JPS62179666A

JPS62179666A - トランスデユ−サ

Info

Publication number: JPS62179666A
Application number: JP61020193A
Authority: JP
Inventors: Hirohisa Mizuhara; 博久水原
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1986-02-03
Filing date: 1986-02-03
Publication date: 1987-08-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、非直線性の電気的アナログ信号を測定対象
に比例した電気信号に変換するトランスデユーサ、特に
非直線性の温度特性を有する温度センサや非直線性でし
かも互に異なる温度特性を有する同一素子でも種類の違
う温反センサ例えばサーミスタや測温抵抗体あるいは熱
電対を使用して測定対象に比例したアナログ信号を得る
トランスデユーサに関するものである。

〔従来の技術〕

従来、す°−ミスタや測温抵抗体を使用して温度測定を
行う場合には温度変化を抵抗変化に変換し、この抵抗値
を電圧値に変換するか、あるいは熱電対に使用して温度
測定を行う場合には温度差を熱起電力に変換し、この熱
起電力を基準の電気信号例えばｅ−ＪＯｍＡに変換して
いた。しかしながら、これらの温度センサは温度変化に
対して抵抗変化や電圧変化が直線的でないために、測定
精度を上げたり、広い温度範囲で使用したりするＫは何
等から直線化機能が必要であった。

非直線性の温度特性を有する温度センサとして抵抗変化
の最もはなはだしいサーミスタを例にとると、サーミス
タは第６図に示すような温度−抵抗変化をする。第６図
において、横軸は温度Ｔ、縦軸は抵抗値Ｒを示す。第６
図に示すような変化特性のままでは抵抗値から温度を直
読できないので、これを直線化するために第７図に示す
ような信号発生手段を構成することが多い。図中、（１
）はサーミスタで、抵抗（２）と並列接続され、さらＫ
これが抵抗（，７）と直列に接続された上で、回路の電
源とアースの間に接続され、もって信号発生手段（ＳＧ
Ｍ）を構成する。そしてサーミスタ（１）から測定対象
としての温度に対応して非直線性の電気的アナログ信号
がアースと端子（ｔ）の間に出力電圧Ｖとしてとシ出さ
れるのである。

この出力電圧Ｖは温度に対して第を図に実線で示すよう
な変化を示す。すなわち、横軸に温度Ｔ。

縦軸に出力電圧Ｖをとれば、温度の上昇Ｔにつれて出力
電圧Ｖがほぼ直線的に低下する。ここで並列抵抗（コ）
および直列抵抗（３）を適当に選定すると、このグラフ
を破線で示すようＫかなり直線に近づけることができる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、測定温度範囲を広くとる場合や高精度の
温度測定を必要とする場合は、上述した直線化ではまだ
不十分であり、実質的に直線に近い特性が必要となる。

このためには＋７　＝ヤライザと称する直線化回路や装
置が必要である。しかしながら、リニヤライザは・精密
抵抗や可変抵抗あるいは演算増幅器を多数使用している
ために調整が繁雑で、しかも高価になると云う問題点が
あった。

また、使用されるサーミスタあるいは熱電対はその種類
が多く、しかも種類によって温度特性が異なるので、各
温度特性に合わせて直線化するためのりニヤライザの設
計や製造が必要であり、そのために種類が増えるという
問題点もあった。

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、非直線性の電気的アナログ信号を測定対象に
比例した電気信号に変換する際に、特別なりニヤ２イザ
を必要とせず、調整が簡単で、その上高精度であるにも
か＼わらず安価なトランスデユーサを得ることを目的と
する。

この発明の別の発明は、上述した目的に加え、使用する
温度センサの種類が変っても対処できるトランスデユー
サを得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るトランスデユーサは、測定対象に対応し
て非直線性の電気的アナログ信号を個別に発生する複数
個の信号発生手段と、これら信号発生手段から所望のア
ナログ信号を選択するマルチプレクサと、選択されたア
ナログ信号をディジタル信号に変換するアナログ／ディ
ジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応しかつ実質
的に直線性の直線化データがあらかじめ書き込まれてい
るデータ記憶手段と、このデータ記憶手段へ前記ディジ
タル信号を印加することによって前記データ記憶手段か
ら読み出された所望の直線化データを、記憶前または記
憶後に前記測定対象に比例し　またアナログ信号に変換
する信号記憶・変換手段と　１を備えたものである。

