JPS6214420A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6214420A JPS6214420A JP60153064A JP15306485A JPS6214420A JP S6214420 A JPS6214420 A JP S6214420A JP 60153064 A JP60153064 A JP 60153064A JP 15306485 A JP15306485 A JP 15306485A JP S6214420 A JPS6214420 A JP S6214420A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にＧａＡｒＡ
ｓ系の発光ダイオードに係るものである。
ｓ系の発光ダイオードに係るものである。
最近、１ｅｄ（カンデラ）以上の明るさをもつ発光ダイ
オードが市販されるようになった。
オードが市販されるようになった。
従来、この発光ダイオードは、例えば第３図に示す装置
を用いて製造されている。図中の１は基板収納部材であ
り、上部に成長溶液収納部材２がかつ下部に廃液収納部
材３が設けられている。前記基板収納部材１にはフェノ
・収納室が設けられ、この収納室にフェノ・ホルダ４が
設けられている。このクエハホルダ４には、Ｐ型Ｇａへ
８基板５がセットされている。前記成長溶液収納部材２
には、例えば４つの溶液溜が設けられ、これらの溶液溜
には夫々第１〜第４の結晶成長溶液σ、７．ｇ、９が収
容されている。ここで、第１の結晶成長溶液６は、Ｇａ
金属、ＧａＡｓ多結晶、Ａ／金金属Ｚｎ金属が夫々１２
５ｐ、１０Ｐ、９７０ｑ１１１５ｗｑからなる。第２の
結晶成長溶液７は、Ｇａ金属、Ｇａ Ａｓ多結晶、Ａｌ
金属が夫に１２５？、４ｆ、５９０１９からなる。第３
の結晶成長溶液８は、Ｇａ金属、ＧａＡｓ多結晶、Ａ／
金金属夫々１２５？、６．２？、１３７ｗ９からなる。
を用いて製造されている。図中の１は基板収納部材であ
り、上部に成長溶液収納部材２がかつ下部に廃液収納部
材３が設けられている。前記基板収納部材１にはフェノ
・収納室が設けられ、この収納室にフェノ・ホルダ４が
設けられている。このクエハホルダ４には、Ｐ型Ｇａへ
８基板５がセットされている。前記成長溶液収納部材２
には、例えば４つの溶液溜が設けられ、これらの溶液溜
には夫々第１〜第４の結晶成長溶液σ、７．ｇ、９が収
容されている。ここで、第１の結晶成長溶液６は、Ｇａ
金属、ＧａＡｓ多結晶、Ａ／金金属Ｚｎ金属が夫々１２
５ｐ、１０Ｐ、９７０ｑ１１１５ｗｑからなる。第２の
結晶成長溶液７は、Ｇａ金属、Ｇａ Ａｓ多結晶、Ａｌ
金属が夫に１２５？、４ｆ、５９０１９からなる。第３
の結晶成長溶液８は、Ｇａ金属、ＧａＡｓ多結晶、Ａ／
金金属夫々１２５？、６．２？、１３７ｗ９からなる。
第４の結晶成長溶液９は、Ｇ８金属、ＧａＡａ多結晶、
Ａｔ金属が夫々１２５５’、４５’、５９ＯＮからなる
。更に、前記廃液収納部材３には廃液室１０が設けられ
ている。
Ａｔ金属が夫々１２５５’、４５’、５９ＯＮからなる
。更に、前記廃液収納部材３には廃液室１０が設けられ
ている。
以下、発光ダイオードの！！！造方決方法いて説明する
。
。
■まず、Ｐ−ＧａＡａ基板５をウェノ・収納室のウェハ
ホルダ４に載せセットする。つづいて、前記成長溶液収
納部材２の各溶液溜に前述した組成の第１〜第４の結晶
成長溶液６〜９を収容した後、液相エピタキシャル成長
炉にセットする。
ホルダ４に載せセットする。つづいて、前記成長溶液収
納部材２の各溶液溜に前述した組成の第１〜第４の結晶
成長溶液６〜９を収容した後、液相エピタキシャル成長
炉にセットする。
次いで、水素ガス雰囲気中で昇温し、所定の温度例えば
９５０℃に到達したならその温度を一定時間例えば１２
０分保持する。しかる後、外部からの操作によって第１
の結晶成長溶液６をウェハ収納室に注入する。そして、
それとほぼ同時に炉温を例えば０．４℃／分の一定冷却
速度で低下させる。炉温か例えば７５０℃になりた時に
水素ガスをアルゴンガスに置換し炉のスイッチを切る。
９５０℃に到達したならその温度を一定時間例えば１２
０分保持する。しかる後、外部からの操作によって第１
の結晶成長溶液６をウェハ収納室に注入する。そして、
それとほぼ同時に炉温を例えば０．４℃／分の一定冷却
速度で低下させる。炉温か例えば７５０℃になりた時に
水素ガスをアルゴンガスに置換し炉のスイッチを切る。
炉温が１００℃以下になったらボートを取り出し、ウェ
ハ収納室の溶液を前記廃液収納部材３の廃液室１０に排
出する。
ハ収納室の溶液を前記廃液収納部材３の廃液室１０に排
出する。
■次に、第２の結晶成長溶液７にＺｎ金属を８０ ｑ、
第３の結晶成長溶液８にＺｎ金属を６３ｑ、＠４の結晶
成長溶液９にＴｅ金属を１．４ｑ夫々添加し、しかる後
ポートを再び成長炉にセットする。つづいて、水素ガス
雰囲気中で昇温し所定の温度例えば８５０℃に到達した
らこの温度を一定１時間例えば１２０分保持し、しかる
後外部操作によって第２の結晶成長溶液７をウェハ収納
室に注入する。それとほぼ同時に炉温を例えば０．３℃
／分の一定冷却速度で低下させる。そして、温度が例え
ば８３０℃になったら外部操作によりウェハ収納室の溶
液を前記廃液室Ｚ□に排出する。
第３の結晶成長溶液８にＺｎ金属を６３ｑ、＠４の結晶
成長溶液９にＴｅ金属を１．４ｑ夫々添加し、しかる後
ポートを再び成長炉にセットする。つづいて、水素ガス
雰囲気中で昇温し所定の温度例えば８５０℃に到達した
らこの温度を一定１時間例えば１２０分保持し、しかる
後外部操作によって第２の結晶成長溶液７をウェハ収納
室に注入する。それとほぼ同時に炉温を例えば０．３℃
／分の一定冷却速度で低下させる。そして、温度が例え
ば８３０℃になったら外部操作によりウェハ収納室の溶
液を前記廃液室Ｚ□に排出する。
■欠く、第３の結晶成長溶液８をクエ・・収納室に注入
する。注入後３０秒経過したら外部操作によシクエハ収
納室の溶液を廃液室１０に排出する。
する。注入後３０秒経過したら外部操作によシクエハ収
納室の溶液を廃液室１０に排出する。
■次に、第４の結晶成長溶液８をウニ・・収納室に注入
する。炉温か７５０℃になった時に水素ガスをアルゴン
ガスに５を換し、炉のスイッチを切る。
する。炉温か７５０℃になった時に水素ガスをアルゴン
ガスに５を換し、炉のスイッチを切る。
このようにして成長させたウェハは第５図に示すＷ４ａ
をもっている。なお、図中の１１はＰ型ＧａＡｓ基板、
Ｉ２は第１の結晶成長溶液６により堆積された厚さ１５
０μｍＯｐ型Ｇａ ｘ ＡＩＩ−ｘＡａ厚膜層（Ｘ＝０
．２５〜３）、１３は第２の結晶成長溶液７により堆積
させた厚さ約１０μｍのＰ型ＧａｘＡ／ １−ｘ Ａｓ
クラッド層（Ｘ＝０．２５〜３）、１４は第３の結晶成
長溶液８によシ堆積させた厚さ約２μｍのＰ型ＧａｘＡ
４ ｓ −ｘ Ａｓ活性層（Ｘ＝Ｏ，ＳＳ）、１５は第
４の結晶成長溶液９によシ堆積させた厚さ約３０μｍ
（Ｑ ｎ ｉｉ Ｇａｚ Ａｔ Ｉ −ｘ Ａｓクラッ
ド層（Ｘ ＝ ０．２５〜３）を示す。ところで、この
ようＫして得られたダブルヘテロジャンクシラン構造を
持つ発光ダイオードはピーク波長６６０ ｎｍの赤色発
光を示す。従って、この発光はｐ型ＧａＡｓ基板１１に
吸収されるので、外部発光効率を向上させるためには、
ｐ型ＧａＡｓ基板ＩＩを除去しなければならない。しか
るに、最適条件で上記結晶成長を行い、ｐＷＧａＡｓ基
板１１を除去してベレットを作ると、１〜５ｃｄの輝度
を持つ赤色発光ダイオードが得られる。
をもっている。なお、図中の１１はＰ型ＧａＡｓ基板、
Ｉ２は第１の結晶成長溶液６により堆積された厚さ１５
０μｍＯｐ型Ｇａ ｘ ＡＩＩ−ｘＡａ厚膜層（Ｘ＝０
．２５〜３）、１３は第２の結晶成長溶液７により堆積
させた厚さ約１０μｍのＰ型ＧａｘＡ／ １−ｘ Ａｓ
クラッド層（Ｘ＝０．２５〜３）、１４は第３の結晶成
長溶液８によシ堆積させた厚さ約２μｍのＰ型ＧａｘＡ
４ ｓ −ｘ Ａｓ活性層（Ｘ＝Ｏ，ＳＳ）、１５は第
４の結晶成長溶液９によシ堆積させた厚さ約３０μｍ
（Ｑ ｎ ｉｉ Ｇａｚ Ａｔ Ｉ −ｘ Ａｓクラッ
ド層（Ｘ ＝ ０．２５〜３）を示す。ところで、この
ようＫして得られたダブルヘテロジャンクシラン構造を
持つ発光ダイオードはピーク波長６６０ ｎｍの赤色発
光を示す。従って、この発光はｐ型ＧａＡｓ基板１１に
吸収されるので、外部発光効率を向上させるためには、
ｐ型ＧａＡｓ基板ＩＩを除去しなければならない。しか
るに、最適条件で上記結晶成長を行い、ｐＷＧａＡｓ基
板１１を除去してベレットを作ると、１〜５ｃｄの輝度
を持つ赤色発光ダイオードが得られる。
しかしながら、従来技術によれば、非常に酸化され易い
Ａｔを用いることから来る欠点に対し消極的対策しか施
していないため、歩留シの点で難点があった。即ち、第
１の結晶成長溶液５で成長させたｐ ｆｊｌ ａａｘＡ
ｅ １−ｘ Ａｌｌ厚膜ＩＩ Ｊ ｚはＡｔの混晶比が
非常に高い（Ｘ ＝ ｏ、 ２５〜３）ため、酸化され
易い。そのため、この厚膜層１２の上に前記クラッド層
１３や活性層１４を堆積するため、前肥厚膜層１２を成
長後ボートをいったん炉外に取り出し、クラッド層１３
や活性層１４成長のための溶液を調整しいる間に厚膜層
１２が酸化される。しかるに、この酸化をできるだけ防
止するためボートの炉外作業時間を極力短かくしたυ、
非酸化雰囲気状態を利用する等の対策が必要であるが、
この方法にも限度があり厚膜層１２の酸化を完全には防
止できなかった。そして、厚膜層１２に酸化膜が形成さ
れるとその部分は高抵抗になるため電気抵抗が悪化し歩
留を低下させる。
Ａｔを用いることから来る欠点に対し消極的対策しか施
していないため、歩留シの点で難点があった。即ち、第
１の結晶成長溶液５で成長させたｐ ｆｊｌ ａａｘＡ
ｅ １−ｘ Ａｌｌ厚膜ＩＩ Ｊ ｚはＡｔの混晶比が
非常に高い（Ｘ ＝ ｏ、 ２５〜３）ため、酸化され
易い。そのため、この厚膜層１２の上に前記クラッド層
１３や活性層１４を堆積するため、前肥厚膜層１２を成
長後ボートをいったん炉外に取り出し、クラッド層１３
や活性層１４成長のための溶液を調整しいる間に厚膜層
１２が酸化される。しかるに、この酸化をできるだけ防
止するためボートの炉外作業時間を極力短かくしたυ、
非酸化雰囲気状態を利用する等の対策が必要であるが、
この方法にも限度があり厚膜層１２の酸化を完全には防
止できなかった。そして、厚膜層１２に酸化膜が形成さ
れるとその部分は高抵抗になるため電気抵抗が悪化し歩
留を低下させる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、厚；、１層
が酸化されるのを阻止して歩留りの改善をなし得る半導
体素子の製造方法を提供することを目的とする。
が酸化されるのを阻止して歩留りの改善をなし得る半導
体素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、化合物半導体基板上に厚膜１を成長させる工
程々、との厚膜層上に核層膜層の酸夕して除去する工程
と、前記厚膜層上にクラッド層及び活性層を夫々形成す
る工程とを具備することを特徴とするもので、前記厚膜
層の酸化を阻止して歩留りの改善を図ったものである。
程々、との厚膜層上に核層膜層の酸夕して除去する工程
と、前記厚膜層上にクラッド層及び活性層を夫々形成す
る工程とを具備することを特徴とするもので、前記厚膜
層の酸化を阻止して歩留りの改善を図ったものである。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。ここで、基本的なボート構造や液相エピタキ
シャル炉は従来例と同一じてあり、同部材は同符号を付
して説明を省略する。
説明する。ここで、基本的なボート構造や液相エピタキ
シャル炉は従来例と同一じてあり、同部材は同符号を付
して説明を省略する。
■まず、ｐ型Ｇａ Ａｓ基板５をウェハ収納室のウェハ
ホルダ４に載せセットする。つづいて、溶液収納部材２
の２つの溶液溜に第１の結晶成長溶液２１、第２の結晶
成長溶液２２を夫々収容する。ここで、前記第１の結晶
成長溶液２１は、 ＧａｘＡ／Ｉ−ｘＡｓ厚模厚膜層成
するための溶液で、その組成は（）ａ金属１２５ Ｐ、
ＧａＡｓ多結晶１０？、Ａ／金属９７Ｃ１ｆ％ Ｚ９
金属１１５岬からなるｒ、また、第２の結晶成長溶液２
２はＧａＡｓ保護膜を形成するための溶液で、その組成
はＧａ金ｉｔ ２５ Ｐ、ＧａＡ１３多５貼晶６？、Ｚ
ｎ６０岬からなる。前記ＧａＡｓ基板５と第１、第２の
結晶成長溶液２１．２２をボートにした後、該ボートを
液相エピタキシャル炉に入れ水素ガス雰囲気中で昇温す
る。次いで、所定の温度例えば９５０℃に到達し六ら、
そ、の温度を一定時間例えば１２０分保持する。しかる
後、外部操作により第１の結晶成長溶液２１をフェノ・
収納室に注入する。そして、それとほぼ同時に炉温を例
えば０．４℃／分の一定冷却速度で低下させる。炉温か
例えば７５０℃になったら、外部操作によりクエ・・収
納室の溶液を廃液室ＩＯに排出する。
ホルダ４に載せセットする。つづいて、溶液収納部材２
の２つの溶液溜に第１の結晶成長溶液２１、第２の結晶
成長溶液２２を夫々収容する。ここで、前記第１の結晶
成長溶液２１は、 ＧａｘＡ／Ｉ−ｘＡｓ厚模厚膜層成
するための溶液で、その組成は（）ａ金属１２５ Ｐ、
ＧａＡｓ多結晶１０？、Ａ／金属９７Ｃ１ｆ％ Ｚ９
金属１１５岬からなるｒ、また、第２の結晶成長溶液２
２はＧａＡｓ保護膜を形成するための溶液で、その組成
はＧａ金ｉｔ ２５ Ｐ、ＧａＡ１３多５貼晶６？、Ｚ
ｎ６０岬からなる。前記ＧａＡｓ基板５と第１、第２の
結晶成長溶液２１．２２をボートにした後、該ボートを
液相エピタキシャル炉に入れ水素ガス雰囲気中で昇温す
る。次いで、所定の温度例えば９５０℃に到達し六ら、
そ、の温度を一定時間例えば１２０分保持する。しかる
後、外部操作により第１の結晶成長溶液２１をフェノ・
収納室に注入する。そして、それとほぼ同時に炉温を例
えば０．４℃／分の一定冷却速度で低下させる。炉温か
例えば７５０℃になったら、外部操作によりクエ・・収
納室の溶液を廃液室ＩＯに排出する。
■次に、第２の結晶成長溶液ｚ２をウェハ収納室に注入
する。注入後例えば５分経過したら外部操作によりウェ
ハ収納室の溶液を排出し、更に水素ガスをアルゴンガス
に置換し、炉のスイッチを切る。このようにして成長さ
せたウェハは、第３図に示す通電である。同図において
２３は第１の結晶成長溶液２１により堆積させた厚さ約
１４０μｍのｐ型ＧａｘＡ／ｘ−１Ａｓ厚模層膜 Ｘ
＝ ０．２５〜３）、２４は第２の結晶成長溶液２２に
より堆積させた厚さ約５μｍのｐｆｆｉＧａＡｓ保護膜
を示す。しかるに、上記ウェハは保護膜２４により保護
されているため、厚膜層２３の酸化を回避できる。
する。注入後例えば５分経過したら外部操作によりウェ
ハ収納室の溶液を排出し、更に水素ガスをアルゴンガス
に置換し、炉のスイッチを切る。このようにして成長さ
せたウェハは、第３図に示す通電である。同図において
２３は第１の結晶成長溶液２１により堆積させた厚さ約
１４０μｍのｐ型ＧａｘＡ／ｘ−１Ａｓ厚模層膜 Ｘ
＝ ０．２５〜３）、２４は第２の結晶成長溶液２２に
より堆積させた厚さ約５μｍのｐｆｆｉＧａＡｓ保護膜
を示す。しかるに、上記ウェハは保護膜２４により保護
されているため、厚膜層２３の酸化を回避できる。
■次Ｋ、こうしたウェハを第２図に示す如く、基板収納
部材１のフェノ・収納室のフェノ・ホルダ４に前記保護
膜２４ｙＩＡを上にしてセットとする。
部材１のフェノ・収納室のフェノ・ホルダ４に前記保護
膜２４ｙＩＡを上にしてセットとする。
つづいて、成長溶液収納部材２の各溶液溜に第１〜第４
溶液２５．２６，２７．２１１を夫々収容した後、ボー
トも液相エピタキシャル成長炉にセットする。ここで、
前記第１１￥！液２５の組成はＧａ金属１２５ｐ、Ｚｎ
金！Ａ３０１１Ｆからなる。第２溶液２６の組成は、Ｇ
ａ金属１２５？、ＧａＡｓ多結晶４Ｐ、Ａ／金属５９０
Ｍｑ％Ｚｎ金鳴８（ｌｖから々る。第３溶液２７の組成
は、Ｇａ金属１２５？、Ｇａ Ａｓ多結晶６．２？、Ａ
ｅ金属１３７ＮＩＳＺｎ金属６３岬からなるｏ ｍ ４
溶液２８の組成は、Ｇａ金属１２５？、ＧａＡｓ多結晶
４？、Ａ／金属５９０９、Ｔ８金属１．４１１Ｐ か
らなる。こうしたボートをセットした後、水素ガス雰囲
気中で昇温し所定の温度例えば８５０℃に達したら、こ
の温度を一定時間例えば１２０分保持し、更に外部操作
によシ第１溶液２５をウェハ収納室に注入する。次いで
、５分間８５０℃を維持した後、この過程でＧａＡｓ保
護膜２４はメルトバックされて消失する。この後、炉温
を例えば０．３℃／分の一定冷却速度で低下させると同
時に外部操作によりクエ・・収納室内の第１溶液２５を
廃液室１０に排出する。
溶液２５．２６，２７．２１１を夫々収容した後、ボー
トも液相エピタキシャル成長炉にセットする。ここで、
前記第１１￥！液２５の組成はＧａ金属１２５ｐ、Ｚｎ
金！Ａ３０１１Ｆからなる。第２溶液２６の組成は、Ｇ
ａ金属１２５？、ＧａＡｓ多結晶４Ｐ、Ａ／金属５９０
Ｍｑ％Ｚｎ金鳴８（ｌｖから々る。第３溶液２７の組成
は、Ｇａ金属１２５？、Ｇａ Ａｓ多結晶６．２？、Ａ
ｅ金属１３７ＮＩＳＺｎ金属６３岬からなるｏ ｍ ４
溶液２８の組成は、Ｇａ金属１２５？、ＧａＡｓ多結晶
４？、Ａ／金属５９０９、Ｔ８金属１．４１１Ｐ か
らなる。こうしたボートをセットした後、水素ガス雰囲
気中で昇温し所定の温度例えば８５０℃に達したら、こ
の温度を一定時間例えば１２０分保持し、更に外部操作
によシ第１溶液２５をウェハ収納室に注入する。次いで
、５分間８５０℃を維持した後、この過程でＧａＡｓ保
護膜２４はメルトバックされて消失する。この後、炉温
を例えば０．３℃／分の一定冷却速度で低下させると同
時に外部操作によりクエ・・収納室内の第１溶液２５を
廃液室１０に排出する。
０次に１第２溶液２６をウニ・・収納室に注入する。こ
こで、温度が例えば８３０℃になったら外部操作により
ウェハ収納室の第２溶液２６を廃液室１０に排出する。
こで、温度が例えば８３０℃になったら外部操作により
ウェハ収納室の第２溶液２６を廃液室１０に排出する。
■次に、第３溶液２７をウェハ収納室に注入し、注入後
３０秒後緑過したら外部操作によりウェハ収納室の第３
溶液２１を排出する。
３０秒後緑過したら外部操作によりウェハ収納室の第３
溶液２１を排出する。
■最後に、第４溶液２８をウェハ収納室に注入する。炉
温か７５０℃になった時に水素ガスをアルゴンガスに置
換し、炉のスイッチを切る。
温か７５０℃になった時に水素ガスをアルゴンガスに置
換し、炉のスイッチを切る。
このようにして成長させたウェハの構造は第５図と同様
である。
である。
以下、従来と同様にしてウェハをペレット化し赤色発光
ダイオードを製作する。
ダイオードを製作する。
しかして、本発明によれば、ｐ型ＧａＡｓ基板５上にｐ
型ＧａｘＡ／１−ｘＡｓ厚膜層２３を形成後、耐酸化被
膜としてのｐ型Ｃ）ａＡｓ保護膜２４を形成して前記厚
膜層２３の表面を深ＩＩするため、この厚膜層２３上に
活性：＋、４７４等を形成するまでの間、）曜模層２３
の酸化を山上することができ、歩留りを向上できる。
型ＧａｘＡ／１−ｘＡｓ厚膜層２３を形成後、耐酸化被
膜としてのｐ型Ｃ）ａＡｓ保護膜２４を形成して前記厚
膜層２３の表面を深ＩＩするため、この厚膜層２３上に
活性：＋、４７４等を形成するまでの間、）曜模層２３
の酸化を山上することができ、歩留りを向上できる。
事実、従来法によれば、製造歩留りが５０〜７０チで不
良の大部分はｐ ｌｉ ＧａｘＡ／＋−ｘＡｓｙＪ１層
にできた酸化膜による電気特性の不良であった。これに
対し、本発明によれば、製造歩留りは９０％台と著しく
向上し、特に前＾ｅＪｌ膜膚が酸化して電気特性が不良
になるということは皆無となった。
良の大部分はｐ ｌｉ ＧａｘＡ／＋−ｘＡｓｙＪ１層
にできた酸化膜による電気特性の不良であった。これに
対し、本発明によれば、製造歩留りは９０％台と著しく
向上し、特に前＾ｅＪｌ膜膚が酸化して電気特性が不良
になるということは皆無となった。
なお、上記実施例では、（）ａＡｓ基板上にＧａｘＡｅ
ｌ−ｘＡｓ からなる厚膜層等を形成した場合について
述べたが、ＧａｘＡｅ＋−ｘＡｓ以外の材料にも適用で
きることは勿論のことである。
ｌ−ｘＡｓ からなる厚膜層等を形成した場合について
述べたが、ＧａｘＡｅ＋−ｘＡｓ以外の材料にも適用で
きることは勿論のことである。
以上詳述した如く本発明によれば １１３ｊ膜層の酸化
を阻止して歩留りを向上し得る半導体素不の製造方法を
提供できる。
を阻止して歩留りを向上し得る半導体素不の製造方法を
提供できる。
第１図は本発明に係るＧａｘＡｅｌ−ｘＡｓ厚膜層及び
Ｇａ Ａｓ保護膜を形成するための装置の断面図、第２
図は本発明に係るＧａｘＡ／＋−ｘＡｓクラクド層及び
０ａｘＡｌ １−ｘ Ａｓ活性；−を形成するための装
置の断面図、第３図は本発明に係る表面に（）ａＡｓ保
護膜を形成したウェハの断面図、第４図は従来の液相成
長装置の断面図、第５図は各液相成長を終了したウェハ
の断面図である。 ｌ・・・基板収納部材、２・・・成長溶液収納部材、３
・・・廃液収納部材、４・・・ウェハホルダ、５゜１１
−−・ｐ型ＧａＡｓ基板、１０・・・廃液室、１２゜２
３−−・ｐ型ＧａｘＡ／ １−ＸＡ１３ ｉ’ｉ Ｆｉ
１層、１３・・・ｐをＧａｘＡｌｓ−１ＡＳクラッド層
、１４ …ｐ ！！１ＧａｘＡ／１−ＸＡ５活性層、１
５ ・・・ｎ型ＧａｘＡ／ １−ｘＡａクラッド層、２
１．２２・・・結晶成長溶液、２４・・・ｐ型Ｇａ Ａ
ｓ保護膜、２５〜２８・・・溶液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第５図
