JPS62171758A - パルス荷電方式電気集じん装置 - Google Patents
パルス荷電方式電気集じん装置Info
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- JPS62171758A JPS62171758A JP1246186A JP1246186A JPS62171758A JP S62171758 A JPS62171758 A JP S62171758A JP 1246186 A JP1246186 A JP 1246186A JP 1246186 A JP1246186 A JP 1246186A JP S62171758 A JPS62171758 A JP S62171758A
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 30
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- 239000012716 precipitator Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は電荷を電気集じん装置(以下ESPと略す)内
の抵抗で自己消費させる自己放電形パルス電6ir方式
ESPに関する。
の抵抗で自己消費させる自己放電形パルス電6ir方式
ESPに関する。
[従来の技術]
第5図はパルス高電圧を通常の直流高電圧発生装置に重
畳する方式の従来例を示す図であり、例えば直流高電圧
発生装置1によりパルス形成コンデンサ2に電荷を蓄え
、適当なタイミングにより高速スイッチング索子3(本
図ではロータリスバ圧を供給すると同時に、ESPT内
に過大な電流を流さないように急峻に電荷を取り除いて
やるための波形整形抵抗4の作用により、通常のベース
電圧にff1fして第7図の(A)に示すように立上り
が急でかつ立下りの急なパルス状の高電圧を得ることが
出来る。ここにベース電圧は別の直流高電圧発生装置8
により供給される。しかしこの場合直流高電圧発生装置
1および8が2台必要なこと、及びコンデンサ2および
6が2台必要でかつ波形整形抵抗も必要なことから電源
コストが非常に高くなるという欠点をaしている。
畳する方式の従来例を示す図であり、例えば直流高電圧
発生装置1によりパルス形成コンデンサ2に電荷を蓄え
、適当なタイミングにより高速スイッチング索子3(本
図ではロータリスバ圧を供給すると同時に、ESPT内
に過大な電流を流さないように急峻に電荷を取り除いて
やるための波形整形抵抗4の作用により、通常のベース
電圧にff1fして第7図の(A)に示すように立上り
が急でかつ立下りの急なパルス状の高電圧を得ることが
出来る。ここにベース電圧は別の直流高電圧発生装置8
により供給される。しかしこの場合直流高電圧発生装置
1および8が2台必要なこと、及びコンデンサ2および
6が2台必要でかつ波形整形抵抗も必要なことから電源
コストが非常に高くなるという欠点をaしている。
一方、第5図の結合コンデサ6.ベースの直流高電圧発
生装置8及び波形整形抵抗4を省略し、第6図に示すよ
うにパルス発生装置5をESP7に直結し、ESP7の
静電容W CE Pに蓄えられた電荷をESPT内の抵
抗RεP (コロナ放電による抵抗能)にて自己消費す
る経済的な自己放電形パルス荷電方式ESPも考えられ
、この場合第7図(B)のようなパルス状の高電圧を得
ることが出来るが、この場合、減衰開始電圧vDより次
に電荷を供給されパルス状のピーク電圧を得る迄の間コ
ロナ放電等により電圧が減衰してゆき、最低値vB迄減
衰する。このvBを以下残留電圧とする。
生装置8及び波形整形抵抗4を省略し、第6図に示すよ
うにパルス発生装置5をESP7に直結し、ESP7の
静電容W CE Pに蓄えられた電荷をESPT内の抵
抗RεP (コロナ放電による抵抗能)にて自己消費す
る経済的な自己放電形パルス荷電方式ESPも考えられ
、この場合第7図(B)のようなパルス状の高電圧を得
ることが出来るが、この場合、減衰開始電圧vDより次
に電荷を供給されパルス状のピーク電圧を得る迄の間コ
ロナ放電等により電圧が減衰してゆき、最低値vB迄減
衰する。このvBを以下残留電圧とする。
[発明が解決しようとする問題点]
前記の如く経済的なパルス荷電方式である自己放電パル
ス荷電方式のESPにおいては、下記の問題点がある。
ス荷電方式のESPにおいては、下記の問題点がある。
(1) 自己放電形パルスの電源のため、性能を上げ
