JPS62178162A - Transistor-switching circuit - Google Patents

Transistor-switching circuit

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JPS62178162A
JPS62178162A JP1966086A JP1966086A JPS62178162A JP S62178162 A JPS62178162 A JP S62178162A JP 1966086 A JP1966086 A JP 1966086A JP 1966086 A JP1966086 A JP 1966086A JP S62178162 A JPS62178162 A JP S62178162A
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JP
Japan
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transistor
switching
capacitor
diode
control signal
Prior art date
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Application number
JP1966086A
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Japanese (ja)
Inventor
Norio Fujiki
憲夫 藤木
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Nissan Motor Co Ltd
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Nissan Motor Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To suppress and control noise jamming effectively without incurring a collector loss of a switching transistor by decreasing a feedback capacity in OFF-state transition as compared with that in ON-state transition of said switching transistor. CONSTITUTION:If a switching control signal 104 is made ON, a base current 114 flows into a transistor 10 and an electric current 116 flows through a capacitor 22. Also, an electric current 118 flows through a series circuit of diode 24 and capacitor 26. Accordingly, the feedback capacity of the transistor 10 becomes the sum of capacities of capacitors 22, 26. If the switching control signal 104 is made OFF, the feedback capacity of the transistor 10 becomes only a capacity of the capacitor 22 because the diode 24 is actuated in the opposite direction to said switching control signal 104.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は、インダクタンス負荷に供給される電流のデユ
ーティ比制御を行なえるトランジスタスイッチング回路
に係り、特にそのデユーティ比制御の際に発生する輻射
ノイズの低減が可能なトランジスタスイッチング回路に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention relates to a transistor switching circuit capable of controlling the duty ratio of current supplied to an inductance load, and in particular to reducing radiation noise generated during duty ratio control. This invention relates to a transistor switching circuit capable of

(発明の背景) この種の回路に関しては特開昭51−83118等が知
られており、第2図には従来回路の一例が示されている
(Background of the Invention) This type of circuit is known from Japanese Patent Laid-Open No. 51-83118, and an example of the conventional circuit is shown in FIG.

同図のトランジスタ10はマイクロコンピュータ等で構
成されたスイッチング制御回路12によりスイッチング
制御されており、そのスイッチング制御によりバッテリ
14からインダクタンス負荷16に供給される電流のデ
ユーティ比が制御されている。
The switching of the transistor 10 shown in the figure is controlled by a switching control circuit 12 composed of a microcomputer or the like, and the duty ratio of the current supplied from the battery 14 to the inductance load 16 is controlled by the switching control.

そしてこのデユーティ比制御中においてトランジスタ1
0がONされたときには、バッテリ14゜インダクタン
ス負荷16.トランジスタ10のループ100で電流が
流れ、トランジスタ10がOFFされたときには負荷1
6に流れていた電流がダイオード18を介して再び負荷
16に戻るループ102が形成される。
During this duty ratio control, transistor 1
0 is turned on, the battery 14° and the inductance load 16. Current flows in the loop 100 of the transistor 10, and when the transistor 10 is turned off, the load 1
A loop 102 is formed in which the current flowing through the load 16 returns to the load 16 via the diode 18.

このデユーティ比制御を行なうためにスイッチング制御
回路12からトランジスタ10のベースにはスイッチン
グ制御信号104が抵抗20を介して供給されており、
トランジスタ10のベース−コレクタ間にはコンデンサ
22が接続されている。
In order to perform this duty ratio control, a switching control signal 104 is supplied from the switching control circuit 12 to the base of the transistor 10 via a resistor 20.
A capacitor 22 is connected between the base and collector of the transistor 10.

第3図には第2図従来回路の動作説明用特性が示されて
おり、同図の特性106によりトランジスタ10のコレ
クタ電圧が、また特性108によりそのコレクタ電流が
各々示されている。
FIG. 3 shows characteristics for explaining the operation of the conventional circuit shown in FIG. 2, in which characteristic 106 shows the collector voltage of transistor 10, and characteristic 108 shows its collector current.

