３）を介して記憶装置（２Ｂ）に記憶するとともに、前
記ＣＰＵ（２３）により記憶装置（２６）から読み出さ
れた信号をＣＰＵ（２３） 、出力インターフェイス（
２５） 、出力アンプ（２２）を介して半導体エーザ加
工装置（３）に供給する。これにより加工装置（３）が
、半導体レーザ光（７）を出射して原紙（８）に穿孔を
行なう、なお、第４図中符号（２７）は、外部記憶装置
を示し原稿の内容を長期的にファイルでき、且つ任意に
記憶内容の記憶ができる。
このように上記第２実施例において、本発明の半導体レ
ーザ加工装置（３）は、装置（３）にマイクロコンピュ
ータ（２１）内属の制御装置（１）を容易に接続するこ
とができるので、半導体レーザ加工装置（３）及び制御
装置（１）の各種装置及び画質に対する各種補正を可能
とする。
ーザ加工装置（３）は、装置（３）にマイクロコンピュ
ータ（２１）内属の制御装置（１）を容易に接続するこ
とができるので、半導体レーザ加工装置（３）及び制御
装置（１）の各種装置及び画質に対する各種補正を可能
とする。
（発明の効果）
以上の説明で明らかの如く、本発明によれば、半導体レ
ーザを利用して孔版原紙を作製することができるととも
に、半導体レーザを利用することでレーザ装置自体のコ
ンパクト化を図ることができる等の効果を有する。
ーザを利用して孔版原紙を作製することができるととも
に、半導体レーザを利用することでレーザ装置自体のコ
ンパクト化を図ることができる等の効果を有する。
第１図は本発明に係る制御装置及び半導体レーザ加工装
置の系統を示すブロック図、第２図は半導体レーザの結
晶構造体を示す図、第３図は半導体レーザ加工装置内部
の駆動説明図、第４図は制御装置の第２実施例を示すブ
ロック図である。 尚、図面中（１）は制御装置、（３）は半導体レーザ加
工装置、（７）は半導体レーザ、（８）は原紙である。 特 許 出 願 人 株式会社学習研究社代理人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士
大 橋 邦 部同 弁理士 小 山
右同 弁理士 野 １） 茂第４
図
置の系統を示すブロック図、第２図は半導体レーザの結
晶構造体を示す図、第３図は半導体レーザ加工装置内部
の駆動説明図、第４図は制御装置の第２実施例を示すブ
ロック図である。 尚、図面中（１）は制御装置、（３）は半導体レーザ加
工装置、（７）は半導体レーザ、（８）は原紙である。 特 許 出 願 人 株式会社学習研究社代理人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士
大 橋 邦 部同 弁理士 小 山
右同 弁理士 野 １） 茂第４
図
Claims (1)
- 原稿上の画像情報を記憶した制御装置の出力信号に基づ
いて作動する半導体レーザ加工装置により半導体レーザ
を出射し、この半導体レーザを利用して原紙に穿孔を行
ない孔版原紙を作製するようにした半導体レーザによる
孔版原紙の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2516886A JPS62181149A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体レ−ザによる孔版原紙の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2516886A JPS62181149A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体レ−ザによる孔版原紙の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181149A true JPS62181149A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12158472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2516886A Pending JPS62181149A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体レ−ザによる孔版原紙の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02183253A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-07-17 | Samsung Electron Devices Co Ltd | スクリーンマスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711055A (en) * | 1980-04-23 | 1982-01-20 | Hoechst Co American | Image formation method exaggerating intermediate gradation and its device |
| JPS57128550A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Nec Corp | Manufacture of screen |
| JPS60107342A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Takahiro Tsunoda | スクリ−ン版のレ−ザ製版法 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2516886A patent/JPS62181149A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711055A (en) * | 1980-04-23 | 1982-01-20 | Hoechst Co American | Image formation method exaggerating intermediate gradation and its device |
| JPS57128550A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Nec Corp | Manufacture of screen |
| JPS60107342A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Takahiro Tsunoda | スクリ−ン版のレ−ザ製版法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02183253A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-07-17 | Samsung Electron Devices Co Ltd | スクリーンマスクの製造方法 |
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