JPS62149055A - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
- Publication number
- JPS62149055A JPS62149055A JP28778085A JP28778085A JPS62149055A JP S62149055 A JPS62149055 A JP S62149055A JP 28778085 A JP28778085 A JP 28778085A JP 28778085 A JP28778085 A JP 28778085A JP S62149055 A JPS62149055 A JP S62149055A
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- JP
- Japan
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- substrate
- magneto
- film
- crystal
- thickness
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気光学素子であって、Ｇｄ、ｌＧａ５０．□を用いた
基板の両面に磁性膜としてＬｕ：＋−ｘＢｉｖＦｅｓＯ
＋ｚ （但し０、５ ＜ Ｘ ＜ ０．７ ）を育成し
たことにより、基板が透明であるため基板の除去を行な
わずに使用を可能とする。
基板の両面に磁性膜としてＬｕ：＋−ｘＢｉｖＦｅｓＯ
＋ｚ （但し０、５ ＜ Ｘ ＜ ０．７ ）を育成し
たことにより、基板が透明であるため基板の除去を行な
わずに使用を可能とする。
（産業上の利用分野〕
本発明は光アイソレータ等に用いられるＧｉｌ気光学素
子に関するものである。
子に関するものである。
従来の磁気光学効果を利用した光アイソレータでは磁気
光学素子として磁性ガーネット膜を用いている。
光学素子として磁性ガーネット膜を用いている。
上記磁性ガーネット膜を形成するには基板としてＮｄ、
１ＧａｓＯ＋ｚの単結晶基板を用い、その上に液相成長
法により磁性ガーネットを育成しているが、前記Ｎｄ３
ＧａｓＯ＋ ｚ基板が光を吸収するものであるため、磁
性ガーネット膜を育成後、基板を研磨により除去する必
要があり、工数的に不利であるという欠点があった。
１ＧａｓＯ＋ｚの単結晶基板を用い、その上に液相成長
法により磁性ガーネットを育成しているが、前記Ｎｄ３
ＧａｓＯ＋ ｚ基板が光を吸収するものであるため、磁
性ガーネット膜を育成後、基板を研磨により除去する必
要があり、工数的に不利であるという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて富出されたもので、基板
の除去を不要とした磁気光学素子を提供することを目的
としている。
の除去を不要とした磁気光学素子を提供することを目的
としている。
このため本発明においては、磁性）１りを用いた磁気光
学素子において、磁性ＪＩＡとしてＬｕ３−ｘＢｔｘＦ
ｅ５０１ｚ（但し０．５ ＜ ｘ ＜ ０．７ ）が液
相成長法によりＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２基板の表裏両面に育
成されて成ることを特徴としている。
学素子において、磁性ＪＩＡとしてＬｕ３−ｘＢｔｘＦ
ｅ５０１ｚ（但し０．５ ＜ ｘ ＜ ０．７ ）が液
相成長法によりＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２基板の表裏両面に育
成されて成ることを特徴としている。
基板のＧｄ５ＧａｓＯ＋□が光の吸収がなく透明である
ため、基板の除去を必要とせず、磁性膜は基板に付着し
たままで使用が可能となる。
ため、基板の除去を必要とせず、磁性膜は基板に付着し
たままで使用が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
本実施例は第１図に示すようにＧｄ５ＧａｓＯ＋ ２の
単結晶基板ｌの両面に液相成長法によりＬｕ３−ｘ旧、
Ｆｅ５０．、 （但しＱ、 ５ ＜ ｘ ＜ ０．７
）の組成を持つ磁気光学膜２，２′を育成したものであ
る。
単結晶基板ｌの両面に液相成長法によりＬｕ３−ｘ旧、
Ｆｅ５０．、 （但しＱ、 ５ ＜ ｘ ＜ ０．７
）の組成を持つ磁気光学膜２，２′を育成したものであ
る。
このように形成された本実施例は、Ｌｕｚ−ｇＢｉＸＦ
ｅｓＯ＋□結晶のファラデー回転係数をＦとすると、光
に対して与える回転角θ、はθ＋＝２ｄ＋Ｆ（但しｄ、
は膜２，２′の厚さ）となる。これに対し従来の磁気光
学素子では基板の両面に育成した磁気光学膜の一方及び
基板を研磨により除去し、第２図に示す如く１枚の膜３
のみとして用いるため、この場合の光に対して与える回
転角θ２はθｚ ＝ ｄ２Ｆ （但しｄ２は膜３の厚さ
）となり、θ１＝θ２とするにはｄ、Ｌはｄ、の２倍の
１１さとなる。即ち本実施例は従来例に比して２の膜厚
をもつ結晶を育成すれば良いこととなり、結晶の生長速
度はほぼ同一であるから育成時間は約Ａとなる。また本
実施例の場合は基板が透明であるから、その除去を必要
とせず製作工数が従来に比して低減できる。
ｅｓＯ＋□結晶のファラデー回転係数をＦとすると、光
に対して与える回転角θ、はθ＋＝２ｄ＋Ｆ（但しｄ、
は膜２，２′の厚さ）となる。これに対し従来の磁気光
学素子では基板の両面に育成した磁気光学膜の一方及び
基板を研磨により除去し、第２図に示す如く１枚の膜３
のみとして用いるため、この場合の光に対して与える回
転角θ２はθｚ ＝ ｄ２Ｆ （但しｄ２は膜３の厚さ
）となり、θ１＝θ２とするにはｄ、Ｌはｄ、の２倍の
１１さとなる。即ち本実施例は従来例に比して２の膜厚
をもつ結晶を育成すれば良いこととなり、結晶の生長速
度はほぼ同一であるから育成時間は約Ａとなる。また本
実施例の場合は基板が透明であるから、その除去を必要
とせず製作工数が従来に比して低減できる。
なおこの磁気光学膜の光吸収係数を測定する必要がある
場合、従来は同一結晶から膜厚の異なる２つの試料を作