るため、ピーク電圧を上げようとすると一義的に減衰開
始電圧vDも上昇し、このためESP内を流れる電流も
増大するため高抵抗ダストでは逆電離を生じる。特に減
衰開始電圧付近で大きな電流が流れ逆電離のクリティ力
な条件となる。
るため、ピーク電圧を上げようとすると一義的に減衰開
始電圧vDも上昇し、このためESP内を流れる電流も
増大するため高抵抗ダストでは逆電離を生じる。特に減
衰開始電圧付近で大きな電流が流れ逆電離のクリティ力
な条件となる。
へ
(2) また電圧は残留電圧付近では減衰によって低
くなり、この残留電圧を上げるために、パルス頻度を上
げるか、あるいはまた減衰開始電圧を上げようとすると
前記(1)の場合と同様電流の増大により逆電離を生じ
る。
くなり、この残留電圧を上げるために、パルス頻度を上
げるか、あるいはまた減衰開始電圧を上げようとすると
前記(1)の場合と同様電流の増大により逆電離を生じ
る。
本発明は上記従来の問題点を解消し得るパルス荷電方式
ESPを提供することを目的とする。
ESPを提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明による自己放電形パルス荷電方式ESPは、ES
P本体に並列に波形整形コンデンサを設置し、かつその
コンデンサとESP本体のスイッチングをESPでの自
己放電時間中に行なうことにより、減衰時の電圧波形を
平準化することにより逆電離を抑制するようになされて
いる。
P本体に並列に波形整形コンデンサを設置し、かつその
コンデンサとESP本体のスイッチングをESPでの自
己放電時間中に行なうことにより、減衰時の電圧波形を
平準化することにより逆電離を抑制するようになされて
いる。
[作用コ
パルスW ’IR方式ESPにおいては、パルス形成コ
ンデンサより高速スイッチング素子のON。
ンデンサより高速スイッチング素子のON。
OFFにより急峻なパルス電圧を受けた後、ESPは減
衰開始電圧のレベルにあるが、この電圧レベルは高いた
めESPの電流電圧特性が非線形(電圧に対し指数関数
的に電流が流れる)であることからこの電圧付近で高電
流が流れ、ダストの電気抵抗が高い場合にはESPの逆
電離現象を生じ、性能が低下してしまう。これに対して
本発明によれば、パルス形成コンデンサCpよりESP
にスイッチングした後、タイミングをずらしてJ[2列
に配した波形整形コンデンサにスイッチングすることに
より、一度ESPの静電容量 CE Pに蓄えられた電
荷を並列の波形整形コンデンサに落し込んで電圧を平準
化し、以降緩やかにESPのコロナ抵抗RεPにてCP
+cεPに蓄えられた電荷を消費させ、急峻な電圧の
立上り後の電流の急増を抑制し高抵抗ダストの逆電離を
抑制する。
衰開始電圧のレベルにあるが、この電圧レベルは高いた
めESPの電流電圧特性が非線形(電圧に対し指数関数
的に電流が流れる)であることからこの電圧付近で高電
流が流れ、ダストの電気抵抗が高い場合にはESPの逆
電離現象を生じ、性能が低下してしまう。これに対して
本発明によれば、パルス形成コンデンサCpよりESP
にスイッチングした後、タイミングをずらしてJ[2列
に配した波形整形コンデンサにスイッチングすることに
より、一度ESPの静電容量 CE Pに蓄えられた電
荷を並列の波形整形コンデンサに落し込んで電圧を平準
化し、以降緩やかにESPのコロナ抵抗RεPにてCP
+cεPに蓄えられた電荷を消費させ、急峻な電圧の
立上り後の電流の急増を抑制し高抵抗ダストの逆電離を
抑制する。
また次にパルス形成コンデンサから再びESPにスイッ
チングする前に波形整形コンデンサとESPを接離する
ことにより、高いパルス電圧をESPに印加するパルス
荷電本来の特性を損なわないようにする。
チングする前に波形整形コンデンサとESPを接離する
ことにより、高いパルス電圧をESPに印加するパルス
荷電本来の特性を損なわないようにする。
[実施例]
第1図は本発明の一実施例の構成を示す図で、1は直流
高電圧発生装置、2はパルス形成用コンデンサ、7はE
SP、9はスイッチング素子例えばロータリスパークギ
ャップ、10は波形整形コンデンサCtである。
高電圧発生装置、2はパルス形成用コンデンサ、7はE
SP、9はスイッチング素子例えばロータリスパークギ
ャップ、10は波形整形コンデンサCtである。
第1図において、直流高電圧発生装置1によりパルス成
形コンデンサ2に充電された電荷はロータリスパークギ
ャップ9によりESP7と導通時にパルス形成コンデン
