JPH0560643B2 - - Google Patents

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JPH0560643B2
JPH0560643B2 JP60279689A JP27968985A JPH0560643B2 JP H0560643 B2 JPH0560643 B2 JP H0560643B2 JP 60279689 A JP60279689 A JP 60279689A JP 27968985 A JP27968985 A JP 27968985A JP H0560643 B2 JPH0560643 B2 JP H0560643B2
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JP
Japan
Prior art keywords
chips
wafer
alignment
coordinate system
reference coordinate
Prior art date
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JP60279689A
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Japanese (ja)
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JPS62137828A (en
Inventor
Kokichi Tanaka
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0560643B2 publication Critical patent/JPH0560643B2/ja
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、バブル装置等のデバイ
スの製造に関し、特にそのウエハー製造工程にお
ける露光装置の位置合わせ方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the manufacture of devices such as semiconductor devices and bubble devices, and particularly to a method for aligning an exposure apparatus in the wafer manufacturing process.

〔概要〕〔overview〕

本発明は、デバイスのウエハー製造工程におけ
る露光装置の位置合わせ方法において、 始めに、オフ・アキシス方式によりウエハー全
体の基準座標系を設定し、ついでTTL方式によ
りウエハー内からほぼ均一に分散して選択された
複数個のチツプについてその位置を検出し、この
検出された位置を用いて、上記基準座標系を補正
し位置合わせを行うことにより、 位置合わせの精度向上と所要時間の短縮化を図
つたものである。
The present invention is a method for positioning an exposure apparatus in a device wafer manufacturing process. First, a reference coordinate system for the entire wafer is set using an off-axis method, and then the reference coordinate system is almost uniformly distributed and selected from within the wafer using a TTL method. By detecting the positions of multiple chips that have been detected and using these detected positions to correct the reference coordinate system and perform alignment, we aim to improve alignment accuracy and shorten the required time. It is something.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、半導体集積回路装置は高密度化が進むに
つれ、その製造過程における位置合わせは、より
高精度化が要求されて来ている。従来、オートリ
ソグラフイ工程において露光装置、例えば縮小投
影転写装置での露光の際の位置合わせは、オフ・
アキシス(Off・Axis)方式とTTL(Through
The Lens)方式の2つの方法がとられている
(電子通信学会編、「LSIハンドブツク」P426
1984オーム社参照)。前者は、露光軸から離れた
場所で位置合わせを行うもので、主にウエハー全
体に対する位置合わせに用いられ、後者はレンズ
を通して露光軸上で位置合わせを行うもので、主
にチツプ毎の位置合わせに用いられる。
In recent years, as the density of semiconductor integrated circuit devices has increased, higher precision has been required for alignment during the manufacturing process. Traditionally, in the autolithography process, positioning during exposure using an exposure device, such as a reduction projection transfer device, is performed off-line.
Axis (Off/Axis) method and TTL (Through)
Two methods have been adopted (The Lens) method (edited by the Institute of Electronics and Communication Engineers, "LSI Handbook" p. 426)
(See Ohmsha 1984). The former performs positioning at a location away from the exposure axis and is mainly used for positioning the entire wafer, while the latter performs positioning on the exposure axis through a lens and is mainly used for positioning each chip. used for.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来の位置合わせ方法は、前者の場
合、直接マスクとウエハーを位置合わせしていな
いので、基準座標系ドリフトによる精度誤差が問
題となる。後者の場合、露光軸上で直接マスクと
ウエハーの位置合わせを行つているので、基準座
標系ドリフトによる精度誤差は含まれない。ま
た、チツプごとの位置合わせを行つているので、
ウエハー全体の反りおよび歪み等による精度誤差
の影響をほとんど受けない。以上の点が前者より
も改善されている半面、各チツプごとに位置合わ
せを行つているので、チツプ中の位置合わせマー
クの形状によつてそのチツプの位置合わせ精度が
左右される。また、ウエハー中の全チツプに対し
て、その都度位置合わせを行うので、前者の場合
に比べると、1枚のウエハーに対して位置合わせ
に要する時間が長くなり、露光装置の処理能力が
低下するなどの問題がある。
In the former case, the conventional alignment method described above does not directly align the mask and the wafer, so accuracy errors due to reference coordinate system drift pose a problem. In the latter case, since the mask and wafer are aligned directly on the exposure axis, accuracy errors due to reference coordinate system drift are not included. Also, since we are aligning each chip,
It is hardly affected by accuracy errors caused by warpage and distortion of the entire wafer. While the above points are improved over the former, since positioning is performed for each chip, the positioning accuracy of the chip is influenced by the shape of the positioning mark in the chip. Also, since positioning is performed for all chips on a wafer each time, the time required for positioning one wafer is longer than in the former case, and the processing capacity of the exposure equipment is reduced. There are problems such as.