この発明の別の発明に係るトランスデユーサは、測定対
象に対応して非直線性で異なる電気的アナログ信号を個
別に発生する複数個の信号発生手段と、これら信号発生
手段から所望のアナログ信号を選択するマルチプレクサ
と、選択されたアナログ信号をディジタル信号に変換す
るアナログ／ディジタル変換部と、前記ディジタル信号
に対応しかつ実質的に直線性の直線化温度データおよび
前記複数個の信号発生手段の各々中に設けた温度センサ
の異なる温度特性に対応する校正データがあらかじめ書
き込まれているデータ記憶手段と、前記校正データから
使用した温度センサに合う温度特性の校正データを選択
するデータ選択信号を発生するデータ設定部と、前記デ
ータ記憶手段へ前記ディジタル信号および前記データ選
択信号を印加することによって前記データ記憶手段から
読み出された所望の直線化データを、記憶前または記憶
後に、前記測定対象に比例したアナログ信号に変換する
信号記憶・変換手段とを備えたものである。

〔作用〕

この発明において、アナログ／ディジタル変換部のディ
ジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の直線化データ
が書き込まれているデータ記憶手段は、前記ディジタル
信号で直接アクセスされると、所望の直線化データを出
力する。この所望の直線化データは、記憶回路に記憶さ
れる前に或は記憶された後で、信号記憶・変換手段によ
って測定対象に比例したアナログ信号ひいては所定の電
気信号に変換される。

この発明の別な発明において、アナログ／ディジタル変
換部のディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の直
線化データおよびｉｉＪ記複数個の信号発生手段の各々
中に設けた温度センサの異なる温度特性に対応する校正
データが書き込まれているデータ記憶手段は、前記ディ
ジタル信号およびデータ設定部からのデータ選択信号で
直接アクセスされると、前記直線化データと前記校正デ
ータの組み合わせから所望の直線化データを出力する。

この所望の直線化データは、記憶回路への記憶前後に信
号記憶・変換手段によって測定対象に比例したアナログ
信号ひいては電気信号に変換される。

〔実施例〕

この発明の一実施例第１図はこの発明に係るトランスデユーサの一実施例を
示すブロック図である。図Ｖζおいて、（／ａ）　〜（
Ｉｆ’）、（Ｊａ）　〜（−２ｆ）、（、ｔａ）　〜（
，７ｆ）、（ＳＯＭａ）〜（ｓｏＭｆ）は第７図に示し
たものと同様なそれぞれサーミスタ、並列抵抗、直列抵
抗、信号発生手段である。（Ｍ）はマルチプレクサであ
り、信号発生手段（Ｓ（）Ｍａ）〜（ＳＣ）Ｍｆ）に接
続されて後述する選択信号Ｓにより所望の信号発生手段
を選択する。（＜＝）はアナログ／ディジタル変換部（
以下、Ａ　／　Ｄ変換部と称す。）であり、マルチプレ
クサ（Ｍ）によって選択された所望の信号発生手段の出
力電圧である非直線性の電気的アナログ信号が入力され
るとこれをディジタル信号に変換する。

（ＤＭＭ）はこのディジタル信号に対応しかつ実質的に
直線性の直線化データがあらかじめ書き込まれているデ
ータ記憶手段であり、例えば停電しても記憶データが消
失しないＲＯＭＩＣや実使用時にのみ単なるＲＯＭとし
て使用されるＲＡＭＩＣで構成されたメモリｒｃ　（ｙ
）および（６）である。各メモリＩＣ（ｊ２）、　（４
）Ｋはそれぞれチンプセレ、クト信号王用端子（、ｔａ
）、（＋ａ）および読み出し信号π用端子（ｊｂ）、（
６ｂ）が設けられており、これら端子を図示のようにア
ースしておくことによってアクティブ状態にし、もって
メモリＩＣＯ＞および（６）を常時読み出し可能にする
。各メモ＋）　ｒｅ（ｔ）、（ｘ）には、更に、それぞ
れアドレス端子（ｙｃ）、（ｇｃ）およびデータ端子（
ｔａ）、（＋ｄ）が設けられている。アドレス端子（ｊ
ｃ）および（６ｃ）にはＡ　／　Ｄ変換部（り）のディ
ジタル信号がアドレス信号として印加され、もってメモ
リＩＣ（ｙ）、（６）のアドレス（図示しない）が直接
アクセスされる。データ端子（ｈａ）、（６ａ）からは
後述する所望の直線化データが読み出される。

