JPS62134909A - 表面処理された磁性体の製造方法 - Google Patents
表面処理された磁性体の製造方法Info
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- JPS62134909A JPS62134909A JP27529385A JP27529385A JPS62134909A JP S62134909 A JPS62134909 A JP S62134909A JP 27529385 A JP27529385 A JP 27529385A JP 27529385 A JP27529385 A JP 27529385A JP S62134909 A JPS62134909 A JP S62134909A
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- magnetic substance
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、耐食性改善のために表面処理された磁性体
とその製造方法に関する。
とその製造方法に関する。
磁性体表面の耐食性改善のために、当該表面を耐食性金
属膜で被覆したものがある。その場合、当該耐食性金属
膜を被覆する方法としては、電着塗装あるいはめっき処
理による方法が採られている。
属膜で被覆したものがある。その場合、当該耐食性金属
膜を被覆する方法としては、電着塗装あるいはめっき処
理による方法が採られている。
ところが、上記のような従来の磁性体においては、耐食
性改善効果があまり良くないという問題がある。その理
由の一つとして、磁性体と被覆膜との密着性が悪くてピ
ンホール等が生じ易く、そのため膜と磁性体との界面に
おいて腐食が進展し易く、更にはそれによって膜の剥離
が生じ易いということが挙げられる。
性改善効果があまり良くないという問題がある。その理
由の一つとして、磁性体と被覆膜との密着性が悪くてピ
ンホール等が生じ易く、そのため膜と磁性体との界面に
おいて腐食が進展し易く、更にはそれによって膜の剥離
が生じ易いということが挙げられる。
また、上記のような問題に加えて、膜を電着塗装によっ
て形成する場合には、塗装膜の厚みが通常数十μｍとな
って大き過ぎ、これが当該磁性体を使用する上で寸法誤
差等の原因になるという問題がある。一方、膜をめっき
処理によりて形成する場合は、めっき液によってむしろ
腐食が発生する場合があるという問題がある。
て形成する場合には、塗装膜の厚みが通常数十μｍとな
って大き過ぎ、これが当該磁性体を使用する上で寸法誤
差等の原因になるという問題がある。一方、膜をめっき
処理によりて形成する場合は、めっき液によってむしろ
腐食が発生する場合があるという問題がある。
そこでこの発明は、耐食性改善効果の大きい表面処理さ
れた磁性体と、そのような磁性体の製造方法であって従
来の方法のような問題点を有しないものを提供すること
を目的とする。
れた磁性体と、そのような磁性体の製造方法であって従
来の方法のような問題点を有しないものを提供すること
を目的とする。
この発明の表面処理された磁性体は、磁性体の表面に耐
食性金属膜を、かつ両者の界面付近に磁性体と耐食性金
属との混合層を形成していることを特徴とする。
食性金属膜を、かつ両者の界面付近に磁性体と耐食性金
属との混合層を形成していることを特徴とする。
この発明の製造方法は、真空中において、磁性体の表面
に耐食性金属を蒸着させ、その後またはそれと同時にそ
の蒸着面に不活性ガスイオンを照射して磁性体と耐食性
金属との混合層を形成し、ついで混合層が形成された磁
性体の表面に耐食性金属を蒸着させて耐食性金属膜を形
成することを特徴とする。
に耐食性金属を蒸着させ、その後またはそれと同時にそ
の蒸着面に不活性ガスイオンを照射して磁性体と耐食性
金属との混合層を形成し、ついで混合層が形成された磁
性体の表面に耐食性金属を蒸着させて耐食性金属膜を形
成することを特徴とする。
この発明の磁性体においては、混合層によって磁性体と
耐食性金属膜との界面の耐食性が向上すると共に、当該
混合層によって耐食性金属膜の磁性体に対する密着性が
向上し、それによって界面の腐食や当該膜の剥離も防止
される。従って、大きな耐食性改善効果が得られる。
耐食性金属膜との界面の耐食性が向上すると共に、当該
混合層によって耐食性金属膜の磁性体に対する密着性が
向上し、それによって界面の腐食や当該膜の剥離も防止
される。従って、大きな耐食性改善効果が得られる。
一方、この発明の製造方法においては、真空蒸着とイオ
ン照射を用いているため、従来の方法における問題点を
排除しつつ、耐食性改善効果の非常に優れた上記のよう
な表面処理された磁性体を製造することができる。
ン照射を用いているため、従来の方法における問題点を
排除しつつ、耐食性改善効果の非常に優れた上記のよう
な表面処理された磁性体を製造することができる。
第１図は、この発明に係る表面処理された磁性体の一実
施例を示す概略断面図である。この実施例に係る磁性体
２は、磁性体４の表面に耐食性金属膜８を、かつ両者の
界面付近に磁性体４と耐食性金属との混合層６を形成し
ている。更にこの例では、表面の耐食性を一層強化する
ために、耐食性金属［８の表面に当該耐食性金属の酸化
物系の不動態層ｌＯを形成している。
施例を示す概略断面図である。この実施例に係る磁性体
