JPS62140480A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
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- JPS62140480A JPS62140480A JP60281678A JP28167885A JPS62140480A JP S62140480 A JPS62140480 A JP S62140480A JP 60281678 A JP60281678 A JP 60281678A JP 28167885 A JP28167885 A JP 28167885A JP S62140480 A JPS62140480 A JP S62140480A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、鉛とクロムとを含む酸化物の薄膜によって構
成される光電変換装置の製造方法に関する。
成される光電変換装置の製造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点コ
光電変換装置としｔはｐ−ｎ又はＰ−ｎ−Ｐの導電型の
半導体の接合、又は半導体と金属との接合を使用した光
電変換装置が広く使用されていることは周知である。こ
れらの光電変換装置は光をあてると自ら起電力を発生す
るので外部起電力の必要はない。
半導体の接合、又は半導体と金属との接合を使用した光
電変換装置が広く使用されていることは周知である。こ
れらの光電変換装置は光をあてると自ら起電力を発生す
るので外部起電力の必要はない。
また、本出願人は上述のような接合を使用することなく
、酸化物誘電体材料の研究を行っていた過程で誘電体材
料の光電変換現象を発見し、鉛とクロムとを含む酸化物
に導電層を形成して成る光電変換装置を先に特願昭５３
−９１３００号（特願昭５５−１７９７４号）として出
願した。この光電変換装置によると酸化物に入射した光
は酸化物内で電流に変換され、導電層を経て光電変換装
置の外部へ取出される。この酸化物が薄膜の場合は入射
光に対応して起電力を生じ光感応性を示し、また酸化物
の厚さが大きい場合は蓄電気効果を示した。
、酸化物誘電体材料の研究を行っていた過程で誘電体材
料の光電変換現象を発見し、鉛とクロムとを含む酸化物
に導電層を形成して成る光電変換装置を先に特願昭５３
−９１３００号（特願昭５５−１７９７４号）として出
願した。この光電変換装置によると酸化物に入射した光
は酸化物内で電流に変換され、導電層を経て光電変換装
置の外部へ取出される。この酸化物が薄膜の場合は入射
光に対応して起電力を生じ光感応性を示し、また酸化物
の厚さが大きい場合は蓄電気効果を示した。
ところでこの出願で示されている光電変換装置の製造方
法は、酸化鉛と酸化クロムとを混合した後これらを焼結
して焼結体となし、この焼結体に導電層を形成するよう
にしている。
法は、酸化鉛と酸化クロムとを混合した後これらを焼結
して焼結体となし、この焼結体に導電層を形成するよう
にしている。
しかしながらこのような焼結法によって誘電体材料の薄
膜体を形成する場合はその厚さに限度があり、また気孔
の少ない均一な薄膜体を形成するのが困難であるという
問題がある。またこの薄膜体は光透過性を有してないた
め、各種光電変換装置に適用する場合変換効率を高くす
ることができない。
膜体を形成する場合はその厚さに限度があり、また気孔
の少ない均一な薄膜体を形成するのが困難であるという
問題がある。またこの薄膜体は光透過性を有してないた
め、各種光電変換装置に適用する場合変換効率を高くす
ることができない。
［発明の目的］
本発明は、光透過性を有する薄膜体を形成できるように
しだ光電変換装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
しだ光電変換装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
［発明のＷ要］
上記目的を達成するための本発明は、鎗をＰｂＯに換算
して３０〜９９．５ｍｏｌ％及びクロムをＣｒ２Ｏ３に
換算して０．５〜７０ｍｏｌ％の組成に対して、６価金
属元素を酸化物に換算して６０ｍｏｌ％以下含む酸化物
をターゲットとして用い真空中において上記鉛とクロム
とを含む酸化物の薄膜を形成し、次にこの薄膜を少なく
とも鉛を含む雰囲気内において熱処理することを特徴と
するものである。
して３０〜９９．５ｍｏｌ％及びクロムをＣｒ２Ｏ３に
換算して０．５〜７０ｍｏｌ％の組成に対して、６価金
属元素を酸化物に換算して６０ｍｏｌ％以下含む酸化物
をターゲットとして用い真空中において上記鉛とクロム
とを含む酸化物の薄膜を形成し、次にこの薄膜を少なく
とも鉛を含む雰囲気内において熱処理することを特徴と
するものである。
［発明の実施例コ
以下本発明の詳細な説明する。
実施例１
出発原料として酸化鉛ＰｂＯ，ｒＲ化ツクロムＣｒ２０
３及び酸化タングステンＷＯ３を用いてＰｂ２ｃｒｏｓ
の組成となした成分に、ＷＯ３を２０ｍｏｌ％添加した
組成となる如く秤量した。この原料をポリエチレン製ポ
ットで１０〜１５時間湿式混合し、乾燥後４００〜５０
０℃にて２時間にわたって仮焼成を行った。仮焼成後ボ
ールミルにて１０〜１５時間粉砕を行い粒径約１μ程度
とした。
３及び酸化タングステンＷＯ３を用いてＰｂ２ｃｒｏｓ
の組成となした成分に、ＷＯ３を２０ｍｏｌ％添加した
組成となる如く秤量した。この原料をポリエチレン製ポ
ットで１０〜１５時間湿式混合し、乾燥後４００〜５０
０℃にて２時間にわたって仮焼成を行った。仮焼成後ボ
ールミルにて１０〜１５時間粉砕を行い粒径約１μ程度
とした。
この仮焼成粉末にバインダーを加え、１ｔｏｎ／ｃｍで
加圧成形した。更に成形体を６５０〜９００ ’Ｃにて
２時間焼成し焼結体を得た。
加圧成形した。更に成形体を６５０〜９００ ’Ｃにて
２時間焼成し焼結体を得た。
次にこのＰｂ２ＣｒＯ’ｓから成る成分に、６価金属元
素の酸化物であるＷＯ３が２Ｑｍｏｌ％添加された焼結
体をターゲット（蒸発源）として用い、次のように電子
ビーム蒸着法によってガラス基板上にＰｂ２ＣｒＯ５の
薄膜を形成した。すなわち、電子ビーム蒸着装置の真空
容器内に上記ＷＯ３を含むＰｂ２ＣｒＯ５焼結体を直径
１５．６Ｍ、厚さ３．０ｍの円板状となしたターゲット
とガラス基板とを配置し、ガラス基板を３５０℃、電子
銃の加速電圧を４ｋＶに保った状態で、容器内の真空度
が’Ｉ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒに達したとき蒸着を開始
した。
素の酸化物であるＷＯ３が２Ｑｍｏｌ％添加された焼結
体をターゲット（蒸発源）として用い、次のように電子
ビーム蒸着法によってガラス基板上にＰｂ２ＣｒＯ５の
薄膜を形成した。すなわち、電子ビーム蒸着装置の真空
容器内に上記ＷＯ３を含むＰｂ２ＣｒＯ５焼結体を直径
１５．６Ｍ、厚さ３．０ｍの円板状となしたターゲット
とガラス基板とを配置し、ガラス基板を３５０℃、電子
銃の加速電圧を４ｋＶに保った状態で、容器内の真空度
が’Ｉ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒに達したとき蒸着を開始
した。
蒸着時間を約１〜２時間に設定することにより、ガラス
基板上に０．５〜１．５μｍのＰｂ２ＣｒＯ５の薄膜が
形成された。尚、蒸着中の真空度は４ Ｘ １Ｑ−Ｔｏ
ｒｒに保たれた。
基板上に０．５〜１．５μｍのＰｂ２ＣｒＯ５の薄膜が
形成された。尚、蒸着中の真空度は４ Ｘ １Ｑ−Ｔｏ
ｒｒに保たれた。
次にこのようにして得られたガラス基板を、Ｐｂ２ｃｒ
ｏｓ焼結粉末をアルミするつぼに保持した雰囲気内で、
４５０℃で１．５時間熱処理を行なった。この熱処理に
よって電子ビーム蒸着された非晶質状態のＰｂ２Ｃｒｙ
ｓ薄膜は結晶化される。Ｐｂ２ＣｒＯ５粉末はＰｂ２Ｃ
ｒｙｓＢ膜からＰｂの成分分離を防止するために用いら
れる。
ｏｓ焼結粉末をアルミするつぼに保持した雰囲気内で、
