JPS62145086A - １，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体の結晶性ラジカル陰イオン塩 - Google Patents
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体の結晶性ラジカル陰イオン塩Info
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- JPS62145086A JPS62145086A JP27991486A JP27991486A JPS62145086A JP S62145086 A JPS62145086 A JP S62145086A JP 27991486 A JP27991486 A JP 27991486A JP 27991486 A JP27991486 A JP 27991486A JP S62145086 A JPS62145086 A JP S62145086A
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- C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D471/06—Peri-condensed systems
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- C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D493/06—Peri-condensed systems
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸
の誘導体の結晶性、安定ラジカル陰イオン塩、その製造
方法及びその電気伝導性化合物としての使用に関するも
のである。
の誘導体の結晶性、安定ラジカル陰イオン塩、その製造
方法及びその電気伝導性化合物としての使用に関するも
のである。
ドイツ国特許出願公開（ＤＥ−Ｏ８）＠４９５１、５４
９号は単量体性、そして同第４００ｑ１８６号（＝゛米
国特許第４．５６＆３１９号）は高分−７’４１．４．
５．８−す７タレンテトラカルボサイクリツク酸ビス−
イミドを開示している。両方のタイプのナフタレンテト
ラカルボサイクリック酸ビス−イミドは電気的半導体と
して記載されるが、光を当てた際に光伝導体（ｐｈｏｔ
ｏｃｏｎ−ｄｕｃｔｏｒ）としてその電導性が増加する
ため、単量体性及び高分子性の両方の１．４，５．８−
す７タレンテトラカルボサイクリツク酸ビス−イミドの
直流電導性は極めて小さいことはドイツ国特許出願公開
第４０ｏＯ，１６ａ号の実施例４から、そしてドイツ国
特許出願公開第２．９５１．５４９号の実施例に記載さ
れる好適なナフタレンテトラカルボサイクリック酸ビス
−イミドの直流電導性の測定から明らかである。すべて
の記載が高分子ナフタレンテトラカルボサイクリック酸
ビス−イミドの直流伝導性でなされているドイツ国特許
出願第八〇〇１１１，１６８号のただ１つの実施例でお
る実施例４において、４．２Ｘ１０−’ Ｓ／αの値が
与えられている。この実施例に記載される単量体性ナフ
タレンテトラカルボサイクリック酸ビス−イミドあ直流
伝導性の測定により１０”” ８７ｃｍ、１ｏ−口５
１５１及び？×１０−丁Ｓ ／ ｃｍ （Ｄ値が与えら
れた。
９号は単量体性、そして同第４００ｑ１８６号（＝゛米
国特許第４．５６＆３１９号）は高分−７’４１．４．
５．８−す７タレンテトラカルボサイクリツク酸ビス−
イミドを開示している。両方のタイプのナフタレンテト
ラカルボサイクリック酸ビス−イミドは電気的半導体と
して記載されるが、光を当てた際に光伝導体（ｐｈｏｔ
ｏｃｏｎ−ｄｕｃｔｏｒ）としてその電導性が増加する
ため、単量体性及び高分子性の両方の１．４，５．８−
す７タレンテトラカルボサイクリツク酸ビス−イミドの
直流電導性は極めて小さいことはドイツ国特許出願公開
第４０ｏＯ，１６ａ号の実施例４から、そしてドイツ国
特許出願公開第２．９５１．５４９号の実施例に記載さ
れる好適なナフタレンテトラカルボサイクリック酸ビス
−イミドの直流電導性の測定から明らかである。すべて
の記載が高分子ナフタレンテトラカルボサイクリック酸
ビス−イミドの直流伝導性でなされているドイツ国特許
出願第八〇〇１１１，１６８号のただ１つの実施例でお
る実施例４において、４．２Ｘ１０−’ Ｓ／αの値が
与えられている。この実施例に記載される単量体性ナフ
タレンテトラカルボサイクリック酸ビス−イミドあ直流
伝導性の測定により１０”” ８７ｃｍ、１ｏ−口５
１５１及び？×１０−丁Ｓ ／ ｃｍ （Ｄ値が与えら
れた。
ジャーナル・オプ・アメリカン・ケミカル・ンサイアテ
イー（Ｊ、Ａｍｓ Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）８９．５９
２５（１９（５７）に電気化学的還元による１ −４ｍ
５ ＊ ８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及
び適尚なビス−イミドからのラジカル陰イオンの製造が
開示されている。しかしながら、遊離基陰イオンは塩の
状態では単離されず、溶液中でのみ調装され、そしてＥ
ＳＲ分光法にょシ特性化された。
イー（Ｊ、Ａｍｓ Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）８９．５９
２５（１９（５７）に電気化学的還元による１ −４ｍ
５ ＊ ８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及
び適尚なビス−イミドからのラジカル陰イオンの製造が
開示されている。しかしながら、遊離基陰イオンは塩の
状態では単離されず、溶液中でのみ調装され、そしてＥ
ＳＲ分光法にょシ特性化された。
１．４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸の誘導体
のラジカル陰イオンが溶液中で製造し得るばかシでなく
、安定な結晶性塩の状態で単離することができ、そして
これらの安定な遊離基陰イオン塩かドイツ国特許出願公
開第λ９５１．３４９号及び同第３．ＯＯＱ、１６８号
に記載される１゜４．５．ｓ−す７タレンテト２炭酸ビ
ス−イミドの比直流伝導性よｐ数段高い比直流伝導性を
有することが見い出された。これらのラジカル陰イオン
塩の比伝導反は１０″″′乃至１０−’ ５７６ｓ間