２は、磁性体４の表面に耐食性金属膜８を、かつ両者の
界面付近に磁性体４と耐食性金属との混合層６を形成し
ている。更にこの例では、表面の耐食性を一層強化する
ために、耐食性金属［８の表面に当該耐食性金属の酸化
物系の不動態層ｌＯを形成している。
耐食性金属膜８を成す耐食性金属としては、例えばＡｔ
ｓ Ｎｉ ｓ Ｃｒ ５ＹＳＴｉ ％ Ｚｒ ｓ Ｈ
ｆ ｓＮｂ ％ Ｔａ 、Ｐ ｔ ＳＡｕ ｓ Ｓ ｎ
等が採り得る。ただし、Ｐｔ、Ａｕの場合は不動態層１
ｏは形成されない。
ｓ Ｎｉ ｓ Ｃｒ ５ＹＳＴｉ ％ Ｚｒ ｓ Ｈ
ｆ ｓＮｂ ％ Ｔａ 、Ｐ ｔ ＳＡｕ ｓ Ｓ ｎ
等が採り得る。ただし、Ｐｔ、Ａｕの場合は不動態層１
ｏは形成されない。
上記のような磁性体２においては、混合層６によって磁
性体４と耐食性金属膜８との界面の耐食性が向上する。
性体４と耐食性金属膜８との界面の耐食性が向上する。
更に、当該混合層６によって耐食性金属膜８の磁性体４
に対する密着性が向上し、従来のピンホール等の発生が
防止され、それによって当該界面の腐食や耐食性金属膜
８の剥離も防止される。従って、大きな耐食性改善効果
が得られる。
に対する密着性が向上し、従来のピンホール等の発生が
防止され、それによって当該界面の腐食や耐食性金属膜
８の剥離も防止される。従って、大きな耐食性改善効果
が得られる。
尚、耐食性金属膜８の表面の不動態層１０は、空気中に
おける酸化によって自然に形成される場合もあるけれど
も、この実施例のように予め人為的にそれを形成してお
く方が耐食性強化の観点から好ましい。
おける酸化によって自然に形成される場合もあるけれど
も、この実施例のように予め人為的にそれを形成してお
く方が耐食性強化の観点から好ましい。
次に、上記のような磁性体２の製造方法の一例を第２図
および第３図を参照しながら説明する。
および第３図を参照しながら説明する。
まず第２図を参照して、真空容器（図示省略）内に表面
処理前の磁性体４が収納されており、当該磁性体４に向
けて蒸発源１２およびイオン源１８が配置されている。
処理前の磁性体４が収納されており、当該磁性体４に向
けて蒸発源１２およびイオン源１８が配置されている。
蒸発源１２は例えば電子ビーム蒸発源であり、蒸発材料
として前述したような耐食性金属１４を有しており、当
該金属１４の蒸気を磁性体４上に蒸着させることができ
る。イオン源１８は例えばパケット型イオン源であり、
イオン源物質を切り替えることにより、アルゴン等の不
活性ガスイオン２０あるいは酸素イオン２２を磁性体４
に向けて照射することができる。
として前述したような耐食性金属１４を有しており、当
該金属１４の蒸気を磁性体４上に蒸着させることができ
る。イオン源１８は例えばパケット型イオン源であり、
イオン源物質を切り替えることにより、アルゴン等の不
活性ガスイオン２０あるいは酸素イオン２２を磁性体４
に向けて照射することができる。
次に第３図を参照して、磁性体４の表面処理に際しては
、真空容器内を例えば１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ程度
にまで排気した後（Ａ）、蒸発源１２からの耐食性金属
１４を磁性体４の表面に後述するような厚みだけ蒸着さ
せる（Ｂ）。その後またはそれと同時に、その蒸着面に
イオン源１８からめ不活性ガスイオン２０を照射（注入
とも言える）して、磁性体４と耐食性金属１４との混合
層６を形成する（Ｃ）。次いで、混合層６が形成された
磁性体４の表面に蒸発源１２からの耐食性金属１４を所
定厚み、例えば１μｍ以上蒸着させて耐食性金属膜８を
形成する（Ｄ）。更にコーティフグ後の表面の耐食性を
一層強化するために、イオン源１８から酸素イオン２２
を引き出してこれを耐食性金属膜８の表面に照射してそ
こに酸化物系の不動態層１０、例えば耐食性金属膜８が
アルミニウムの場合は酸化アルミニウム層を形成するの
が好ましい（Ｅ）。以上によって第１図に示したような
表面処理された磁性体２が製造される。
、真空容器内を例えば１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ程度
にまで排気した後（Ａ）、蒸発源１２からの耐食性金属
１４を磁性体４の表面に後述するような厚みだけ蒸着さ
せる（Ｂ）。その後またはそれと同時に、その蒸着面に
イオン源１８からめ不活性ガスイオン２０を照射（注入
とも言える）して、磁性体４と耐食性金属１４との混合
層６を形成する（Ｃ）。次いで、混合層６が形成された
磁性体４の表面に蒸発源１２からの耐食性金属１４を所
定厚み、例えば１μｍ以上蒸着させて耐食性金属膜８を
形成する（Ｄ）。更にコーティフグ後の表面の耐食性を
一層強化するために、イオン源１８から酸素イオン２２
を引き出してこれを耐食性金属膜８の表面に照射してそ
こに酸化物系の不動態層１０、例えば耐食性金属膜８が
アルミニウムの場合は酸化アルミニウム層を形成するの
が好ましい（Ｅ）。以上によって第１図に示したような
表面処理された磁性体２が製造される。
上記の場合、混合層６の厚みは、磁性体４と耐食性金属
膜８との界面の耐食性強化や耐食性金属膜８の磁性体４
に対する密着性強化のためには、なるべく厚い方が好ま
しい。当該混合層６の厚みは具体的には照射イオン２０
のエネルギー等に依存するけれども、そのエネルギーが
大き過ぎたりあるいはその注入量が多過ぎたりすると、