（ＳＭＣＭ）は信号記憶・変換手段であり、メモリＩＣ
（ｊ）および（６）から読み出された所望の直線化デー
タを後述する記憶回路に記憶する前に測定対象例えば温
度に比例したアナログ信号に変換するディジタル／アナ
ログ変換部（以下、Ｄ／Ａ変換部と称す。’）　（？）
　、測定対象に比例したアナログ信号を各信号発生手段
（ｓｏＭａ）〜（ｓＧＭｆ）毎にそれぞれ記憶する複数
個の記憶回路例えばサンプルアンドホールド回路（ｇａ
）〜（ｇｆ）　、および各サンプルアンドホールド回路
（ｆａ）〜（ざｆ）に記憶されたアナログ信号を所定の
電気信号としての電圧信号あるいは電流信号に変換する
信号変換部（９ａ）〜（デｆ）から成る。なお、（１０
’）はタイミング回路であり、選択信号Ｓが印加される
とマルチプレクサによって選択された所望の信号発生手
段に対応するサンプルアンドホールド回路にホールド信
号を出力し、もってＤ　／　Ａ変換部（７）からのアナ
ログ信号を記憶させる。

今、メモリＩＣ（ｒ）および（６）に例えばコキロバイ
トのＩＣを使用すれば、アドレス信号は八〇〜ＡＩＯの
１１ビット構成になる。従って、Ａ　／　Ｄ変換部（り
）のディジタル信号もＤＯ−Ｄｌｏの１１ビット構成に
すれば良い。もちろん、メモリＩＣ（ｊ）および（６）
の−キロバイトを全て使用せず、／キロバイトのみ使用
するのであればＡ　／　Ｄ変換部（ｔＩ）のディジタル
信号はｌＯビットあれば良い。

メモＩＪ　Ｉ　Ｃ（ｙ）および（６）はそのデータ構成
がＤθ〜Ｄ７のｇビット構成である。これらのｇビット
をＢＣＤ信号として使用する場合はＢＣＤ信号コ桁分し
か構成できず、従ってメモＩＪ　Ｉ　Ｃをコ個使用すれ
ばＢＣＤ　、７桁もしくはり桁の構成が可能になる。本
例ではメモＩＪ　Ｉ　Ｃ（３）および（６）の−個を使
用して／ｌビットの２進符号信号を構成した場合を示し
た。

メモＩＪ　Ｉ　Ｃ（ｒ）および（６）は、その記憶内容
として、Ａ　／　Ｄ変換部（りのディジタル信号に対応
するアドレスに、このディジタル信号に対応しかつ実質
的に直線性の直線化データがあらかじめ書き込まれてい
る。すなわち、例えば第一図のグラフに示されるように
信号発生手段の出力電圧（縦軸）と測定対象としての温
度に関する直線化データとの関係を測定あるいは計算に
より求め、この直線化データを信号発生手段の出力電圧
ひいてはＡ　／　Ｄ変換部（ＩＩ）のディジタル信号に
対応してメモＩＪ　Ｉ　Ｃ（ｊ）および（６）にあらか
じめ記憶させておく。第２図では、例えばグラフ上の点
、２（ＩＩ）は０℃のときの点で、このときの出力電圧
はコ０００ｎｎＶである。また点２ｔは３０℃の点で、
このときの出力電圧は／　／　００　ｍｖである。この
／１００ｍＶ　Ｋ相当するディジタル信号が入力される
とメモリＩ　Ｃ（！；）および（６）は点ユ／に相当す
る３０℃ではなく点コ／Ａ（一点鎖線で示す実質的な直
線上に在る。）に相当する。２１：　’Ｃの直線化デー
タを出力する。同様に、ＪλθＯｍＶに相当するディジ
タル信号が入力されるとメモリＩ　Ｃ（ｒ）および（６
）は点２２に相当する一、３０℃ではなく点ココＡに相
当する一２ｇ”Ｃの直線化データを出力する。従って、
出力電圧の２　ｍＶきざみまたはＳｍＶきざみで各電圧
値に対応する値を求めておき、次にこの電圧値をアドレ
ス信号としたとき、これに対応する値をメモリＩ　Ｃｍ
および（６）内のアドレスに二進符号で書き込んでおけ
ば、信号発生手段の出力電圧に対応する所望の直線化デ
ータをメモリＩ　Ｃ（ｔ）および（６）から二進符号で
得ることができる。この所望のデータはメモリＩ　Ｃ（
ｔ）および（６）のデータ端子（５ｄ）および（６ｄ）
よ）出力される。この所望の直線化データはメモＩＪ　
Ｉ　ＣＣ）、Ｃ６’）のそれぞれデータ端子（ｚｄ）　
＋　（６ｄ　）から各ビット毎に２進符号でＤ／Ａ変換
部（７）の入力端子（７ａ）へ入力される。Ｄ　／　Ａ
変換部（７）は入力された二進符号に対応して測定対象
例えば温度に比例したアナログ信号を出力端子（りｂ）
に出力する。このアナログ信号はサンプルアンドホール
ド回路（ｆａ）〜（ｆｆｆ）に入力されるが、タイミン
グ回路（ｌθ）がホールド信号を出力しているサンプル
ホールド回路例えば選択信号Ｓによって信号発生手段（
ｓＧＭｆ）が選択されている場合には（ｆｆ）に記憶さ
れる。このサンプルアンドホールド回路（１１）に記憶
されたアナログ信号は対応する変換部（？ｆ）によって
所定の電気信号例えば直流θ〜ｊＶの電圧信号や直流ｑ
〜−〇　ｍＡの電流信号に変換され、トランスデユーサ
出力として外部へ出力される。