本発明の目的は、上記の問題点を解消すること
により、位置合わせの精度を向上しかつその所要
時間を短縮できる位置合わせ方法を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a positioning method that can improve the accuracy of positioning and shorten the time required by solving the above-mentioned problems.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の位置合わせ方法は、オフ・アキシス方
式によりウエハー全体の位置合わせ基準座標系を
設定し、ついで、TTL方式によりウエハー内か
らほぼ均一に分散して選択された複数個のチツプ
についてその位置を検出し、この検出されたチツ
プの位置を用いてあらかじめ定められた手順によ
り基準座標系を補正し位置合わせを行うデバイス
のウエハー製造工程における露光装置の位置合わ
せ方法において、あらかじめ定められた手順は、
選択された複数個のチツプについてウエハー上の
領域毎に複数のグループに分けるステツプと、こ
のグループ内で位置が所定の値より外れているチ
ツプについてはそれを除外するステツプと、この
除外による残存チツプ数が所定数以下になつたと
きには同じ領域内のチツプを補充してその位置を
検出するステツプと、各グループまたはそのグル
ープのチツプを単位として基準座標系を補正する
ステツプとを含むことを特徴とする。
In the alignment method of the present invention, an alignment reference coordinate system for the entire wafer is set using an off-axis method, and then the positions of a plurality of chips selected from within the wafer are determined using a TTL method. In a method for aligning an exposure apparatus in a device wafer manufacturing process in which a reference coordinate system is corrected and aligned according to a predetermined procedure using the detected chip position, the predetermined procedure is as follows:
A step of dividing the selected chips into a plurality of groups for each region on the wafer, a step of excluding chips whose position is outside a predetermined value within the group, and a step of determining the remaining chips due to this exclusion. The present invention is characterized in that it includes a step of replenishing chips in the same area and detecting their positions when the number of chips falls below a predetermined number, and a step of correcting the reference coordinate system using each group or the chips of the group as a unit. do.

〔作用〕 本発明は、始めにオフ・アキシス方式によりウ
エハー全体の位置合わせを行い、その基準座標系
を設定し、ついでTTL方式によりウエハー全体
からほぼ均一に分散して選んだ複数個のチツプに
ついてその位置を検出し、それらの値により上記
基準座標系を補正して位置合わせを行う。さらに
この補正の場合、上記チツプを複数のグループに
分け、クループ内で位置の比較を行い例えばマー
クの形状が悪いために他より大きく離れた値(グ
ループの平均値または標準偏差などにより判定さ
れる。)を示すチツプを除外し、この不良チツプ
の除外によりそのグループ内の数が所定数以下に
なるときは新たに別のチツプを追加する。このよ
うにして、補正された上記基準座標系は、ウエハ
ー全体を代表して選ばれかつ不良チツプを除外し
た複数個のチツプの位置に基づいて補正されるの
で、その精度は非常に向上される。しかも位置検
出するチツプ数は全体に比べて少なくなるのでそ
の所要時間も大幅に短縮される。
[Operation] The present invention first aligns the entire wafer using an off-axis method, sets its reference coordinate system, and then uses the TTL method to align a plurality of chips that are almost uniformly distributed from the entire wafer. The position is detected, and the reference coordinate system is corrected based on these values to perform alignment. Furthermore, in the case of this correction, the above-mentioned chips are divided into multiple groups, and the positions within the groups are compared. .) is excluded, and when the number of chips in the group becomes less than a predetermined number due to the exclusion of the defective chips, another chip is newly added. In this way, the corrected reference coordinate system is corrected based on the positions of a plurality of chips selected to represent the entire wafer and excluding defective chips, so its accuracy is greatly improved. . Furthermore, since the number of chips for position detection is smaller than the total number of chips, the time required for position detection is also significantly shortened.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図〜第4図は、それぞれ本発明の第一実施
例を説明するための図である。第1図は本第一実
施例のシーケンスを示す流れ図である。第1図に
示すように、まずウエハー全体に対してオフ・ア
キシス方式の位置合わせを行いその基準座標系を
設定した後、この基準座標系のドリフトを補正す
る目的で、TTL方式によるチツプごとの位置合
わせを行う。この位置合わせ方法は、ウエハー中
のほぼ均等に分散して選択した複数個のチツプを
用いて行う。
1 to 4 are diagrams for explaining a first embodiment of the present invention, respectively. FIG. 1 is a flowchart showing the sequence of the first embodiment. As shown in Figure 1, first, the entire wafer is aligned using the off-axis method and its reference coordinate system is set. Then, in order to correct the drift of this reference coordinate system, each chip is aligned using the TTL method. Perform alignment. This alignment method is performed using a plurality of chips selected and distributed approximately evenly across the wafer.

第2図は、位置合わせを行うウエハー1を示す
説明図であり、チツプ2が規則正しく配列されて
いる。そのうちで斜線を施したものが上記選択さ
れた位置合わせ用の選択チツプ3を示す。これら
すべての選択チツプ3に対して位置合わせを行い
その位置を検出した後、第1図に示すシーケンス
に従つて信頼できるチツプの位置合わせ結果だけ
を選別する。この選別方法は、ウエハー1中のチ
ツプ2を境界線5によりいくつかのブロツクで分
割して行う。第2図では、16個のブロツクに分割
した例が示してある。この16個のブロツクは、第
3図に示すようにそれぞれブロツクA,B,C,
…,O,Pと名付ける。ブロツクを用いた選別方
法をわかりやすく説明するために、第3図の斜線
で示すブロツクの場合を例にとる。第4図には、
ブロツクFに含まれている49個のチツプ101〜
149が示してある。このうち斜線で示す9チツ
プ109,111,113,123,125,1
27,137,139,141が位置合わせに用
いた選択チツプである。このTTL方式による9
チツプの位置合わせ結果は、先に行つたオフ・ア
キシス方式によるウエハー1全体の位置合わせ結
果により求めた基準座標系からのずれ量で各々定
義する。TTL方式によるチツプごとの位置合わ
せ結果が正しいものと仮定すれば、このずれ量
は、オフ・アキシス方式の位置合わせにおける基
準座標系ドリフト等の値になる。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the wafer 1 to be aligned, and the chips 2 are regularly arranged. Among them, the one with diagonal lines indicates the selected alignment chip 3. After aligning all of these selected chips 3 and detecting their positions, only the alignment results of reliable chips are selected according to the sequence shown in FIG. This sorting method is carried out by dividing the chips 2 in the wafer 1 into several blocks along boundary lines 5. FIG. 2 shows an example of division into 16 blocks. These 16 blocks are blocks A, B, C, and B, respectively, as shown in Figure 3.
..., O, P. In order to clearly explain the sorting method using blocks, the case of the blocks indicated by diagonal lines in FIG. 3 will be taken as an example. In Figure 4,
49 chips included in Block F 101~
149 is shown. Of these, the 9 chips shown with diagonal lines are 109, 111, 113, 123, 125, 1
27, 137, 139, and 141 are selection chips used for alignment. 9 by this TTL method
The chip positioning results are each defined by the amount of deviation from the reference coordinate system obtained from the previously performed positioning result of the entire wafer 1 using the off-axis method. Assuming that the alignment results for each chip using the TTL method are correct, this amount of deviation will be the value of the reference coordinate system drift in alignment using the off-axis method.

ところで、基準座標系ドリフトや、ウエハーの
反りや歪み等が原因のオフ・アキシス方式での位
置合わせ誤差は、同一ウエハー内で離れた位置関
係にあるチツプほどその誤差影響の受け方が異な
るが、隣接したチツプ同士では、受け方の傾向が
類似している。従つて、上記定義したずれ量は、
同一ブロツク内の比較的近い位置関係にあるチツ
プであれば値は類似しているので、上記9チツプ
の位置合わせ結果の中に、チツプごとの位置合わ
せに用いるマークの形状劣化などにより誤つて位
置を検出した結果が含まれているとすれば、他の
結果と違うずれ量を示すのですぐわかる。実際、
各ブロツクごとには、同一ブロツク内でチツプの
位置合わせ結果の平均値が標準偏差を求めて利用
するのが有利である。例えば平均値を算出した
後、あらかじめ設定したある許容値より大きく平
均値からずれている結果は除外する。また標準偏
差があらかじめ設定した基準値より大きい場合
は、標準偏差を小さくするために同一ブロツク内
で位置合わせを行うチツプ数を増したり、標準偏
差を大きくする結果は除外するなどの方法があ
る。
By the way, alignment errors in the off-axis method caused by reference coordinate system drift, wafer warpage, distortion, etc. are affected differently as chips are located further apart within the same wafer. The trends in how the chips are received are similar. Therefore, the amount of deviation defined above is
If the chips are located relatively close to each other in the same block, their values will be similar, so there may be errors in the alignment results for the nine chips above due to deterioration in the shape of the marks used for alignment of each chip. If the results include detection results, it can be easily recognized because it shows a different amount of deviation from other results. actual,
For each block, it is advantageous to use the average value of the alignment results of the chips within the same block to determine the standard deviation. For example, after calculating the average value, results that deviate from the average value by more than a certain preset tolerance value are excluded. If the standard deviation is larger than a preset reference value, there are methods to reduce the standard deviation, such as increasing the number of chips to be aligned within the same block or excluding results that increase the standard deviation.

以上の方法により、ブロツクFの9チツプの位
置合わせ結果から信頼できるものだけを選別する
と、第4図の○印と斜線の重なりで示す6チツプ
109,113,125,127,137,14
1の結果が選ばれる。さらに信頼できる位置合わ
せ結果が少ない場合は、位置合わせを行うチツプ
数を任意に増すことができる。ブロツクFの場
合、9チツプ中6チツプと信頼できるチツプの位
置合わせ結果が少なくなつたので、位置合わせを
行うチツプ数を更に増して、最終的には第4図の
○印で示す9チツプ104,109,113,1
22,125,127,137,141,147
が、信頼できる位置合わせを結果として選ばれ
る。同様の方法で、他のブロツクに関しても信頼
できるチツプの位置合わせ結果の選別を行う。そ
の結果、第2図の○印で示す最終選択チツプ4
が、信頼できる位置合わせ結果として選ばれる。
Using the above method, only reliable ones are selected from the alignment results of the 9 chips of block F, and the 6 chips 109, 113, 125, 127, 137, 14 shown by the overlapping circles and diagonal lines in Fig. 4 are selected.
The result of 1 is selected. Furthermore, if there are few reliable alignment results, the number of chips to be aligned can be increased arbitrarily. In the case of block F, the number of reliable chip alignment results was reduced to 6 out of 9 chips, so the number of chips to be aligned was further increased, and finally 9 chips 104 as shown by the circle in Fig. 4 were obtained. ,109,113,1
22, 125, 127, 137, 141, 147
is chosen, resulting in a reliable alignment. Reliable chip alignment results for other blocks are selected in a similar manner. As a result, the final selected chip 4 shown by the circle in Figure 2
is chosen as a reliable alignment result.

以上述べてきた方法は、第1図に示すシーケン
スにおいて、信類できる位置合わせ結果の選別を
行つた後さらに位置合わせを行うチツプを増すか
検討する流れになる。位置合わせを行うチツプ数
をさらに増す場合には、増したチツプ数だけ位置
合わせを追加して行い、再度位置合わせ結果に対
して選別を行う流れになる。最終的に、必要な数
だけ信類できるチツプの位置合わせ結果が得られ
たら、これらウエハー中の全結果を用いて、先に
オフ・アキシス方式により設定した基準座標系を
補正してウエハー全体の座標系を設定して露光を
行う。
In the method described above, in the sequence shown in FIG. 1, after selecting reliable alignment results, it is considered whether to increase the number of chips to be aligned. If the number of chips to be aligned is further increased, alignment is performed by the increased number of chips, and then the alignment results are sorted again. Finally, once the required number of reliable chip alignment results have been obtained, the reference coordinate system previously set using the off-axis method is corrected using all of the results on the wafer to align the entire wafer. Set the coordinate system and perform exposure.

第5図は本発明の第二実施例のシーケンスを示
す流れ図である。本第二実施例は第5図に示すよ
うに、最後にオフ・アキシス方式による基準座標
系の補正を各ブロツクごとにまとめ行う点が第一
実施例と異なつている。これにより補正操作の回
数が第一実施例に比して少なくなり、その分時間
短縮の効果がより大きくなる。
FIG. 5 is a flowchart showing the sequence of the second embodiment of the present invention. The second embodiment differs from the first embodiment in that, as shown in FIG. 5, the reference coordinate system is finally corrected for each block using the off-axis method. As a result, the number of correction operations is reduced compared to the first embodiment, and the time saving effect is increased accordingly.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、オフ・アキシス
方式により設定した基準座標系を、TTL方式に
よりウエハー内からほぼ均一に分散して選択され
たチツプの位置を検出し、さらにグループ分けに
よる選択で不良の結果を示すチツプを除去し、必
要数の良い結果を示すチツプの値を用い、上記基
準座標系を補正して位置合わせを行う。従つて従
来の方法に比してその精度が非常に向上する効果
がある。さらに、TTL方式によるチツプの位置
合わせは従来の全チツプに対して、選別された所
要数について行えばよいので、位置合わせの所要
時間を大幅に短縮できる効果がある。
As explained above, the present invention uses the reference coordinate system set by the off-axis method to detect the position of the selected chip by distributing it almost uniformly from within the wafer using the TTL method, and then detects the position of the selected chip by grouping. The chips that show a good result are removed, and the values of the required number of chips that show a good result are used to correct the reference coordinate system and perform alignment. Therefore, the accuracy is greatly improved compared to conventional methods. Furthermore, chip alignment using the TTL method can be performed for a selected number of chips compared to all conventional chips, which has the effect of significantly shortening the time required for alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第一実施例のシーケンスを示
す流れ図。第2図、第3図、第4図はその説明
図。第5図は本発明の第二実施例のシーケンスを
示す流れ図。 1……ウエハー、2……チツプ、3……選択チ
ツプ、4……最終選択チツプ、5……境界線、A
〜P……ブロツク。
FIG. 1 is a flowchart showing the sequence of the first embodiment of the present invention. FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are explanatory diagrams thereof. FIG. 5 is a flowchart showing the sequence of the second embodiment of the present invention. 1...Wafer, 2...Chip, 3...Selected chip, 4...Final selection chip, 5...Boundary line, A
~P... Block.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 オフ・アキシス方式によりウエハー全体の位
置合わせ基準座標系を設定し、 ついで、TTL方式により上記ウエハー内から
ほぼ均一に分散して選択された複数個のチツプに
ついてその位置を検出し、 この検出された上記チツプの位置を用いてあら
かじめ定められた手順により上記基準座標系を補
正し位置合わせを行う デバイスのウエハー製造工程における露光装置
の位置合わせ方法において、 上記あらかじめ定められた手順は、 上記選択された複数個のチツプについて上記ウ
エハー上の領域毎に複数のグループに分けるステ
ツプと、 このグループ内で位置が所定の値より外れてい
るチツプについてはそれを除外するステツプと、 この除外による残存チツプ数が所定数以下にな
つたときには同じ領域内のチツプを補充してその
位置を検出するステツプと、 各グループまたはそのグループのチツプを単位
として基準座標系を補正するステツプと を含む ことを特徴とする位置合わせ方法。
[Claims] 1. A reference coordinate system for alignment of the entire wafer is set using an off-axis method, and then, the positions of a plurality of chips selected from the wafer are approximately uniformly distributed and their positions are determined using a TTL method. In a method for aligning an exposure apparatus in a device wafer manufacturing process, the detected position of the chip is used to correct the reference coordinate system and align according to a predetermined procedure. The steps include dividing the selected chips into a plurality of groups for each region on the wafer, and excluding chips whose positions are outside a predetermined value within the group. When the number of remaining chips due to this exclusion becomes less than a predetermined number, a step of replenishing chips in the same area and detecting their position, and a step of correcting the reference coordinate system using each group or the chips of that group as a unit. An alignment method comprising:
JP60279689A 1985-12-11 1985-12-11 Position aligning method Granted JPS62137828A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60279689A JPS62137828A (en) 1985-12-11 1985-12-11 Position aligning method

Applications Claiming Priority (1)

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JP60279689A JPS62137828A (en) 1985-12-11 1985-12-11 Position aligning method

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JPS62137828A (en) 1987-06-20

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