JPS62133078A - 金属膜の熱処理装置 - Google Patents
金属膜の熱処理装置Info
- Publication number
- JPS62133078A JPS62133078A JP27422085A JP27422085A JPS62133078A JP S62133078 A JPS62133078 A JP S62133078A JP 27422085 A JP27422085 A JP 27422085A JP 27422085 A JP27422085 A JP 27422085A JP S62133078 A JPS62133078 A JP S62133078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- insulator
- microwave
- jig
- resonator
- Prior art date
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- Granted
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- Chemically Coating (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は絶縁物の表面に形成された金属膜の熱処理装置
に関する。
に関する。
（従来技術）
一般に、マイクロ波領域て使用される電気部品には、セ
ラミックやガラス等の絶縁物の上にＴｉ極として、銅（
Ｃｕ）、アルミニラＡ、（ＡＱ）、あるいは銀（Ａｇ）
等の金属膜を形成したらのかある。この金属膜は無電解
メッキにより絶縁物の上に形成された後、アニール（焼
きなまし）が行なわれる。これは、高温にて、金属粒の
成長をはかるととらに、絶縁物の表面での金属粒の拡散
による金属膜の絶縁物との接合強度を高めるために行な
われる。
ラミックやガラス等の絶縁物の上にＴｉ極として、銅（
Ｃｕ）、アルミニラＡ、（ＡＱ）、あるいは銀（Ａｇ）
等の金属膜を形成したらのかある。この金属膜は無電解
メッキにより絶縁物の上に形成された後、アニール（焼
きなまし）が行なわれる。これは、高温にて、金属粒の
成長をはかるととらに、絶縁物の表面での金属粒の拡散
による金属膜の絶縁物との接合強度を高めるために行な
われる。
従来、この金属膜のアニールは、上記電気部品を雰囲気
炉中に収容し、所定の雰囲気ガス中で上記電気部品全体
を加熱することにより行なわれていた。
炉中に収容し、所定の雰囲気ガス中で上記電気部品全体
を加熱することにより行なわれていた。
ところで、上記のように、雰囲気炉を使用して電気部品
全体を加熱して金属膜をアニールすると、雰囲気炉に収
容して処理する電気部品の数ｍにより、アニールに要す
る時間か左右される。また、電気部品全体が加熱される
ので、アニール後、絶縁物が冷えるまでに時間がかかり
、金属粒の絶縁物への拡散が進み過ぎ、金属膜の高周波
抵抗値が大きくなってしまうことがあった。さらに、絶
縁物は、金属膜のアニール時の温度管理か適切に行なわ
れない場合は、変質してしまうという問題があった。
全体を加熱して金属膜をアニールすると、雰囲気炉に収
容して処理する電気部品の数ｍにより、アニールに要す
る時間か左右される。また、電気部品全体が加熱される
ので、アニール後、絶縁物が冷えるまでに時間がかかり
、金属粒の絶縁物への拡散が進み過ぎ、金属膜の高周波
抵抗値が大きくなってしまうことがあった。さらに、絶
縁物は、金属膜のアニール時の温度管理か適切に行なわ
れない場合は、変質してしまうという問題があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、絶縁物の表面に形成された金属膜をマ
イクロ波を使用して短時間で熱処理し、金属膜の高周波
表面抵抗を小さくするとともに、金属膜の絶縁物に対す
る接合強度を高めるＬうにした金属膜の熱処理装置を提