この発明の一実施例は上述したように構成されておシ、
今、外部から印加された選択信号Ｓによってマルチプレ
クサ（Ｍ）が信号発生手段（ＳＧＭｆ）を選択したとす
れば、この信号発生手段（ＳＣ）Ｍｆ）のアナログ信号
はＡ　／　Ｄ変換部（４）によってディジタル信号ＤＯ
−Ｄ１０に変換された後アドレス信号ＡＯ−Ａ／θとし
てメモリＩ　Ｃ＜！＞および（６）へ印加される。そう
すると、メモリＩＣ（ｔ）のｇビットＤθ〜Ｄ７および
メモリｒ　ｃ　（４）の３ビットＤＯ−０２から成る所
望の直線化データが読み出され、Ｄ　／　Ａ変換部（７
うによって測定対象に比例したアナログ信号に変換され
た後サンプルアンドホールド回路（ざａ）〜（１）へ印
加される。選択信号Ｓはタイミング回路（１０）へも印
加されるので、このタイミング回路（１０）は信号発生
手段（ＳＧＭｆ）に対応するサンプルアンドホールド回
Ｗｌｒ　（ｇ　ｆ）　へホールド信号を出力し、もって
このサンプルアンドホールド回路（ｒｒ）にＤ　／　Ａ
変換部（７）からのアナログ信号を記憶させる。この記
憶されたアナログ信号はサンプルアンドホールド回路（
ｚｆ）に接続された信号変換部（ｙｆ）によって所定の
電気信号に変換される。

この発明の他の実施例第３図はこの発明の他の実施例を示すブロック図である
。第１図の実施例と違う点は、データ記憶手段から読み
出された所望の直線化データを各信号発生手段毎にそれ
ぞれ記憶した後にＤ　／　Ａ変換するようにしたので、
第１図中のＤ　／　Ａ変換部（ワ）を削除しかつ複数個
のサンプルアンドホールド回路（ｇａ）〜（ｒｆ）の代
りに記憶回路（１１ａ）〜（ｌｌｆ）をそして信号変換
部（？ａ）〜（？ｆ）の代りにＤ／Ａ変換部（／コミ）
〜（／２ｆ）を使用した。

従って、メモリＩ　ｃ　（、ｔ）のｇビットＤＯ〜Ｄ７
およびメモリＩ　Ｃ（Ａ）の３ピントＤＯ〜Ｄ２から成
る所望の直線化データはデータ記憶手段ＤＭＭから読み
出され、信号記憶・変換手段（ＳＭＣＭ）中の複数個の
記憶回路（／　／ａ）〜（ｌｌｆ）へ印加される。上述
した実施例の場合と同様に、タイミング回路（１０）は
外部からの選択信号Ｓの印加により信号発生手段（ＳＧ
Ｍｆ）に対応する記憶回路（ｌｌｆ）へホールド信号を
出力し、もってこの記憶回路（ｌｌｆ）に所望の直線化
データを記憶させる。この記憶された直線化データは記
憶回路（ｌｌｆ）に接続されたＤ　／　Ａ変換器（ｉｘ
ｆ）によって測定対象に比例した所定の電気信号として
の直流Ｏ−，ｔＶの電圧信号あるいは直流ダ〜コＯｍＡ
の電流信号であるアナログ信号に変換される。