第3図において時刻t1でスイッチング制御信号104
がOFFからONとなると、特性108に示されるよう
に期間T1中にトランジスタ10のコレクタ電流が増加
し、電流の流れがループ102からループ100に切替
る そして時刻t2からトランジスタ10のコレクタ電圧が
特性106で示されるように期間T2に亘り電源電圧か
らアースレベルに低下する。
In FIG. 3, at time t1, the switching control signal 104
turns from OFF to ON, the collector current of transistor 10 increases during period T1 as shown in characteristic 108, the current flow switches from loop 102 to loop 100, and from time t2 the collector voltage of transistor 10 changes to characteristic As shown at 106, the voltage decreases from the power supply voltage to the ground level over a period T2.

その後スイッチング制御信号104が時刻t3でONか
らOFFとなると、蓄積時間T3の経過後、時刻t4か
ら特性106で示されるようにトランジスタ10のコレ
クタ電圧が上冒し、ttr1間T4が経過した時刻t5
で電源電圧に達する。
Thereafter, when the switching control signal 104 is turned from ON to OFF at time t3, the collector voltage of the transistor 10 rises from time t4 as shown by characteristic 106 after the accumulation time T3 has elapsed, and at time t5 when T4 has elapsed during ttr1.
The supply voltage is reached at

そしてその時刻t5から特性108に示されるように期
間T5に亘りトランジスタ10のコレクタ電流が低下し
、電流の流れがループ100からループ102へ切替わ
る。
Then, from time t5, the collector current of the transistor 10 decreases over a period T5 as shown in characteristic 108, and the current flow switches from the loop 100 to the loop 102.

ここでトランジスタ10で以上のスイッチングが行なわ
れると、車載AMラジオに対しノイズ電波が輻射され、
その車載AMラジオのノイズとなる。
When the above switching is performed in the transistor 10, noise radio waves are radiated to the in-vehicle AM radio.
This becomes the noise of the car's AM radio.

そのノイズはトランジスタ10がOFFからONとなる
期間T、十王2、トランジスタ10がONからOFFへ
切替わる期間T4 +Tsに亘り発生し、トランジスタ
10のスイッチングに要する時間が短いほどノイズレベ
ルが増加する。
The noise occurs over the period T, Juoh 2, during which the transistor 10 switches from OFF to ON, and the period T4 +Ts, during which the transistor 10 switches from ON to OFF, and the noise level increases as the time required for switching the transistor 10 becomes shorter. .

そしてインダクタンス負荷16のスイッチング素子とし
てトランジスタ10が用いられている場合には小数キャ
リアの蓄積効果によりT4>T2、Ts>T+となるの
で、トランジスタ10がOFFからONとなる期間T+
+T2を考慮して車載AMラジオに対するノイズ対策が
行なわれる。
When the transistor 10 is used as a switching element of the inductance load 16, T4>T2 and Ts>T+ due to the accumulation effect of minority carriers, so the period T+ during which the transistor 10 changes from OFF to ON
+T2 is taken into consideration when noise countermeasures are taken for the in-vehicle AM radio.

そのノイズ低減レベルは一般に一15dB以上が要求さ
れており、このため、第2図従来回路では抵抗20.コ
ンデンサ22を用いて積分回路が形成されることにより
期間T2が10μsec以上に設定される。
The noise reduction level is generally required to be -15 dB or more, and for this reason, the conventional circuit shown in FIG. By forming an integrating circuit using the capacitor 22, the period T2 is set to 10 μsec or more.

しかしながら期間T2が10μSec以上となるように
第4図の特性110からコンデンサ22の容量が決定さ
れると、同図の特性112から理解されるように期間T
4が40μsec以上となり、従って従来においてはト
ランジスタ10のスイッチングによるノイズの低減を行
なうためにトランジスタ10で大きなコレクタ損失が生
ずるという問題がおった。
However, if the capacitance of the capacitor 22 is determined from the characteristic 110 in FIG. 4 so that the period T2 is 10 μSec or more, the period T2 is determined from the characteristic 110 in FIG.
4 is 40 .mu.sec or more. Therefore, in the prior art, there was a problem in that a large collector loss occurred in the transistor 10 in order to reduce the noise caused by the switching of the transistor 10.

