JPS62171174A - 半導体レ−ザ波長安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザ波長安定化装置Info
- Publication number
- JPS62171174A JPS62171174A JP61011894A JP1189486A JPS62171174A JP S62171174 A JPS62171174 A JP S62171174A JP 61011894 A JP61011894 A JP 61011894A JP 1189486 A JP1189486 A JP 1189486A JP S62171174 A JPS62171174 A JP S62171174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- frequency
- beams
- output
- absorption cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 title abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/04—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by beating two waves of a same source but of different frequency and measuring the phase shift of the lower frequency obtained
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/11—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2/00—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
- G02F2/002—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light using optical mixing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/506—Multiwavelength transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/572—Wavelength control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1303—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by using a passive reference, e.g. absorption cell
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体レーザの波長を原子や分子の吸収線に
制御して安定化する半導体レーザ波長安定化装置の特性
の改善に関する。
制御して安定化する半導体レーザ波長安定化装置の特性
の改善に関する。
(従来の技術)
第8図は従来の半導体レーザ波長安定化装置を示す構成
ブロック図である。半導体レーザLDの電流に周波数f
電の変調信号を重畳してレーザ出力の発振波長を変調し
、ビームスプリッタBSで分離した光の一方を特定の波
長で吸収を起こす標準物質を封入した吸収セルCLに入
射する。ビームスプリンタBSでOML、た他方の光は
ミラーMで反射されて出力光となる。吸収セルCLから
の出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、ロック
インアンプLAで同期整流される。制御手段CTでロッ
クインアンプLAの出力が一定値となるように半導体レ
ーザLDの電流を制御することにより、半導体レーザL
Dの波長を吸収セルCL内の原子の吸収線にロックさせ
ることができる。
ブロック図である。半導体レーザLDの電流に周波数f
電の変調信号を重畳してレーザ出力の発振波長を変調し
、ビームスプリッタBSで分離した光の一方を特定の波
長で吸収を起こす標準物質を封入した吸収セルCLに入
射する。ビームスプリンタBSでOML、た他方の光は
ミラーMで反射されて出力光となる。吸収セルCLから
の出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、ロック
インアンプLAで同期整流される。制御手段CTでロッ
クインアンプLAの出力が一定値となるように半導体レ
ーザLDの電流を制御することにより、半導体レーザL
Dの波長を吸収セルCL内の原子の吸収線にロックさせ
ることができる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような構成の半導体レーザ波長安
定化装置では、半導体レーザの出力光の平均周波数は標
準物質の吸収線にロックされて安定となるが、変調周波
数f、で常に周波数が変動しているので、発振周波数の
瞬時値は安定ではない。
定化装置では、半導体レーザの出力光の平均周波数は標
準物質の吸収線にロックされて安定となるが、変調周波
数f、で常に周波数が変動しているので、発振周波数の
瞬時値は安定ではない。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたち
の゛で、発振周波数が瞬時的にも高安定な半導体レーザ
波長安定化装置を実現することを目的とする。
の゛で、発振周波数が瞬時的にも高安定な半導体レーザ
波長安定化装置を実現することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの
波長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定
化装置に係るもので、その特長とするところは半導体レ
ーザの出力光の一部を入射して周波数変調する変調手段
と、この変調手段の出力光を入射して特定の波長で吸収
を起こす標準物質を封入した吸収セルと、この吸収セル
の透過光を電気信号に変換する光検出器と、この光検出