この発明の別な発明の一実施例第３図はこの発明の別な発明に係るトランスデユーサの
一実施例を示すブロック図である。第１図の実施例とは
下記の点が違う。すなわち、サーミスタ（／ａ）〜（／
ｆ）は非直線性で互に異なる温度特性を有している、つ
まりサーミスタであるかその種類が違うのである。また
、（５Ｍ）および（６Ｍ）は、Ａ　／　Ｄ変換部（りの
ディジタル信号ＤＯ〜Ｄ１０に対応しかつ実質的に直線
性の直線化データおよびサーミスタ（／ａ）〜（／ｆ）
の異なる温度特性に対応する校正データがあらかじめ書
き込まれているメモリＩＣであり、メモリｒ　ｃ　（ｓ
＞および（６）と違って入力側が例えば／３ビット構成
になっている。更に、（１３）はデータ設定部であり、
メモリＩ　Ｃ（ｊＭ）および（６Ｍ）に記憶されている
校正データから使用したサーミスタに合う温度特性の校
正データを選択するデータ選択信号Ｔを発生する。

Ａ　／　Ｄ変換部（りからのディジタル信号ＤＯ−Ｄ１
０はメモリＩＣ（ｔＭ）および（６Ｍ）の下位１／ピン
トのアドレス信号ｋＯ−に１０になり、かつデータ選択
信号Ｔは上位ａビットのアドレス信号Ａ１１〜Ａ／コに
なる。従って、データ選択信号Ｔのコビットの組み合わ
せでｑ通りのデータを選択できる。

上述したように構成されたトランスデユーサにおいて、
今、外部から印加された選択信号８によってマルチプレ
クサ（Ｍ）が信号発生手段（ＳＧＭｆ）を選択したとす
れば、この信号発生手段（ＳＧＭｆ）のアナログ信号は
Ａ　／　Ｄ変換部（４’）に；つてディジタル信号ＤＯ
〜Ｄ１０に変換された後アドレス信号ＡＯ−に１０とし
てメモリＩ　Ｃ（ｔｔＭ）および（６Ｍ）へ印加される
。同様に、データ設定部（７，７）からのデータ選択信
号もアドレス信号Ａ１１　−Ａ／コとしてメモｌｊ　Ｉ
　Ｃ（ｔＭ）および（６Ｍ）へ印加される。そうすると
、直線化データおよび使用したサーミスタ（／ｌ’）に
合う温度特性の校正データの組み合わせから成る所望の
直線化データが読み出され、これを第１図について上述
したように測定対象に比例したアナログ信号に変換した
上で、所定の電気信号に変換して出力する。

第１図はこの発明の別な発明の他の実施例を示すブロッ
ク図である。第引図の実施例は、第４図に示した実施例
中の信号記憶・変換手段ＳＭＣＭだけを、第３図に示し
た実施例中の信号記憶・変換手段ＳＭＣＭで置き換えた
ものである。従って、詳しい説明は省略する。

なお、上記実施例では信号発生手段の出力電圧を二ｍＶ
または？　ｍＶきざみＫしたものについて説明したが、
メモＩＪ　Ｉ　Ｃの容量を大きくして第一図の出力電圧
の目盛をよシ小きざみにし、例えば／　ｍＶきざみにし
てこれに対応する直線化データを記憶させかつＡ　／　
Ｄ変換部のディジタル信号のピット数を増やせば、一層
精度の高いものとすることができ、またＤ　／　Ａ変換
部もあわせてそのピント数を増やせば、更に一層高精度
のものとすることができる。更に、メモＩＪ　Ｉ　Ｃの
容量を大きくしてデータ設定部からのデータ選択信８号
のピント数を多くすれば、温度センサの温度特性に対応
する種類の数も増やすことができる。また、マルチプレ
クサは本実施例では６個の信号発生手段を選択するが、
その数を増やせばより多数の温度センサを接続すること
もできる。選択信号は外部の電子計算機から得られる信
号でも良いし、手動で設定される信号でも良い。更Ｋ、
本実施例ではサーミスタについて説明したが、測温抵抗
体や熱電対を温度センサとする場合にも応用が可能であ
る。