４５０℃で１．５時間熱処理を行なった。この熱処理に
よって電子ビーム蒸着された非晶質状態のＰｂ２Ｃｒｙ
ｓ薄膜は結晶化される。Ｐｂ２ＣｒＯ５粉末はＰｂ２Ｃ
ｒｙｓＢ膜からＰｂの成分分離を防止するために用いら
れる。
得られたＰｂ２Ｃｒｙｓ薄膜はオレンジ色を呈し、第１
図のＪ：うな透過特性Ａ及び反射特性Ｂを示す。
図のＪ：うな透過特性Ａ及び反射特性Ｂを示す。
横軸は反射された光の波長（＾）、縦軸は透過率及び反
射率（％）を示している。
射率（％）を示している。
ここで透過特性Ａは本発明によって得られる独自のもの
であり、従来のような焼結体の場合はこのような透過特
性は得られない。
であり、従来のような焼結体の場合はこのような透過特
性は得られない。
続いて、Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜上に電極となる第２図に示
すようなパターン及び寸法の一対の導電層１．２を、金
を真空蒸着することによって形成した。これによって、
ガラス基板、Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜及び金層から構成され
た光電変換装置が得られる。この光電変換装置を第３図
に示すような測定装置を利用して光起電力を測定するこ
とにより、第４図及び第５図のような特性が得られた。
すようなパターン及び寸法の一対の導電層１．２を、金
を真空蒸着することによって形成した。これによって、
ガラス基板、Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜及び金層から構成され
た光電変換装置が得られる。この光電変換装置を第３図
に示すような測定装置を利用して光起電力を測定するこ
とにより、第４図及び第５図のような特性が得られた。
第３図において、３は光源、４はチョッパー、５はモノ
クロメータ、６は試料、７はペンレコーダ、８は測定回
路である。第４図及び第５図において、横軸は時間（分
）及び光強度（ｍＷ／ｃｎ＞、縦軸は共に光起電力（Ｖ
）を示している。
クロメータ、６は試料、７はペンレコーダ、８は測定回
路である。第４図及び第５図において、横軸は時間（分
）及び光強度（ｍＷ／ｃｎ＞、縦軸は共に光起電力（Ｖ
）を示している。
第４図は光電変換装置に対して照射する光をオン、オフ
操作した場合の光起電力特性を示し、オンしたときは光
起電力はＯから増加し、オフしたときは光起電力はＯ方
向に減少する。すなわち、光をオン、オフ操作すること
によって、光起電力を発生させ、又は消失させることが
できる。
操作した場合の光起電力特性を示し、オンしたときは光
起電力はＯから増加し、オフしたときは光起電力はＯ方
向に減少する。すなわち、光をオン、オフ操作すること
によって、光起電力を発生させ、又は消失させることが
できる。
第５図は光電変換装置に対して照射する光の強度を変化
させた場合の光起電力特性を示し、光の強度に比例して
光起電力は増加する。
させた場合の光起電力特性を示し、光の強度に比例して
光起電力は増加する。
第１図、第４図及び第５図のような本発明の特性を光起
電力素子、光センサ素子などに適用すれば、その光透過
性を利用することにより素子動作の変換効率を高くする
ことができる。これは受光部が透過型及び反則型のいず
れかにおいても同様である。これらの作用、効果は本発
明によれば、光透過性を有するＰｂ２Ｃｒ’Ｏｓ薄膜体
を形成することができるという事実に基いている。しか
も気孔がほとんどない均一な薄膜を形成することができ
る。
電力素子、光センサ素子などに適用すれば、その光透過
性を利用することにより素子動作の変換効率を高くする
ことができる。これは受光部が透過型及び反則型のいず
れかにおいても同様である。これらの作用、効果は本発
明によれば、光透過性を有するＰｂ２Ｃｒ’Ｏｓ薄膜体
を形成することができるという事実に基いている。しか
も気孔がほとんどない均一な薄膜を形成することができ
る。
実施例２
実施例１と同一組成比、同一条件でガラス基板上にＰｂ