供することである。
イクロ波を使用して短時間で熱処理し、金属膜の高周波
表面抵抗を小さくするとともに、金属膜の絶縁物に対す
る接合強度を高めるＬうにした金属膜の熱処理装置を提
供することである。
（発明の構成）
このため、本発明は、絶縁物がその表面に形成されて熱
処理される金属膜とともにマイクロ波共振器の一部を構
成していることを特徴としている。
処理される金属膜とともにマイクロ波共振器の一部を構
成していることを特徴としている。
表面に金属膜が形成された上記絶縁物は、冶具と組み合
イつされてマイクロ波共振器を構成し、このマイクロ波
共振器に導入されたマイクロ波により上記金属膜が加熱
され、熱処理される。
イつされてマイクロ波共振器を構成し、このマイクロ波
共振器に導入されたマイクロ波により上記金属膜が加熱
され、熱処理される。
（発明の効果）
本発明によれば、絶縁物の表面に形成された金属膜のみ
がマイクロ波により効率よく加熱されるので、絶縁物の
温度上昇が小さく、金属膜中の金属粒の適度な拡散が行
なわれ、金属膜の高周波表面抵抗値の増大を抑えること
ができ、金属膜の熱処理の熱により絶縁物か熱化学反応
して変質するのを防＋ｈすることかてきろ。また、本発
明によれば、厚みのρ、Ｖい金騎１漠に直接、マイクロ
波のエネルギーか与えられるので、金属膜の温度上界が
きわめて速く、金属膜の熱処理時間ら大幅に短縮されろ
。
がマイクロ波により効率よく加熱されるので、絶縁物の
温度上昇が小さく、金属膜中の金属粒の適度な拡散が行
なわれ、金属膜の高周波表面抵抗値の増大を抑えること
ができ、金属膜の熱処理の熱により絶縁物か熱化学反応
して変質するのを防＋ｈすることかてきろ。また、本発
明によれば、厚みのρ、Ｖい金騎１漠に直接、マイクロ
波のエネルギーか与えられるので、金属膜の温度上界が
きわめて速く、金属膜の熱処理時間ら大幅に短縮されろ
。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の実１血例を説明する
。
。
第１図に、円板状の絶縁物Ｉの主表面に形成された金属
膜２を熱処理する場合の実施例を示す。
膜２を熱処理する場合の実施例を示す。
上記絶縁物１は、その主表面に形成された金属膜２と、
次に説明する一端開口状の筒状の冶具３とにより、Ｔ
Ｅ 、 、 、モードのマイクロ波共振器４を構成する
。
次に説明する一端開口状の筒状の冶具３とにより、Ｔ
Ｅ 、 、 、モードのマイクロ波共振器４を構成する
。
上記冶具３は、真ちゅうらしくはアルミニウム等の金属
からなり、その底部３ａに形成されたコネクタ取付孔３
ｂに、マイクロ波を上記マイクロ波共振器４に導入する
ための同軸コネクタ５が取着されている。この同軸コネ
クタ５の中心導体５ａには導線６の一端が半田付けされ
、この導線らはＵ字状に湾曲されてその他端が冶具３の
底部３ａの内面に半田付けされる。上記治具３の開口端
には、絶縁物ｌがその主表面に形成された金属膜２を冶
具３の内側に向けて固定される。
からなり、その底部３ａに形成されたコネクタ取付孔３
ｂに、マイクロ波を上記マイクロ波共振器４に導入する
ための同軸コネクタ５が取着されている。この同軸コネ
クタ５の中心導体５ａには導線６の一端が半田付けされ
、この導線らはＵ字状に湾曲されてその他端が冶具３の
底部３ａの内面に半田付けされる。上記治具３の開口端
には、絶縁物ｌがその主表面に形成された金属膜２を冶
具３の内側に向けて固定される。
このような構成において、図示しないマイクロ波発振源
を同軸コネクタ５に接続すると、絶縁物１の金属膜２と
冶具３とにより構成されるマイクロ波共振器４の内部に
て、ＴＥ、、、モードの共振が生じる。このとき、マイ
クロ波エネルギは、主として、絶縁物１の主表面に形成
された金属膜２に与えられ、金属膜２の温度が上昇する
。
を同軸コネクタ５に接続すると、絶縁物１の金属膜２と
冶具３とにより構成されるマイクロ波共振器４の内部に
て、ＴＥ、、、モードの共振が生じる。このとき、マイ