Ｇａ Ａｓ保護膜を形成するための装置の断面図、第２
図は本発明に係るＧａｘＡ／＋−ｘＡｓクラクド層及び
０ａｘＡｌ １−ｘ Ａｓ活性；−を形成するための装
置の断面図、第３図は本発明に係る表面に（）ａＡｓ保
護膜を形成したウェハの断面図、第４図は従来の液相成
長装置の断面図、第５図は各液相成長を終了したウェハ
の断面図である。 ｌ・・・基板収納部材、２・・・成長溶液収納部材、３
・・・廃液収納部材、４・・・ウェハホルダ、５゜１１
−−・ｐ型ＧａＡｓ基板、１０・・・廃液室、１２゜２
３−−・ｐ型ＧａｘＡ／ １−ＸＡ１３ ｉ’ｉ Ｆｉ
１層、１３・・・ｐをＧａｘＡｌｓ−１ＡＳクラッド層
、１４ …ｐ ！！１ＧａｘＡ／１−ＸＡ５活性層、１
５ ・・・ｎ型ＧａｘＡ／ １−ｘＡａクラッド層、２
１．２２・・・結晶成長溶液、２４・・・ｐ型Ｇａ Ａ
ｓ保護膜、２５〜２８・・・溶液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第５図
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に厚膜層を成長させる工程と
、この厚膜層上に該厚膜層の酸化を防止する耐酸化被膜
を成長させる工程と、前記基板を炉内にセットした状態
で前記耐酸化被膜をメルトバックして除去する工程と、
前記厚膜層上にクラッド層及び活性層を夫々形成する工
程とを具備することを特徴とする半導体素子の製造方法
。 - （２）化合物半導体基板がＧａＡｓ基板であり、厚膜層
がＧａ＿ｘＡｌ＿１＿−＿ｘＡｓ厚膜（Ｘ＝０．２５〜
３）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153064A JPS6214420A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153064A JPS6214420A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214420A true JPS6214420A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15554192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153064A Pending JPS6214420A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401684A (en) * | 1988-10-19 | 1995-03-28 | Shin-Etsu Handatai Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting semiconductor device substrate |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP60153064A patent/JPS6214420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401684A (en) * | 1988-10-19 | 1995-03-28 | Shin-Etsu Handatai Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting semiconductor device substrate |
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