(発明の目的) 本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものでおり、
その目的は、コレクタ損失の増大を招くことなくスイッ
チングノイズを有効に低減できるi〜ランジスタスイッ
チング回路を提供することにある。
(Object of the invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and
The purpose is to provide an i~ transistor switching circuit that can effectively reduce switching noise without increasing collector loss.

(発明の構成と効果) 上記目的を達成するために本発明は、 スイッチング1〜ランジスタのコレクターベース間に接
続されたコンデンサに対してスイッチングトランジスタ
のON遷移時とOFF遷移時のうちON遷移時にのみ他
のコンデンサを並列に挿入するスイッチング回路が設け
られた、 ことを特徴としている。
(Structure and Effects of the Invention) In order to achieve the above object, the present invention provides a method for controlling the capacitor connected between the switching 1 and the collector base of the transistor only at the ON transition of the switching transistor between the ON transition and the OFF transition. It is characterized by a switching circuit that inserts other capacitors in parallel.

(実施例の説明) 以下図面に基づいて本発明に係るトランジスタスイッチ
ング回路の好適な実施例を説明する。
(Description of Embodiments) Hereinafter, preferred embodiments of the transistor switching circuit according to the present invention will be described based on the drawings.

第1図には本発明に係る回路の好適な第1実施例が示さ
れており、前述の第2図と同一部材には同一符号を付す
ることによりそれらの説明は省略する。
FIG. 1 shows a preferred first embodiment of the circuit according to the present invention, and the same members as in FIG.

同図においてトランジスタ10のベース−コレクタ間に
はダイオード24.コンデンサ26の直列回路がコンデ
ンナ22に対して並列に接続されており、ダイオード2
4のアノードはトランジスタ10のベース側とされてい
る。
In the figure, a diode 24 is connected between the base and collector of the transistor 10. A series circuit of capacitor 26 is connected in parallel to capacitor 22, and diode 2
The anode 4 is located on the base side of the transistor 10.

そしてこのダイオード24には抵抗28が並列に接続さ
れており、この抵抗28によりコンデンサ26に所定の
電位が与えられている。
A resistor 28 is connected in parallel to this diode 24, and a predetermined potential is applied to the capacitor 26 by this resistor 28.

ざらにコンデンサ22.26の容量は約2200pF、
6800pFとされており、トランジスタ10のスイッ
チング周波数は可聴音周波数以上の20KH2,スイッ
チング電流は20A、ベース電流は飽和レベルの20倍
とされている。
The capacitance of the capacitor 22.26 is approximately 2200pF,
The switching frequency of the transistor 10 is 20KH2 which is higher than the audible frequency, the switching current is 20A, and the base current is 20 times the saturation level.

第5図において時刻t1でスイッチング制御信号104
がOFFからONとなると、トランジスタ10にベース
電流114が流れ込み、コンデンサ22に電流116が
流れる。
In FIG. 5, at time t1, the switching control signal 104
When the current changes from OFF to ON, a base current 114 flows into the transistor 10 and a current 116 flows into the capacitor 22.

そしてスイッチング制御信号104に対してダイオード
24が順方向となるので、ダイオード24、コンデンサ
26の直列回路に電流118が流れる。
Since the diode 24 is in the forward direction with respect to the switching control signal 104, a current 118 flows through the series circuit of the diode 24 and the capacitor 26.

従ってその際にはトランジスタ10の帰還容量がコンデ
ンサ22.26の容量の和、すなわち約10000pF
となり、このため期間T2は第4図の特性110から理
解されるように10μSCC以上となる。
Therefore, in that case, the feedback capacitance of the transistor 10 is the sum of the capacitances of the capacitors 22.26, that is, approximately 10,000 pF.
Therefore, as understood from the characteristic 110 in FIG. 4, the period T2 becomes 10 μSCC or more.

その後時刻t3でスイッチング制御信号104がONか
らOFFとなると、そのスイッチング制御信号104に
対してダイオード24が逆方向となるので、トランジス
タ10の帰還容量はコンデンサ22のみの約2200p
Fとなり、トランジスタ10がON駆動されるときの帰
還容量(約10000pF)より著しく小さなものとな
る。
After that, when the switching control signal 104 changes from ON to OFF at time t3, the diode 24 becomes in the opposite direction with respect to the switching control signal 104, so the feedback capacitance of the transistor 10 is approximately 2200p of the capacitor 22 alone.
F, which is significantly smaller than the feedback capacitance (approximately 10,000 pF) when the transistor 10 is turned on.