２Ｃｒｙｓ 薄膜を形成した。次にこのようにして得ら
れたガラス基板を温度条件を変えて熱処理を行ない、同
一条件で一対の導電層を形成して光電変換装置を形成し
た。
２Ｃｒｙｓ 薄膜を形成した。次にこのようにして得ら
れたガラス基板を温度条件を変えて熱処理を行ない、同
一条件で一対の導電層を形成して光電変換装置を形成し
た。
得られた充電変換装置の光感応性を測定したところ、上
記熱処理温度が１５０°以下では光感応性が得られない
ことを確かめた。
記熱処理温度が１５０°以下では光感応性が得られない
ことを確かめた。
実施例３
実施例１と同様な出発原料を用いてＰｂ５ＣｒＯ８及び
ＰｂＣｒＯ４の組成となした２種類の成分を用意し、各
々にＷＯ３を２Ｑｍｏｌ％添加して２種類の焼結体を形
成した。次にこれらをターゲットとして用いてそれぞれ
Ｐｂｓ Ｃｒｙｓ Ｈ膜及びＰｂＣｒＯ４薄膜を形成し
た後、熱処理及び導電層を形成して２種類の光電変換装
置を形成した。
ＰｂＣｒＯ４の組成となした２種類の成分を用意し、各
々にＷＯ３を２Ｑｍｏｌ％添加して２種類の焼結体を形
成した。次にこれらをターゲットとして用いてそれぞれ
Ｐｂｓ Ｃｒｙｓ Ｈ膜及びＰｂＣｒＯ４薄膜を形成し
た後、熱処理及び導電層を形成して２種類の光電変換装
置を形成した。
いずれの光電変換装置においても光感応性が得られるこ
とを確かめた。他の６価金属元素としては、Ｍｎ及びＭ
Ｏなどを用いることができ、これによって形成される酸
化物を添加することにより、ＷＯ３の場合と同様な結果
が得られることを確めた。
とを確かめた。他の６価金属元素としては、Ｍｎ及びＭ
Ｏなどを用いることができ、これによって形成される酸
化物を添加することにより、ＷＯ３の場合と同様な結果
が得られることを確めた。
実施例４
実施例１と同様にＰｂＯ，Ｃｒ２Ｏ３及びＷＯ３を出発
原料として用い、これらの比率を順次変化させて配合し
て種々の組成比のクロムｌ鉛の焼結体を形成した。これ
をターゲットとして種々のクロム酸８８薄膜を形成し、
熱処理後導電層を形成して複数種類の光電変換装置を形
成した。これらの充電変換装置の光起電力特性を測定し
たところ次の結果が得られた。すなわち、ＰｂＯが９９
゜５ｍｏｌ％以上の薄膜の場合及びＣｒ２Ｏ３が７０ｍ
ｏｌ％以上の薄膜の場合は光起電力はほとんど発生しな
かった。同様に、ＷＯ３が５Ｑｍｏｌ％以上の薄膜の場
合も起電力はほとんど発生しなかった。
原料として用い、これらの比率を順次変化させて配合し
て種々の組成比のクロムｌ鉛の焼結体を形成した。これ
をターゲットとして種々のクロム酸８８薄膜を形成し、
熱処理後導電層を形成して複数種類の光電変換装置を形
成した。これらの充電変換装置の光起電力特性を測定し
たところ次の結果が得られた。すなわち、ＰｂＯが９９
゜５ｍｏｌ％以上の薄膜の場合及びＣｒ２Ｏ３が７０ｍ
ｏｌ％以上の薄膜の場合は光起電力はほとんど発生しな
かった。同様に、ＷＯ３が５Ｑｍｏｌ％以上の薄膜の場
合も起電力はほとんど発生しなかった。
尚、ＰｂＯとＣｒ２Ｏ３との組成比において、ＰｂＣｒ
０ａよりＣｒ２Ｏ３が過剰な場合はＰｂＣｒ０ａとＣｒ
２Ｏ３との混晶が形成されて存在することが確かめられ
た。同様にして、Ｐｂ５Ｃｒｏ８よりＰｂＯが過剰な場
合にはＰｂ５ＣｒｙｓとＰｂＯとの混晶が、また中間領
域ではＰｂＯ。
０ａよりＣｒ２Ｏ３が過剰な場合はＰｂＣｒ０ａとＣｒ
２Ｏ３との混晶が形成されて存在することが確かめられ
た。同様にして、Ｐｂ５Ｃｒｏ８よりＰｂＯが過剰な場
合にはＰｂ５ＣｒｙｓとＰｂＯとの混晶が、また中間領
域ではＰｂＯ。
Ｃｒ２Ｏ３、Ｐｂ２Ｃｒｙｓ 、Ｐｂｓ Ｃｒｙｓ 。
ＰｂＣｒＯ４及びＷＯ３の何らかの組合せの混晶がそれ
ぞれ存在することが確かめられた。
ぞれ存在することが確かめられた。
さらに、光起電力特性に優れているのはＰｂｚＣｒｙｓ
、Ｐｂｓ Ｃｒ０ｅ及びＰｂＣｒ０ａの単一の酸化物
に近い薄膜の場合であることを確かめた。
、Ｐｂｓ Ｃｒ０ｅ及びＰｂＣｒ０ａの単一の酸化物
に近い薄膜の場合であることを確かめた。