更に、Ａ　／　Ｄ変換部への入力信号はサーミスタや熱
電対から得られる信号だけでなく非直線性の電気信号で
あれば何でもよい。メモ＋７　Ｉ　Ｃの出力を表示回路
に出力すると共に分岐して取シ出し、電子計算機などに
入力してデータ処理することもできる。また、マイクロ
コンピュータなどの演算処理装置を使用すればそのメモ
リを利用できる利点がある。また温度表示器や目標温度
設定手段と温度比較手段を付加すれば、温度調節器や警
報器としても利用できるなどこの発明の応用範囲はきわ
めて広い。

〔発明の効果〕

以上説明したとおシ、この発明は、測定対象に対応して
非直線性の電気的アナログ信号を個別に発生する複数個
の信号発生手段と、これら信号発生手段から所望のアナ
ログ信号を選択するマルチプレクサと、選択されたアナ
ログ信号をディジタル信号に変換するアナログ／ディジ
タル変換部と、前記ディジタル信号に対応しかつ実質的
に直線性の直線化データがあらかじめ書き込まれている
データ記憶手段と、このデータ記憶手段へ前記ディジタ
ル信号を印加することによって前記データ記憶手段から
読み出された所望の直線化データを、記憶前または記憶
後に、前記測定対象に比例したアナログ信号に変換する
信号記憶・変換手段とを備えているので、特別なりニヤ
ライザを要することｙｚ（、広い温度範囲に亘って高精
度の直線化されたアナログ信号を得ることができ、しか
も構成が簡単で極めて安価であると云う効果が得られる
。