サCPとESP7のもつ静電容Q CE pの間でLC
共振を起しESP7にパなった時にロークリスパークギ
ャップ9が切れ、以降ESP7の電圧はコロナ抵抗等に
より電流を流しつつ電圧を下げていくが、本発明ではロ
ータリスパークギャップ9が切れvDから少し減衰して
時点で今度はESP7と並列に設置されたコンデンサC
tlOとESP7の間でスイッチングすることにより、
ESP7の電圧を急峻に下げ、ESPT内で高い直流高
電圧の印加による大電流を抑制する。
形コンデンサ2に充電された電荷はロータリスパークギ
ャップ9によりESP7と導通時にパルス形成コンデン
サCPとESP7のもつ静電容Q CE pの間でLC
共振を起しESP7にパなった時にロークリスパークギ
ャップ9が切れ、以降ESP7の電圧はコロナ抵抗等に
より電流を流しつつ電圧を下げていくが、本発明ではロ
ータリスパークギャップ9が切れvDから少し減衰して
時点で今度はESP7と並列に設置されたコンデンサC
tlOとESP7の間でスイッチングすることにより、
ESP7の電圧を急峻に下げ、ESPT内で高い直流高
電圧の印加による大電流を抑制する。
以降ESP7は緩やかにESPT内でコロナ電流を流し
つつ電圧を下げてゆくが、今度は反対にESP7の電圧
が、並列のコンデンサCtlOより下がりすぎるとロー
タリスパークギャップ9が働き、並列コンデンサCtl
OによりESP7へ電荷を供給し、ESP7の電圧を上
げ、またコンデンサは電圧を下げ、以降緩やかに同じ動
作を繰り返しつつ緩やかに電圧を低下させつつESPT
内に蓄えられた電荷を消費する。
つつ電圧を下げてゆくが、今度は反対にESP7の電圧
が、並列のコンデンサCtlOより下がりすぎるとロー
タリスパークギャップ9が働き、並列コンデンサCtl
OによりESP7へ電荷を供給し、ESP7の電圧を上
げ、またコンデンサは電圧を下げ、以降緩やかに同じ動
作を繰り返しつつ緩やかに電圧を低下させつつESPT
内に蓄えられた電荷を消費する。
そしてロータリスパークギャップ9が並列のコンデンサ
CtlOとOFFになった状態で再びパルス形成コンデ
ンサCP2とESP7の間でスイッチングすることによ
りESP7に高いパルス状の高電圧を印加する。
CtlOとOFFになった状態で再びパルス形成コンデ
ンサCP2とESP7の間でスイッチングすることによ
りESP7に高いパルス状の高電圧を印加する。
なお、この時ESP7と並列のコンデンサCt10がO
Nのままスイッチングするとパルス形成コンデンサCP
2に対するESPT側の静電容量かCD p +Ctの
和となって大きくなるため、所定のパルス高電圧をES
P7へ供給出来なくなるため、ESP7と並列のコンデ
ンサctioをOFFにしておくことが必要となる。
Nのままスイッチングするとパルス形成コンデンサCP
2に対するESPT側の静電容量かCD p +Ctの
和となって大きくなるため、所定のパルス高電圧をES
P7へ供給出来なくなるため、ESP7と並列のコンデ
ンサctioをOFFにしておくことが必要となる。
また第2図は第1図のロークリスパークギャップ9の代
わりに高速スイッチング索子11及び12を用いた例で
あり、パルス形成コンデンサ2とESP7のスイッチン
グ時(素子11のスイッチONの時)、素子12のスイ
ッチをOFFとしておき、素子11のスイッチがOFF
の時に索子12のスイッチをONとすることにより(第
3図参照)、上記ロータリスパークギャップ9を用いた
方式と同様、高いパルス電圧を維持しつつ減衰開始電圧
付近での電流の増加を抑制し、逆電離を抑制する。
わりに高速スイッチング索子11及び12を用いた例で
あり、パルス形成コンデンサ2とESP7のスイッチン
グ時(素子11のスイッチONの時)、素子12のスイ
ッチをOFFとしておき、素子11のスイッチがOFF
の時に索子12のスイッチをONとすることにより(第
3図参照)、上記ロータリスパークギャップ9を用いた
方式と同様、高いパルス電圧を維持しつつ減衰開始電圧
付近での電流の増加を抑制し、逆電離を抑制する。
[発明の効果]
本発明によれば、経済的なパルス荷電の手段である自己
放電形パルス荷電方式EPの電圧波形の改善、すなわち
減衰開始電圧付近の保持時間を短<LESPの電圧波形
を平準化することによりESPを流れる電流の急激な増
大を防ぎ高抵抗ダストに対する逆電離現象を抑制し集じ
ん性を高めることができる等の優れた効果が奏せられる
。
放電形パルス荷電方式EPの電圧波形の改善、すなわち
減衰開始電圧付近の保持時間を短<LESPの電圧波形