以上の各実施例において、６価金属元素の酸化物が添加
されたＰｂ２ＣｒＯ５のような鉛とクロムとを含む酸化
物の形成手段は一例として電子ビーム蒸む法の場合につ
いて述べたが、これに限らず他にもスパッタリング法、
イオンビーム蒸看法などのその他の真空中における薄膜
形成手段を用いることができ、これによっても同様な作
用、効果を得ることができる。また、導電層の材料とし
ては一例として金の場合について述べたが、他にもアル
ミニウム、銅などの材料を用いることができる。
されたＰｂ２ＣｒＯ５のような鉛とクロムとを含む酸化
物の形成手段は一例として電子ビーム蒸む法の場合につ
いて述べたが、これに限らず他にもスパッタリング法、
イオンビーム蒸看法などのその他の真空中における薄膜
形成手段を用いることができ、これによっても同様な作
用、効果を得ることができる。また、導電層の材料とし
ては一例として金の場合について述べたが、他にもアル
ミニウム、銅などの材料を用いることができる。
薄膜を形成すべき基板としてもガラスに限ることなく他
の材料を選、Ｓことができる。このように基板上に薄膜
を形成するようにすれば、基板を含めた薄膜体の厚さに
制約を受けることなく気孔の少ない均一な薄膜を有する
光電変換装置を得ることができる。
の材料を選、Ｓことができる。このように基板上に薄膜
を形成するようにすれば、基板を含めた薄膜体の厚さに
制約を受けることなく気孔の少ない均一な薄膜を有する
光電変換装置を得ることができる。
し発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、真空中において６
価金属元素の酸化物が添加された鉛とクロムとを含む酸
化物の薄膜を形成し、次にこの薄膜を熱処理するように
したので、次のような効果が得られる。
価金属元素の酸化物が添加された鉛とクロムとを含む酸
化物の薄膜を形成し、次にこの薄膜を熱処理するように
したので、次のような効果が得られる。
（１）光透過性を有する薄膜が得られるので、光電変換
装置の動作の変換効率を高めることができる。
装置の動作の変換効率を高めることができる。
（２）気孔のほとんどない均一な薄膜を形成することが
できるので、高品質及び高信頼度の光電変換装置を１昇
ることができる。
できるので、高品質及び高信頼度の光電変換装置を１昇
ることができる。
（３）真空技術の利用によって大量生産が可能なので、
ローコストで光電変換装置を製造することができる。
ローコストで光電変換装置を製造することができる。
第１図は本発明実施例によって得られる光電変換装置の
透過率及び反射率を示す特性図、第２図は本発明実施例
によって得られる光電変＠装置の電極を示すパターン図
、第３図は本発明実施例によって得られる光電変換装置
に対する測定装置を示す構成図、第４図及び第５図は共
に本発明実施例によって得られる光電変換装置の光起電
力を示す特性図である。 １．２・・・導電層、３・・・光源、４・・・チョッパ
ー、５・・・モノクロメータ、６・・・試料、７・・・
ペンコーダ、８・・・測定回路。 吟ＭＩ（分）− 猪践書（ｎｗん慨２）−
透過率及び反射率を示す特性図、第２図は本発明実施例
によって得られる光電変＠装置の電極を示すパターン図
、第３図は本発明実施例によって得られる光電変換装置
に対する測定装置を示す構成図、第４図及び第５図は共
に本発明実施例によって得られる光電変換装置の光起電
力を示す特性図である。 １．２・・・導電層、３・・・光源、４・・・チョッパ
ー、５・・・モノクロメータ、６・・・試料、７・・・
ペンコーダ、８・・・測定回路。 吟ＭＩ（分）− 猪践書（ｎｗん慨２）−
Claims (5)
- （１）鉛をＰｂＯに換算して３０〜９９．５ｍｏｌ％及
びクロムをＣｒ＿２Ｏ＿３に換算して０．５〜７０ｍｏ
ｌ％の組成に対して、６価金属元素を酸化物に換算して
６０ｍｏｌ％以下含む酸化物をターゲットとして用い真
空中において上記鉛とクロムとを含む酸化物の薄膜を形
成し、次にこの薄膜を少なくとも鉛を含む雰囲気内にお
いて熱処理することを特徴とする光電変換装置の製造方
法。 - （２）前記鉛とクロムとを含む酸化物の薄膜をガラス基
板上に形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光電変換装置の製造方法。 - （３）前記鉛とクロムとを含む酸化物の薄膜上に一対の
導電層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光電変換装置の製造方法。 - （４）前記６価金属元素としてＭｎ、ＭＯ及びＷの少な
くとも一種を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光電変換装置の製造方法。 - （５）前記酸化物として板状に形成された焼結体磁器を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
電変換装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281678A JPH0754853B2 (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 光電変換装置の製造方法 |
| US06/873,881 US4724157A (en) | 1985-12-14 | 1986-06-13 | Method of manufacturing a photoelectric conversion device |
| US07/108,330 US4835007A (en) | 1985-12-14 | 1987-10-14 | Method of manufacturing a photoelectric conversion device |
| US07/108,180 US4781767A (en) | 1985-12-14 | 1987-10-14 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281678A JPH0754853B2 (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140480A true JPS62140480A (ja) | 1987-06-24 |
| JPH0754853B2 JPH0754853B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=17642457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60281678A Expired - Lifetime JPH0754853B2 (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754853B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517974A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Tdk Electronics Co Ltd | Photoelectric converter |
-
1985
- 1985-12-14 JP JP60281678A patent/JPH0754853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517974A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Tdk Electronics Co Ltd | Photoelectric converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754853B2 (ja) | 1995-06-07 |
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