器の出力電気信号に関連する電気信号を入力して前記変
調手段の変調周波数またはその整数倍の周波数で同期整
流するロックインアンプと、このロックインアンプの出
力が一定値となるように前記半導体レーザの電流または
温度を$り御する制御回路とを備えた点にある。
波長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定
化装置に係るもので、その特長とするところは半導体レ
ーザの出力光の一部を入射して周波数変調する変調手段
と、この変調手段の出力光を入射して特定の波長で吸収
を起こす標準物質を封入した吸収セルと、この吸収セル
の透過光を電気信号に変換する光検出器と、この光検出
器の出力電気信号に関連する電気信号を入力して前記変
調手段の変調周波数またはその整数倍の周波数で同期整
流するロックインアンプと、このロックインアンプの出
力が一定値となるように前記半導体レーザの電流または
温度を$り御する制御回路とを備えた点にある。
(実施例)
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図である
。LDlは半導体レーザ、PE1はこの半導一体レーザ
LDIを冷却または加熱するベルチェ素子、CT1はこ
のベルチェ素子PEを駆動して前記半導体レーザLD1
の温度を一定に制御する温度制御手段、TBlはこれら
を格納して温度変動を減少させる恒温槽、BSlは前記
半導体レーザの出力光を2方向に分離するビームスプリ
ッタ、UMlはこのビームスプリッタBS1の一方の出
射光を入射し変調手段を構成する音響光学変調器、CL
Iはこの音響光学変調器UM1の回折光出力を入射し特
定の波長の光を吸収する標準物質(ここではCs)を封
入した吸収セル、PDIはこの吸収セルCL1の透過光
を入射する光検出器、A1はこの光検出器PD1の出力
電気信号を入力する増幅器、LAIはこの増幅器A1の
電気出力を入力するロックインアンプ、CT2はこのロ
ックインアンプLA1の出力を入力し前記半導体レーザ
LDIの電流を制御する制御手段を構成するP■Dコン
トローラ、SWlは前記音響光学変調器UMIにその一
端が接続するスイッチ、SG1はその出力で前記スイッ
チSW1が周波数fTIL(例えば2 k Hz )で
オンオフする信号発生器、SG2は前記スイッチSW1
の他端に接続する周波数fo (例えば80MHz)
の第2の信号発生器である。
。LDlは半導体レーザ、PE1はこの半導一体レーザ
LDIを冷却または加熱するベルチェ素子、CT1はこ
のベルチェ素子PEを駆動して前記半導体レーザLD1
の温度を一定に制御する温度制御手段、TBlはこれら
を格納して温度変動を減少させる恒温槽、BSlは前記
半導体レーザの出力光を2方向に分離するビームスプリ
ッタ、UMlはこのビームスプリッタBS1の一方の出
射光を入射し変調手段を構成する音響光学変調器、CL
Iはこの音響光学変調器UM1の回折光出力を入射し特
定の波長の光を吸収する標準物質(ここではCs)を封
入した吸収セル、PDIはこの吸収セルCL1の透過光
を入射する光検出器、A1はこの光検出器PD1の出力
電気信号を入力する増幅器、LAIはこの増幅器A1の
電気出力を入力するロックインアンプ、CT2はこのロ
ックインアンプLA1の出力を入力し前記半導体レーザ
LDIの電流を制御する制御手段を構成するP■Dコン
トローラ、SWlは前記音響光学変調器UMIにその一
端が接続するスイッチ、SG1はその出力で前記スイッ
チSW1が周波数fTIL(例えば2 k Hz )で
オンオフする信号発生器、SG2は前記スイッチSW1
の他端に接続する周波数fo (例えば80MHz)
の第2の信号発生器である。
上記のような構成の半導体レーザ波長安定化装置の動作
を以下に詳しく説明する。半導体レーザLD1は恒温槽
TBl内で温度検出信号を入力する制御手段CT1によ
りベルチェ素子PE1を介して一定温度に制御されてい
る。半導体レーザしDlの出力光はビームスプリッタB
SIで2方向に分離され、反射光は外部への出力光とな
り透過光は音響光学変調器UM1に入射する。スイッチ
SW1がオンの時音響光学変調器UMIは信号発生器S
G2の周波数f、の出力で駆動されるので、周波数ν0
の入射光の大部分は回折して周波数(ドツプラ)シフト
を受け、1次回折光として周波数νo+fDの光が吸収
セルCL1に入射する。
を以下に詳しく説明する。半導体レーザLD1は恒温槽
TBl内で温度検出信号を入力する制御手段CT1によ
りベルチェ素子PE1を介して一定温度に制御されてい
る。半導体レーザしDlの出力光はビームスプリッタB
SIで2方向に分離され、反射光は外部への出力光とな
り透過光は音響光学変調器UM1に入射する。スイッチ
SW1がオンの時音響光学変調器UMIは信号発生器S
G2の周波数f、の出力で駆動されるので、周波数ν0
の入射光の大部分は回折して周波数(ドツプラ)シフト
を受け、1次回折光として周波数νo+fDの光が吸収
セルCL1に入射する。
スイッチSW1がオフのときは入射光は全てO次回折光
として周波数ν。で吸収セルCL1に入射する。スイッ
チSW1は信号発生器SG1の周波数fmのクロックで
駆動されるので、吸収セルCL1に入射する光は変調周
波数f電、変調深さfOの周波数変調を受けることにな
る。第2図はC5原子のエネルギ一単位を示す説明図で
、第3図のスペクトル吸収線図に示すように852.1
12nm付近の波長で9.2GHzll[れた位置に2
本の吸収スペクトルを有する。吸収セルCL1に音響光
学変調器tJM1で変調された光が入射すると、M4図
の動作説明図に示すように吸収信号の箇所でのみ透過光
量が変調を受けて出力に信号が現れる。この信号を光検
出器PD1で電気信号に変換し増幅器A1を介してロッ
クインアンプLA1において周波数f、で同期整流すれ
ば、第5図の周波数特性曲線図に示すような1次微分波
形が得られる。PIDコントローラCT2により半導体
レーザLD1の電流を制御して、ロックインアンプLA
Iの出力を前記1次微分波形の中心にロック(制御)す
れば半導体レーザの出力光はνSf o / 2の安定
な周波数となる。
として周波数ν。で吸収セルCL1に入射する。スイッ
チSW1は信号発生器SG1の周波数fmのクロックで
駆動されるので、吸収セルCL1に入射する光は変調周
波数f電、変調深さfOの周波数変調を受けることにな
る。第2図はC5原子のエネルギ一単位を示す説明図で
、第3図のスペクトル吸収線図に示すように852.1
12nm付近の波長で9.2GHzll[れた位置に2
本の吸収スペクトルを有する。吸収セルCL1に音響光
学変調器tJM1で変調された光が入射すると、M4図
の動作説明図に示すように吸収信号の箇所でのみ透過光
量が変調を受けて出力に信号が現れる。この信号を光検
出器PD1で電気信号に変換し増幅器A1を介してロッ
クインアンプLA1において周波数f、で同期整流すれ
ば、第5図の周波数特性曲線図に示すような1次微分波
形が得られる。PIDコントローラCT2により半導体
レーザLD1の電流を制御して、ロックインアンプLA
Iの出力を前記1次微分波形の中心にロック(制御)す
れば半導体レーザの出力光はνSf o / 2の安定
な周波数となる。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置によれば
、レーザの発振周波数が変調されていないので、瞬時的
にも非常に安定な光源となる。
、レーザの発振周波数が変調されていないので、瞬時的
にも非常に安定な光源となる。
また音響光学変調器UM1の回折効率が変化しても、変
調に寄与しない光の成分(0次回折光)が増えて信号強
度が下がるのみで、中心波長には影響しない。
調に寄与しない光の成分(0次回折光)が増えて信号強
度が下がるのみで、中心波長には影響しない。
なお上記の実施例ではロックインアンプLA1の参照周
波数として変調周波数f、を用いたがその整数倍の周波
数としてもよい。
波数として変調周波数f、を用いたがその整数倍の周波
数としてもよい。
また吸収セルCL1の標準物質としては、C5のほかに
例えばRh + N H3,820などを用いてもよい
。
例えばRh + N H3,820などを用いてもよい
。
また上記の実施例では変調手段として音響光学変調器を
用いているが1、これに限らず、例えば電気光学素子を
用いた位相変調器を用いてもよい。
用いているが1、これに限らず、例えば電気光学素子を
用いた位相変調器を用いてもよい。
これには例えば縦型変調器、横型変調器、進行波形変調
器などがある(Amnon Yarif:光エレクト
ロニクスの基礎(丸巻)、p247〜p253>。
器などがある(Amnon Yarif:光エレクト
ロニクスの基礎(丸巻)、p247〜p253>。
また上記の実施例では制御手段の出力で半導体レーザの
電流を制御しているが、これに限らず半導体レーザの温
度を制御してもよい。
電流を制御しているが、これに限らず半導体レーザの温
度を制御してもよい。
第6図は第1図装置の変形例を示す要部構成ブロック図
である。第1図装置と相違する部分は、正弦波信号発生
器5G20 (例えば変調周波数fN−2k Hz )
でFM変調器FM1を制御することにより正弦波で音響
光学変調器UM1を変調する点にある。
である。第1図装置と相違する部分は、正弦波信号発生
器5G20 (例えば変調周波数fN−2k Hz )
でFM変調器FM1を制御することにより正弦波で音響
光学変調器UM1を変調する点にある。
第7図は本発明の第2の実施例の光学系部分を示す要部
構成ブロック図である。第1図装置と異なる部分のみに
ついて以下に説明する。l−IMlは半導体レーザLD
1の出力光を2方向に分離してその反射光を一方向から
音響光学変調器UM1に入射するハーフミラ−1M1は
このハーフミラ−HMlを透過した光を反則してその反
射光を別方向から音響光学変[!:UM1に入射するミ
ラーである。スイッチSW1がオフのときはハーフミラ
−)−IMlで反射した光は音響光学変調器LIMIを
透過して周波数ν0で吸収セルCL1に入射する。
構成ブロック図である。第1図装置と異なる部分のみに
ついて以下に説明する。l−IMlは半導体レーザLD
1の出力光を2方向に分離してその反射光を一方向から
音響光学変調器UM1に入射するハーフミラ−1M1は
このハーフミラ−HMlを透過した光を反則してその反
射光を別方向から音響光学変[!:UM1に入射するミ
ラーである。スイッチSW1がオフのときはハーフミラ
−)−IMlで反射した光は音響光学変調器LIMIを
透過して周波数ν0で吸収セルCL1に入射する。
スイッチSW1がオンのときはミラーM1で反射した光
が音響光学変調器UM1で回折し、周波数ν。+f0で
吸収セルCL1に入射する。
が音響光学変調器UM1で回折し、周波数ν。+f0で
吸収セルCL1に入射する。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置によれば
、吸収セル内で光路が動かないという利点がある。
、吸収セル内で光路が動かないという利点がある。
なお上記の各実施例において音響光学変調器UM1の出
射光の一部をポンプ光として吸収セルに入射し、他の一
部を反対の方向から細い光束で10−ブ光として吸収セ
ルに入射して飽和吸収信号を1qる飽和吸収法(堀、角
田、北野、藪崎、小用::121和吸収分光を用いた半
導体レーザの周波数安定化、信学技報0QE82−11
6>を用いれば、より安定な半導体レーザ波長安定化装
置を実現することができる。
射光の一部をポンプ光として吸収セルに入射し、他の一
部を反対の方向から細い光束で10−ブ光として吸収セ
ルに入射して飽和吸収信号を1qる飽和吸収法(堀、角
田、北野、藪崎、小用::121和吸収分光を用いた半
導体レーザの周波数安定化、信学技報0QE82−11
6>を用いれば、より安定な半導体レーザ波長安定化装
置を実現することができる。
(発明の効果)
以上述べたように本発明によれば、発振周波数が瞬時的
にも高安定な半導体レーザ波長安定化装置を簡単な構成
で実現することができる。
にも高安定な半導体レーザ波長安定化装置を簡単な構成
で実現することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図、第2
図は第1図装置の動作を説明するための説明図、第3図
は第1図装置の動作を説明するための特性曲線図、第4
図は第7図装置の動作を読明するための動作説明図、第
5図は第1図装置の動作を説明するための第2の特性曲