を平準化することによりESPを流れる電流の急激な増
大を防ぎ高抵抗ダストに対する逆電離現象を抑制し集じ
ん性を高めることができる等の優れた効果が奏せられる
。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の各実施例の構成
を示す図、第3図は第2図における高速スイッチング素
子11.12のON、OFF動作の説明図、第4図(A
)は従来の自己放電形パルス荷電のESPの電圧を示し
、また図(C)は本発明による電圧の波形を、また同図
(B)は本発明における波形整形コンデンサの電圧波形
を示す図、第5図〜第7図(A)(B)はそれぞれ従来
ンデサ、7・・・ESP、9・・・ロータリスパークギ
ャップ、10・・・波形整形コンデンサ、11.12・
・・高速スイッチング素子。 出願人復代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 − 第2図 第3図
を示す図、第3図は第2図における高速スイッチング素
子11.12のON、OFF動作の説明図、第4図(A
)は従来の自己放電形パルス荷電のESPの電圧を示し
、また図(C)は本発明による電圧の波形を、また同図
(B)は本発明における波形整形コンデンサの電圧波形
を示す図、第5図〜第7図(A)(B)はそれぞれ従来
ンデサ、7・・・ESP、9・・・ロータリスパークギ
ャップ、10・・・波形整形コンデンサ、11.12・
・・高速スイッチング素子。 出願人復代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 − 第2図 第3図
Claims (1)
- 直流電圧発生装置により電荷をパルス形成コンデンサに
蓄え、スイッチング素子により蓄えられた電荷を電気集
じん装置に供給するパルス電荷方式電気集じん装置にお
いて、上記電気集じん装置と並列に上記スイッチング素
子を介して波形整形コンデンサを接続してなることを特
徴とするパルス電荷方式電気集じん装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1246186A JPS62171758A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | パルス荷電方式電気集じん装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1246186A JPS62171758A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | パルス荷電方式電気集じん装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62171758A true JPS62171758A (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=11805992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1246186A Pending JPS62171758A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | パルス荷電方式電気集じん装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62171758A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100455753B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2004-11-06 | 한국과학기술연구원 | 펄스 플라즈마 방전에 의한 박막 증착방법 |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP1246186A patent/JPS62171758A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100455753B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2004-11-06 | 한국과학기술연구원 | 펄스 플라즈마 방전에 의한 박막 증착방법 |
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