クロ波エネルギは、主として、絶縁物１の主表面に形成
された金属膜２に与えられ、金属膜２の温度が上昇する
。
いま、上記金属膜２の材料が銅（Ｃｕ）であり、その厚
みが５μｍで、表面積が１００ｃｍ’とすると、銅の比
熱は０ 、３８ ｊｏｕｌ／ｇ、比重は８．９であるか
ら、上記金属膜２の熱当ｆｆ１Ｗは、Ｗ＝０．０００５
ｘ１００ｘ８．９ｘＯ，３Ｂ−〇 、 Ｉ ６ ｊｏｕ
ｌ／ｄｅｇｒｅｅである。同軸コネクタからマイクロ波
共振器４に入力するパワーを１００ワツトとすると、Ｌ
秒間における上記金属膜２の温度上昇は、絶縁物ｌを通
して熱が逃げないとした場合、 である。従って、上記金属）莫２は１秒間に６２５℃温
度が上昇ずろ。これにより、上記金属膜２を急速に加熱
し、熱処理することができろ。
みが５μｍで、表面積が１００ｃｍ’とすると、銅の比
熱は０ 、３８ ｊｏｕｌ／ｇ、比重は８．９であるか
ら、上記金属膜２の熱当ｆｆ１Ｗは、Ｗ＝０．０００５
ｘ１００ｘ８．９ｘＯ，３Ｂ−〇 、 Ｉ ６ ｊｏｕ
ｌ／ｄｅｇｒｅｅである。同軸コネクタからマイクロ波
共振器４に入力するパワーを１００ワツトとすると、Ｌ
秒間における上記金属膜２の温度上昇は、絶縁物ｌを通
して熱が逃げないとした場合、 である。従って、上記金属）莫２は１秒間に６２５℃温
度が上昇ずろ。これにより、上記金属膜２を急速に加熱
し、熱処理することができろ。
なお、上記マイクロ波共振器１１に人力されるマイクロ
波の波長は、好ましくは、上記金属膜２の厚み程度のも
のであることが好ましい。これは、Ｌ記マイクロ波共振
器４に人力されるマイクロ波の波長が金属膜２の厚さ上
りら長くなると、マイクロ波の電磁界が金属膜２を越え
て絶縁物ｌ中に侵入し、絶縁物ｌも加熱されてしまい、
効率が低下４゛るからである。
波の波長は、好ましくは、上記金属膜２の厚み程度のも
のであることが好ましい。これは、Ｌ記マイクロ波共振
器４に人力されるマイクロ波の波長が金属膜２の厚さ上
りら長くなると、マイクロ波の電磁界が金属膜２を越え
て絶縁物ｌ中に侵入し、絶縁物ｌも加熱されてしまい、
効率が低下４゛るからである。
次に、本発明のいま一つの実施例を第２図に示す。この
実施例では、円筒状の絶縁物１１の内周面に形成された
金属膜１２の熱処理を行う。上記絶縁物１１は、その一
端側の開口には冶具１３か固定され、また、他端側の開
口には冶具１４が固定される。
実施例では、円筒状の絶縁物１１の内周面に形成された
金属膜１２の熱処理を行う。上記絶縁物１１は、その一
端側の開口には冶具１３か固定され、また、他端側の開
口には冶具１４が固定される。
上記冶具Ｉ３は真らゆうらしくはアルミニウム等の金属
からなる深さかｄｌのギヤツブ状のらので、その底部１
３ａに形成されたコネクタ取付孔＋３ｂに、第１図と同
様の同軸コネクタ５が取若され、その中心導体５ａには
導線６か半田付けされている。この導線６はＵ字状に湾
曲されてその他端が冶具１３の底部１３ａの内面に半田
付けされる。
からなる深さかｄｌのギヤツブ状のらので、その底部１
３ａに形成されたコネクタ取付孔＋３ｂに、第１図と同
様の同軸コネクタ５が取若され、その中心導体５ａには
導線６か半田付けされている。この導線６はＵ字状に湾
曲されてその他端が冶具１３の底部１３ａの内面に半田
付けされる。
一方、いま一つの治具１４は、冶具１３と同様に、真ち
ゅうもしくはアルミニウム等の金属からなる深さｄ、の
キャンプ状のものである。これら冶具１３および１４と
、上記絶縁物１１の内周面に形成された金属膜１２とに
より、第１図と同様のＴ Ｅ 、 、 。
ゅうもしくはアルミニウム等の金属からなる深さｄ、の
キャンプ状のものである。これら冶具１３および１４と
、上記絶縁物１１の内周面に形成された金属膜１２とに
より、第１図と同様のＴ Ｅ 、 、 。
モードのマイクロ波共振器１５が形成される。
この実施例においても、同軸コネクタ５に図示しないマ
イクロ波発振源を接続すれば、マイクロ波、”；Ｊｌｉ
ｉ３１５の内部にて、ＴＥｏｌ＋モードの共振が生じ、