線図、第6図は第1図装置の変形例を示す要部構成ブロ
ック図、第7図は本発明の第2の実施例を示す要部構成
ブロック図、第8図は従来の半導体レーザ波長安定化装
置を示す構成ブロック図である。 LDI・・・半導体レーザ、LIMI・・・変調手段、
CLl・・・吸収セル、PDl・・・光検出器、f、・
・・変調周波数、LAl・・・ロックインアンプ、Cr
2・・・制御手段。 第7図 第6図
図は第1図装置の動作を説明するための説明図、第3図
は第1図装置の動作を説明するための特性曲線図、第4
図は第7図装置の動作を読明するための動作説明図、第
5図は第1図装置の動作を説明するための第2の特性曲
線図、第6図は第1図装置の変形例を示す要部構成ブロ
ック図、第7図は本発明の第2の実施例を示す要部構成
ブロック図、第8図は従来の半導体レーザ波長安定化装
置を示す構成ブロック図である。 LDI・・・半導体レーザ、LIMI・・・変調手段、
CLl・・・吸収セル、PDl・・・光検出器、f、・
・・変調周波数、LAl・・・ロックインアンプ、Cr
2・・・制御手段。 第7図 第6図
Claims (4)
- (1)標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波
長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定化
装置において、半導体レーザの出力光の一部を入射して
周波数変調する変調手段と、この変調手段の出力光を入
射して特定の波長で吸収を起こす標準物質を封入した吸
収セルと、この吸収セルの透過光を電気信号に変換する
光検出器と、この光検出器の出力電気信号に関連する電
気信号を入力して前記変調手段の変調周波数またはその
整数倍の周波数で同期整流するロックインアンプと、こ
のロックインアンプの出力が一定値となるように前記半
導体レーザの電流または温度を制御する制御手段とを備
えたことを特長とする半導体レーザ波長安定化装置。 - (2)変調手段として音響光学変調器を用いた特許請求
の範囲第1項記載の半導体レーザ波長安定化装置。 - (3)変調手段として電気光学素子からなる位相変調器
を用いた特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ波長
安定化装置。 - (4)標準物質としてR_bまたはC_sを用いた特許
請求の範囲第1項記載の半導体レーザ波長安定化装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011894A JPS62171174A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
GB8627744A GB2187592B (en) | 1985-12-26 | 1986-11-20 | Semiconductor laser wavelength stabilizer |
US06/937,359 US4833681A (en) | 1985-12-26 | 1986-12-03 | Semiconductor laser wavelength stabilizer |
US06/942,448 US4893353A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-16 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
US06/943,670 US4856899A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-18 | Optical frequency analyzer using a local oscillator heterodyne detection of incident light |
DE3643569A DE3643569C2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Analysator für optische Frequenzen |
GB8630375A GB2185567B (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Optical frequency analyzer |
GB8630374A GB2185619B (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
DE3643629A DE3643629C2 (de) | 1985-12-26 | 1986-12-19 | Vorrichtung zur Stabilisierung der Wellenlänge eines Halbleiterlasers |
DE3643553A DE3643553C2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Vorrichtung zum Erzeugen und Wobbeln optischer Frequenzen |
US07/293,020 US4912526A (en) | 1985-12-20 | 1989-01-03 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011894A JPS62171174A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62171174A true JPS62171174A (ja) | 1987-07-28 |
JPH0459796B2 JPH0459796B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=11790438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61011894A Granted JPS62171174A (ja) | 1985-12-20 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62171174A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01177719A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Yokogawa Electric Corp | 周波数標準器 |
JPH03135086A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Yokogawa Electric Corp | 可変周波数光源 |
EP1322006A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
CN107045362A (zh) * | 2016-02-07 | 2017-08-15 | 渤海大学 | 辐射亮度补偿式热辐射红外光源系统及方法 |
CN108628365A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-09 | 深圳技术大学(筹) | Tec温控电路 |
CN108646805A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-10-12 | 上海思愚智能科技有限公司 | 电子设备、可发热地垫及可发热地垫的温度调节方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6130088A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61011894A patent/JPS62171174A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6130088A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01177719A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Yokogawa Electric Corp | 周波数標準器 |
JPH03135086A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Yokogawa Electric Corp | 可変周波数光源 |
EP1322006A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
US6919963B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
CN107045362A (zh) * | 2016-02-07 | 2017-08-15 | 渤海大学 | 辐射亮度补偿式热辐射红外光源系统及方法 |
CN108646805A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-10-12 | 上海思愚智能科技有限公司 | 电子设备、可发热地垫及可发热地垫的温度调节方法 |
CN108628365A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-09 | 深圳技术大学(筹) | Tec温控电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0459796B2 (ja) | 1992-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5544183A (en) | Variable wavelength light source | |
JPS62171174A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JP5065643B2 (ja) | 光周波数安定化光源および光周波数安定化装置 | |
JPS62252984A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JPS6377180A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JPH0263321A (ja) | 周波数標準器 | |
JPH0453015Y2 (ja) | ||
JP2519335B2 (ja) | レ―ザ発振波長安定化装置 | |
JPS62162382A (ja) | 高安定化半導体レ−ザ光源 | |
JPS637687A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JPS6152634A (ja) | 半導体レ−ザ光変復調方式 | |
JPS63308985A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JPH0716070B2 (ja) | 複数のレ−ザ装置の発振周波数間隔安定化方法及び装置 | |
JPH04155878A (ja) | 半導体レーザの周波数安定化装置 | |
JPH0453014Y2 (ja) | ||
JPS62213186A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
JPH0523512B2 (ja) | ||
SU856355A1 (ru) | Способ стабилизации действующего значени мощности лазера | |
JPS63137494A (ja) | 半導体レ−ザの周波数安定化装置 | |
JP2514420B2 (ja) | レ―ザ光源の周波数安定化装置 | |
JP3968166B2 (ja) | Fm変調装置 | |
US7136590B2 (en) | Self-adjustable tunable filter | |
JPH01207984A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH01220881A (ja) | 光周波数安定化装置 | |
JPS62162381A (ja) | 高安定化半導体レ−ザ光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |