JPS62153335A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
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- JPS62153335A JPS62153335A JP29318085A JP29318085A JPS62153335A JP S62153335 A JPS62153335 A JP S62153335A JP 29318085 A JP29318085 A JP 29318085A JP 29318085 A JP29318085 A JP 29318085A JP S62153335 A JPS62153335 A JP S62153335A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- unsubstituted
- photosensitive composition
- carbon atoms
- composition
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野〕
本発明は感光性組成物に関し、さらに詳しくは、得られ
る感光膜が優れた耐０□−ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ
ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）性および耐熱性を有するとと
もに、微細パターンの形成を可能とする高感度で、かつ
高解像性を有する感光性組成物に関する。
る感光膜が優れた耐０□−ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ
ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）性および耐熱性を有するとと
もに、微細パターンの形成を可能とする高感度で、かつ
高解像性を有する感光性組成物に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来のパターン形成方法としては、ウェハー上に一層の
レジスト層を形成するだけの所謂単層レジスト法があっ
た。しかし、集積回路の製造においては、年々、加工最
小寸法が縮小されるに至り、この単層レジスト法につい
て各種の問題点が指摘されるようになった。
レジスト層を形成するだけの所謂単層レジスト法があっ
た。しかし、集積回路の製造においては、年々、加工最
小寸法が縮小されるに至り、この単層レジスト法につい
て各種の問題点が指摘されるようになった。
即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生じてきている。例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生じてきている。例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
これらの多くの問題は多層レジストシステムを用いるこ
とにより解消されることが見出された。
とにより解消されることが見出された。
多層レジストシステムについては、ソリッドステート・
テクノロジー、 ７４ （１９８１） （５ｏｌｉｄ
ＳｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 ７４ （１９８
１） ）に概説が掲載され−（イるが、この他にもこの
システムに関する多くの研究が発表されている。現在、
一般的に多く試みられている方法は、３層構造のレジス
トシステムで、基板の段差の平担化及び基板からの反射
防止の役割りを有する最下層、最下層をエツチングする
ためのマスクとして機能する中間層及び感光層としての
最上層からなっている。しかしながら、この３層レジス
トシステムは単層レジスト法と比べて、微細なパターン
ニングが行なえるという長所を有している反面、パター
ン形成までの工程数が増えてしまうという欠点があった
。
テクノロジー、 ７４ （１９８１） （５ｏｌｉｄ
ＳｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 ７４ （１９８
１） ）に概説が掲載され−（イるが、この他にもこの
システムに関する多くの研究が発表されている。現在、
一般的に多く試みられている方法は、３層構造のレジス
トシステムで、基板の段差の平担化及び基板からの反射
防止の役割りを有する最下層、最下層をエツチングする
ためのマスクとして機能する中間層及び感光層としての
最上層からなっている。しかしながら、この３層レジス
トシステムは単層レジスト法と比べて、微細なパターン
ニングが行なえるという長所を有している反面、パター
ン形成までの工程数が増えてしまうという欠点があった
。
［発明の目的］
本発明の目的は、３層レジストシステムと同等ノ微細な
パターンニングが行えしかも工程数が少ないパターン形
成を可能にするもので得られる感光膜が優れた耐０□−
ＲＩＥ性および耐熱性を有すると共に、高感度で、かつ
高解像性のパターン形成が可能な感光性組成物を提供す
ることにある。
パターンニングが行えしかも工程数が少ないパターン形
成を可能にするもので得られる感光膜が優れた耐０□−
ＲＩＥ性および耐熱性を有すると共に、高感度で、かつ
高解像性のパターン形成が可能な感光性組成物を提供す
ることにある。
［発明の概要］
本発明の感光性組成物は、
（Ａ）フェノール骨格を有するアルカリｎ（溶性重合体
ｉｏｏ重量部と。
ｉｏｏ重量部と。
（Ｂ）一般式、
（式中、Ｒ” 、Ｒ２，Ｒ３は同一であっても異ってい
てもよく、それぞれ、水素原子；ハロゲン原子；ビニル
基；アリール基；炭素数ｌ〜１０の非置換若しくは置換
アルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；非置換若
しくは置換アリール基；アリールオキシ基；シロキシ基
を表わし、Ｒ４は水素原子；炭素数１−ｔｏの非置換若
しくは置換アルキル基；フェニル基；置換フェニル基を
表わし、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ７゜Ｒ６は同一であっても異な
っていてもよく、それぞれ、水素原子；ニトロ基；シア
ノ基；ヒドロキシ基；メルカプト基；アセチル基；ハロ
ゲン原子；ビニル基；アリル基；炭素数１〜１０の非置
換若しくは置換アルキル基；炭素数１〜１０のフルコキ
シ基；非置換若しくは置換アリール基；アリールオキシ
基；シロキシ基を表わし、ｐ＋ｑ＋ｒはＯ≦ｐ、ｑ、ｒ
≦３、ｌ≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦３の条件を満たす整数を表わす
。） で示される化合物１〜５００重量部とからなることを特
徴とするものである。
てもよく、それぞれ、水素原子；ハロゲン原子；ビニル
基；アリール基；炭素数ｌ〜１０の非置換若しくは置換
アルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；非置換若
しくは置換アリール基；アリールオキシ基；シロキシ基
を表わし、Ｒ４は水素原子；炭素数１−ｔｏの非置換若
しくは置換アルキル基；フェニル基；置換フェニル基を
表わし、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ７゜Ｒ６は同一であっても異な
っていてもよく、それぞれ、水素原子；ニトロ基；シア
ノ基；ヒドロキシ基；メルカプト基；アセチル基；ハロ
ゲン原子；ビニル基；アリル基；炭素数１〜１０の非置
換若しくは置換アルキル基；炭素数１〜１０のフルコキ
シ基；非置換若しくは置換アリール基；アリールオキシ
基；シロキシ基を表わし、ｐ＋ｑ＋ｒはＯ≦ｐ、ｑ、ｒ
≦３、ｌ≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦３の条件を満たす整数を表わす
。） で示される化合物１〜５００重量部とからなることを特
徴とするものである。
本発明の（Ａ）成分である重合体はその分子中にフェノ
ール骨格を有するものであって、アルヵリ可溶性のもの
であればいかなるものであってもよい。この重合体の具
体例としては、フェノール、０−クロロフェノール、ｍ
−クロロフェノール、Ｐ−クロロフェノール、ｍ−クレ
ゾール、Ｐ−クレゾール、ビスフェノールＡ、４−クロ
ロ−３−クレゾールなどのようなフェノール類とホルマ
リンとを縮合させて得られるノボラック樹脂；ポリ（Ｐ
−ビニルフェノール）、ポリ（ｐ−インプロペニルフェ
ノール）、ポリ（ｍ−インプロペニルフェノール）、ｐ
−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸メチルとの共重合
体、ｐ−インプロペニルフェノールと７クリロニトリル
との共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸
との共重合体が挙げられる。これらの中でも、ポリビニ
ルフェノール（市販品丸善石油ＲｅｓｉｎＭ）、ポリイ
ソプロペニルフェノールの平均分子１５０００〜２００
００のものが好ましい。なお、この（Ａ）成分である重
合体は、１種の単量体からなる重合体、２種以上の単量
体からなる共重合体、あるいはこれらの混合物をも含む
ものである。
ール骨格を有するものであって、アルヵリ可溶性のもの
であればいかなるものであってもよい。この重合体の具
体例としては、フェノール、０−クロロフェノール、ｍ
−クロロフェノール、Ｐ−クロロフェノール、ｍ−クレ
ゾール、Ｐ−クレゾール、ビスフェノールＡ、４−クロ
ロ−３−クレゾールなどのようなフェノール類とホルマ
リンとを縮合させて得られるノボラック樹脂；ポリ（Ｐ
−ビニルフェノール）、ポリ（ｐ−インプロペニルフェ
ノール）、ポリ（ｍ−インプロペニルフェノール）、ｐ
−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸メチルとの共重合
体、ｐ−インプロペニルフェノールと７クリロニトリル
との共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸
との共重合体が挙げられる。これらの中でも、ポリビニ
ルフェノール（市販品丸善石油ＲｅｓｉｎＭ）、ポリイ
ソプロペニルフェノールの平均分子１５０００〜２００
００のものが好ましい。なお、この（Ａ）成分である重
合体は、１種の単量体からなる重合体、２種以上の単量
体からなる共重合体、あるいはこれらの混合物をも含む
ものである。
本発明の（Ｂ）成分である化合物は、前記した一般式で
示されるものである０式中、 炭素数１〜ｌＯの非置換若しくは置換アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−
ブチル基、ペンチル基、クロロメチル基、クロロエチル
基、フルオロメチル基、シアノメチル基などがあげられ
、炭素数１〜１０のフェノキシ基としてはメトキシ基、
エトキシ基。
示されるものである０式中、 炭素数１〜ｌＯの非置換若しくは置換アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−
ブチル基、ペンチル基、クロロメチル基、クロロエチル
基、フルオロメチル基、シアノメチル基などがあげられ
、炭素数１〜１０のフェノキシ基としてはメトキシ基、
エトキシ基。
ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基などがあげられる。
非置換若しくは置換アリール基としては。
フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−１０ロフエ
ニル基、ｐ−）リフルオロメチルフェニル基などがあげ
られ、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などがあ
げられる。これらの中でも、Ｒ２が水素原子、Ｒ１＋
Ｒ３が置換アリール基Ｒ８がニトロ基のものが感度もよ
く好ましい。
ニル基、ｐ−）リフルオロメチルフェニル基などがあげ
られ、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などがあ
げられる。これらの中でも、Ｒ２が水素原子、Ｒ１＋
Ｒ３が置換アリール基Ｒ８がニトロ基のものが感度もよ
く好ましい。
この（Ｂ）成分の配合割合は（Ａ）成分１００重量部に
対し、通常、１〜５００重量部である。
対し、通常、１〜５００重量部である。
１重量部未満では感度が劣り５００重量部を超えると成
膜性が悪くなる。好ましくは、１０〜２００重量部であ
る。
膜性が悪くなる。好ましくは、１０〜２００重量部であ
る。
本発明の組成物は、さらに、光分解型の感光剤を配合す
ることにより感度がより向上して好ましい、この感光剤
としては、例えば、ナフトキノンジアジド基やベンゾキ
ノンジアジド基を含む化合物が挙げられる。この化合物
は例えばナフ）＋ノンジアジドスルホン酸クロリドやベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒドロキシ基
を有する低分子化合物や高分子化合物を弱アルカ°りの
存在下に縮合させることにより得られる。ここで低分子
化合物の例としてはハイドロキノン、レゾルシン２ フ
ロログルシン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、
２，３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン等があげら
れ、高分子化合物の例としてはフェノール−ホルムアル
デヒドノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド
ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン等があげられ
る。これらは１種もしくは２種以上の混合系で使用され
る。これらの中でも、ジ（１，２−ナフトキノン−２−
ジアジド−５−スルホン＃）−２，３，４−）リヒドロ
キシベンゾフェノンエステルが好ましい。
ることにより感度がより向上して好ましい、この感光剤
としては、例えば、ナフトキノンジアジド基やベンゾキ
ノンジアジド基を含む化合物が挙げられる。この化合物
は例えばナフ）＋ノンジアジドスルホン酸クロリドやベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒドロキシ基
を有する低分子化合物や高分子化合物を弱アルカ°りの
存在下に縮合させることにより得られる。ここで低分子
化合物の例としてはハイドロキノン、レゾルシン２ フ
ロログルシン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、
２，３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン等があげら
れ、高分子化合物の例としてはフェノール−ホルムアル
デヒドノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド
ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン等があげられ
る。これらは１種もしくは２種以上の混合系で使用され
る。これらの中でも、ジ（１，２−ナフトキノン−２−
ジアジド−５−スルホン＃）−２，３，４−）リヒドロ
キシベンゾフェノンエステルが好ましい。
この感光剤の配合割合は（Ａ）成分１００重量部に対し
、通常、１〜４０重量部である。この範囲を上まわる場
合には成膜性の劣るものとなる。
、通常、１〜４０重量部である。この範囲を上まわる場
合には成膜性の劣るものとなる。
好ましくは５〜３０重量部である。
本発明の組成物は、必要に応じて、増感剤、塗料、界面
活性剤、塗膜の改質のための他のポリ？−１たとえばノ
ボラック樹脂、ポリビニルフェノール、プロピレンオキ
シド−エチレンオキシド共重合体、ポリスチレン等が配
合されてもよい。
活性剤、塗膜の改質のための他のポリ？−１たとえばノ
ボラック樹脂、ポリビニルフェノール、プロピレンオキ
シド−エチレンオキシド共重合体、ポリスチレン等が配
合されてもよい。
本発明の組成物は、前記した各成分を所定量、常法によ
り、混合して容易に製造することができる。
り、混合して容易に製造することができる。
本発明の組成物の一使用例を具体的に説明する。まず、
上記した組成物を溶剤に溶解し、この溶液を平滑化層を
有する支持体または支持体それ自体に塗布する。ここで
、溶剤は組成物を溶解するものであって、常圧での沸点
が２０〜２００℃を有するものであればいかなるもので
あってもよく、例えば、酢酸セロソルブ、シクロヘキサ
ノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチルケト
ンが挙げられる。ついで全体を５０〜１８０℃で３０秒
間、好ましくは７０〜１２０°Ｃで１〜６０分間乾燥し
、マスクを介して所定の波長領域の光を用いて露光し、
所定のアルカリ溶液を用いて現像する。さらに全体を１
００〜２００℃で３０秒間〜１２０分間、好ましくは１
２０〜１８０°Ｃで１〜９０分間乾燥し、常法により平
滑化層を有する支持体または支持体それ自体にエツチン
グ、メタル化を施す。
上記した組成物を溶剤に溶解し、この溶液を平滑化層を
有する支持体または支持体それ自体に塗布する。ここで
、溶剤は組成物を溶解するものであって、常圧での沸点
が２０〜２００℃を有するものであればいかなるもので
あってもよく、例えば、酢酸セロソルブ、シクロヘキサ
ノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチルケト
ンが挙げられる。ついで全体を５０〜１８０℃で３０秒
間、好ましくは７０〜１２０°Ｃで１〜６０分間乾燥し
、マスクを介して所定の波長領域の光を用いて露光し、
所定のアルカリ溶液を用いて現像する。さらに全体を１
００〜２００℃で３０秒間〜１２０分間、好ましくは１
２０〜１８０°Ｃで１〜９０分間乾燥し、常法により平
滑化層を有する支持体または支持体それ自体にエツチン
グ、メタル化を施す。
以下に、実施例を掲げ、本発明をさらに詳しく説明する
。
。
［発明の実施例］
実施例１
ｍ ｔ Ｐ−クレゾールノボラック樹脂（軟化点：１２
０℃）５ｇ、ジ（ｌ、２−ナフトキノン−２−ジアジド
−５−スルホン酸） −２，３，４−）リヒドロキシベ
ンゾフェノンエステル２ｇ、オルソニトロベンジルトリ
フェニルシリルエーテル２ｇおよびシクロへキサノン６
０ｇを混合撹拌して本発明の感光性組成物を得た。
０℃）５ｇ、ジ（ｌ、２−ナフトキノン−２−ジアジド
−５−スルホン酸） −２，３，４−）リヒドロキシベ
ンゾフェノンエステル２ｇ、オルソニトロベンジルトリ
フェニルシリルエーテル２ｇおよびシクロへキサノン６
０ｇを混合撹拌して本発明の感光性組成物を得た。
本発明の組成物を評価するために、つぎのような試験を
実施した。
実施した。
まず１段差の有する支持体の表面にレジスト０ＦＰＲ−
８００（商品名、東京応化社製）を厚さ：２ｐｍに塗布
し、２００°Ｃで７５分間焼き固めて平滑化層を作成し
た。つぎに、この平滑化層の表面に上記により得られた
組成物をスピンナーで塗布し、ホットプレート上で７５
℃、２分間乾燥して厚さ：０．５用ｍの感光膜を形成し
た。得られた全体を、石英基板のクロムマスクを介し、
２５０ｗ高圧水銀灯を用いて１５秒間露光した。これを
２５℃の２．６５％水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液に３０秒間浸漬して現像を行った。ひき続き、水洗
し、ホットプレートを用いて１４０℃で５分間乾燥して
、 ０．５ｇｍのラインとスペースから成るパターンを
形成した。
８００（商品名、東京応化社製）を厚さ：２ｐｍに塗布
し、２００°Ｃで７５分間焼き固めて平滑化層を作成し
た。つぎに、この平滑化層の表面に上記により得られた
組成物をスピンナーで塗布し、ホットプレート上で７５
℃、２分間乾燥して厚さ：０．５用ｍの感光膜を形成し
た。得られた全体を、石英基板のクロムマスクを介し、
２５０ｗ高圧水銀灯を用いて１５秒間露光した。これを
２５℃の２．６５％水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液に３０秒間浸漬して現像を行った。ひき続き、水洗
し、ホットプレートを用いて１４０℃で５分間乾燥して
、 ０．５ｇｍのラインとスペースから成るパターンを
形成した。
さらに、パターンをマスクとして平滑化層をエツチング
し、 ０．５ｐｍのラインスペースのＳ−Ｎ比の十分
大きいパターンを得た＊ ＃ ０２−ＲＩＥ性は、従来
のものと比べ、２倍以上も向上した。
し、 ０．５ｐｍのラインスペースのＳ−Ｎ比の十分
大きいパターンを得た＊ ＃ ０２−ＲＩＥ性は、従来
のものと比べ、２倍以上も向上した。
実施例２
ポリ（ｍ−ビニルフェノール）５ｇ、ジ（１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン％） −２，３゜４−
トリヒドロキシベンゾフェノンエステル２ｇ、オルソニ
トロ・ベンジルジ（４−クロルフェニル）シリルエーテ
ル２ｇ、オルソニトロペソジルトリ（４−クロルフェニ
ル）シリルエーテル１ｇおよびシクロへキサノン６０ｇ
を混合撹拌して本発明の感光性組成物を得た。
トキノンジアジド−５−スルホン％） −２，３゜４−
トリヒドロキシベンゾフェノンエステル２ｇ、オルソニ
トロ・ベンジルジ（４−クロルフェニル）シリルエーテ
ル２ｇ、オルソニトロペソジルトリ（４−クロルフェニ
ル）シリルエーテル１ｇおよびシクロへキサノン６０ｇ
を混合撹拌して本発明の感光性組成物を得た。
本発明の組成物を評価するために、つぎのような試験を
実施した。
実施した。
上記により得られた組成物をシリコンウェハー上に回転
塗布し、ホットグレート上で７５°Ｃ１３分間乾燥して
厚さ：３ｐｍの感光膜を形成した。
塗布し、ホットグレート上で７５°Ｃ１３分間乾燥して
厚さ：３ｐｍの感光膜を形成した。
得られた全体を、石英基板のクロムマスクを介して、２
５０Ｗの高圧水銀灯を用いて１分間露光した。これを２
．８５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に１分
間浸漬して現像を行った。ひき続き、水洗し、ホットプ
レートを用いて１４０℃で５分間乾燥して、１．２１Ｌ
ｍのラインとスペニスから成るパターンを形成した。
５０Ｗの高圧水銀灯を用いて１分間露光した。これを２
．８５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に１分
間浸漬して現像を行った。ひき続き、水洗し、ホットプ
レートを用いて１４０℃で５分間乾燥して、１．２１Ｌ
ｍのラインとスペニスから成るパターンを形成した。
さらに、得られたパターンを１５０°Ｃで３分間加熱し
てもパターンには変化がなかった。
てもパターンには変化がなかった。
［発明の効果］
以上詳述したとおり、本発明の感光性組成物は、得られ
る感光膜が優れた耐０２−ＲＩＥ性および耐熱性を有す
ると共に、微細パターンの形成を可能とする高感度で、
かつ高解像性を有するものであり、その実用的価値は極
めて大である。
る感光膜が優れた耐０２−ＲＩＥ性および耐熱性を有す
ると共に、微細パターンの形成を可能とする高感度で、
かつ高解像性を有するものであり、その実用的価値は極
めて大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）フェノール骨格を有するアルカリ可溶性重合
体１００重量部と、 （Ｂ）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は同一であっても異っ
ていてもよく、それぞれ、水素原子；ハロゲン原子；ビ
ニル基；アリール基；炭素数１〜１０の非置換若しくは
置換アルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；非置
換若しくは置換アリール基；アリールオキシ基；シロキ
シ基を表わし、Ｒ＾４は水素原子；炭素数１〜１０の非
置換若しくは置換アルキル基；フェニル基；置換フェニ
ル基を表わし、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾８は同一
であっても異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；
ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；メルカプト基；ア
セチル基；ハロゲン原子；ビニル基；アリル基；炭素数
１〜１０の非置換若しくは置換アルキル基；炭素数１〜
１０のアルコキシ基；非置換若しくは置換アリール基；
アリールオキシ基；シロキシ基を表わし、ｐ、ｑ、ｒは
０≦ｐ、ｑ、ｒ≦３、１≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦３の条件を満た
す整数を表わす。） で示される化合物１〜５００重量部とからなることを特
徴とする感光性組成物。 ２、光分解型感光剤を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29318085A JPS62153335A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29318085A JPS62153335A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153335A true JPS62153335A (ja) | 1987-07-08 |
Family
ID=17791447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29318085A Pending JPS62153335A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420087B1 (en) | 1996-10-31 | 2002-07-16 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Direct positive lithographic plate |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29318085A patent/JPS62153335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420087B1 (en) | 1996-10-31 | 2002-07-16 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Direct positive lithographic plate |
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