である。１．４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸
訪導体の結晶性ラジカル陰イオン塩はその良好な電導性
のために、従来電導性有機化合物として使用されている
７、７．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
）錯体への容易に入手できる、新規な興味ある代替物と
して７，７，８゜８−ＴＣＮＱのラジカル陰イオン塩と
対照される。
のラジカル陰イオンが溶液中で製造し得るばかシでなく
、安定な結晶性塩の状態で単離することができ、そして
これらの安定な遊離基陰イオン塩かドイツ国特許出願公
開第λ９５１．３４９号及び同第３．ＯＯＱ、１６８号
に記載される１゜４．５．ｓ−す７タレンテト２炭酸ビ
ス−イミドの比直流伝導性よｐ数段高い比直流伝導性を
有することが見い出された。これらのラジカル陰イオン
塩の比伝導反は１０″″′乃至１０−’ ５７６ｓ間
である。１．４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸
訪導体の結晶性ラジカル陰イオン塩はその良好な電導性
のために、従来電導性有機化合物として使用されている
７、７．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
）錯体への容易に入手できる、新規な興味ある代替物と
して７，７，８゜８−ＴＣＮＱのラジカル陰イオン塩と
対照される。
従って本発明は式
式中、Ｋはｎ価の陽イオンを表わし、
ｎ ｉｊ ） Ｏの整数、好ましくは１〜５、殊に好ま
しくは１．２または３であム Ｓは１〜５の整数であシ、 Ｘはｍ価の陰イオンを表わし、 ｍは〉０の整数、好ましくは１または２であシ、 ｐは０．１−ｉたけ〉１の整数であり、但しくｍ−ｐ）
は多くとも［（ｎ・５）−１］の値をとシ； Ｂは酸素またはＹ置換された窒素を表わし、Ｙは有機性
基であＱ； Ｒ１／ｉ置換基を表わし、そして Ｃは０または１〜４の整数である、 の結晶性、安定遊離基陰イオン塩に関するものである。
しくは１．２または３であム Ｓは１〜５の整数であシ、 Ｘはｍ価の陰イオンを表わし、 ｍは〉０の整数、好ましくは１または２であシ、 ｐは０．１−ｉたけ〉１の整数であり、但しくｍ−ｐ）
は多くとも［（ｎ・５）−１］の値をとシ； Ｂは酸素またはＹ置換された窒素を表わし、Ｙは有機性
基であＱ； Ｒ１／ｉ置換基を表わし、そして Ｃは０または１〜４の整数である、 の結晶性、安定遊離基陰イオン塩に関するものである。
ｐが〉１である場合、Ｘは異なった陰イオンを表わすこ
とができる。
とができる。
災にこれらの式（１）の結晶性安定ラジカル陰イオン塩
はその親の１．４，５．Ｂ−ナフタレンテトラカルボン
酸誘導体の荷電されない分子及び／または溶媒分子を含
有し得る。荷電されないナフタレンテトラカルボン酸誘
導体分子及び／または溶媒分子を含むかかる遊離基陰イ
オン塩は式式中、Ｋ、 ｎ、 ！Ｉ、ｍ、 ｐｓ ｘＸ
Ｂ％ Ｒ及びＣは式（１）で示される意味を有し、 ｑは０または１〜４の整数を表わし、 −Ｌは溶媒分子を表わし、そして ｒはＯまたは１〜５の整数を表わす、 により記載し得る。
はその親の１．４，５．Ｂ−ナフタレンテトラカルボン
酸誘導体の荷電されない分子及び／または溶媒分子を含
有し得る。荷電されないナフタレンテトラカルボン酸誘
導体分子及び／または溶媒分子を含むかかる遊離基陰イ
オン塩は式式中、Ｋ、 ｎ、 ！Ｉ、ｍ、 ｐｓ ｘＸ
Ｂ％ Ｒ及びＣは式（１）で示される意味を有し、 ｑは０または１〜４の整数を表わし、 −Ｌは溶媒分子を表わし、そして ｒはＯまたは１〜５の整数を表わす、 により記載し得る。
適当な陽イオンＫＫは次のタイプのものがある：１．１
価及び２価無機陽イオン例えばナトリウム、カリウム、
ルビジウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウムま
たはバリウムイオン、Ｚ 例えば次のものの消費（ｅｘ
ｈａｕａｔｉｖｅ）アルキル化により得られる１価及び
多価オニウムイオンニ ー 第三級ホスフィン例えばトリメチルホスフィン、ト
リブチルホスフィン及びトリフェニルホスフィン； −第三級アルシン例えばトリブチルアルシン、トリメチ
ルアルシン及びトリフェニルアルシン；−チオエーテル
例えばジメチルスルフィド１、・ツーｆロールスルフィ
）−０乃ｒｔ、ジエチルスルフイト０前びにまた − 第三級脂肪族、脂環式、芳香族及び複素環式モノア
ミン及びポリアミン誘導体。
価及び２価無機陽イオン例えばナトリウム、カリウム、
ルビジウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウムま
たはバリウムイオン、Ｚ 例えば次のものの消費（ｅｘ
ｈａｕａｔｉｖｅ）アルキル化により得られる１価及び
多価オニウムイオンニ ー 第三級ホスフィン例えばトリメチルホスフィン、ト
リブチルホスフィン及びトリフェニルホスフィン； −第三級アルシン例えばトリブチルアルシン、トリメチ
ルアルシン及びトリフェニルアルシン；−チオエーテル
例えばジメチルスルフィド１、・ツーｆロールスルフィ
）−０乃ｒｔ、ジエチルスルフイト０前びにまた − 第三級脂肪族、脂環式、芳香族及び複素環式モノア
ミン及びポリアミン誘導体。
消費アルキル化に対するアルキル化剤の挙げ得る例には
次のものがある：ヨードメタン、クロロメタン、ブロモ
エタン、１．２−プロモニタ／、１．３−ジブロモプロ
パン、ジメチル硫酸及びジエチル硫酸。好適なアルキル
化剤はジメチル硫酸である。好適な陽イオンは第三級モ
ノアミン及び、Ｊｅ ＩＪアミンの消費アルキル化によ
り得られるモノアンモニウム及びポリアンモニウム陽イ
オンである。
次のものがある：ヨードメタン、クロロメタン、ブロモ
エタン、１．２−プロモニタ／、１．３−ジブロモプロ
パン、ジメチル硫酸及びジエチル硫酸。好適なアルキル
化剤はジメチル硫酸である。好適な陽イオンは第三級モ
ノアミン及び、Ｊｅ ＩＪアミンの消費アルキル化によ
り得られるモノアンモニウム及びポリアンモニウム陽イ
オンである。
使用し得る適当な第三級モノ−及びポリアミンには次の
ものがあるニ ー 脂肪族アミン例えばＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメ
チル−１，２−ジアミノエタン、Ｎ。
ものがあるニ ー 脂肪族アミン例えばＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメ
チル−１，２−ジアミノエタン、Ｎ。
Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノプ
ロノン、Ｎ＠Ｎ、Ｎ／ 、Ｎ’−テトラメチル−１，４
−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメチ
ル−１，６−ジアミツヘキサン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’
、Ｎ’−ペンタメチル−１，５−ジアミノ−３−アザ
ペンタン及びＮ、Ｎ、Ｎ’。
ロノン、Ｎ＠Ｎ、Ｎ／ 、Ｎ’−テトラメチル−１，４
−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメチ
ル−１，６−ジアミツヘキサン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’
、Ｎ’−ペンタメチル−１，５−ジアミノ−３−アザ
ペンタン及びＮ、Ｎ、Ｎ’。
Ｎ′。ＮＩ−ペンタメチル−１，７−ジアミツー４−ア
ザへブタン −脂環式アミン例えばＮ、ＮＩ−ジメチルピペラジン及
び１．４−ジアザ−［２，２，２コービシクロオクタン ー 芳香族アミン例えばジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’、Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェ
ニル −複素環式アミン例えばピリジン、ルチジン、コリジン
、キノリン及びイソキノリン。
ザへブタン −脂環式アミン例えばＮ、ＮＩ−ジメチルピペラジン及
び１．４−ジアザ−［２，２，２コービシクロオクタン ー 芳香族アミン例えばジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’、Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェ
ニル −複素環式アミン例えばピリジン、ルチジン、コリジン
、キノリン及びイソキノリン。
好適な第三級アミンはＮ、Ｎ、ＮＩ 、Ｎ’−テトラメ
チルジアミノエタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメ
チル−１，５−ジアミノプロノセン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、
Ｎ’−テトラメチル−１，４−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ
、ＮＩ 、Ｎ’ 、Ｎ’−ペンタメチル−１，７−ジア
ミツー４−アザへブタン、１．４−ジアザ−［２，２，
２］−ビシクロオクタン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジ
ン、ピリジン及びキノリンである。
チルジアミノエタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメ
チル−１，５−ジアミノプロノセン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、
Ｎ’−テトラメチル−１，４−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ
、ＮＩ 、Ｎ’ 、Ｎ’−ペンタメチル−１，７−ジア
ミツー４−アザへブタン、１．４−ジアザ−［２，２，
２］−ビシクロオクタン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジ
ン、ピリジン及びキノリンである。
挙げ得る第三のタイプの陽イオンは電子に富んだオレフ
ィン例えばテトラアミノエチレン；νりえはビス−１，
３−ジフェニルイミダゾリジニリド−２−エン、テトラ
チオエチレン；例えばテトラチアフルバレンまたはジア
ミノジチオ（ジオキソ）−エチレン；例えばビス−３−
メチルチアゾリニリドー２−二ンの酸化において得られ
るカルベニラムイオンがある。
ィン例えばテトラアミノエチレン；νりえはビス−１，
３−ジフェニルイミダゾリジニリド−２−エン、テトラ
チオエチレン；例えばテトラチアフルバレンまたはジア
ミノジチオ（ジオキソ）−エチレン；例えばビス−３−
メチルチアゾリニリドー２−二ンの酸化において得られ
るカルベニラムイオンがある。
陰イオンＸは１価例えば塩素、臭素、モノエテル硫酸、
モノメチル硫酸、過塩素酸、テトラフルオロホウ＠また
はテトラフルオロリン酸イオンであり得るが、また２価
例えば硫酸イオン及び３価例えばリン酸イオンでもあシ
得る。好適なものは１価の陰イオン例えばモノメチル硫
酸及びテトラフルオロホウ酸陰イオンである。
モノメチル硫酸、過塩素酸、テトラフルオロホウ＠また
はテトラフルオロリン酸イオンであり得るが、また２価
例えば硫酸イオン及び３価例えばリン酸イオンでもあシ
得る。好適なものは１価の陰イオン例えばモノメチル硫
酸及びテトラフルオロホウ酸陰イオンである。
Ｂにおける有機性２３Ｙは随時置換されていてもよいア
ルキル、シクロアルキル、アラルキルまたはアリール基
であることができ：好適なものはＣ２〜Ｃ０−アルキル
基例えばメチル、エチル、ｉ−グロビル、ｎ−ブチル及
び５ｅａ−ブチル基、並びにまた随時置換されていても
よいアリール基例エバフェニル、ニトロフェニル、シア
ノフェニル、ハロゲノ−フェニル、Ｃ１〜Ｃ，−フルコ
キシフェニル及Ｕ Ｃｔ−Ｃ４−アルキルフェニル基で
ある。
ルキル、シクロアルキル、アラルキルまたはアリール基
であることができ：好適なものはＣ２〜Ｃ０−アルキル
基例えばメチル、エチル、ｉ−グロビル、ｎ−ブチル及
び５ｅａ−ブチル基、並びにまた随時置換されていても
よいアリール基例エバフェニル、ニトロフェニル、シア
ノフェニル、ハロゲノ−フェニル、Ｃ１〜Ｃ，−フルコ
キシフェニル及Ｕ Ｃｔ−Ｃ４−アルキルフェニル基で
ある。
置換基Ｒの挙げ得る例にはハロゲン原子例えばフッ素、
塩素または臭素；及びまたニトロ、ヒドロキシル、シア
ノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、シクロヘキシル、フェニル
マタはカルボン飯エステル基がある。
塩素または臭素；及びまたニトロ、ヒドロキシル、シア
ノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、シクロヘキシル、フェニル
マタはカルボン飯エステル基がある。
殊に好適なものは式ＣＩ）においてＢが酸素またはＹ置
換された窒素原子を表わす場合の式（１）の化合物であ
