JPS62137828A - Position aligning method - Google Patents

Position aligning method

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JPS62137828A
JPS62137828A JP60279689A JP27968985A JPS62137828A JP S62137828 A JPS62137828 A JP S62137828A JP 60279689 A JP60279689 A JP 60279689A JP 27968985 A JP27968985 A JP 27968985A JP S62137828 A JPS62137828 A JP S62137828A
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chips
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chip
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reference coordinate
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Koukichi Tanaka
田中 更吉
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Abstract

PURPOSE:To improve position aligning accuracy and to shorten the required time of the alignment, by setting a reference coordinate system by an off axis method, detecting the positions of a plurality of chips, which are approximately uniformly dispersed and selected in a wafer by a TTL method, using the positions of the chips, and correcting the reference coordinate system. CONSTITUTION:A reference coordinate system is set by performing the position alignment of the entire wafer by an off axis method. Then, in order to correct the drift of the reference coordinate system, position alignment for every chip is performed by a TTL method. In this position alignment, a plurality of chips, which are approximately uniformly distributed and selected in the wafer, are used. After the position alignment for all the selected chips is performed and their positions are detected, only the reliable results of position alignment are selected. When the reliable results of the required number of position alignments are finally obtained, the reference coordinate system, which is set by the off axis method, is corrected for every chip. Thus the coordinate system of the entire wafer is set and exposure is performed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、バブル装置等のデバイスの製造
に関し、特にそのウェハー製造工程における露光装置の
位置合わせ方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the manufacture of devices such as semiconductor devices and bubble devices, and particularly to a method for aligning an exposure apparatus in the wafer manufacturing process.

〔擾既要〕[Already required]

本発明は、デバイスのウェハー製造工程における露光装
置の位置合わせ方法において、始めに、オフ・アキシス
方式によりウニバー全体の基準座標系を設定し、ついで
TTL方式によりウェハー内からほぼ均一に分散して選
択された複数個のチップについてその位置を検出し、こ
の検出された位置を用いて、上記基準座標系を補正し位
置合わせを行うことにより、 位置合わせの精度向上と所要時間の短縮化を図ったもの
である。
The present invention is a method for aligning an exposure apparatus in a device wafer manufacturing process, in which a reference coordinate system for the entire uniform bar is first set using an off-axis method, and then the reference coordinate system is almost uniformly distributed and selected from within the wafer using a TTL method. By detecting the positions of multiple chips that have been detected and using these detected positions to correct the reference coordinate system and perform alignment, we aim to improve alignment accuracy and shorten the required time. It is something.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、半導体集積回路装置は高密度化が進むにつれ、そ
の製造過程における位置合わせは、より高精度化が要求
されて来ている。従来、オートリソグラフイエ程におル
1て露光装置、例えば縮小投影転写装置での露光の際の
位置合わせは、オフ・アキシス(Off=Axis)方
式とTT L (Through TheLens)方
式の2つの方法がとられている(電子通信学会用、rL
S IハンドブックJ P4261984オ一ム社 参
照)。前者は、露光軸から離れた場所で位置合ねせを行
うもので、主にウェハー全体に対する位置合わせに用い
ら孔、後者はレンズを通して露光軸上で位置合わせを行
うもので、主にチップ毎の位置合わせに用いられる。
In recent years, as the density of semiconductor integrated circuit devices has increased, higher precision has been required for alignment during the manufacturing process. Conventionally, there are two methods for alignment during exposure using an exposure device such as a reduction projection transfer device in an autolithography process: an off-axis method and a TTL (Through The Lens) method. (for Institute of Electronics and Communication Engineers, rL
(Refer to SI Handbook J P4261984 Oichisha). The former performs alignment at a location away from the exposure axis, and is mainly used to align the entire wafer through holes, while the latter performs alignment on the exposure axis through a lens, and is mainly used to align each chip. Used for alignment.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来の位置合わせ方法は、前者の場合、直接マ
スクどウェハーを位置合わせしていないので、基準座標
系ドリフトによる精度誤差が問題となる。後者の場合、
露光軸−にで直接マスクとウェハーの位置合わせを行っ
ているので、基準座標系ドリフトによる精度誤差は含ま
れない。また、チップごとの位置合わせを行っているの
で、ウェハー全体の反りおよび歪み等による精度誤差の
影響をほとんど受けない。以」二の点が前者よりも改善
されている半面、各千ノブごとに位置合ねセを行ってい
るので、千ノブ中の位置合わせマークの形状によってそ
のチップの位置合わせ精度が左右される。また、ウェハ
ー中の全チップに対して、その都度位置合わせを行うの
で、前者の場合に比べると、1枚のウェハーに対して位
置合わせに要する時間が長くなり、露光装置の処理能力
が低下するなどの問題がある。
In the former case, the conventional alignment method described above does not directly align the mask or wafer, so accuracy errors due to reference coordinate system drift pose a problem. In the latter case,
Since the mask and wafer are aligned directly along the exposure axis, accuracy errors due to reference coordinate system drift are not included. In addition, since positioning is performed for each chip, it is hardly affected by precision errors caused by warping or distortion of the entire wafer. Although the second point is improved over the former, since alignment is performed for each 1,000 knobs, the alignment accuracy of the chip is affected by the shape of the alignment mark in each 1,000 knobs. . Also, since alignment is performed for all chips on the wafer each time, the time required for alignment for one wafer is longer than in the former case, and the processing capacity of the exposure equipment is reduced. There are problems such as.

本発明の目的は、上記の問題点を解消することにより、
位置合わせの精度を向上しかつその所要時間を短縮でき
る位置合わせ方法を提供することにある。
The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems.
It is an object of the present invention to provide a positioning method capable of improving the precision of positioning and shortening the time required.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の位置合わせ方法は、デバイスのウェハー製造工
程における露光装置の位置合わせ方法において、オフ・
アキシス方式により上記ウェハー全体の位置合わせ基準
座標系を設定し、ついで、TTL方弐により上記ウェハ
ー内からほぼ均一に分散して選択された複数個のチップ
についてその位置を検出し、この検出された上記チップ
の位置を用い所定の手段により上記基準座標系を補正し
位置合わせを行うことを特徴とする。
The alignment method of the present invention is an alignment method for exposure equipment in a device wafer manufacturing process.
A reference coordinate system for alignment of the entire wafer is set using the axis method, and then the positions of a plurality of chips selected from within the wafer are detected by using the TTL method, and the positions of the chips are detected by using the TTL method. The present invention is characterized in that the reference coordinate system is corrected and aligned by a predetermined means using the position of the chip.

また、本発明の位置合わせ方法において、所定の手段は
、複数個のチップを複数のグループに分け、このグルー
プ内で位置が所定の値より外れているときはそのチップ
を除外し、この除外した結果残存チップ数が所定数以下
になったときには新たに上記チップを補充してその位置
を検出し、各上記チップごとに基準座標系を補正するこ
とを含むことが好ましい。
Further, in the positioning method of the present invention, the predetermined means divides the plurality of chips into a plurality of groups, and when the position within this group deviates from a predetermined value, that chip is excluded. As a result, when the number of remaining chips becomes a predetermined number or less, it is preferable to add new chips, detect their positions, and correct the reference coordinate system for each chip.

また、本発明の位置合わせ方法において、所定の手段は
、複数個のチップを複数のグループに分け、このグルー
プ内で位置が所定の値より外れているときはそのチップ
を除外し、この除外した結果残存チップ数が所定数以下
になったときには新たに上記チップを補充してその位置
を検出し、上記グループごとに基準座標系を補正するこ
とを含むことが好ましい。
Further, in the positioning method of the present invention, the predetermined means divides the plurality of chips into a plurality of groups, and when the position within this group deviates from a predetermined value, that chip is excluded. As a result, when the number of remaining chips becomes a predetermined number or less, it is preferable that the method further includes adding new chips, detecting their positions, and correcting the reference coordinate system for each group.

〔作用〕[Effect]

本発明は、始めにオフ・アキシス方式によりウェハー全
体の位置合わせを行い、その基準座標系を設定し、つい
でTTL方式によりウェハー全体からほぼ均一に分散し
て選んだ複数個のチップについてその位置を検出し、そ
れらの値により上記基準座標系を補正して位置合わせを
行う。さらにこの補正の場合、上記チップを複数のグル
ープに分け、クループ内で位置の比較を行い例えばマー
クの形状が悪いために他より大きく離れた値(グループ
の平均値または標準偏差などにより判定される。)を示
すチップを除外し、この不良チップの除外によりそのグ
ループ内の数が所定数以下になるときは新たに別のチッ
プを追加する。このようにして、補正された上記基準座
標系は、ウェハー全体を代表して選ばれかつ不良チップ
を除外した複数個のチップの位置に基づいて補正される
ので、その精度は非常に向上される。しかも位置検出す
るチップ数は全体に比べて少なくなるのでその所要時間
も大幅に短縮される。
The present invention first aligns the entire wafer using an off-axis method, sets its reference coordinate system, and then uses the TTL method to determine the positions of a plurality of chips that are almost evenly distributed and selected from the entire wafer. are detected, and the reference coordinate system is corrected based on these values to perform positioning. Furthermore, in the case of this correction, the above-mentioned chips are divided into multiple groups, and the positions within the groups are compared. ) is excluded, and if the number of chips in the group becomes less than a predetermined number due to the exclusion of defective chips, another chip is added. In this way, the corrected reference coordinate system is corrected based on the positions of a plurality of chips selected to represent the entire wafer and excluding defective chips, so its accuracy is greatly improved. . Moreover, since the number of chips for position detection is smaller than the total number, the time required for the detection is also significantly reduced.

〔実施例つ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図〜第4図は、それぞれ本発明の第一実施例を説明
するための図である。第1図は本第−実施例のシーケン
スを示す流れ図である。第1図に示すように、まずウェ
ハー全体に対してオフ・アキシス方式の位置合わせを行
いその基準座標系を設定した後、この基準座標系のドリ
フトを補正する目的で、TTL方式によるチップごとの
位置合わせを行う。この位置合わせ方法は、ウェハー中
のほぼ均等に分散して選択した複数個のチ・ツブを用い
て行う。
1 to 4 are diagrams for explaining a first embodiment of the present invention, respectively. FIG. 1 is a flowchart showing the sequence of this embodiment. As shown in Figure 1, first, the entire wafer is aligned using the off-axis method and its reference coordinate system is set, and then, in order to correct the drift of this reference coordinate system, each chip is aligned using the TTL method. Perform alignment. This alignment method is performed using a plurality of chips selected to be approximately evenly distributed throughout the wafer.

第2図は、位置合わせを行うウェハー1を示す説明図で
あり、チップ2が規則正しく配列されている。そのうち
で斜線を施したものが上記選択された位置合わせ用の選
択チップ3を示す。これらすべての選択チップ3に対し
て位置合わせを行いその位置を検出した後、第1図に示
すシーケンスに従って信頼できるチップの位置合わせ結
果だけを選別する。この選別方法は、ウェハー1中のチ
ップ2を境界線5によりいくつかのブロックで分割して
行う。第2図では、16個のブロックに分割した例が示
しである。この16個のブロックは、第3図に示すよう
にそれぞれブロックA、B、C1−・・、○、Pと名付
ける。ブロックを用いた選別方法をわかりやすく説明す
るために、第3図の斜線で示すブロックFの場合を例に
とる。第4図には、ブロックFに含まれている49個の
チップ101〜149が示しである。このうち斜線で示
す9チツプ109.1)1.1)3.123.125.
127.137.139.141が位置合わせに用いた
選択チップである。このTTL方式による9チツプの位
置合わせ結果は、先に行ったオフ・アキシス方式による
ウェハ−1全体の位置合わせ結果により求めた基準座標
系からのずれ量で各々定義する。TTL方式によるチッ
プごとの位置合わせ結果が正しいものと仮定すれば、こ
のずれ量は、オフ・アキシス方式の位置合わせにおける
基準座標系ドリフト等の値になる。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the wafer 1 to be aligned, and the chips 2 are regularly arranged. Among them, the one with diagonal lines indicates the selected alignment chip 3 selected above. After aligning all of these selected chips 3 and detecting their positions, only the alignment results of reliable chips are selected according to the sequence shown in FIG. This sorting method is performed by dividing the chips 2 on the wafer 1 into several blocks along the boundary line 5. FIG. 2 shows an example of division into 16 blocks. These 16 blocks are named blocks A, B, C1-..., O, P, respectively, as shown in FIG. In order to clearly explain the sorting method using blocks, the case of block F indicated by diagonal lines in FIG. 3 will be taken as an example. FIG. 4 shows 49 chips 101 to 149 included in block F. Of these, the 9 chips shown with diagonal lines are 109.1) 1.1) 3.123.125.
127.137.139.141 are the selected chips used for alignment. The alignment results of the nine chips by this TTL method are each defined by the amount of deviation from the reference coordinate system obtained from the previously performed alignment result of the entire wafer 1 by the off-axis method. Assuming that the result of alignment for each chip by the TTL method is correct, this amount of deviation becomes a value such as a reference coordinate system drift in alignment by the off-axis method.

ところで、基準座標系ドリフトや、ウェハーの反りや歪
み等が原因のオフ・アキシス方式での位置合わせ誤差は
、同一ウニバー内で離れた位置関係にあるチップはどそ
の誤差影響の受は方が異なるが、隣接したチップ同士で
は、受は方の傾向が類似している。従って、上記定義し
たずれ量は、同一ブロック内の比較的近い位置関係にあ
るチップであれば値は類似しているので、上記9チツプ
の位置合わせ結果の中に、チップごとの位置合わせに用
いるマークの形状劣化などにより誤って位装置を検出し
た結果が含まれているとすれば、他の結果と違うずれ量
を示すのですぐわかる。実際、各ブロックごとには、同
一ブロック内でチップの位置合わせ結果の平均値や標準
偏差を求めて利用するのが有効である。例えば平均値を
算出した後、あらかじめ設定したある許容値より大きく
平均値からずれている結果は除外する。また標準偏差が
あらかじめ設定した基準値より大きい場合は、標準偏差
を小さくするために同一プロツク内で位置合わせを行う
チップ数を増したり、標準偏差を大きくする結果は除外
するなどの方法がある。
By the way, alignment errors in the off-axis method caused by reference coordinate system drift, wafer warpage, distortion, etc. are affected differently by chips that are located far apart within the same Univer. However, adjacent chips have similar trends in receiving. Therefore, since the deviation amount defined above is similar if the chips are relatively close to each other in the same block, some of the above 9-chip alignment results are used for alignment of each chip. If the result includes a result of incorrectly detecting a position device due to deterioration in the shape of the mark, etc., it can be easily recognized because it shows a different amount of deviation from other results. In fact, it is effective to find and use the average value and standard deviation of the chip alignment results within the same block for each block. For example, after calculating the average value, results that deviate from the average value by more than a certain preset tolerance value are excluded. If the standard deviation is larger than a preset reference value, there are methods to reduce the standard deviation, such as increasing the number of chips to be aligned within the same program or excluding results that increase the standard deviation.

以上の方法により、ブロックFの9チツプの位置合わせ
結果から信頼できるものだけを選別すると、第4図の○
印と斜線の重なりで示す6チツプ109.1)3.12
5.127.137.141の結果が選ばれる。さらに
信頼できる位置合わせ結果が少ない場合は、位置合わせ
を行うチップ数を任意に増すことができる。ブロックF
の場合、9チップ中6チソブと信頼できるチップの位置
合わせ結果が少なくなったので、位置合わせを行うチッ
プ数を更に増して、最終的には第4図の○印で示す9チ
ツプ104.109.1)3.122.125.127
.137.141.147が、信頼できる位置合わせ結
果として選ばれる。同様の方法で、他のブロックに関し
ても信頼できるチップの位置合わせ結果の選別を行う。
By using the above method, we select only the reliable ones from the alignment results of the nine chips in block F.
6 chips indicated by overlapping marks and diagonal lines 109.1) 3.12
The result of 5.127.137.141 is selected. Furthermore, if there are few reliable alignment results, the number of chips to be aligned can be increased arbitrarily. Block F
In this case, the number of reliable chip alignments decreased to 6 out of 9 chips, so the number of chips to be aligned was further increased, and the final result was 9 chips 104.109 as shown by the circle in Figure 4. .1) 3.122.125.127
.. 137.141.147 is selected as a reliable alignment result. In a similar manner, reliable chip alignment results are selected for other blocks as well.

その結果、第2図の○印で示す最終選択チップ4が、信
頼できる位置合わせ結果として選ばれる。
As a result, the final selected chip 4 indicated by a circle in FIG. 2 is selected as a reliable alignment result.

以上性べてきた方法は、第1図に示すシーケンスにおい
て、信頼できる位置合わせ結果の選別を行った後さらに
位置合わせを行うチップを増すか検討する流れになる。
In the method described above, in the sequence shown in FIG. 1, after selecting reliable alignment results, it is considered whether to increase the number of chips to be aligned.

位置合ねせを行うチップ数をさらに増す場合には、増し
たチップ数だけ位置合わせを追加して行い、再度位置合
わせ結果に対して選別を行う流れになる。最終的に、必
要な数だけ信頼できるチップの位置合わせ結果が得られ
たら、これらウェハー中の全結果を用いて、先にオフ・
アキシス方式により設定した基準座標系を補正してウェ
ハー全体の座標系を設定して露光を行う。
If the number of chips to be aligned is further increased, alignment is performed by the increased number of chips, and the alignment results are again sorted. Finally, once the required number of reliable die alignment results are obtained, all results in these wafers are used to first perform off-chip alignment.
Exposure is performed by correcting the reference coordinate system set by the axis method to set the coordinate system for the entire wafer.

第5図は本発明の第二実施例のシーケンスを示す流れ図
である。本第二実施例は第5図に示すように、最後にオ
フ・アキシス方式による基準座標系の補正を各ブロック
ごとにまとめ行う点が第一実施例と異なっている。これ
により補正操作の回数が第一実施例に比して少なくなり
、°その分時間短縮の効果がより大きくなる。
FIG. 5 is a flowchart showing the sequence of the second embodiment of the present invention. The second embodiment differs from the first embodiment in that, as shown in FIG. 5, the reference coordinate system is finally corrected for each block using the off-axis method. As a result, the number of correction operations is reduced compared to the first embodiment, and the effect of time reduction becomes greater accordingly.

〔発明の効果] 以上説明したように本発明は、オフ・アキシス方式によ
り設定した基準座標系を、TTL方弐によりウェハー内
からほぼ均一に分散して選択されたチップの位置を検出
し、さらにグループ分けによる選別で不良の結果を示す
チップを除去し、必要数の良い結果を示すチップの値を
用い、上記基準座標系を補正して位置合わせを行う。従
って従来の方法に比してその精度が非常に向上する。効
果がある。さらに、TTL方式によるチップの位置合わ
せは従来の全チップに対して、選別された所要数につい
て行えばよいので、位置合わせの所要時間を大幅に短縮
できる効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention detects the position of a selected chip by dispersing the reference coordinate system set by the off-axis method almost uniformly from within the wafer using the TTL method, and further detects the position of the selected chip. Chips showing defective results are removed through grouping and sorting, and the values of the required number of chips showing good results are used to correct the reference coordinate system and perform alignment. Therefore, the accuracy is greatly improved compared to conventional methods. effective. Furthermore, chip alignment using the TTL method can be performed for a selected number of chips compared to all conventional chips, which has the effect of significantly shortening the time required for alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第一実施例のシーケンスを示す流れ図
。 第2図、第3図、第4図はその説明図。 第5図は本発明の第二実施例のシーケンスを示す流れ図
。 1・・・ウェハー、2・・・チップ、3・・・選択チッ
プ、4・・・最終選択チップ、5・・・境界線、A−P
・・・ブロック。 特許出願人 日本電気株式会社 − 代理人  弁理士 井 出 直 孝7 ゛″・−′と、。 第1図 茅−実7i@例 尼2図 第5図
FIG. 1 is a flowchart showing the sequence of the first embodiment of the present invention. FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are explanatory diagrams thereof. FIG. 5 is a flowchart showing the sequence of the second embodiment of the present invention. 1... Wafer, 2... Chip, 3... Selected chip, 4... Final selected chip, 5... Boundary line, A-P
···block. Patent Applicant NEC Corporation - Agent Patent Attorney Nao Takashi Ide7 ゛''・-' and. Figure 1 Kaya-Mi7i@Example 2 Figure 5

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)デバイスのウェハー製造工程における露光装置の
位置合わせ方法において、 オフ・アキシス方式により上記ウェハー全体の位置合わ
せ基準座標系を設定し、 ついで、TTL方式により上記ウェハー内からほぼ均一
に分散して選択された複数個のチップについてその位置
を検出し、 この検出された上記チップの位置を用い所定の手段によ
り上記基準座標系を補正し位置合わせを行うこと を特徴とする位置合わせ方法。
(1) In a method for aligning an exposure apparatus in a device wafer manufacturing process, an alignment reference coordinate system for the entire wafer is set using an off-axis method, and then the coordinates are almost uniformly distributed from within the wafer using a TTL method. A positioning method characterized by detecting the positions of a plurality of selected chips, and correcting the reference coordinate system by a predetermined means using the detected positions of the chips to perform positioning.
(2)所定の手段は、複数個のチップを複数のグループ
に分け、このグループ内で位置が所定の値より外れてい
るときはそのチップを除外し、この除外した結果残存チ
ップ数が所定数以下になったときには新たに上記チップ
を補充してその位置を検出し、各上記チップごとに基準
座標系を補正することを含む特許請求の範囲第(1)項
に記載の位置合わせ方法。
(2) The predetermined means divides a plurality of chips into a plurality of groups, excludes the chip when its position within this group is out of a predetermined value, and as a result of this exclusion, the number of remaining chips is a predetermined number. 2. The positioning method according to claim 1, further comprising: replenishing the chip, detecting the position of the chip, and correcting the reference coordinate system for each chip.
(3)所定の手段は、複数個のチップを複数のグループ
に分け、このグループ内で位置が所定の値より外れてい
るときはそのチップを除外し、この除外した結果残存チ
ップ数が所定数以下になったときには新たに上記チップ
を補充してその位置を検出し、上記グループごとに基準
座標系を補正することを含む特許請求の範囲第(1)項
に記載の位置合わせ方法。
(3) The predetermined means divides a plurality of chips into a plurality of groups, excludes the chip when its position within the group is out of a predetermined value, and as a result of this exclusion, the number of remaining chips is a predetermined number. 2. The positioning method according to claim 1, further comprising: replenishing the chip, detecting the position of the chip, and correcting the reference coordinate system for each group.
JP60279689A 1985-12-11 1985-12-11 Position aligning method Granted JPS62137828A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519789B1 (en) * 2003-03-20 2005-10-10 삼성전자주식회사 An align method of a semiconductor substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100519789B1 (en) * 2003-03-20 2005-10-10 삼성전자주식회사 An align method of a semiconductor substrate

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