このため、第4図の特性112から理解されるように期
間T4は期間T2と同様に10μsec以上となる。
Therefore, as understood from the characteristic 112 in FIG. 4, the period T4 is equal to or longer than 10 μsec like the period T2.

第6図は第1図実施例のノイズ低減効果を説明するもの
で、同図の特性120から理解されるように期間T2.
T4がともに10μsecとされると、−15,+18
以上の充分なノイズ低減レベルが得られている。
FIG. 6 explains the noise reduction effect of the embodiment in FIG. 1, and as understood from the characteristic 120 in the figure, the period T2.
If T4 is both 10 μsec, -15, +18
A sufficient noise reduction level as described above has been obtained.

以上説明したように本実施例によれば、トランジスタ1
0のOFF遷移時にその帰還容量がダイオード24のス
イッチングで減少されるので、車RAMラジオに対する
ノイズ低減上十分なものに期間T4を短縮でき、不必要
に延長させることはなく、このためトランジスタ10の
コレクタ損失を大幅に低減することが可能となる。
As explained above, according to this embodiment, the transistor 1
Since the feedback capacitance is reduced by the switching of the diode 24 at the time of OFF transition of 0, the period T4 can be shortened to a level sufficient for noise reduction for the car RAM radio, and is not extended unnecessarily. It becomes possible to significantly reduce collector loss.

次に本発明に係る回路の好適な第2実施例を第7図に基
づいて説明する。
Next, a second preferred embodiment of the circuit according to the present invention will be described with reference to FIG.

同図において本実施例では第1図のダイオード24に代
えてFET30が用いられており、FET30は単安定
マルチバイブレータ32のQ信号122により制御され
ている。
In this figure, in this embodiment, an FET 30 is used in place of the diode 24 in FIG. 1, and the FET 30 is controlled by a Q signal 122 of a monostable multivibrator 32.

そして単安定マルチバイブレータ32では第8図から理
解されるようにスイッチング制御信号104がOFFか
らONとなったときから期間T。
In the monostable multivibrator 32, as can be understood from FIG. 8, the period T starts from when the switching control signal 104 is turned on from OFF.

+ T 2に亘りONとなるQ信号」22が得られてお
り、従って帰還容量はトランジスタ10がON駆動され
る際にはコンデンサ22.26の合成容量となり、また
OFF駆動されるときにはコンデンサ22の容量のみと
なる。
A Q signal 22 that is ON over +T 2 is obtained, so the feedback capacitance is the combined capacitance of the capacitors 22 and 26 when the transistor 10 is turned on, and the combined capacitance of the capacitors 22 and 26 when the transistor 10 is turned on. Only capacity.

このため本実施例によれば前記第1実施例と同様な効果
を得ることが可能となる。
Therefore, according to this embodiment, it is possible to obtain effects similar to those of the first embodiment.

なお、温度範囲一40″C〜+85°Cにおけるトラン
ジスタ製造バラツキによるパラメータhfeの減少を考
慮してかなり余裕のあるベース電流を場合によっては流
す必要が生ずる。その場合従来では、トランジスタ10
のスイッチング時に蓄積時間のみが増大して立上り時間
、立下り時間がアンバランスとなる虞れがあるが、前記
両実施例ではベース電流が大きな値に設定されても立上
りと立下りで遷移時間を別々に選定できるので、そのよ
うな虞れはなく、安定したスイッチングが可能となる。
Note that in some cases, it may be necessary to flow a base current with a considerable margin in consideration of the decrease in the parameter hfe due to transistor manufacturing variations in the temperature range -40"C to +85°C. In that case, conventionally, the transistor 10
When switching, there is a risk that only the accumulation time increases and the rise time and fall time become unbalanced, but in both of the above embodiments, even if the base current is set to a large value, the transition time at the rise and fall changes. Since they can be selected separately, there is no such risk and stable switching is possible.

また第1図および第7図におけるトランジスタ10のス
イッチング動作を安定なものとするためには、スイッチ
ング制御信号104がOFFとされている期間中にコン
デンサ26に所定の電位を与える必要がおり、このため
その期間を2×コンデンサ26の容量×(抵抗20の値
+抵抗28の値)で定まる期間より短くなるものに設定
することが好ましい。
Furthermore, in order to stabilize the switching operation of the transistor 10 in FIGS. 1 and 7, it is necessary to apply a predetermined potential to the capacitor 26 while the switching control signal 104 is OFF. Therefore, it is preferable to set the period to be shorter than the period determined by 2×capacity of capacitor 26×(value of resistor 20+value of resistor 28).

そして抵抗28はダイオード24.FET30に対して
必ずしも並列に接続する必要はなく、第1図および第7
図においてトランジスタ10のベース側とされた抵抗2
8の一端をアースに接続することも可能である。
And the resistor 28 is a diode 24. It is not necessary to connect it in parallel to FET30, and
In the figure, a resistor 2 is connected to the base side of the transistor 10.
It is also possible to connect one end of 8 to ground.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、スイッチングトラ
ンジスタのON遷移時に対してOFF遷移時の帰還容量
が減少されるので、スイッチングトランジスタのコレク
タ損失増大を16りことなく車載AMラジオに対するノ
イズ妨害を有効に抑圧防止することが可能となる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the feedback capacitance during the OFF transition of the switching transistor is reduced compared to the ON transition of the switching transistor. This makes it possible to effectively suppress and prevent noise interference to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の好適な第1実施例を示す回路図、第2
図は従来装置の構成を示す回路図、第3図は第2図従来
装置の動作説明用波形図、第4図は第2図従来装置にお
ける帰還容ロー期間721T4特性図、第5図は第1図
実施例の動作説明用波形図、第6図は第1図実施例にお
ける期間T2゜T4−ノイズ低減レベル特性図、第7図
は本発明の好適な第2実施例を示す回路図、第8図は第
7図実施例の作用説明用波形図である。 10・・・トランジスタ 16・・・インダクタンス負荷 18・・・ダイオード 20・・・抵抗 22・・・コンデンサ 24・・・ダイオード 26・・・コンデンサ 28・・・抵抗 30・・・FET 32・・・単安定マルチバイブレータ 特許出願人 日産自動車株式会社 第5図 1.12131415 第6図 第7図 第8図 1T1(T2
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first preferred embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a waveform diagram for explaining the operation of the conventional device shown in FIG. 2. FIG. 4 is a feedback capacitor low period 721T4 characteristic diagram in the conventional device shown in FIG. 1 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment, FIG. 6 is a period T2°T4-noise reduction level characteristic diagram in the embodiment of FIG. 1, and FIG. 7 is a circuit diagram showing a second preferred embodiment of the present invention. FIG. 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 10... Transistor 16... Inductance load 18... Diode 20... Resistor 22... Capacitor 24... Diode 26... Capacitor 28... Resistor 30... FET 32... Monostable multivibrator patent applicant Nissan Motor Co., Ltd. Figure 5 1.12131415 Figure 6 Figure 7 Figure 8 1T1 (T2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)スイッチングトランジスタのコネクターベース間
にコンデンサが接続されたトランジスタスイッチング回
路において、 スイッチングトランジスタのON遷移時とOFF遷移時
のうちON遷移時にのみ他のコンデンサを前記コンデン
サに対して並列に挿入するスイッチング回路が設けられ
た、 ことを特徴とするトランジスタスイッチング回路。
(1) In a transistor switching circuit in which a capacitor is connected between the connector base of a switching transistor, a switching method in which another capacitor is inserted in parallel with the capacitor only during ON transition of the switching transistor between ON transition and OFF transition. A transistor switching circuit comprising: a circuit.
JP1966086A 1986-01-31 1986-01-31 Transistor-switching circuit Pending JPS62178162A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009176499A (en) * 2008-01-23 2009-08-06 Ichikoh Ind Ltd Vehicular lamp lighting circuit

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