り、ここにＹは随時置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６−
アルキル基例えばメチル、エチル、ｎ−グロビル、５ｅ
Ｃ−ブチルもしくはｎ−ヘキ’／ル基または２−（トリ
メチルアンモニウム）−エチル、３−（トリメチルアン
モニウム）−グロビル基或いは随時−置換または多置換
されていてもよい一核性アリール基例えばフェニル、ト
リル、フェニル、ジメチルアミノフェニル、クロロフェ
ニル、ジクロロフェニル、ニトロフェニル、シアノフェ
ニルモジくは０１〜Ｃ４−アルコキシカルボニルフェニ
ル基でアル。
換された窒素原子を表わす場合の式（１）の化合物であ
り、ここにＹは随時置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６−
アルキル基例えばメチル、エチル、ｎ−グロビル、５ｅ
Ｃ−ブチルもしくはｎ−ヘキ’／ル基または２−（トリ
メチルアンモニウム）−エチル、３−（トリメチルアン
モニウム）−グロビル基或いは随時−置換または多置換
されていてもよい一核性アリール基例えばフェニル、ト
リル、フェニル、ジメチルアミノフェニル、クロロフェ
ニル、ジクロロフェニル、ニトロフェニル、シアノフェ
ニルモジくは０１〜Ｃ４−アルコキシカルボニルフェニ
ル基でアル。
更に本発明は式（１）または（ＩＩ）の結晶性安定ラジ
カル陰イオン塩の製造方法に関するものである。拳法は
式 式中、Ｂ、Ｒ及びＣは式（Ｉ）で与えられる意味を有す
る、 の１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体
から出発する。
カル陰イオン塩の製造方法に関するものである。拳法は
式 式中、Ｂ、Ｒ及びＣは式（Ｉ）で与えられる意味を有す
る、 の１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体
から出発する。
これらの誘導体は不活性有機溶媒中にて化学的にか、ま
たは好ましくは電気化学的にかのいずれかで還元する。
たは好ましくは電気化学的にかのいずれかで還元する。
還元法において得られる式（１）Ｊたけ弐ω）のラジカ
ル陰イオン塩は固体の結晶化された化合物の状態で分別
する。これらの結晶性化合物は液相から機械的に分離し
、用いた溶媒で洗浄し、そして乾燥する。
ル陰イオン塩は固体の結晶化された化合物の状態で分別
する。これらの結晶性化合物は液相から機械的に分離し
、用いた溶媒で洗浄し、そして乾燥する。
ｊ、４，５．８−ナフタレンテトラカルボ７ｒＨ誘導体
の電気化学的還元において、このものを式０式％］ 式中、Ｋ、ｎ、ｓ、Ｘ及びｍは式（１）で与えられる意
味を有し、そして ｐ′は〉１の整数であｐ１但しくｎ−ａ）＝（ｒｎ＠ｐ
）である、 の伝導性塩の存在下にて不活性ト媒中で還元する。
の電気化学的還元において、このものを式０式％］ 式中、Ｋ、ｎ、ｓ、Ｘ及びｍは式（１）で与えられる意
味を有し、そして ｐ′は〉１の整数であｐ１但しくｎ−ａ）＝（ｒｎ＠ｐ
）である、 の伝導性塩の存在下にて不活性ト媒中で還元する。
この電気化学的還元は次の具体例を参考に説明し得る：
使用し得る不活性溶媒には次のものがある；− ニトリ
ル例えばアセトニトリル、グロピオニトリル及びブチロ
ニトリル −アミド例えばジメチルホルムアミド及びジメチルアセ
トアミド −尿素例えばテトラメチル尿素 −カーボネート例えば１．３−ジオキサ−シクロヘキサ
ン−２−オン及び１．３−ジオキサ−４−メチル−シク
ロペンタン−２−オン−２クトン及びラクタム例えばブ
チロラクトン及びＮ−メチルピロリドン 一スルホキシド及びスルホン例えばジメチルスルホキシ
ド、ジメチルスルホン及びテトラメチレンスルホン。
ル例えばアセトニトリル、グロピオニトリル及びブチロ
ニトリル −アミド例えばジメチルホルムアミド及びジメチルアセ
トアミド −尿素例えばテトラメチル尿素 −カーボネート例えば１．３−ジオキサ−シクロヘキサ
ン−２−オン及び１．３−ジオキサ−４−メチル−シク
ロペンタン−２−オン−２クトン及びラクタム例えばブ
チロラクトン及びＮ−メチルピロリドン 一スルホキシド及びスルホン例えばジメチルスルホキシ
ド、ジメチルスルホン及びテトラメチレンスルホン。
好適なものにはニトリル、アミド及びカーボネート例え
ばジメチルホルムアミド、アセトニトリル、１．３−ジ
オキサ−シクロヘキサン−２−オン及び１゜３−ジオキ
サ−４−メチル−シクロペンタ／−２−オンかめる。
ばジメチルホルムアミド、アセトニトリル、１．３−ジ
オキサ−シクロヘキサン−２−オン及び１゜３−ジオキ
サ−４−メチル−シクロペンタ／−２−オンかめる。
用いる伝導性塩は上記の無機陽イオンの塩化物、臭化物
、モノメチル硫酸塩、過塩素酸塩、テトラフルオロホウ
酸塩及びヘキサフルオロリン酸塩、またはアルシン、ホ
スフィン、チオエーテル及び第三級アミンの消費アルキ
ル化により得られるオニウム塩である。
、モノメチル硫酸塩、過塩素酸塩、テトラフルオロホウ
酸塩及びヘキサフルオロリン酸塩、またはアルシン、ホ
スフィン、チオエーテル及び第三級アミンの消費アルキ
ル化により得られるオニウム塩である。
これらのオニウム塩はこれらのものが消費アルキル化に
おいて得られる状態で直接使用し得る。
おいて得られる状態で直接使用し得る。
しかしながらまた、最初に例えば塩化テトラブチルアン
モニウム中の塩素イオンをテトラフルオロホウ酸イオン
で置換するように陰イオンを他の陰イオンで置換するこ
とができる。
モニウム中の塩素イオンをテトラフルオロホウ酸イオン
で置換するように陰イオンを他の陰イオンで置換するこ
とができる。
好適な伝導性塩はＮ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎｌ−テトラメチル
−１，２−ジアミノエタン、Ｎ、Ｎ。
−１，２−ジアミノエタン、Ｎ、Ｎ。
Ｎ ’ ＊ Ｎ ’−テトラメチルー１．３−ジアミノ
グロパン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメチルー−１
，４−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ、ＮＩ 、Ｎ’ 。
グロパン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’−テトラメチルー−１
，４−ジアミノブタン、Ｎ、Ｎ、ＮＩ 、Ｎ’ 。
Ｎ１−ペンタメチル−１，７−ジアミツー４−アザへブ
タン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１．４−ジアザ
−［：２，２，２Ｊ−ビシクロオクタン、ピリジン及び
キノリンの消費メチル化により得られる一陽イオン及び
多階イオンのメト硫酸塩及びテトラフルオロホウ酸塩で
ある。
タン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１．４−ジアザ
−［：２，２，２Ｊ−ビシクロオクタン、ピリジン及び
キノリンの消費メチル化により得られる一陽イオン及び
多階イオンのメト硫酸塩及びテトラフルオロホウ酸塩で
ある。
電気化学的還元は一４０℃から用いる溶媒の梯点までの
温度で行う。４０〜１００℃、殊に２０〜８５℃の温度
が好ましい。
温度で行う。４０〜１００℃、殊に２０〜８５℃の温度
が好ましい。
１．４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸の誘導体
はα００５モル／ｌの濃度から特定の溶媒において用い
る温度での飽和濃度までで使用し得る。α００５〜α０
２モル／ｌの濃度が好ましい。
はα００５モル／ｌの濃度から特定の溶媒において用い
る温度での飽和濃度までで使用し得る。α００５〜α０
２モル／ｌの濃度が好ましい。
特定の伝導性塩を用いるテトラカルボ／酸誘導体に対し
て２〜２０倍のモル過ｔｌＪｍで使用し得る。
て２〜２０倍のモル過ｔｌＪｍで使用し得る。
好ましくはテトラカルボンｈＦｊ導体１モル当９３〜１
２モルの伝導性塩を用いる。
２モルの伝導性塩を用いる。
電気化学的還元は定電圧または定電流で行い得る。定電
流法が好ましい。代表的な定電流実験において、電気分
解は１ｃＩＴＩ離れて位置する２本の１６−ｃｍ”
ｐ を電極を有する１００−ゴセル中にて２ｍＡの電流
値及びα７乃至３ｖ間のセル電圧で行う。場合によって
は、陰極及び陽極の間隔を膜またはフレット（ｆｒｅｔ
） によシ分離し得る。
流法が好ましい。代表的な定電流実験において、電気分
解は１ｃＩＴＩ離れて位置する２本の１６−ｃｍ”
ｐ を電極を有する１００−ゴセル中にて２ｍＡの電流
値及びα７乃至３ｖ間のセル電圧で行う。場合によって
は、陰極及び陽極の間隔を膜またはフレット（ｆｒｅｔ
） によシ分離し得る。
本発明による式Ｉのラジカル陰イオン塩は電解中に分離
し、そして去れ自体公知の方法で機械的除去によシ分析
的に純粋な状態で単離することができ、上記の不活性溶
媒の１つで洗浄し、そして乾燥する。
し、そして去れ自体公知の方法で機械的除去によシ分析
的に純粋な状態で単離することができ、上記の不活性溶
媒の１つで洗浄し、そして乾燥する。
化学的還元において、ナフタレンテトラカルボ／酸訪導
体を化学的還元剤と反応せしめる。適当な化学的還元剤
はたとえばアルカリ金属の如き無機化合物でおる；好ま
しい還元剤は有機の電子に富んだ化合物、たとえばビス
−１，３−ジフェニルイミダゾリジニリド−２−エン又
はビス−３−メチルペンゾチアゾリニリドー２−エンで
おる。
体を化学的還元剤と反応せしめる。適当な化学的還元剤
はたとえばアルカリ金属の如き無機化合物でおる；好ま
しい還元剤は有機の電子に富んだ化合物、たとえばビス
−１，３−ジフェニルイミダゾリジニリド−２−エン又
はビス−３−メチルペンゾチアゾリニリドー２−エンで
おる。
化学反応は好ましくは極性有機溶媒、たとえばアセトニ
トリル、ジメチルホルムアミド、スルホラン、プロピレ
ンカーボネート又はＮ−メチルピロリドン中で行う。
トリル、ジメチルホルムアミド、スルホラン、プロピレ
ンカーボネート又はＮ−メチルピロリドン中で行う。
化学的還元は２０℃の温度から用いる溶媒の沸点で行う
。しかしながらまた、圧力を用いることによシ高い反応
温度を用いることができる。冷却する際に、半伝導性ラ
ジカルイオン塩は結晶状態で沈殿する。
。しかしながらまた、圧力を用いることによシ高い反応
温度を用いることができる。冷却する際に、半伝導性ラ
ジカルイオン塩は結晶状態で沈殿する。
本発明による式Ｉ及び■のラジカルイオン塩は価値ある
半導体である。これらのものはプラスチック上での帯電
防止加工及び電子部門における用途がある。゛ 実施例 １ 相・互に１副離れた距離に位置する２本の１６−ａｍ”
ｐｔ電極を有する加熱できる１００−耐電解セルにジメ
チルホルムアミド１００ゴ中の１゜４．５．８−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物３５０■（１，３０６ミ
リモル）及びＮ、Ｎ。
半導体である。これらのものはプラスチック上での帯電
防止加工及び電子部門における用途がある。゛ 実施例 １ 相・互に１副離れた距離に位置する２本の１６−ａｍ”
ｐｔ電極を有する加熱できる１００−耐電解セルにジメ
チルホルムアミド１００ゴ中の１゜４．５．８−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物３５０■（１，３０６ミ
リモル）及びＮ、Ｎ。
溶液を８０℃で加えた。電解は１．５ ｍ Ａで２６時
間行い、その際に１．４ｖのセル電圧が達成された。
間行い、その際に１．４ｖのセル電圧が達成された。
ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の、金属的に光る針状に
て陰極で晶出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメ
チルホルムアミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そ
して乾燥した。
て陰極で晶出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメ
チルホルムアミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そ
して乾燥した。
収＊： 式
のラジカル陰イオン塩２８０ｍｇ（＝１４１１７ミリモ
ル＝理論値の６２％）。
ル＝理論値の６２％）。
実施例 ２
相互に１ＣＭ離れた距離に位置する２本の１６−ｃｍ”
ｐ を電極を有する加熱できる１００−耐電解セルに
ジメチルホルムアミド１００１ｄ中の１゜４．５．８−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物２６８岬（１ミリ
モル）及びＮ、Ｎ／−ジメチル−ジアザ−〔２，２，２
３−ビシクロオクタンビス−メトサルフェート５，３２
ｒ（９ミリモル）の溶液を８０℃で加えた。電解は１．
５ ｍ Ａで２６時間行い、その際に１．５ｖのセル電
圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の、金
属的に光る針状にて陰極で晶出した。これらのものを吸
引で戸別し、ジメチルホルムアミドで、次にアセトニト
リルで洗浄し、そして乾燥した。
ｐ を電極を有する加熱できる１００−耐電解セルに
ジメチルホルムアミド１００１ｄ中の１゜４．５．８−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物２６８岬（１ミリ
モル）及びＮ、Ｎ／−ジメチル−ジアザ−〔２，２，２
３−ビシクロオクタンビス−メトサルフェート５，３２
ｒ（９ミリモル）の溶液を８０℃で加えた。電解は１．
５ ｍ Ａで２６時間行い、その際に１．５ｖのセル電
圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の、金
属的に光る針状にて陰極で晶出した。これらのものを吸
引で戸別し、ジメチルホルムアミドで、次にアセトニト
リルで洗浄し、そして乾燥した。
収量： 式
のラジカル陰イオン塩２７７■（＝α３５ミリモル＝理
論値の３５％）。
論値の３５％）。
塩Ｏ伝導度１ｒ１４ ｘ １０−” Ｓ ／ ｃｐｎ
（粉末圧縮物、２電極法）であった。
（粉末圧縮物、２電極法）であった。
実施今り ３
相互に１ｃ１ｎ離れた距離に位置する２本の１６−ｃｙ
”ｐｔ電極を有する加熱できるＩＯ’０−ｒｄ電解セル
にジメチルホルムアミド１００ｄ中のＮ。
”ｐｔ電極を有する加熱できるＩＯ’０−ｒｄ電解セル
にジメチルホルムアミド１００ｄ中のＮ。
Ｎ’−ジフェニルナフタレンテトラカルボキシイミド（
Ｌ５４５１η（１，３ミリモル）及びＮ−メチルキノリ
ニウムメトサルフェート２．５５ｒ（１０ミリモル）の
溶液を８０℃で加えた。′電解は１．５ｍＡで１３時間
行い、その際に１．５５ Ｖのセル電圧が達成された。
Ｌ５４５１η（１，３ミリモル）及びＮ−メチルキノリ
ニウムメトサルフェート２．５５ｒ（１０ミリモル）の
溶液を８０℃で加えた。′電解は１．５ｍＡで１３時間
行い、その際に１．５５ Ｖのセル電圧が達成された。
ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の、金属的に光る針状に
て陽極で晶出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメ
チルホルムアミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そ
して乾燥した。
て陽極で晶出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメ
チルホルムアミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そ
して乾燥した。
収量： 式
のラジカル陰イオン塩１４０ｙｙ（＝α１６ミリモル＝
理論値の２０％）。
理論値の２０％）。
塩の伝導度は６．９Ｘ １０−’Ｓ／１Ｍ（粉末圧縮物
、２電極法）であった。
、２電極法）であった。
実施例 ４
、相互Ｋ １ ｃｍ離れた距離に位置する２本の１６−
５Ｉ２ ｐｔ電極を有する加熱できる１００−ｒｎｔ電
解セルにジメチルホルムアミド１０〇−中のＮ。
５Ｉ２ ｐｔ電極を有する加熱できる１００−ｒｎｔ電
解セルにジメチルホルムアミド１０〇−中のＮ。
Ｎ′−ジフェニルナフタレンテトラカルボジイミド０５
４５■（１，３ミリモル）及びＮ、Ｎ’−ジメチルジア
ザ−（２，２，２）−ビシクロオクタンビス−テトラフ
ルオロホウ酸塩１．６ ｆ （５ミリモル）の溶液を８
０℃で加えた。電解Ｆｉ１−５ ｍ Ａで８時間行い、
その際に１．４ｖのセル電圧が達成された。ラジカル陰
イオン塩が帯青黒色の、金属的に光る針状にて陰極で晶
出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメチルホルム
アミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そして乾燥し
た。
４５■（１，３ミリモル）及びＮ、Ｎ’−ジメチルジア
ザ−（２，２，２）−ビシクロオクタンビス−テトラフ
ルオロホウ酸塩１．６ ｆ （５ミリモル）の溶液を８
０℃で加えた。電解Ｆｉ１−５ ｍ Ａで８時間行い、
その際に１．４ｖのセル電圧が達成された。ラジカル陰
イオン塩が帯青黒色の、金属的に光る針状にて陰極で晶
出した。これらのものを吸引で戸別し、ジメチルホルム
アミドで、次にアセトニトリルで洗浄し、そして乾燥し
た。
収量二 式
のラジカル陰イオン塩１７６〜（二００８ミリモル＝理
論値の１８％）。
論値の１８％）。
塩の伝導度は４ Ｘ １０− ’ Ｓ ／ ５１ （粉
末圧縮物、２電極法）であった。
末圧縮物、２電極法）であった。
実施例 ５
相互に１ＬＭ離れた距離に位置する２本の１６−ｃｌＮ
！ｐｔ電極を有する加熱できる１００−耐電解セルにジ
メチルホルムアミド１００ｍｇ中（７）Ｎ、Ｎ’−ジフ
ェニルナフタレンテトラカルボキシイミドα５４５１１
１ｉ（１，３ミリモル）及びＮ、Ｎ、Ｎ。
！ｐｔ電極を有する加熱できる１００−耐電解セルにジ
メチルホルムアミド１００ｍｇ中（７）Ｎ、Ｎ’−ジフ
ェニルナフタレンテトラカルボキシイミドα５４５１１
１ｉ（１，３ミリモル）及びＮ、Ｎ、Ｎ。
Ｎ’、Ｎ’、Ｎ’−ヘキサメチルエチレンビスアンモニ
ウムビス−テトラフルオロホウ酸塩１．６ｆ（（１５ミ
リモル）の溶液を８０℃で加えた。電解ｌ：ｊ １．５
ｍＡ Ｔ １４時間行い、その際Ｋ １．４ Ｖのセ
ル電圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の
、金属的に光る針状にて陰極で晶出した。
ウムビス−テトラフルオロホウ酸塩１．６ｆ（（１５ミ
リモル）の溶液を８０℃で加えた。電解ｌ：ｊ １．５
ｍＡ Ｔ １４時間行い、その際Ｋ １．４ Ｖのセ
ル電圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の
、金属的に光る針状にて陰極で晶出した。
これらのものを吸引で戸別し、ジメチルホルムアミドで
、次にアセトニトリルで洗浄し、そして乾燥した。
、次にアセトニトリルで洗浄し、そして乾燥した。
収ｆｔ： 式
のラジカル陰イオン塩９．６ ｍｔｌ （＝ ａ ０５
ミリモル二理論値の１５多）。
ミリモル二理論値の１５多）。
塩の伝感度は７．５ Ｘ、１０−２Ｓ ／副（粉末圧縮
物、２電極法）であった。
物、２電極法）であった。
実施例 ６〜２３
使用された伝導性塩及び溶媒の代）ｒＣ下の表に示す伝
導性塩及び溶媒を用いる以外は実施例１に記載される方
法に従った。
導性塩及び溶媒を用いる以外は実施例１に記載される方
法に従った。
実施例６〜２３に使用される伝導性塩、溶媒及び生じる
１、４゜５．８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体の
ラジカル陰イオン塩を下の表に示す。
１、４゜５．８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体の
ラジカル陰イオン塩を下の表に示す。
得られるラジカル陰イオン塩は式（ＩＤによυ特性化さ
れ；表はＢ、Ｒ及びＸ並びにｎｓｒ ｍｓ ９％ ’１
％ｒ及びＣに対する値の意味を示し、ここにこれらのも
のは個々のラジカル陰イオン塩に対して式（Ｉ［）にお
いて仮定される。
れ；表はＢ、Ｒ及びＸ並びにｎｓｒ ｍｓ ９％ ’１
％ｒ及びＣに対する値の意味を示し、ここにこれらのも
のは個々のラジカル陰イオン塩に対して式（Ｉ［）にお
いて仮定される。
溶媒を特性化するために表に使用される略語は次の意味
を有する： ＤＭＦ ジメチルホルムアミド ＰＰＣプロピレン−１゜２−カーボネートＡＣアセトニ
ドツル ＮＭＰ Ｎ−メチルピロリドン ＝ ？ ？ １０ ’ （ＢＦ４”）ｔ
ＰＰＣ１１’
ＰＰＣ！ 足 ！ Ａ ｉ μ
人生 二 −Ｎ エ酸素 −０２１２０−０−
０ ’ −０２１２０−０−０ ’ −０２１２０−０−０ ’ −０２１１０１１０８０，ＯＣＨ，ｅＯ”
−０２１２ｏ−ｏ−。
を有する： ＤＭＦ ジメチルホルムアミド ＰＰＣプロピレン−１゜２−カーボネートＡＣアセトニ
ドツル ＮＭＰ Ｎ−メチルピロリドン ＝ ？ ？ １０ ’ （ＢＦ４”）ｔ
ＰＰＣ１１’
ＰＰＣ！ 足 ！ Ａ ｉ μ
人生 二 −Ｎ エ酸素 −０２１２０−０−
０ ’ −０２１２０−０−０ ’ −０２１２０−０−０ ’ −０２１１０１１０８０，ＯＣＨ，ｅＯ”
−０２１２ｏ−ｏ−。
’ −０２１２０−０−０
” −０２１２０−０−０
” −０２１２０−０−０
’ −０２１２０−０−０
表（続）
■
ＣＨ３
１６”
ＡＣ１８”
ＰＰＣ２２’
（ＢＦ４ｅ）ｔ ＮＭＰ２５ ’
（ＢＦ４０）富ＰＰＣＢ １旦 二
１至囚±二 ヱ王 工酸素 −０１１１０
−０−０ Ｎ−ＣＨ，−０２１２０−０−０ 酸素 Ｃ１４２１２０＋ Ｉ ＣＥＤｘＯＣＨ
Ｐ２しｆｒニー ｔ ５ ｃｎｒ Ｐｓれｆｃ ２ 本
ノ１６− Ｉ：ＩＲ” 白金ＭＬ極を備えた加熱できる
１００−ｍ／電解セルにジメチルホルムアミド１０〇−
中のへキサメチルエチレンジアミンビステトラフルオロ
ホウ酸塩１．６６ ｆの溶液を加えた。Ｎ、Ｎ／−ビス
−（３−）！Ｊ、７’チルアンモニウムプロピル）−す
７タレンテトラカルボキシイミドビスメトサル７エート
を陽極空間に導入した。溶液を８０℃に加熱し、そして
加熱の過程で窒素を十分に吹き込んだ。電解を１．５
ｍ Ａで２２時間行い：この期間中に２．Ｏｖのセル電
圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の針状
塊として陰極で晶出し、このものは実質的に一緒に生長
して電極被覆物を生成させた。電解が終了した後、電極
被覆物をアセトニトリルでくシ返し洗浄し、そして乾燥
した。このものは１Ｏ−ｓＳ／ｃｌＲの伝導性を有して
いた。
ＡＣ１８”
ＰＰＣ２２’
（ＢＦ４ｅ）ｔ ＮＭＰ２５ ’
（ＢＦ４０）富ＰＰＣＢ １旦 二
１至囚±二 ヱ王 工酸素 −０１１１０
−０−０ Ｎ−ＣＨ，−０２１２０−０−０ 酸素 Ｃ１４２１２０＋ Ｉ ＣＥＤｘＯＣＨ
Ｐ２しｆｒニー ｔ ５ ｃｎｒ Ｐｓれｆｃ ２ 本
ノ１６− Ｉ：ＩＲ” 白金ＭＬ極を備えた加熱できる
１００−ｍ／電解セルにジメチルホルムアミド１０〇−
中のへキサメチルエチレンジアミンビステトラフルオロ
ホウ酸塩１．６６ ｆの溶液を加えた。Ｎ、Ｎ／−ビス
−（３−）！Ｊ、７’チルアンモニウムプロピル）−す
７タレンテトラカルボキシイミドビスメトサル７エート
を陽極空間に導入した。溶液を８０℃に加熱し、そして
加熱の過程で窒素を十分に吹き込んだ。電解を１．５
ｍ Ａで２２時間行い：この期間中に２．Ｏｖのセル電
圧が達成された。ラジカル陰イオン塩が帯青黒色の針状
塊として陰極で晶出し、このものは実質的に一緒に生長
して電極被覆物を生成させた。電解が終了した後、電極
被覆物をアセトニトリルでくシ返し洗浄し、そして乾燥
した。このものは１Ｏ−ｓＳ／ｃｌＲの伝導性を有して
いた。
収量：α２４８ｔ
一に
実施例 ２５
ビス−１，３−ジフェニルイミダゾリジニリド−２−エ
ン２．２２ｒを窒素下で沸騰したジメチルホルムアミド
５０−に溶解させ、そして窒素下で沸騰したジメチルホ
ルムアミド１５０−中のナフタレンテトラカルボン酸二
無水物４．０２ｔの溶液と一緒にした。
ン２．２２ｒを窒素下で沸騰したジメチルホルムアミド
５０−に溶解させ、そして窒素下で沸騰したジメチルホ
ルムアミド１５０−中のナフタレンテトラカルボン酸二
無水物４．０２ｔの溶液と一緒にした。
冷却することによシ次の組成の紫色−黒色の、金属光沢
のある結晶２．２５Ｆの沈殿が生じた：Ｃ＝＝ ６９．
３％；Ｈ＝五３％；Ｎ＝４．４％；０＝２五〇％。
のある結晶２．２５Ｆの沈殿が生じた：Ｃ＝＝ ６９．
３％；Ｈ＝五３％；Ｎ＝４．４％；０＝２五〇％。
この物質は６ＸＩ Ｃ″３ ｓ １０Ｒの比電導度を有
していた。
していた。
実施例 ２６
ビス−（１，３−（ｐ−ジクロロフェニル）−イミダゾ
リジニリドー２−エン〕２．８１をナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物４．０２ ｆと反応させるために実施
例２５の方法を用いた。
リジニリドー２−エン〕２．８１をナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物４．０２ ｆと反応させるために実施
例２５の方法を用いた。
１．２Ｘ１０−’の比伝導度を有する暗褐色の結晶２．
４２が得られた。
４２が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中、Ｋはｎ価の陽イオンを表わし、 ｎは＞０の整数であり、 ｓは１〜５の整数であり、 Ｘはｍ価の陰イオンを表わし、 ｍは＞０の整数であり、 ｐは０、１または＞１の整数であり、但し （ｍ・ｐ）は多くとも〔（ｎ・ｓ）−１〕の値をとり； Ｂは酸素またはＹ置換された窒素を表わし、Ｙは有機性
基であり； Ｒは置換基を表わし、そして ｃは０または１〜４の整数である、 の結晶性、安定ラジカル陰イオン塩。 ２、ｎが１〜５の整数であり、ｍが１または２であり、
Ｙが随時置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アラルキルまたはアリール基であり、そしてＲがハ
ロゲン原子、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、Ｃ＿１〜
Ｃ＿４−アルキル、シクロヘキシル、フェニルまたはカ
ルボン酸エステル基である、特許請求の範囲第１項記載
の結晶性、安定ラジカル陰イオン塩。 ３、ｎが１、２または３である、特許請求の範囲第２項
記載の結晶性、安定ラジカル陰イオン塩。 ４、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 式中、Ｋ、ｎ、ａ、ｍ、ｐ、Ｘ、Ｂ、Ｒ及びｃは特許請
求の範囲第１、２または３項に記載の意味を有し、 ｑは０または１〜４の整数を表わし、 Ｌは溶媒分子を表わし、そして ｒは０または１〜５の整数を表わす、 に一致することを特徴とする、特許請求の範囲第１、２
または３項のいずれかに記載のラジカル陰イオン塩。 ５、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中、Ｋはｎ価の陽イオンを表わし、 ｎは＞０の整数であり） ｓは１〜５の整数であり、 Ｘはｍ価の陰イオンを表わし、 ｍは＞０の整数であり、 ｐは０、１または＞１の整数であり、但し （ｍ・ｐ）は多くとも〔（ｎ・ｓ）−１〕の値をとり； Ｂは酸素またはＹ置換された窒素を表わし、Ｙは有機性
基であり； Ｂは置換基を表わし、そして ｃは０または１〜４の整数である、 のラジカル陰イオン塩を製造する際に、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 式中、Ｂ、Ｒ及びｃは式（ I ）で上に与えられる意味
を有する、 の１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体
を不活性有機溶媒中で化学的にか、または電気化学的に
還元することを特徴とする、式（ I ）のラジカル陰イ
オン塩の製造方法。 ６、ｎが１〜５の整数であり、ｍが１または２であり、
Ｙが随時置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アラルキルまたはアリール基であり、そしてＲがハ
ロゲン原子、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、Ｃ＿１〜
Ｃ＿４−アルキル、シクロヘキシル、フェニルまたはカ
ルボン酸エステル基である、特許請求の範囲第５項記載
の方法。 ７、１，４，５，８−ナフタレンカルボン酸誘導体を式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 式中、Ｋはｎ価の陽イオンを表わし、 ｎは＞０の整数であり、 ｓは１〜５の整数であり、 Ｘはｍ価の陰イオンを表わし、 ｍは＞０の整数であり、そして ｐ′は＞１の整数であり、但し（ｎ・ｓ）＝（ｍ・ｐ′
）である、 の伝導性塩の存在下にて不活性溶媒中で室温又は昇温下
で電気化学的に還元することを特徴とする、特許請求の
範囲第５項記載の方法。 ８、プラスチック上の帯電防止処理に対する、特許請求
の範囲第１、２、３または４項のいずれかに記載のラジ
カル陰イオン塩の使用。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3542485.0 | 1985-11-30 | ||
| DE19853542485 DE3542485A1 (de) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | Radikalionensalze von derivaten der 1.4.5.8-naphthalintetracarbonsaeure und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3627667.7 | 1986-08-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145086A true JPS62145086A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=6287348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27991486A Pending JPS62145086A (ja) | 1985-11-30 | 1986-11-26 | １，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体の結晶性ラジカル陰イオン塩 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145086A (ja) |
| DE (1) | DE3542485A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014514256A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-06-19 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ペリレン系半導体材料 |
-
1985
- 1985-11-30 DE DE19853542485 patent/DE3542485A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-11-26 JP JP27991486A patent/JPS62145086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014514256A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-06-19 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ペリレン系半導体材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3542485A1 (de) | 1987-06-04 |
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