逆に混合層６内にピンホール等の欠陥部を招き易い。そ
こでより具体的方法としては、次のようにするのが好ま
しい。
膜８との界面の耐食性強化や耐食性金属膜８の磁性体４
に対する密着性強化のためには、なるべく厚い方が好ま
しい。当該混合層６の厚みは具体的には照射イオン２０
のエネルギー等に依存するけれども、そのエネルギーが
大き過ぎたりあるいはその注入量が多過ぎたりすると、
逆に混合層６内にピンホール等の欠陥部を招き易い。そ
こでより具体的方法としては、次のようにするのが好ま
しい。
■ 磁性体４に予め蒸着させる耐食性金属１４の厚みは
、注入する不活性ガスイオン２０の飛程（平均射影飛程
）程度の厚み、あるいはそれ以下とする。これは、蒸着
させた耐食性金属１４の全部が混合層６となるようにす
るためである。
、注入する不活性ガスイオン２０の飛程（平均射影飛程
）程度の厚み、あるいはそれ以下とする。これは、蒸着
させた耐食性金属１４の全部が混合層６となるようにす
るためである。
■ 不活性ガスイオン２０のエネルギーは例えば５０〜
１００ＫｅＶ程度とし、その注入量は例えば１０１５〜
１０′フイオン／ｃｍ”程度とする。エネルギーを上記
範囲にするのは飛程が適当になるからであり、一方性入
量を上記範囲とするのは、注入量が１０１８以上だと混
合層６内にピンホール等の欠陥ができ易く、逆に１０′
４以下だと混合層６ができにくいからである。
１００ＫｅＶ程度とし、その注入量は例えば１０１５〜
１０′フイオン／ｃｍ”程度とする。エネルギーを上記
範囲にするのは飛程が適当になるからであり、一方性入
量を上記範囲とするのは、注入量が１０１８以上だと混
合層６内にピンホール等の欠陥ができ易く、逆に１０′
４以下だと混合層６ができにくいからである。
例えば耐食性金属１４、耐食性金属膜８としてアルミニ
ウムを、不活性ガスイオン２０としてアルゴンイオンを
用いる場合、上記のようなエネルギーでのアルミニウム
中のアルゴンイオンの飛程は、ＬＳＳ理論による計算で
は例えば１００ＫｅＶでは約８８０Ａ程度であるため、
アルゴンイオン照射前のアルミニウムの蒸着は例えば９
００Ａ程度の厚みだけ行う。
ウムを、不活性ガスイオン２０としてアルゴンイオンを
用いる場合、上記のようなエネルギーでのアルミニウム
中のアルゴンイオンの飛程は、ＬＳＳ理論による計算で
は例えば１００ＫｅＶでは約８８０Ａ程度であるため、
アルゴンイオン照射前のアルミニウムの蒸着は例えば９
００Ａ程度の厚みだけ行う。
尚、耐食性金属膜８のコーテイング後の酸素イオン２２
の照射は、例えばそのエネルギーを１０〜４０ＫｅＶ程
度、照射量１０′５〜１０１フイオン／ｃｆｆｌｚ程度
とする。ここでエネルギーを若干下げているのは、酸素
イオン２２によって耐食性金属膜８の表面がスパツタリ
ングされるのを防止するためである。
の照射は、例えばそのエネルギーを１０〜４０ＫｅＶ程
度、照射量１０′５〜１０１フイオン／ｃｆｆｌｚ程度
とする。ここでエネルギーを若干下げているのは、酸素
イオン２２によって耐食性金属膜８の表面がスパツタリ
ングされるのを防止するためである。
上記のような製造方法においては、一様に（即ち均一性
良く）混合層６や耐食性金属膜８を形成することができ
ると共に、当該耐食性金属膜８の密着強度も強く、また
その膜厚調整も容易であるため、耐食性改善効果の非常
に優れた前述したような構造の磁性体２を製造すること
ができる。しかも従来の電着塗装における塗装膜が厚過
ぎるといった問題や、めっき処理におけるめっき液によ
る腐食発生といった問題も無い。
良く）混合層６や耐食性金属膜８を形成することができ
ると共に、当該耐食性金属膜８の密着強度も強く、また
その膜厚調整も容易であるため、耐食性改善効果の非常
に優れた前述したような構造の磁性体２を製造すること
ができる。しかも従来の電着塗装における塗装膜が厚過
ぎるといった問題や、めっき処理におけるめっき液によ
る腐食発生といった問題も無い。
以上のように、この発明に係る表面処理された磁性体に
おいては、大きな耐食性改善効果が得られる。
おいては、大きな耐食性改善効果が得られる。
またこの発明に係る製造方法においては、真空蒸着とイ
オン照射を用いているため、従来の方法における問題点
を排除しつつ、耐食性改善効果の非常に優れた表面処理
された磁性体を製造することができる。
オン照射を用いているため、従来の方法における問題点
を排除しつつ、耐食性改善効果の非常に優れた表面処理
された磁性体を製造することができる。
第１図は、この発明に係る表面処理された磁性体の一実
施例を示す概略断面図である。第２図は、この発明に係
る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図である。 第３図は、この発明に係る製造方法の一実施例を示す工
程図である。 ２・・・表面処理された磁性体、４・・・磁性体、６・
・・混合層、８・・・耐食性金属膜、１０・・・不動態
層、１２・・・蒸発源、１４・・・耐食性金属、１８・
・・イオン源、２０．・・不活性ガスイオン、２２・・
・酸素イオン
施例を示す概略断面図である。第２図は、この発明に係
る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図である。 第３図は、この発明に係る製造方法の一実施例を示す工
程図である。 ２・・・表面処理された磁性体、４・・・磁性体、６・
