JPS621621B2 - - Google Patents
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- JPS621621B2 JPS621621B2 JP933280A JP933280A JPS621621B2 JP S621621 B2 JPS621621 B2 JP S621621B2 JP 933280 A JP933280 A JP 933280A JP 933280 A JP933280 A JP 933280A JP S621621 B2 JPS621621 B2 JP S621621B2
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明は半導電性組成物の改善に係り、ゴム、
プラスチツク電力ケーブルの内部及び外部半導電
層材として使用することにより外部からの水の浸
入による絶縁体層の水トリ現象の発生を防止し、
電力ケーブルの耐吸水劣化特性を著しく向上せし
め得る効果が期待できるものである。 近年架橋ポリオレフイン電力ケーブルにおい
て、特に水トリーなる現象の発生に伴い、これが
基因して吸水の影響による劣化が大きくクローズ
アツプされている。特に内部半導電層は導体に近
接しているため電界が高く且つ電力ケーブルには
必ず設けられているため上記の如く水トリー（以
下内導トリー）が発生すると電力ケーブルに大き
な弊害を及ぼしているものであり、ケーブルとし
ての寿命を左右することにも発展している。又外
部半導層においても、該層と絶縁体界面とより発
生する水トリー（以下外導トリー）によりケーブ
ルに悪影響を附与せしめていることも問題になつ
ているものである。 而して上記半導電層は半導電性テープを導体の
外側又は絶縁層の外側に纒巻して形成しているも
のであるが、この場合どうしても空気をまき込む
ようになり必然的にボイドが生成し易くなり、こ
れが原因となつて水トリーを誘発せしめているも
のである。従つて水トリーの発生を抑制する方法
としてテープ巻き方法にかえて押出型半導電層に
よる形成方法を採用することにより、ある程度改
善されているものである。然しながら半導電層は
ボンブラツクを含有する組成物により構成される
ため、その表面にカーボンブラツクの粒子が露出
するとか、或は押出作業などに起因して突起が発
生し易いものである。この突起部先端の電界限度
は極めて大きくなり内導トリーを発生する。なお
カーボンブラツクを使用して半導電層を形成する
限り、この突起を絶無にすることは出来ないもの
である。 従つてこれの改善方法として導体側から水分の
浸入を防止するために遮水構造、水密構造等にす
ることが提案されているが、作業性に困難である
と共に高価になるという欠点があつた。 本発明はかかる現状に鑑み、内導トリー及び外
導トリーの発生を防止するため鋭意研究を行つた
結果、水トリーの発生を阻止しうる半導電性組成
物を見出したものである。即ち本発明はポリオレ
フイン樹脂に導電性カーボンブラツクを含有せる
ポリオレフイン樹脂系半導電性組成物において、
該ポリオレフイン樹脂100重量部に対して分子内
に１個以上のイソシアネート基を有するイソシア
ネート化合物を少くとも0.05重量部配合し、これ
を練和したことを特徴とするものである。 本発明においてポリオレフイン樹脂としては、
ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、
エチレン−エチレンアクリル共重合体、エチレン
−プロピレン共重合体、塩素化ポリエチレン、ク
ロロスルフオン化ポリエチレンをいう。 又導電性カーボンブラツクとしては例えばアセ
チレンブラツク、フアーネスブラツク、ケツチエ
ンブラツク等をいうものであり、上記のポリオレ
フイン樹脂に添加して所望の導電性例えば１気圧
20℃時の測定において10-2〜105Ωcm程度のポリ
オレフイン樹脂系半導性組成物をうるものであ
る。 而して本発明は上記半導性組成物に分子内に少
くとも１個以上のイソシアネート基を有するイソ
シアネートを配合することを骨子とするものであ
るが、その添加量を該半導電性組成物中のポリオ
レフイン樹脂100重量部に対して少くとも0.05重
量部を配合するものであり、好ましくは0.05〜
10.0重量部である。なお0.05重量部未満では水ト
リー防止の効果を発揮せしめることが出来ず又
10.0重量部を越した場合には、それ程顕著な効果
があらわれず経済的に不利になるためである。 このイソシアネート化合物をポリオレフイン樹
脂に添加することにより水トリーの発生を防止で
きる理由について、次の如く推考される。 即ちイソシアネートに水が作用すると次式の如
く反応する。 2R−NCO＋H2O→RNHCONHR＋CO2 ここに生成したユリア結合が強固な水素結合を
作るため水がトラツプされ内部半導層が防止壁と
なり水分を透過しにくくするためである。 本発明に使用するイソシアネートとしては例え
ばフエニルイソシアネート、ｎアミルイソシアネ
ート、エチルイソシアネート、２・４−トリレン
ジイソシアネート、２・６−トリレンジイソシア
ネート、３・3′−ビトリレン−４・4′−ジイソシ
アネート、４・4′−ジフエニルメタンジイソシア
ネート、４・2′−ジフエニルメタンジイソシアネ
ート、３・3′−ジメチルジフエニルメタン−４・
4′−ジイソシアネート、エタンジイソシアネー
ト、プロパンジイソシアネート、ブタンジイソシ
アネート、チオジエチルジイソシアネート、ω・
ω′−ジイソシアネート、ω−ω′−ジイソシアネ
ート−１・２−ジメチルクロヘキサン、ω・ω′
−ジイソシアネート−１・４−ジメチルナフタリ
ン、１・３−ジフエニル−ジイソシアネート、ナ
フタリンジイソシアネート、１・３・５−トリメ
チルベンゾール−２・４・６−トリイソシアネー
ト、トリフエニルメタン−４・4′・4″−トリイソ
シアネート、又はアニリンとホルムアルデヒドと
の反応生成物をホスゲン化してえられる下記一般
式にて表わせるポリイソシアネートである。 （ただしｎ＝０〜10の整数である） 又本発明は必要に応じてジクミルパーオキサイ
ド等の有機過酸化物を添加し、架橋型となし、耐
熱性を附与せしめてもよい。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 第１表に示す素材をバンバリーミキサーにより
混練して本発明半導電性組成物並に比較例半導電
性組成物をえた。
プラスチツク電力ケーブルの内部及び外部半導電
層材として使用することにより外部からの水の浸
入による絶縁体層の水トリ現象の発生を防止し、
電力ケーブルの耐吸水劣化特性を著しく向上せし
め得る効果が期待できるものである。 近年架橋ポリオレフイン電力ケーブルにおい
て、特に水トリーなる現象の発生に伴い、これが
基因して吸水の影響による劣化が大きくクローズ
アツプされている。特に内部半導電層は導体に近
接しているため電界が高く且つ電力ケーブルには
必ず設けられているため上記の如く水トリー（以
下内導トリー）が発生すると電力ケーブルに大き
な弊害を及ぼしているものであり、ケーブルとし
ての寿命を左右することにも発展している。又外
部半導層においても、該層と絶縁体界面とより発
生する水トリー（以下外導トリー）によりケーブ
ルに悪影響を附与せしめていることも問題になつ
ているものである。 而して上記半導電層は半導電性テープを導体の
外側又は絶縁層の外側に纒巻して形成しているも
のであるが、この場合どうしても空気をまき込む
ようになり必然的にボイドが生成し易くなり、こ
れが原因となつて水トリーを誘発せしめているも
のである。従つて水トリーの発生を抑制する方法
としてテープ巻き方法にかえて押出型半導電層に
よる形成方法を採用することにより、ある程度改
善されているものである。然しながら半導電層は
ボンブラツクを含有する組成物により構成される
ため、その表面にカーボンブラツクの粒子が露出
するとか、或は押出作業などに起因して突起が発
生し易いものである。この突起部先端の電界限度
は極めて大きくなり内導トリーを発生する。なお
カーボンブラツクを使用して半導電層を形成する
限り、この突起を絶無にすることは出来ないもの
である。 従つてこれの改善方法として導体側から水分の
浸入を防止するために遮水構造、水密構造等にす
ることが提案されているが、作業性に困難である
と共に高価になるという欠点があつた。 本発明はかかる現状に鑑み、内導トリー及び外
導トリーの発生を防止するため鋭意研究を行つた
結果、水トリーの発生を阻止しうる半導電性組成
物を見出したものである。即ち本発明はポリオレ
フイン樹脂に導電性カーボンブラツクを含有せる
ポリオレフイン樹脂系半導電性組成物において、
該ポリオレフイン樹脂100重量部に対して分子内
に１個以上のイソシアネート基を有するイソシア
ネート化合物を少くとも0.05重量部配合し、これ
を練和したことを特徴とするものである。 本発明においてポリオレフイン樹脂としては、
ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、
エチレン−エチレンアクリル共重合体、エチレン
−プロピレン共重合体、塩素化ポリエチレン、ク
ロロスルフオン化ポリエチレンをいう。 又導電性カーボンブラツクとしては例えばアセ
チレンブラツク、フアーネスブラツク、ケツチエ
ンブラツク等をいうものであり、上記のポリオレ
フイン樹脂に添加して所望の導電性例えば１気圧
20℃時の測定において10-2〜105Ωcm程度のポリ
オレフイン樹脂系半導性組成物をうるものであ
る。 而して本発明は上記半導性組成物に分子内に少
くとも１個以上のイソシアネート基を有するイソ
シアネートを配合することを骨子とするものであ
るが、その添加量を該半導電性組成物中のポリオ
レフイン樹脂100重量部に対して少くとも0.05重
量部を配合するものであり、好ましくは0.05〜
10.0重量部である。なお0.05重量部未満では水ト
リー防止の効果を発揮せしめることが出来ず又
10.0重量部を越した場合には、それ程顕著な効果
があらわれず経済的に不利になるためである。 このイソシアネート化合物をポリオレフイン樹
脂に添加することにより水トリーの発生を防止で
きる理由について、次の如く推考される。 即ちイソシアネートに水が作用すると次式の如
く反応する。 2R−NCO＋H2O→RNHCONHR＋CO2 ここに生成したユリア結合が強固な水素結合を
作るため水がトラツプされ内部半導層が防止壁と
なり水分を透過しにくくするためである。 本発明に使用するイソシアネートとしては例え
ばフエニルイソシアネート、ｎアミルイソシアネ
ート、エチルイソシアネート、２・４−トリレン
ジイソシアネート、２・６−トリレンジイソシア
ネート、３・3′−ビトリレン−４・4′−ジイソシ
アネート、４・4′−ジフエニルメタンジイソシア
ネート、４・2′−ジフエニルメタンジイソシアネ
ート、３・3′−ジメチルジフエニルメタン−４・
4′−ジイソシアネート、エタンジイソシアネー
ト、プロパンジイソシアネート、ブタンジイソシ
アネート、チオジエチルジイソシアネート、ω・
ω′−ジイソシアネート、ω−ω′−ジイソシアネ
ート−１・２−ジメチルクロヘキサン、ω・ω′
−ジイソシアネート−１・４−ジメチルナフタリ
ン、１・３−ジフエニル−ジイソシアネート、ナ
フタリンジイソシアネート、１・３・５−トリメ
チルベンゾール−２・４・６−トリイソシアネー
ト、トリフエニルメタン−４・4′・4″−トリイソ
シアネート、又はアニリンとホルムアルデヒドと
の反応生成物をホスゲン化してえられる下記一般
式にて表わせるポリイソシアネートである。 （ただしｎ＝０〜10の整数である） 又本発明は必要に応じてジクミルパーオキサイ
ド等の有機過酸化物を添加し、架橋型となし、耐
熱性を附与せしめてもよい。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 第１表に示す素材をバンバリーミキサーにより
混練して本発明半導電性組成物並に比較例半導電
性組成物をえた。
【表】
註 ※ 電気化学製デンカブラツク
而して100mm2の導体上に上記組成物を押出被覆
して内部半導電層を形成し、その外側に厚さ４mm
の架橋剤入りポリエチレン絶縁体及び上記組成物
による外部半導電層を同時に押出成形した後、加
圧溶融塩架橋により架橋を行い、次いで遮蔽銅テ
ープをラツプ巻して6.6kV CVケーブルをえた。 このケーブルについて導体内に水を注入し1000
Hz6kVを課電し、導体通電により室温より90℃ま
での６時間のON、OFFのヒートサイクルをあた
えて加速劣化試験を行つた。 ６ケ月経過後、試料のAC破壊試験を行い更に
絶縁体の顕微鏡観率を行い内導トリー及び外導ト
リーの有無を測定した。その結果は第２表に示す
通りである。
而して100mm2の導体上に上記組成物を押出被覆
して内部半導電層を形成し、その外側に厚さ４mm
の架橋剤入りポリエチレン絶縁体及び上記組成物
による外部半導電層を同時に押出成形した後、加
圧溶融塩架橋により架橋を行い、次いで遮蔽銅テ
ープをラツプ巻して6.6kV CVケーブルをえた。 このケーブルについて導体内に水を注入し1000
Hz6kVを課電し、導体通電により室温より90℃ま
での６時間のON、OFFのヒートサイクルをあた
えて加速劣化試験を行つた。 ６ケ月経過後、試料のAC破壊試験を行い更に
絶縁体の顕微鏡観率を行い内導トリー及び外導ト
リーの有無を測定した。その結果は第２表に示す
通りである。
【表】
以上詳述した如く本発明組成物によれば電力ケ
ーブルの半導電導層に適用し、水トリーの発生を
防止しうるため、ケーブルの寿命を長期化しうる
等顕著な効果を有する。
ーブルの半導電導層に適用し、水トリーの発生を
防止しうるため、ケーブルの寿命を長期化しうる
等顕著な効果を有する。
Claims (1)
- １ ポリオレフイン樹脂をベースポリマーとし、
これに導電性カーボンブラツクを配合して、導電
性を付与したポリオレフイン樹脂系半導性組成物
において、該ポリオレフイン樹脂100重量部に対
して分子内に少くとも１個のイソシアネート基を
有する有機イソシアネート化合物を少くとも0.05
重量部配合し、これを均一に練和したことを特徴
とする半導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP933280A JPS56106938A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Semiconductor composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP933280A JPS56106938A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Semiconductor composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56106938A JPS56106938A (en) | 1981-08-25 |
| JPS621621B2 true JPS621621B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=11717509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP933280A Granted JPS56106938A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Semiconductor composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56106938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11267311B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-03-08 | Keihin Corporation | Vehicular air conditioner |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP933280A patent/JPS56106938A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11267311B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-03-08 | Keihin Corporation | Vehicular air conditioner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56106938A (en) | 1981-08-25 |
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