JPS62153336A - 半導体封止材料 - Google Patents
半導体封止材料Info
- Publication number
- JPS62153336A JPS62153336A JP29282785A JP29282785A JPS62153336A JP S62153336 A JPS62153336 A JP S62153336A JP 29282785 A JP29282785 A JP 29282785A JP 29282785 A JP29282785 A JP 29282785A JP S62153336 A JPS62153336 A JP S62153336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- inorganic filler
- present
- caso4
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
未発明は、エポキシ樹脂からなる詐導体封ＩＦ、材よＩ
に関し、更に詳しくは成形時における金型の摩↓［が少
なく１機械的強度および誘電特性等に優れた成形品を与
える半導体封止材料を提供する。
に関し、更に詳しくは成形時における金型の摩↓［が少
なく１機械的強度および誘電特性等に優れた成形品を与
える半導体封止材料を提供する。
（従来の技術）
近年、半導体素子の封止には、大埴生産方式で省力化可
能なトランスファー成形方法が主流となっており、Ｊ”
）車用樹脂に対する要求性能も一段と厳しいものとなっ
ている。このような要求性能に応えるものとしては、多
♀−の無機充填剤を含むエポキシ樹脂が使用されている
。そして無機充填剤としてはアルカリ、ハロゲン等のフ
リーのイオン性不純物が少ないこと、要求される熱伝導
率や熱膨張係数等の点から主としてシリカ粉、溶融シリ
カ粉１石英ガラス粉、アルミナ、ジルコン、ガラス繊維
等が使用されている。
能なトランスファー成形方法が主流となっており、Ｊ”
）車用樹脂に対する要求性能も一段と厳しいものとなっ
ている。このような要求性能に応えるものとしては、多
♀−の無機充填剤を含むエポキシ樹脂が使用されている
。そして無機充填剤としてはアルカリ、ハロゲン等のフ
リーのイオン性不純物が少ないこと、要求される熱伝導
率や熱膨張係数等の点から主としてシリカ粉、溶融シリ
カ粉１石英ガラス粉、アルミナ、ジルコン、ガラス繊維
等が使用されている。
（発明が解決しようとしている問題点）上記の無機充填
剤のうちでは、シリカ粉や溶融シリカ粉が最も優れたも
のであるが、これらのシリカ粉等は一般に硬度が高いた
め、樹脂成形時に使用する金型を著しく摩耗させるとい
う問題がある。
剤のうちでは、シリカ粉や溶融シリカ粉が最も優れたも
のであるが、これらのシリカ粉等は一般に硬度が高いた
め、樹脂成形時に使用する金型を著しく摩耗させるとい
う問題がある。
このような問題点を解決するために、硬度の比較的低い
他の無機充填剤を使用すると、得られる組成物の純度の
低下、成形物の強度の低下、成形作業性の低下、コスト
高等の種々の問題が生じる。
他の無機充填剤を使用すると、得られる組成物の純度の
低下、成形物の強度の低下、成形作業性の低下、コスト
高等の種々の問題が生じる。
本発明者は、上記の如き従来技術の問題点を解決すべく
鋭意研究の結果、エポキシ樹脂系半導体封止材料の無機
充填剤として、特定の粒径の硫酸カルシウムの微粉末を
使用することによって、成形時には金型の摩耗が少なく
、しかも高純度であり、硬度および強度が高い成形物を
優れた作業性をもって容易に提供でき、半導体側ｌＬ材
ネ４として非常に有用であることを知見して本発明を完
成した。
鋭意研究の結果、エポキシ樹脂系半導体封止材料の無機
充填剤として、特定の粒径の硫酸カルシウムの微粉末を
使用することによって、成形時には金型の摩耗が少なく
、しかも高純度であり、硬度および強度が高い成形物を
優れた作業性をもって容易に提供でき、半導体側ｌＬ材
ネ４として非常に有用であることを知見して本発明を完
成した。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明は、エポキシ樹脂、無機充填剤および
硬化剤を含む半導体対ＩＦ材料において、上記の無機充
填剤が材料全量の５０〜８０重量％を占め、且つその半
分量−ヒが粒径１０ｐｍ以下の硫酸カルシウムの微粉末
である半導体封ＩＦ材ネ１である。
硬化剤を含む半導体対ＩＦ材料において、上記の無機充
填剤が材料全量の５０〜８０重量％を占め、且つその半
分量−ヒが粒径１０ｐｍ以下の硫酸カルシウムの微粉末
である半導体封ＩＦ材ネ１である。
次に本発明を更に詳細に説明する。
まず、本発明において封止材料の主成分として使用する
エポキシ樹脂としては、その分子中にエポキシ基を有す
る限り、分子量、分子構造等には制限はなく、現在知ら
れている種々のエポキシ樹脂はいずれも本発明において
使用することができる。
エポキシ樹脂としては、その分子中にエポキシ基を有す
る限り、分子量、分子構造等には制限はなく、現在知ら
れている種々のエポキシ樹脂はいずれも本発明において
使用することができる。
例えば、ビスフェノールＡのグリシジルエーテルおよび
その屯合体型のエポキシ樹脂、ノボラックフェノール型
のグリシジルエーテル型エポキシ樹１１Ｗ、脂環式エポ
キシサイド型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等
が有用であり、具体的には、エピコート８２８．エピコ
ート１００１（いずれもシェフレケミカル製）、アラル
ダイトＥＣＮ１２７３、アラルダイトＣＹ１７５、アラ
ルダイト８０１１（チバ製）、ＤＥＮ４３２、ＤＥＮ４
３Ｂ （ダウケミカル製）、ＥＲＥＮ、ＢＲＯＣ（日東
化学製）、ＥＲＬ４２２１ （ユニオンカーバイド製）
、ＹＨ１４０２，ＹＤＢ３４０ （東部化成製）、ＴＥ
ＰＩＣ（０産化学製）、ＤＥＲ５１１（ダウケミカルイ
ンターナショナルの商品名で市場から容易に入手でき、
いずれも本発明において使用できる．勿論これらのエポ
キシ樹脂は単独でも混合物としても使用することができ
る。
その屯合体型のエポキシ樹脂、ノボラックフェノール型
のグリシジルエーテル型エポキシ樹１１Ｗ、脂環式エポ
キシサイド型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等
が有用であり、具体的には、エピコート８２８．エピコ
ート１００１（いずれもシェフレケミカル製）、アラル
ダイトＥＣＮ１２７３、アラルダイトＣＹ１７５、アラ
ルダイト８０１１（チバ製）、ＤＥＮ４３２、ＤＥＮ４
３Ｂ （ダウケミカル製）、ＥＲＥＮ、ＢＲＯＣ（日東
化学製）、ＥＲＬ４２２１ （ユニオンカーバイド製）
、ＹＨ１４０２，ＹＤＢ３４０ （東部化成製）、ＴＥ
ＰＩＣ（０産化学製）、ＤＥＲ５１１（ダウケミカルイ
ンターナショナルの商品名で市場から容易に入手でき、
いずれも本発明において使用できる．勿論これらのエポ
キシ樹脂は単独でも混合物としても使用することができ
る。
また、上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、ビスフェノ
ールＡ，ビスフェノールＦ、レジルシン、フロログリシ
ン、フェノールノボラック、タレゾールノボラック、ブ
チルノボラックあるいはポリヒドロキシスチレンなどを
あげることができ、具体的には、ＭＰ１２０．ＰＰ３０
０１ （群栄化学製）、ＢＲＭ５８０ （昭和高分子製
）、ＰＲ５１０６０（住友シュレス製）、ノボラック＃
２０００ （三井東圧社ｉ） 、ＴＤ２６６３ （大日
本インキ化学製）、レジンＭ（丸善石油製）などの商品
名で知られているものが例示される。
ールＡ，ビスフェノールＦ、レジルシン、フロログリシ
ン、フェノールノボラック、タレゾールノボラック、ブ
チルノボラックあるいはポリヒドロキシスチレンなどを
あげることができ、具体的には、ＭＰ１２０．ＰＰ３０
０１ （群栄化学製）、ＢＲＭ５８０ （昭和高分子製
）、ＰＲ５１０６０（住友シュレス製）、ノボラック＃
２０００ （三井東圧社ｉ） 、ＴＤ２６６３ （大日
本インキ化学製）、レジンＭ（丸善石油製）などの商品
名で知られているものが例示される。
これらの硬化剤の使用−Ｙはその具体的種類によって好
適配合量が相違するが、一般には前記エポキシ樹脂１０
０爪♀一部に対して１〜２００重呈部，好ましくは５〜
１００屯雀部の範囲とされる。これは該使用量が１重埴
部未満では、未発明の゛ｒ：導体封＋ｈ材料を良好に硬
化させることが困難となり、逆にそれが２００ｉｌｉ部
を越えるとエポキシ樹脂が希釈されて硬化に長時間を要
するようになり、さらには硬化物の物性が低下するとい
う不利が生じるからである。
適配合量が相違するが、一般には前記エポキシ樹脂１０
０爪♀一部に対して１〜２００重呈部，好ましくは５〜
１００屯雀部の範囲とされる。これは該使用量が１重埴
部未満では、未発明の゛ｒ：導体封＋ｈ材料を良好に硬
化させることが困難となり、逆にそれが２００ｉｌｉ部
を越えるとエポキシ樹脂が希釈されて硬化に長時間を要
するようになり、さらには硬化物の物性が低下するとい
う不利が生じるからである。
本発明の半導体封止材ネ１の主たる特徴は、上記のエポ
キシ樹脂の無機充填剤として、シリカ粉等に代えて硫酸
カルシウムの微粉末を使用した点にある。
キシ樹脂の無機充填剤として、シリカ粉等に代えて硫酸
カルシウムの微粉末を使用した点にある。
本発明で使用する硫酸カルシウムの微粉末とは，粒子径
０．５〜１０７ｐｍのものであり、例１えば、スノーホ
ワイト・フィラー、ＣＡ−５、ＣＡＳ−２０ （いずれ
もＵ 、 Ｓ 、 Ｇｙｐｓｕｎ製）の名で市場から容
易に入手でき，いずれも本発明において使用できるもの
である。このような硫酸カルシウムの微粉末は単独でも
混合物としても使用できる。
０．５〜１０７ｐｍのものであり、例１えば、スノーホ
ワイト・フィラー、ＣＡ−５、ＣＡＳ−２０ （いずれ
もＵ 、 Ｓ 、 Ｇｙｐｓｕｎ製）の名で市場から容
易に入手でき，いずれも本発明において使用できるもの
である。このような硫酸カルシウムの微粉末は単独でも
混合物としても使用できる。
以．にの硫酸カルシウムの微粉末の例は、好ましい例示
であり、本発明においては」；記以外の硫酸カルシウム
の微粉末も使用できるのは当然である。
であり、本発明においては」；記以外の硫酸カルシウム
の微粉末も使用できるのは当然である。
以にの如き硫酸カルシウムの微粉末は、封止材料金ｊ，
Ｈ中で約５０〜８０重量％を占める割合で使用するのが
好ましい。硫酸カルシウムの微粉末の使用割合を５０重
量％未満とすると、本発明の半導体封止材料に金属に対
する摩耗減少効果を付与することが困難となり、逆に８
０重量％を越えて使用してもそれほど顕著な効果が得ら
れず、かえって得られる半導体封止材料の成形性が低下
したり最終的に得られる成形品の強度が低下するように
なって半導体封止材料用として好ましくない。
Ｈ中で約５０〜８０重量％を占める割合で使用するのが
好ましい。硫酸カルシウムの微粉末の使用割合を５０重
量％未満とすると、本発明の半導体封止材料に金属に対
する摩耗減少効果を付与することが困難となり、逆に８
０重量％を越えて使用してもそれほど顕著な効果が得ら
れず、かえって得られる半導体封止材料の成形性が低下
したり最終的に得られる成形品の強度が低下するように
なって半導体封止材料用として好ましくない。
本発明の半導体封止材料は、以上の如き成分を主成分と
するものであり、その他、硫酸カルシウムの微粉末以外
の従来公知の無機充填剤、例えば、シリカ粉、溶融シリ
カ粉等も併用できるが、このような併用の場合には、全
無機充填剤中で、本発明の硫酸カルシウムの微粉末が５
０重量％以上を占める割合で使用する必要がある６使用
量が５０正ダ一％未満であると１本発明の主たる目的の
達成が不十分となるので好ましくない。
するものであり、その他、硫酸カルシウムの微粉末以外
の従来公知の無機充填剤、例えば、シリカ粉、溶融シリ
カ粉等も併用できるが、このような併用の場合には、全
無機充填剤中で、本発明の硫酸カルシウムの微粉末が５
０重量％以上を占める割合で使用する必要がある６使用
量が５０正ダ一％未満であると１本発明の主たる目的の
達成が不十分となるので好ましくない。
本発明の半導体封止材料は上記した成分をロール、ニー
ダ−などの混合装置を用いて均一に混練することにより
得られるが、本発明の封止材料には必要に応じてイミダ
ゾール化合物、アミン化合物、チアゾール化合物などの
硬化用触媒、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪酩お
よびその金属塩などの＃型剤、染料、顔料、３−グリシ
ドギシプロビルトリメトキシシランなどの浸面処理剤、
老化防止剤、流動性調節剤あるいは難燃性付与剤等を本
発明の目的を阻害しない範囲で添加配合することができ
る。
ダ−などの混合装置を用いて均一に混練することにより
得られるが、本発明の封止材料には必要に応じてイミダ
ゾール化合物、アミン化合物、チアゾール化合物などの
硬化用触媒、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪酩お
よびその金属塩などの＃型剤、染料、顔料、３−グリシ
ドギシプロビルトリメトキシシランなどの浸面処理剤、
老化防止剤、流動性調節剤あるいは難燃性付与剤等を本
発明の目的を阻害しない範囲で添加配合することができ
る。
（作用・効果）
以上の如き本発明の半導体側１１−材料は、成形用金型
の摩耗性が著しく改良されており、且つ優れた成形性（
低い溶融粘度）と作業性を示し、高い硬度および物理的
強度の成形物を与えるので、半導体封止材料として非常
に有用である。
の摩耗性が著しく改良されており、且つ優れた成形性（
低い溶融粘度）と作業性を示し、高い硬度および物理的
強度の成形物を与えるので、半導体封止材料として非常
に有用である。
次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中、部または％とあるのは特に断りのない限り重
量基準である。
お、文中、部または％とあるのは特に断りのない限り重
量基準である。
実施例１〜４、比較例１〜４
下記の第１表に示すような組成からなる配合物を、温度
１００″Ｃの加熱ロールにて５分間混練したのちシート
状で取り出し、冷却し、冷却後粉砕し本発明の半導体封
止材料を得た。
１００″Ｃの加熱ロールにて５分間混練したのちシート
状で取り出し、冷却し、冷却後粉砕し本発明の半導体封
止材料を得た。
この封止材料を用いて厚さ１０ｍｍ、直径８０ｍｍの円
板状テストピースを作成した。
板状テストピースを作成した。
上記で得たテストピースについて摩耗特性を調べその結
果を下記の第１表に示した。
果を下記の第１表に示した。
尚、摩耗特性は各実施例および比較例で得たテストピー
スの表面を金型材で連続的に摩擦を行ない（接触面積７
ｃｍ’、接触圧２０ Ｋｇ／ ｃ ｒｎ”、速度１２ｍ
／分）、２時間経過後の摩耗量を調べた。
スの表面を金型材で連続的に摩擦を行ない（接触面積７
ｃｍ’、接触圧２０ Ｋｇ／ ｃ ｒｎ”、速度１２ｍ
／分）、２時間経過後の摩耗量を調べた。
口）二１５！
実−１−例
（配合組成） １ ヱ 旦クレゾー
ルノボラック 型エポキシ樹脂 ６７ ６７ ６７フエノ
ールノポランク ３３ ３３ ３３２−メチルイ
ミダゾール０．５ ０’、５ ０．５シ リ カ
１ｏｏ−−硫酸カルシウム微粉末
１００ ２００ ２３０シランカツプリング剤 １．
０ １．０ １．０カウナバワフクス ２．０ ２
．０ ２．０摩耗特性（履ｇ） ３０
ｔｏ ７自五」Ｌｊ！ 一上＝」Ｌ−ガー （配合組成） ユ ２３クレゾールノボ
ラツク
ルノボラック 型エポキシ樹脂 ６７ ６７ ６７フエノ
ールノポランク ３３ ３３ ３３２−メチルイ
ミダゾール０．５ ０’、５ ０．５シ リ カ
１ｏｏ−−硫酸カルシウム微粉末
１００ ２００ ２３０シランカツプリング剤 １．
０ １．０ １．０カウナバワフクス ２．０ ２
．０ ２．０摩耗特性（履ｇ） ３０
ｔｏ ７自五」Ｌｊ！ 一上＝」Ｌ−ガー （配合組成） ユ ２３クレゾールノボ
ラツク
Claims (1)
- （１）エポキシ樹脂、無機充填剤および硬化剤を含む半
導体封止材料において、上記の無機充填剤が材料全量の
５０〜８０重量％を占め、且つその半分以上が平均粒径
１０μｍ以下の硫酸カルシウムの微粉末である半導体封
止材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29282785A JPS62153336A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体封止材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29282785A JPS62153336A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体封止材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153336A true JPS62153336A (ja) | 1987-07-08 |
| JPH032458B2 JPH032458B2 (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=17786858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29282785A Granted JPS62153336A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体封止材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103951364A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-30 | 郝志峰 | 一种岩土固化剂及其制备方法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29282785A patent/JPS62153336A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103951364A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-30 | 郝志峰 | 一种岩土固化剂及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032458B2 (ja) | 1991-01-16 |
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