成し、それらを透過する光の強度上からＩＩ ／ｌ２＝
ｅ−（ｈｔ−ｈｚ） （但しＩｔ、 ｌｚは光の強度
、ｆｉｔ、ｈｚは試料のｌｙＪ厚）の関係を用いて決定
してきたが、この方法では膜厚の異なる試料を同一結晶
から作るため、結晶の膜を機械研磨等により作る必要が
あり、第１図に示した本実施例に適用することはできな
い。このためには次の如くにして行なうことろくできる
。その方法を第３図により説明すると先ずａ図に示す吸
収を測ろうとする膜厚結晶１０．１（１’ （膜厚ｔ
、、ｔ、’。
場合、従来は同一結晶から膜厚の異なる２つの試料を作
成し、それらを透過する光の強度上からＩＩ ／ｌ２＝
ｅ−（ｈｔ−ｈｚ） （但しＩｔ、 ｌｚは光の強度
、ｆｉｔ、ｈｚは試料のｌｙＪ厚）の関係を用いて決定
してきたが、この方法では膜厚の異なる試料を同一結晶
から作るため、結晶の膜を機械研磨等により作る必要が
あり、第１図に示した本実施例に適用することはできな
い。このためには次の如くにして行なうことろくできる
。その方法を第３図により説明すると先ずａ図に示す吸
収を測ろうとする膜厚結晶１０．１（１’ （膜厚ｔ
、、ｔ、’。
基板１１の厚さＴ、総膜厚ｈ＋ ＝Ｌ ＋ｔ＋ ’ ）
と、ｂ図に示す較正用にａ図のものと同一温度で育成さ
れた薄膜結晶１２．１２’ （ｌ］！厚ｔ、、ｔ、’
、基板厚さＴ、総膜厚ｈｚ ＝ｔｚ＋ｔｚ’ ）とから
吸収係数αはα、、 Ｎ、、（１２／Ｉｆ）／（ｈｌ／
ｈＺ）により定まり、ｈ２が小さい場合ｅ−ｈｚは（ｒ
に強い依存性を示さないため、育成温度の少しの変化は
αの値に大きい誤差を与えることはない。このようにし
て光吸収係数の測定においても基板の研磨を不要とする
ことができる。
と、ｂ図に示す較正用にａ図のものと同一温度で育成さ
れた薄膜結晶１２．１２’ （ｌ］！厚ｔ、、ｔ、’
、基板厚さＴ、総膜厚ｈｚ ＝ｔｚ＋ｔｚ’ ）とから
吸収係数αはα、、 Ｎ、、（１２／Ｉｆ）／（ｈｌ／
ｈＺ）により定まり、ｈ２が小さい場合ｅ−ｈｚは（ｒ
に強い依存性を示さないため、育成温度の少しの変化は
αの値に大きい誤差を与えることはない。このようにし
て光吸収係数の測定においても基板の研磨を不要とする
ことができる。
以上述べてきたように、本発明によれば、基板の除去を
不要とし、結晶育成時間の短縮ができる磁気光学素子を
提供でき、実用的には極めて有用である。
不要とし、結晶育成時間の短縮ができる磁気光学素子を
提供でき、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来の磁気光学素子を示す図、第３図は光吸収
係数の測定方法を説明するための図である。 第１図、第２図において、 ｌは基板、 ２．２’、３は磁気光学膜である。
係数の測定方法を説明するための図である。 第１図、第２図において、 ｌは基板、 ２．２’、３は磁気光学膜である。
Claims (1)
- １、磁性膜を用いた磁気光学素子において、磁性膜とし
てＬｕ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５Ｏ＿１＿２（但し
０．５＜ｘ＜０．７）が液相成長法によりＧｄ＿３Ｇａ
＿５Ｏ＿１＿２基板の表裏両面に育成されて成ることを
特徴とする磁気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28778085A JPS62149055A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28778085A JPS62149055A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 磁気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149055A true JPS62149055A (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=17721647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28778085A Pending JPS62149055A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271997A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶エピタキシヤル基板およびその製造方法 |
| US5043231A (en) * | 1988-11-04 | 1991-08-27 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Gadolinium-lutetium-gallium garnet crystal, process for its production and substrate for magneto-optical device made thereof |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP28778085A patent/JPS62149055A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5043231A (en) * | 1988-11-04 | 1991-08-27 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Gadolinium-lutetium-gallium garnet crystal, process for its production and substrate for magneto-optical device made thereof |
| JPH02271997A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶エピタキシヤル基板およびその製造方法 |
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