また、この発明の別な発明は、測定対象に対応して非直
線性で異なる電気的アナログ信号を個別に発生する複数
個の信号発生手段と、これら信号発生手段から所望のア
ナログ信号を選択するマルチプレクサと、選択されたア
ナログ信号をディジタル信号に変換するアナログ／ディ
ジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応しかつ実質
的に直線性の直線化データおよび前記複数個の信号発生
手段の各々中に設けた温度センサの異なる温度特性に対
応する校正データがあらかじめ書き込まれているデータ
記憶手段と、前記校正データから使用した温度センサに
合う温度特性の校正データを選択するデータ選択信号を
発生するデータ設定部と、前記データ記憶手段へ前記デ
ィジタル信号および前記データ選択信号を印加するとと
Ｋよって前記データ記憶手段から読み出された所望の直
線化データを、記憶前または記憶後Ｋ、前記測定対象に
比例したアナログ信号に変換する信号記憶・変換手段と
を備えているので、上述の効果に加えて、温度特性の異
なる温度センサにも対処できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第一図
は第１図に示した実施例の動作を説明するための図、第
３図はこの発明の他の実施例を示すブロック図、第４図
はこの発明の別な発明の一実施例を示すブロック図、第
ｊ図は別な発明の他の実施例を示すブロック図、第６図
は一般的なサーミスタの温度−抵抗特性を示す図、第７
図はサーミスタの特性を直線化するための信号発生手段
の一例を示す回路図、第を図は第蚤図の信号発生手段の
温度−抵抗特性を示す図である。図において、（／ａ）〜（／ｆ）はサーミスタ、（コａ
）〜（，２ｆ）は並列抵抗、（３ａ）〜（，７ｆ）は直
列抵抗、（ｓｏＭａ）　〜（ｓＧＭｒ）は信号発生手段
、（Ｍ）はマルチプレクサ、（りはＡ　／　Ｄ変換部、
（夕）および（ｔＭ）並びに（ル）および（ＡＭ）はメ
モリＩＣ，（ＤＭＭ）はデータ記憶手段、（７）はＤ　
／　Ａ変換部、（ｇａ）〜（ｒｆ）はサンプルアンドホ
ールド回路、（９ａ）〜（９ｆ）は信号変換部、（１１
ａ）　〜Ｃｔｉｔ＞は記憶回路、（／ｕａ　）〜（ｌコ
で）はＤ　／　Ａ変換部、（ＳＭＣＭ）は信号記憶・変
換手段、（１０）はタイミング回路、（１３）はデータ
設定部である。なお、図中、同一符号は同一または和尚部分を示す。ｒ７ｆ）２図九６図第８図手続補正書「自発」昭和６１（１−１１刀今日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）測定対象に対応して非直線性の電気的アナログ信
号を個別に発生する複数個の信号発生手段と、これら信
号発生手段から所望のアナログ信号を選択するマルチプ
レクサと、選択されたアナログ信号をディジタル信号に
変換するアナログ／ディジタル変換部と、前記ディジタ
ル信号に対応しかつ実質的に直線性の直線化データがあ
らかじめ書き込まれているデータ記憶手段と、このデー
タ記憶手段へ前記ディジタル信号を印加することによつ
て前記データ記憶手段から読み出された所望の直線化デ
ータを、記憶前または記憶後に前記測定対象に比例した
アナログ信号に変換する信号記憶・変換手段とを備えた
ことを特徴とするトランスデューサ。
（２）測定対象が温度であり、非直線性の電気的アナロ
グ信号が各信号発生手段中に設けた温度センサから取り
出されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
トランスデューサ。
（３）温度センサがサーミスタ、測温抵抗体あるいは熱
電対であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
のトランスデューサ。
（４）信号発生手段がサーミスタと、このサーミスタに
それぞれ並列、直列に接続された並列抵抗、直列抵抗と
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
トランスデューサ。
（５）データ記憶手段がＲＯＭＩＣから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか記
載のトランスデューサ。
（６）データ記憶手段が実使用時にのみ単なるＲＯＭと
して使用されるＲＡＭＩＣから成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか記載のトラ
ンスデューサ。
（７）信号記憶・変換手段が、所望の直線化データを測
定対象に比例したアナログ信号に変換するディジタル／
アナログ変換部と、前記測定対象に比例したアナログ信
号を各信号発生手段毎にそれぞれ記憶する複数個の記憶
回路と、各記憶回路に記憶されたアナログ信号をそれぞ
れ所定の電気信号としての電圧信号あるいは電流信号に
変換する複数個の信号変換部とから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか記載の
トランスデューサ。
（８）記憶回路がサンプルアンドホールド回路であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のトランスデ
ューサ。
（９）外部からの選択信号の印加により、マルチプレク
サによつて選択された信号発生手段に対応する記憶回路
が、タイミング回路からのホールド信号によつて測定対
象に比例したアナログ信号を記憶することを特徴とする
特許請求の範囲第７項または第８項記載のトランスデュ
ーサ。
（１０）信号記憶・変換手段が、所望の直線化データを
各信号発生手段毎にそれぞれ記憶する複数個の記憶回路
と、各記憶回路に記憶された所望の直線化データをそれ
ぞれ測定対象に比例した所定の電気信号としての電圧信
号あるいは電流信号であるアナログ信号に変換する複数
個のディジタル／アナログ変換部とから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか記
載のトランスデューサ。
（１１）外部からの選択信号の印加により、マルチプレ
クサによつて選択された信号発生手段に対応する記憶回
路が、タイミング回路からのホールド信号によつて所望
の直線化データを記憶することを特徴とする特許請求の
範囲第１０項記載のトランスデューサ。
（１２）測定対象に対応して非直線性で異なる電気的ア
ナログ信号を個別に発生する複数個の信号発生手段と、
これら信号発生手段から所望のアナログ信号を選択する
マルチプレクサと、選択されたアナログ信号をディジタ
ル信号に変換するアナログ／ディジタル変換部と、前記
ディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の直線化デ
ータおよび前記複数個の信号発生手段の各々中に設けた
温度センサの異なる温度特性に対応する校正データがあ
らかじめ書き込まれているデータ記憶手段と、前記校正
データから使用した温度センサに合う温度特性の校正デ
ータを選択するデータ選択信号を発生するデータ設定部
と、前記データ記憶手段へ前記ディジタル信号および前
記データ選択信号を印加することによつて前記データ記
憶手段から読み出された所望の直線化データを、記憶前
または記憶後に、前記測定対象に比例したアナログ信号
に変換する信号記憶・変換手段とを備えたことを特徴と
するトランスデューサ。
（１３）所望の直線化データが直線化データおよび校正
データの組み合わせから成る特許請求の範囲第１２項記
載のトランスデューサ。