絶縁物１１の内周面に形成された金属膜１２が加熱され
、熱処理される。
イクロ波発振源を接続すれば、マイクロ波、”；Ｊｌｉ
ｉ３１５の内部にて、ＴＥｏｌ＋モードの共振が生じ、
絶縁物１１の内周面に形成された金属膜１２が加熱され
、熱処理される。
なお、上記実施例において、マイクロ波共振器１５の内
部での高周波電流の分布は第２図において曲線１１で示
すようになり、高周波′１１流は絶縁物］１の中央で最
大の値Ｉ。となり、冶具１３おにび１４の底面では零と
なる。従って、冶具１３および１・１の底面の近傍では
高周波電流か小さくなり、マイクロ波による充分な加熱
か行なわれない。
部での高周波電流の分布は第２図において曲線１１で示
すようになり、高周波′１１流は絶縁物］１の中央で最
大の値Ｉ。となり、冶具１３おにび１４の底面では零と
なる。従って、冶具１３および１・１の底面の近傍では
高周波電流か小さくなり、マイクロ波による充分な加熱
か行なわれない。
そこで、上記実施例では、冶具Ｉ３およびｌｌＩとして
、深さｄｌおよびｄ、を有するらのを使用し、絶縁物Ｉ
Ｉの両開口端においてら、高周波電流りおよび■、が流
れ、金属膜１２が全ての位置でほぼ均一に加熱されるよ
うにしている。
、深さｄｌおよびｄ、を有するらのを使用し、絶縁物Ｉ
Ｉの両開口端においてら、高周波電流りおよび■、が流
れ、金属膜１２が全ての位置でほぼ均一に加熱されるよ
うにしている。
次に、本発明のさらにいま一つの実施例を第３図に示す
。この実施例では、底部２１ａの中心に柱体２１ｂを有
する一端開口状の絶縁物２Ｉの内周面に形成された金属
膜２２の熱処理を行う。絶縁物２１の開口端には、この
絶縁物２１の横断面と同一の横断面を有する金属製の冶
具２３が固定される。
。この実施例では、底部２１ａの中心に柱体２１ｂを有
する一端開口状の絶縁物２Ｉの内周面に形成された金属
膜２２の熱処理を行う。絶縁物２１の開口端には、この
絶縁物２１の横断面と同一の横断面を有する金属製の冶
具２３が固定される。
上記冶具２３と絶縁物２Ｉの内周面に形成された金属膜
２２とは、治具２３の絶縁体２１とは反対側の開口端を
オーブン面とするＴＥＭ共振器２５を＋７．Ｆ、成する
。上記開口端には、ＴＥＭ共振器２５にマイクロ波を導
くための同軸コネクタ５が配置され、この同軸コネクタ
５の中心導体５ａには直線状のアンテナ導線６°が半田
付けされている。
２２とは、治具２３の絶縁体２１とは反対側の開口端を
オーブン面とするＴＥＭ共振器２５を＋７．Ｆ、成する
。上記開口端には、ＴＥＭ共振器２５にマイクロ波を導
くための同軸コネクタ５が配置され、この同軸コネクタ
５の中心導体５ａには直線状のアンテナ導線６°が半田
付けされている。
上記実施例では、Ｔ Ｅ Ｍ共振器２５の内部にて、′
Ｆ■εＭモートの共振が生じ、絶縁物２Ｉの内周面に形
成された金属膜２２が加熱され、熱処理されろ。
Ｆ■εＭモートの共振が生じ、絶縁物２Ｉの内周面に形
成された金属膜２２が加熱され、熱処理されろ。
以」二に、形状の異なる３つの絶縁物１．１１および２
１に夫）７形成される金属膜２．１２および２２を熱処
理する場合の実施例を１悦明したが、第４図に示すよう
に、円筒らしくは円柱状の絶縁物３１の外周面に形成さ
れている金属膜３２を熱処理する場合には、一端開口状
の金属製の冶具３３の内部に上記絶縁物３１を同軸に固
定し、第３図と同様の′Ｉ″ＥＭ共振器を構成４−るよ
うにすればよい。
１に夫）７形成される金属膜２．１２および２２を熱処
理する場合の実施例を１悦明したが、第４図に示すよう
に、円筒らしくは円柱状の絶縁物３１の外周面に形成さ
れている金属膜３２を熱処理する場合には、一端開口状
の金属製の冶具３３の内部に上記絶縁物３１を同軸に固
定し、第３図と同様の′Ｉ″ＥＭ共振器を構成４−るよ
うにすればよい。
以」二の実施例では、従来、金属膜２，１２．２２およ
び３２の熱処理に３０分ないし６０分の時間を要したら
のが、１０秒ないし２０秒に短縮される。
び３２の熱処理に３０分ないし６０分の時間を要したら
のが、１０秒ないし２０秒に短縮される。
第１図および第２図は夫々ＴＥ、、、モードのマイクロ
波共振器を利用した金属膜の熱処理装置の２つの実施例
の縦断面図、 第３図および第４図は夫々ＴＥＭモードのマイクロ波共
振器を利用した金属膜の熱処理装置の２つの実施例の縦
断面図および斜視図である。 １．１１．２１．３１ 絶縁物、 ２、＋ ２．２２．３２・・・金属膜、３．１３．Ｉ４
，２３．３３・・冶具、５・・同軸コネクタ。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 第２Ｃ１
波共振器を利用した金属膜の熱処理装置の２つの実施例
の縦断面図、 第３図および第４図は夫々ＴＥＭモードのマイクロ波共
振器を利用した金属膜の熱処理装置の２つの実施例の縦
断面図および斜視図である。 １．１１．２１．３１ 絶縁物、 ２、＋ ２．２２．３２・・・金属膜、３．１３．Ｉ４
，２３．３３・・冶具、５・・同軸コネクタ。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 第２Ｃ１
Claims (1)
- （１）絶縁物の表面に形成された金属膜にマイクロ波に
よる電磁エネルギが与えられて加熱され、熱処理される
ようにした金属膜の熱処理装置において、 上記絶縁物がその表面に形成された金属膜とともにマイ
クロ波共振器の一部を構成していることを特徴とする金
属膜の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27422085A JPS62133078A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 金属膜の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27422085A JPS62133078A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 金属膜の熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133078A true JPS62133078A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0343345B2 JPH0343345B2 (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17538696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27422085A Granted JPS62133078A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 金属膜の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183207A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | ミリ波を用いた複合材料の加熱方法およびそれを用いた複合材料の形成方法 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP27422085A patent/JPS62133078A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183207A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | ミリ波を用いた複合材料の加熱方法およびそれを用いた複合材料の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343345B2 (ja) | 1991-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |