JPS62136634A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
- Publication number
- JPS62136634A JPS62136634A JP27675585A JP27675585A JPS62136634A JP S62136634 A JPS62136634 A JP S62136634A JP 27675585 A JP27675585 A JP 27675585A JP 27675585 A JP27675585 A JP 27675585A JP S62136634 A JPS62136634 A JP S62136634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- group
- contrast
- photosensitive composition
- diazonium compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高密度集積回路製造工程などのフォトリソグラ
フィ一工程において、フォトマスクのような被写体のレ
ジスト面上における投影像のコントラストをエンハンス
するための材料に関するものである。
フィ一工程において、フォトマスクのような被写体のレ
ジスト面上における投影像のコントラストをエンハンス
するための材料に関するものである。
従来のコントラストエンハンスメント用材料は、特開昭
５９−１０４６４２に記載のように、油溶性のポリマー
とアリールニトロンからなるものである。しかし、この
材料をホトレジスト上に直接塗布すると、混合層が形成
されホトレジスト現像に悪影響をおよぼすため、実際の
プロセスでは水溶性中間層を形成する必要がある。従っ
て、工程が複雑な・こと、また露光光学系の焦点深度の
観点からも中間層形成による膜厚増大は好ましくない、
また水溶性のポリマーとジアゾ化合物からなる報告もあ
るが、露光波長における光学濃度が十分でなく、コント
ラストエンハンスメントの効果は小さい。
５９−１０４６４２に記載のように、油溶性のポリマー
とアリールニトロンからなるものである。しかし、この
材料をホトレジスト上に直接塗布すると、混合層が形成
されホトレジスト現像に悪影響をおよぼすため、実際の
プロセスでは水溶性中間層を形成する必要がある。従っ
て、工程が複雑な・こと、また露光光学系の焦点深度の
観点からも中間層形成による膜厚増大は好ましくない、
また水溶性のポリマーとジアゾ化合物からなる報告もあ
るが、露光波長における光学濃度が十分でなく、コント
ラストエンハンスメントの効果は小さい。
本発明の目的は、レジストパターンを形成するに必要な
最小のコントラストを低下させる。コントラストエンハ
ンスメント用材料を提供することにある。
最小のコントラストを低下させる。コントラストエンハ
ンスメント用材料を提供することにある。
現在フォトリソグラフィーでは主に投影露光装置を用い
て実施されている。しかし得ようとするパターンがサブ
ミクロン領域になると、マスクパターンのコントラスト
は高くともレンズ光学系を通ってきた光の像イメージの
コントラストが低下する。すなわちマスクでは暗い領域
であるところに対応する像イメージ領域にも露光されろ
。パターンサイズが小さくなるにつれ、この影響は顕著
になる。レジストに照射される像イメージコントラスト
を改善するためコン１−ラスエンハンス法が提案されて
いる。それは露光前透過率がかなり低いものが、露光に
より徐々に透明になる光退色性の膜を利用することに基
づくものである。この層にマスクの像イメージが露光さ
れたとき、像イメージの明るいところでは光退色が速く
進み、暗いところではゆっくり進む。このような光退色
性を利用することによりホトレジストに照射される明る
いところと暗いところの露光量の差は、この層がないと
きに比べ大きくなる。すなわちコントラストエンハンス
メント（以下ＧＥと略）が起こる。
て実施されている。しかし得ようとするパターンがサブ
ミクロン領域になると、マスクパターンのコントラスト
は高くともレンズ光学系を通ってきた光の像イメージの
コントラストが低下する。すなわちマスクでは暗い領域
であるところに対応する像イメージ領域にも露光されろ
。パターンサイズが小さくなるにつれ、この影響は顕著
になる。レジストに照射される像イメージコントラスト
を改善するためコン１−ラスエンハンス法が提案されて
いる。それは露光前透過率がかなり低いものが、露光に
より徐々に透明になる光退色性の膜を利用することに基
づくものである。この層にマスクの像イメージが露光さ
れたとき、像イメージの明るいところでは光退色が速く
進み、暗いところではゆっくり進む。このような光退色
性を利用することによりホトレジストに照射される明る
いところと暗いところの露光量の差は、この層がないと
きに比べ大きくなる。すなわちコントラストエンハンス
メント（以下ＧＥと略）が起こる。
ＣＥが起こるためには、ホトレジスト上のＣＥ層が薄い
と同時に光学濃度が高くなければならない。厚さに制限
があるのは露光装置の焦点深度が浅いためである。光学
系によって異なるが１μｍ以下である必要がある。光学
濃度はもちろん露光波長において高くなければならない
。さらにホトレジスト上に塗布することから、ホトレジ
ストとＣＥ層に混合層が形成されることがあってはなら
ない。もしそのような層ができると、ホトレジスト現像
のとき残漬が残ったりプロセス上問題である。
と同時に光学濃度が高くなければならない。厚さに制限
があるのは露光装置の焦点深度が浅いためである。光学
系によって異なるが１μｍ以下である必要がある。光学
濃度はもちろん露光波長において高くなければならない
。さらにホトレジスト上に塗布することから、ホトレジ
ストとＣＥ層に混合層が形成されることがあってはなら
ない。もしそのような層ができると、ホトレジスト現像
のとき残漬が残ったりプロセス上問題である。
本発明は上記の要求を満たす、水溶性ポリマーとジアゾ
化合物の混合物を主体とするＧＥ用材料に関するもので
ある。当初ジアゾ化合物と水溶性ポリマーであるポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）との混合系を検討したところ
、この暎はアワが発生し、露光後の透過率があまりよく
ない、また縮少投影露光装置で位置合わせをするとき、
アワの発生が合わせを困難にする。その原因は、ジアゾ
化合物の光分解によって窒素がＰ Ｖ Ａを十分透過で
きないためと考えられる。そこでいろいろな水溶性ポリ
マーを検討したところ、ポリビニルピロリドン、ビニル
ピロリドン共重合体を用いることによってアワの発生を
防ぐことができた。またこれらの水溶性ポリマーを用い
れば、ホトレジストとの混合層はできていないことも確
認した。
化合物の混合物を主体とするＧＥ用材料に関するもので
ある。当初ジアゾ化合物と水溶性ポリマーであるポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）との混合系を検討したところ
、この暎はアワが発生し、露光後の透過率があまりよく
ない、また縮少投影露光装置で位置合わせをするとき、
アワの発生が合わせを困難にする。その原因は、ジアゾ
化合物の光分解によって窒素がＰ Ｖ Ａを十分透過で
きないためと考えられる。そこでいろいろな水溶性ポリ
マーを検討したところ、ポリビニルピロリドン、ビニル
ピロリドン共重合体を用いることによってアワの発生を
防ぐことができた。またこれらの水溶性ポリマーを用い
れば、ホトレジストとの混合層はできていないことも確
認した。
ビニルピロリドン共重合体としては、ビニルピロリドン
・酢酸ビニル共重合体、ビニルピロリドン・ジメチルア
ミノエチルメタクリレート共重合体、ビニルピロリドン
・ジメチルアミノエチルメタクリレート誘導体共ＪＲ合
体などがあるにれらの共重合体では、ビニルピロリドン
の部分がモノマ一単位で２０モル％以上含まれているも
のが好ましく、４０モル％以上含まれているものがより
好ましい。
・酢酸ビニル共重合体、ビニルピロリドン・ジメチルア
ミノエチルメタクリレート共重合体、ビニルピロリドン
・ジメチルアミノエチルメタクリレート誘導体共ＪＲ合
体などがあるにれらの共重合体では、ビニルピロリドン
の部分がモノマ一単位で２０モル％以上含まれているも
のが好ましく、４０モル％以上含まれているものがより
好ましい。
実際のプロセスに適用するためには、露光装置１ｔの露
光波長で光退色するジアゾニウム化合物を選ぶ必要があ
る。多くの縮少投影露光装置の露光波長は４３６ｎｍ
（ｇ線）であり、将来３６５ｎｍ（ｊ線）の利用も予定
されている。Ｃｆとが効率よく起こるためには、ジアゾ
ニウム化合物の露光波長における分子吸光係数が高いこ
と、その光分解生成物が露光波長に吸収を持たないこと
が望ましい。
光波長で光退色するジアゾニウム化合物を選ぶ必要があ
る。多くの縮少投影露光装置の露光波長は４３６ｎｍ
（ｇ線）であり、将来３６５ｎｍ（ｊ線）の利用も予定
されている。Ｃｆとが効率よく起こるためには、ジアゾ
ニウム化合物の露光波長における分子吸光係数が高いこ
と、その光分解生成物が露光波長に吸収を持たないこと
が望ましい。
そのようなジアゾニウム化合物として、例えばつぎのよ
うなものがある。
うなものがある。
（式中、Ｒ１，Ｒ２はメチル基、エチル基あるいは、Ｒ
１，Ｒ２はそれらが結合する窒素原子と共に複索環を形
成しても良く、Ｒ１，Ｒ４は水Ｍ、メチル基。
１，Ｒ２はそれらが結合する窒素原子と共に複索環を形
成しても良く、Ｒ１，Ｒ４は水Ｍ、メチル基。
エチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ブトキシ基を表わし、Ｘはアニオンを
表わす。）で表わされるジアゾニウム化合物がある。
ソプロポキシ基、ブトキシ基を表わし、Ｘはアニオンを
表わす。）で表わされるジアゾニウム化合物がある。
このような化合物として、ｉＨ用にはλｍ＆Ｘ＝３８０
ｎｍの４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノベンゼンジアゾニウ
ムクロリド塩化亜鉛複塩、４−Ｎ。
ｎｍの４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノベンゼンジアゾニウ
ムクロリド塩化亜鉛複塩、４−Ｎ。
Ｎ−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウムクロリド塩化
亜鉛複塩がある。ｇ線用には、λ１１ａＸ ＝４０８ｎ
ｍの４−（Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノ）−３メトキシ−ベ
ンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩、λ、ａｇ：
４０８ ｎ ｍの４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）−３
−エトキシ−ベンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複
塩ががある。
亜鉛複塩がある。ｇ線用には、λ１１ａＸ ＝４０８ｎ
ｍの４−（Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノ）−３メトキシ−ベ
ンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩、λ、ａｇ：
４０８ ｎ ｍの４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）−３
−エトキシ−ベンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複
塩ががある。
ＣＥ層としては、既に述べたように薄いと同時に光学濃
度が高くなければならない６そのためには塗布膜に、で
きるだけ多くのジアゾニウム化合物が相分離することな
く含まれろ必要がある。溶媒として水のみを用いていた
ときはにはＣＥ層の光学濃度を上げるのには限界があっ
た。しかし酢酸と水を混合溶媒として利用することによ
りジアゾニウム化合物の溶解性を２倍以上、上げること
を見い出した。従来ジアゾニウム化合物の安定剤として
クエン酸、マレイン酸などの有機酸を少量加えることは
知られているが、酢酸を溶媒として利用してジアゾニウ
ム化合物の溶解性を上げろことができたのは新たな発見
である。
度が高くなければならない６そのためには塗布膜に、で
きるだけ多くのジアゾニウム化合物が相分離することな
く含まれろ必要がある。溶媒として水のみを用いていた
ときはにはＣＥ層の光学濃度を上げるのには限界があっ
た。しかし酢酸と水を混合溶媒として利用することによ
りジアゾニウム化合物の溶解性を２倍以上、上げること
を見い出した。従来ジアゾニウム化合物の安定剤として
クエン酸、マレイン酸などの有機酸を少量加えることは
知られているが、酢酸を溶媒として利用してジアゾニウ
ム化合物の溶解性を上げろことができたのは新たな発見
である。
実施例１
４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）−３エトキシ−ベンゼ
ンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩１０重量部、ビニ
ルピロリドン−酢酸ビニル共重合体６重量部、酢酸２５
重量部、残部が水より成る組成物をＧＥ温溶液した。
ンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩１０重量部、ビニ
ルピロリドン−酢酸ビニル共重合体６重量部、酢酸２５
重量部、残部が水より成る組成物をＧＥ温溶液した。
まず市販のポジ型フォトレジスト０ＦＰＲ−８００（東
京応化工業株式会社製）の３０センチポアズの溶液をシ
リコンウェハ上に塗布した後、８０℃２０分間ベークし
、厚さ１．０μｍの下層膜を形成した。次いで上記ＣＥ
溶液を、０ＦＰＲ−８００の下層膜を形成したシリコン
ウェハ上にスピナで塗布し、空気中８０℃で３分間ベー
クし、厚さ０．４５μｍのＣＥＭを形成し、露光試料と
した。
京応化工業株式会社製）の３０センチポアズの溶液をシ
リコンウェハ上に塗布した後、８０℃２０分間ベークし
、厚さ１．０μｍの下層膜を形成した。次いで上記ＣＥ
溶液を、０ＦＰＲ−８００の下層膜を形成したシリコン
ウェハ上にスピナで塗布し、空気中８０℃で３分間ベー
クし、厚さ０．４５μｍのＣＥＭを形成し、露光試料と
した。
日立製ｇａ縮少投影露光装置ＲＡ５０１を用いて露光し
た後、水現像によりＣＥＭを除去し、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム２．３８重量パーセント水溶液を現像液
として４０秒間浸漬することにより、下層膜を現像した
。試料を取り出して、電子顕微鏡写真撮影を行い、ＣＥ
層のない場合との解像度を比較したところ、ＣＥ層無し
の場合０．６μｍのラインアンドペースが解像されなか
つだのに対し、ＣＥＭ在りの場合は、０．６μｍライン
アンドペースが解像された。
た後、水現像によりＣＥＭを除去し、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム２．３８重量パーセント水溶液を現像液
として４０秒間浸漬することにより、下層膜を現像した
。試料を取り出して、電子顕微鏡写真撮影を行い、ＣＥ
層のない場合との解像度を比較したところ、ＣＥ層無し
の場合０．６μｍのラインアンドペースが解像されなか
つだのに対し、ＣＥＭ在りの場合は、０．６μｍライン
アンドペースが解像された。
実施例２
２．５−ジー１ｓｏ−プロポキシ−４−モルホリノ−ベ
ンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩１７重量部、
ビニルピロリドン−酢酸ビニル共重合体３重量部、酢酸
４０重量部、残部が水から成る組成物をＧＥ温溶液した
。
ンゼンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩１７重量部、
ビニルピロリドン−酢酸ビニル共重合体３重量部、酢酸
４０重量部、残部が水から成る組成物をＧＥ温溶液した
。
このＣＥ溶液を用いて、実施例１と同じ条件でコントラ
ストエンハンスメントの効果を調べたところ、著しくコ
ントラストが向上していることを確認した。
ストエンハンスメントの効果を調べたところ、著しくコ
ントラストが向上していることを確認した。
実施例３
４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）−３メトキシ−ベンゼ
ンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩６重量部、ビニル
ピロリドン−酢酸ビニル共重合体９重量部、酢酸２５重
量部から成る組成物をＣＦ溶液とした。ＣＥ層の膜ノＩ
スを０．９μｍとした以外は、実施例１と同じ条件で行
ったところ、コントラストが著しく向上していることを
確認した。
ンジアゾニウムクロリド塩化亜鉛複塩６重量部、ビニル
ピロリドン−酢酸ビニル共重合体９重量部、酢酸２５重
量部から成る組成物をＣＦ溶液とした。ＣＥ層の膜ノＩ
スを０．９μｍとした以外は、実施例１と同じ条件で行
ったところ、コントラストが著しく向上していることを
確認した。
実施ｆＩ！４４
４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）−３−エトキシ−ベン
ゼンジアゾニウムクロリド鳴化罷＠挨塩１０重量部、ポ
リビニルピロリドン６重址部、酢酸２Ｓｆｆｉｔ部、残
部水から成る＠酸物を用いて。
ゼンジアゾニウムクロリド鳴化罷＠挨塩１０重量部、ポ
リビニルピロリドン６重址部、酢酸２Ｓｆｆｉｔ部、残
部水から成る＠酸物を用いて。
実施例１と同様シニシて、フントラストエンハンスメン
トの＃東を調べたところ、著しくコントラストが向上し
ていることをｌＩ婬した。
トの＃東を調べたところ、著しくコントラストが向上し
ていることをｌＩ婬した。
実施例５
４−Ｎ、Ｎ−ジメチＪレアミノベンゼンジアゾニウムク
ａリド塩化Ｉ［鉋屓塩１０重量部、ビニルピロリドン−
酢酸ビニル共重合体７ｆｆｉ量部、Ｗｐ酸２５重量部、
残部水から處ろ［ａ物をｃＥｍ液とした。
ａリド塩化Ｉ［鉋屓塩１０重量部、ビニルピロリドン−
酢酸ビニル共重合体７ｆｆｉ量部、Ｗｐ酸２５重量部、
残部水から處ろ［ａ物をｃＥｍ液とした。
実施例１と同様にして（’３ＦＰＲ−８００の下Ｍ膜を
形成し、上記ＣＥ洟＃！［１に用いて実施例１と同様に
して厚さ０．４３μｍのＣＥｌｎを形成し、露光試料と
した。パーキンエルマー製等倍投影霧光＊ｔＭ５００を
用いて露光した後、実施例１と同様にして現像を行った
。＠像後、試料の電子１［軸ｆａ零真を階映したところ
、（”−Ｔｉ層がない場合ド比べて、残！！Ｊ率が高く
、残膜新面形状もより矩形に近い形状となり、コントラ
ストの向上がＩＩ！！された。
形成し、上記ＣＥ洟＃！［１に用いて実施例１と同様に
して厚さ０．４３μｍのＣＥｌｎを形成し、露光試料と
した。パーキンエルマー製等倍投影霧光＊ｔＭ５００を
用いて露光した後、実施例１と同様にして現像を行った
。＠像後、試料の電子１［軸ｆａ零真を階映したところ
、（”−Ｔｉ層がない場合ド比べて、残！！Ｊ率が高く
、残膜新面形状もより矩形に近い形状となり、コントラ
ストの向上がＩＩ！！された。
実施例６
４−Ｎ、Ｎ−ジメチルレアミノベンゼンジアゾニウムク
ロリド壜化ｑｔ鉛襟堪１０重竜部、ビニルピロリドン−
＃酸ビニル共士舎体７重量部、＃酸２６曵ｔｓ、残部水
から處るａｔ戊物を、コントラストエンハンスメントｍ
ｗｉとした。実施例５と同じ方法で効果の確認を行った
ところ、コントラストが向上している二とが確認さハた
。
ロリド壜化ｑｔ鉛襟堪１０重竜部、ビニルピロリドン−
＃酸ビニル共士舎体７重量部、＃酸２６曵ｔｓ、残部水
から處るａｔ戊物を、コントラストエンハンスメントｍ
ｗｉとした。実施例５と同じ方法で効果の確認を行った
ところ、コントラストが向上している二とが確認さハた
。
（４ａ明の夷ｍ＃ｌ）
以上詳＠シ；説明したごとく１本発明によるＣＥ用材料
によれば、レジストパターンを形成するに必要な最小コ
ントラストを低下させることができるので、引用霧光Ｖ
ｌＩｌ！！を；■いて実質的に解像性を改曽できる１重
た本発明によるＧＥ川用せは水溶性ポリマー壷士体とし
ているので直接フォトレジストに愉市しても渦合層が認
められず、＊＊性ポリマーを主体とするＣＥＬ材料に比
ベプロセスを簡略化できた。
によれば、レジストパターンを形成するに必要な最小コ
ントラストを低下させることができるので、引用霧光Ｖ
ｌＩｌ！！を；■いて実質的に解像性を改曽できる１重
た本発明によるＧＥ川用せは水溶性ポリマー壷士体とし
ているので直接フォトレジストに愉市しても渦合層が認
められず、＊＊性ポリマーを主体とするＣＥＬ材料に比
ベプロセスを簡略化できた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定のコントラスト閾値を有するホトレジストが感
光する所定波長の光の使用によつて、前記所定のコント
ラスト閾値より小さくコントラストを持つ明暗のパター
ンの像を形成する際に、前記コントラストをエンハンス
メントしたパターンを前記ホトレジストに形成させるた
めに、前記ホトレジスト上に塗布形成するコントラスト
エンハンスメント用材料において、ジアゾニウム化合物
と、露光の際発生する窒素ガスによる発泡の防止、及び
均一な塗布膜を形成するための水溶性ポリマーとして、
ポリビニルピロリドン系ポリマーを用いることを特徴と
する感光性組成物。 ２、特許請求の範囲第１項のジアゾニウム化合物として
下記一般式で示されるジアゾニウム化合物を用いること
を特徴とする感光性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２はメチル基、エチル基あるいは
、Ｒ＿１、Ｒ＿２はそれらが結合する窒素原子と共に複
素環を形成しても良く、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、メチル
基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
、イソプロポキシ基、ブトキシ基を表わし、Ｘはアニオ
ンを表わす。） ３、特許請求の範囲第１項において、溶媒の一成分とし
て酢酸を用いることにより、ジアゾニウム化合物の安定
性と溶解性を高めたことを特徴とする感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27675585A JPS62136634A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27675585A JPS62136634A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136634A true JPS62136634A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17573889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27675585A Pending JPS62136634A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136634A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0318324A2 (en) * | 1987-11-27 | 1989-05-31 | Tosoh Corporation | Photosensitive resin composition and method for forming patterns using the same |
| JPH0895253A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 水溶性膜材料 |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27675585A patent/JPS62136634A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0318324A2 (en) * | 1987-11-27 | 1989-05-31 | Tosoh Corporation | Photosensitive resin composition and method for forming patterns using the same |
| JPH0895253A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 水溶性膜材料 |
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