・・混合層、８・・・耐食性金属膜、１０・・・不動態
層、１２・・・蒸発源、１４・・・耐食性金属、１８・
・・イオン源、２０．・・不活性ガスイオン、２２・・
・酸素イオン
Claims (2)
- （１）磁性体の表面に耐食性金属膜を、かつ両者の界面
付近に磁性体と耐食性金属との混合層を形成しているこ
とを特徴とする表面処理された磁性体。 - （２）真空中において、磁性体の表面に耐食性金属を蒸
着させ、その後またはそれと同時にその蒸着面に不活性
ガスイオンを照射して磁性体と耐食性金属との混合層を
形成し、ついで混合層が形成された磁性体の表面に耐食
性金属を蒸着させて耐食性金属膜を形成することを特徴
とする表面処理された磁性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275293A JPH0746646B2 (ja) | 1985-12-07 | 1985-12-07 | 表面処理された磁性体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275293A JPH0746646B2 (ja) | 1985-12-07 | 1985-12-07 | 表面処理された磁性体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134909A true JPS62134909A (ja) | 1987-06-18 |
| JPH0746646B2 JPH0746646B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=17553409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275293A Expired - Lifetime JPH0746646B2 (ja) | 1985-12-07 | 1985-12-07 | 表面処理された磁性体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746646B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298189A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Japan Carlit Co Ltd:The | 電解用電極 |
| JPH03267742A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-28 | Hitachi Ltd | ゼーマン原子吸光光度計 |
| CN112176286A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 一种覆层、具有该覆层的金属磁体及该覆层的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131964A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Nissin Electric Co Ltd | 膜被覆物の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-07 JP JP60275293A patent/JPH0746646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131964A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Nissin Electric Co Ltd | 膜被覆物の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298189A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Japan Carlit Co Ltd:The | 電解用電極 |
| JPH0572478B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1993-10-12 | Japan Carlit Co Ltd | |
| JPH03267742A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-28 | Hitachi Ltd | ゼーマン原子吸光光度計 |
| CN112176286A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 一种覆层、具有该覆层的金属磁体及该覆层的制备方法 |
| CN112176286B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-07-15 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 一种覆层、具有该覆层的金属磁体及该覆层的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746646B2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |