JPS62133061A - 絶縁金属基板及びその製造方法 - Google Patents
絶縁金属基板及びその製造方法Info
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- JPS62133061A JPS62133061A JP60272219A JP27221985A JPS62133061A JP S62133061 A JPS62133061 A JP S62133061A JP 60272219 A JP60272219 A JP 60272219A JP 27221985 A JP27221985 A JP 27221985A JP S62133061 A JPS62133061 A JP S62133061A
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- JP
- Japan
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- al2o3
- plasma
- alumina
- alpha
- metal substrate
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、金属ベースＩＣ基板や電源用トランジスタ絶
縁基板等に用いられる絶縁金属基板及びその製造方法に
関し、詳細には熱放散性に優れる上に靭性１耐割れ性、
耐剥離性を向上させることに成功した絶縁金属基板及び
その製造方法に関するものである。
縁基板等に用いられる絶縁金属基板及びその製造方法に
関し、詳細には熱放散性に優れる上に靭性１耐割れ性、
耐剥離性を向上させることに成功した絶縁金属基板及び
その製造方法に関するものである。
［従来の技術］
近年、電子部品やプリント回路等の高集積化が進展して
いるが、これに伴ない上記電子部品等から放散される熱
量が増大し、それによる悪影響が上記電子部品等の機能
に及んでいる。即ち上記放散熱は、上記電子部品等を装
着している絶縁基板（基板に絶縁層を設けたものや基板
と絶縁層を兼ねたもののことをいう）に放散されるから
、上記絶縁基板の熱放散性は上記電子部品等の機能を維
持していく上で重要な特性である。
いるが、これに伴ない上記電子部品等から放散される熱
量が増大し、それによる悪影響が上記電子部品等の機能
に及んでいる。即ち上記放散熱は、上記電子部品等を装
着している絶縁基板（基板に絶縁層を設けたものや基板
と絶縁層を兼ねたもののことをいう）に放散されるから
、上記絶縁基板の熱放散性は上記電子部品等の機能を維
持していく上で重要な特性である。
ところで上記絶縁基板としては、合成樹脂殊にエポキシ
樹脂（該エポキシ樹脂は基板及び絶縁層を兼ねる）等が
汎用されている。この様な絶縁基板は上記熱放散性が必
ずしも良好ではなく、従って上記合成樹脂以外の他の材
質を用いた絶縁基板の開発が待たれていた。
樹脂（該エポキシ樹脂は基板及び絶縁層を兼ねる）等が
汎用されている。この様な絶縁基板は上記熱放散性が必
ずしも良好ではなく、従って上記合成樹脂以外の他の材
質を用いた絶縁基板の開発が待たれていた。
そこで金属を基板として用いた絶縁基板（以下絶縁金属
基板という場合もある）について検討がなされた。こう
した絶縁金属基板としては、金属基板上にガラスエポキ
シ樹脂層やポリイミド樹脂層等を形成してなるものがま
ず第１に挙げられる。しかし上記ガラスエポキシ樹脂層
等は、耐電圧性には優れているが熱伝導率が低いという
欠点を有しているので、上記樹脂層の厚みを可及的に薄
くしても絶縁金属基板全体としての熱放散性は必ずしも
満足し得るレベルとはならなかった。
基板という場合もある）について検討がなされた。こう
した絶縁金属基板としては、金属基板上にガラスエポキ
シ樹脂層やポリイミド樹脂層等を形成してなるものがま
ず第１に挙げられる。しかし上記ガラスエポキシ樹脂層
等は、耐電圧性には優れているが熱伝導率が低いという
欠点を有しているので、上記樹脂層の厚みを可及的に薄
くしても絶縁金属基板全体としての熱放散性は必ずしも
満足し得るレベルとはならなかった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明者等は、この様に状況に鑑み上記ガラスエポキシ
樹脂層に代わるものとして、セラミックス層殊にアルミ
ナ層に着目し種々検討した。その結果、アルミナ層を絶
縁層として用いた絶縁金属基板（以下アルミナ絶縁金属
基板という場合もある）は、熱放散性に優れておりこの
点当初の意図に適うものであったが、上記アルミナ層の
靭性。
樹脂層に代わるものとして、セラミックス層殊にアルミ
ナ層に着目し種々検討した。その結果、アルミナ層を絶
縁層として用いた絶縁金属基板（以下アルミナ絶縁金属
基板という場合もある）は、熱放散性に優れておりこの
点当初の意図に適うものであったが、上記アルミナ層の
靭性。
耐割れ性、耐剥離性については必ずしも要求性能を満た
し得ないことが分かった。即ち上記アルミナ層は、その
靭性が劣っているのでアルミナ絶縁金属基板をわずかに
変形させただけて割れか生じる。またアルミナ絶縁金属
基板に回路パターンを形成するに当たっては、該アルミ
ナ絶縁金属基板上に導体ペーストをスクリーン印刷し、
該導体ペーストを焼成するといった方法があるが、これ
を用いた場合においては、該焼成時（最高温度は９００
〜１０００℃までに達する）の熱による上記アルミナ層
の剥離が著しい。更に銅箔エツチング法等によって形成
された回路パターン上に、電子部品等を半田付けすると
いう方法を用いた場合においても、上記アルミナ層の剥
離が生ずる。
し得ないことが分かった。即ち上記アルミナ層は、その
靭性が劣っているのでアルミナ絶縁金属基板をわずかに
変形させただけて割れか生じる。またアルミナ絶縁金属
基板に回路パターンを形成するに当たっては、該アルミ
ナ絶縁金属基板上に導体ペーストをスクリーン印刷し、
該導体ペーストを焼成するといった方法があるが、これ
を用いた場合においては、該焼成時（最高温度は９００
〜１０００℃までに達する）の熱による上記アルミナ層
の剥離が著しい。更に銅箔エツチング法等によって形成
された回路パターン上に、電子部品等を半田付けすると
いう方法を用いた場合においても、上記アルミナ層の剥
離が生ずる。
本発明はこうした事情を憂慮してなされたものであって
、熱放散性に優れる上に靭性、耐割れ性、耐剥離性を向
上させることのできる絶縁金属基板及びその製造方法を
提供しようとするものである。
、熱放散性に優れる上に靭性、耐割れ性、耐剥離性を向
上させることのできる絶縁金属基板及びその製造方法を
提供しようとするものである。
［問題点を解決する為の手段コ
本発明に係る絶縁金属基板とは、金属基板上にアルミナ
絶縁層を形成してなる絶縁金属基板において、上記絶縁
層としてγ−Ａｌ２Ｏ３が５〜４５重量％、残部が実質
的にα−Ａｌ２Ｏ３であるアルミナ層を形成したもので
あるところにその要旨か存在するものである。
絶縁層を形成してなる絶縁金属基板において、上記絶縁
層としてγ−Ａｌ２Ｏ３が５〜４５重量％、残部が実質
的にα−Ａｌ２Ｏ３であるアルミナ層を形成したもので
あるところにその要旨か存在するものである。
また上記絶縁金属基板を得るに当たって用いられる方法
とは、α−Ａｌ２Ｏ３原料粉を用い、プラズマ溶射法に
よりγ−Ａｌ２Ｏ３を５〜４５重量％含み且つ残部がα
−Ａｌ２Ｏ３であるアルミナ絶縁層を形成するところに
その要旨が存在するものである。
とは、α−Ａｌ２Ｏ３原料粉を用い、プラズマ溶射法に
よりγ−Ａｌ２Ｏ３を５〜４５重量％含み且つ残部がα
−Ａｌ２Ｏ３であるアルミナ絶縁層を形成するところに
その要旨が存在するものである。
［作用］
本発明者等は、前記アルミナ絶縁金属基板の機械的性質
が劣っている点について、アルミナ層の性状分析から検
討を開始した。その結果、上記アルミナ層のほとんどが
α−Ａｌ２Ｏ３から構成されていることを確認し、該α
−Ａｌ２Ｏ３の機械的性質がそのままアルミナ層のそれ
に反映していることを知った。
が劣っている点について、アルミナ層の性状分析から検
討を開始した。その結果、上記アルミナ層のほとんどが
α−Ａｌ２Ｏ３から構成されていることを確認し、該α
−Ａｌ２Ｏ３の機械的性質がそのままアルミナ層のそれ
に反映していることを知った。
ところでα−Ａｌ２Ｏ３と結晶形態を異にするものとし
てγ−Ａｌ２Ｏ３が知られ、ている。このγ−Ａｌ２Ｏ
３の物性については現在まで系統立った研究は余りなさ
れていないのが実情であるが、本発明者等はこのγ−Ａ
ｌ２Ｏ３について検討することとし、これを上記アルミ
ナ層に混入せしめて積極的に活用してやれば、上記機械
的性質に劣るという問題点を解決できるかも知れないと
の期待の下で研究を行なった。
てγ−Ａｌ２Ｏ３が知られ、ている。このγ−Ａｌ２Ｏ
３の物性については現在まで系統立った研究は余りなさ
れていないのが実情であるが、本発明者等はこのγ−Ａ
ｌ２Ｏ３について検討することとし、これを上記アルミ
ナ層に混入せしめて積極的に活用してやれば、上記機械
的性質に劣るという問題点を解決できるかも知れないと
の期待の下で研究を行なった。
そこで本発明者等は、プラズマ溶射法を用いて下記第１
表に示す如き溶射層を金属基板（軟鋼板）上に形成し、
夫々のアルミナ絶縁金属基板について曲げ角度や損傷の
形態を検討した。
表に示す如き溶射層を金属基板（軟鋼板）上に形成し、
夫々のアルミナ絶縁金属基板について曲げ角度や損傷の
形態を検討した。
その結果γ−Ａｌ２Ｏ３の含有率が５重量％以上になる
と、曲げ角度の上昇、即ち靭性の向上を果し得ることを
知った。しかし４５重量％を超えると、損傷の形態が割
れから剥離に変わることが認められたので、剥離の面か
ら検討することの必要性を痛感した。
と、曲げ角度の上昇、即ち靭性の向上を果し得ることを
知った。しかし４５重量％を超えると、損傷の形態が割
れから剥離に変わることが認められたので、剥離の面か
ら検討することの必要性を痛感した。
そこで前記アルミナ層の表面に金属片（約１ ｃｍ２）
を接着し、アルミナ絶縁金属基板を固定した状態のまま
上記金属片に引張力を加えて上記アルミナ層の！ＩＩ＃
Ｊ強度を測定し、その結果を上記第１表に併記した。上
記第１表よりγ−Ａｌ２Ｏ３の含有率が４５重量％を超
えると剥離強度は大幅に低下することが分かった。
を接着し、アルミナ絶縁金属基板を固定した状態のまま
上記金属片に引張力を加えて上記アルミナ層の！ＩＩ＃
Ｊ強度を測定し、その結果を上記第１表に併記した。上
記第１表よりγ−Ａｌ２Ｏ３の含有率が４５重量％を超
えると剥離強度は大幅に低下することが分かった。
尚前記金属基板上に、該金属成分の少なくとも数種を含
む冶金学的金属層を例えばプラズマ溶射法によって形成
し、これに前記アルミナ絶縁層を形成しても良い。この
様な絶縁金属基板は、スクリーン印刷された導体ペース
トを焼成するときの最高温度、即ち９００〜１０００℃
においてもそのアルミナ絶縁層が１！ｌＩ離しないもの
であった。このことは、アルミナ絶縁金属基板［ステン
レス板上にこれと同一成分のステンレス溶射膜（厚さ７
０μｍ）を形成し、これに種々条件を変えてアルミナ絶
縁層を形成することによって得た］を、９２５℃より空
冷した場合の上記アルミナ絶縁層について！ｌＪ離性等
を観察することによって確認された。
む冶金学的金属層を例えばプラズマ溶射法によって形成
し、これに前記アルミナ絶縁層を形成しても良い。この
様な絶縁金属基板は、スクリーン印刷された導体ペース
トを焼成するときの最高温度、即ち９００〜１０００℃
においてもそのアルミナ絶縁層が１！ｌＩ離しないもの
であった。このことは、アルミナ絶縁金属基板［ステン
レス板上にこれと同一成分のステンレス溶射膜（厚さ７
０μｍ）を形成し、これに種々条件を変えてアルミナ絶
縁層を形成することによって得た］を、９２５℃より空
冷した場合の上記アルミナ絶縁層について！ｌＪ離性等
を観察することによって確認された。
本発明に係る絶縁金属層を得るに当たっては、前述の如
くプラズマ溶射法を用いることが推奨されるが、以下該
プラズマ溶射法を用いるときの条件を踏まえつつ製造法
について説明する。
くプラズマ溶射法を用いることが推奨されるが、以下該
プラズマ溶射法を用いるときの条件を踏まえつつ製造法
について説明する。
α−Ａｌ２Ｏ３は、これを高温加熱後急冷することによ
ってγ−Ａｌ２Ｏ３に変ることが知られている。そこで
本発明者等は、α−Ａｌ２Ｏ３を原料粉としプラズマ溶
射条件を種々変化させつつγ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率に
ついて検討した。その結果、溶射ガンから放出されるα
−Ａｌ２Ｏ３の温度をできるだけ高温にすると共にこれ
を可及的大きい速度で極力速く冷却し、且つ上記アルミ
ナか金属基板に衝突するときの速度をできる限り上昇さ
せてやれば、γ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率を向上させ得る
との確証を得た。
ってγ−Ａｌ２Ｏ３に変ることが知られている。そこで
本発明者等は、α−Ａｌ２Ｏ３を原料粉としプラズマ溶
射条件を種々変化させつつγ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率に
ついて検討した。その結果、溶射ガンから放出されるα
−Ａｌ２Ｏ３の温度をできるだけ高温にすると共にこれ
を可及的大きい速度で極力速く冷却し、且つ上記アルミ
ナか金属基板に衝突するときの速度をできる限り上昇さ
せてやれば、γ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率を向上させ得る
との確証を得た。
もっともアーク溶射やガス溶射を行なったとしてもα−
Ａｌ２Ｏ３からγ−Ａｌ２Ｏ３へ変えることは可能であ
るが、こうした溶射法を利用した際のγ−Ａｌ２Ｏ３生
成効率はプラズマ溶射に比較して劣っていた。ちなみに
１０μｍ／秒の溶射層の形成速度で溶射を行なった場合
のγ−Ａｌ２Ｏ３生成率はプラズマ溶射では１９％、ガ
ス溶射では３％であった。しかしアーク溶射等を用いた
場合であっても、溶射ガンに加えるエネルギー、溶射ガ
ンと金属基板との距離や基板の温度等を調節することに
よって８％程度まで上昇させることは可能である。
Ａｌ２Ｏ３からγ−Ａｌ２Ｏ３へ変えることは可能であ
るが、こうした溶射法を利用した際のγ−Ａｌ２Ｏ３生
成効率はプラズマ溶射に比較して劣っていた。ちなみに
１０μｍ／秒の溶射層の形成速度で溶射を行なった場合
のγ−Ａｌ２Ｏ３生成率はプラズマ溶射では１９％、ガ
ス溶射では３％であった。しかしアーク溶射等を用いた
場合であっても、溶射ガンに加えるエネルギー、溶射ガ
ンと金属基板との距離や基板の温度等を調節することに
よって８％程度まで上昇させることは可能である。
また同じプラズマ溶射であっても、大気圧条件下で行な
った場合と減圧下で行なった場合とではγ−Ａｌ２Ｏ３
の生成効率に差異が認められた。
った場合と減圧下で行なった場合とではγ−Ａｌ２Ｏ３
の生成効率に差異が認められた。
１０μｍ／秒の溶射層の形成速度では前者が１９％であ
るのに対して後者が２９％であった。
るのに対して後者が２９％であった。
更に原料粉として用いられるα−Ａｌ２Ｏ３の粒度につ
いては、細かい程γ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率は高いとい
うことが分かっているが、本発明者等は粒度の好適範囲
を規定すべく、下記第２表の如きα−Ａｌ２Ｏ３を用い
てγ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率を検討した。
いては、細かい程γ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率は高いとい
うことが分かっているが、本発明者等は粒度の好適範囲
を規定すべく、下記第２表の如きα−Ａｌ２Ｏ３を用い
てγ−Ａｌ２Ｏ３の生成効率を検討した。
第 ２ 表
第２表より、粒径路２０μｍを超える原料粉が存在する
と、γ−Ａｌ２Ｏ３生成効率の低下を来たすことが分か
った。一方粒径２μｍ未満の原料粉においては、溶射ガ
ンへの供給が困難であること及び原料粉の調整が容易で
ないこと等の実用上の問題点が存在していた。
と、γ−Ａｌ２Ｏ３生成効率の低下を来たすことが分か
った。一方粒径２μｍ未満の原料粉においては、溶射ガ
ンへの供給が困難であること及び原料粉の調整が容易で
ないこと等の実用上の問題点が存在していた。
本発明者等は、以上の如き検討の結果アルミナ絶縁層に
γ−Ａｌ２Ｏ３を５〜４５重量％形成する為には下記の
如き条件が必要であることを知った。
γ−Ａｌ２Ｏ３を５〜４５重量％形成する為には下記の
如き条件が必要であることを知った。
（八）プラズマ溶射条件
電 流 ＝ ３００〜７００Ａ電 圧
； ４０〜８０Ｖ 溶射距餌 ： １００〜３００ｍｍ プラズマガス：ＡｒとＨ２の混合ガス （Ｂ）原料条件 Ｃｃ−Ａｌ２Ｏ３の粒径２〜２０μｍ ［実施例］ 実施例１ アルミ板上にγ−Ａｌ２Ｏ３２２％を含むアルミナ層を
１５０ミリバールの減圧下でプラズマ溶射を用い２００
μｍの厚みに形成し、次いて厚さ３５μｍの電解銅箔を
接着すると共にエツチング性により回路パターンを形成
し、この後耐電圧性や耐熱性等の試験を行なった。尚溶
射原料としては粒径２〜１７μｍのα−Ａｌ２Ｏ３を用
いた。
； ４０〜８０Ｖ 溶射距餌 ： １００〜３００ｍｍ プラズマガス：ＡｒとＨ２の混合ガス （Ｂ）原料条件 Ｃｃ−Ａｌ２Ｏ３の粒径２〜２０μｍ ［実施例］ 実施例１ アルミ板上にγ−Ａｌ２Ｏ３２２％を含むアルミナ層を
１５０ミリバールの減圧下でプラズマ溶射を用い２００
μｍの厚みに形成し、次いて厚さ３５μｍの電解銅箔を
接着すると共にエツチング性により回路パターンを形成
し、この後耐電圧性や耐熱性等の試験を行なった。尚溶
射原料としては粒径２〜１７μｍのα−Ａｌ２Ｏ３を用
いた。
その結果耐電圧は１０ＫＶと極めて良好であることが分
かり、また２６０℃、３０分加熱で行なった半田耐熱試
験後も上記アルミナ絶縁層の損傷及び耐電圧の劣化は認
められなかった。
かり、また２６０℃、３０分加熱で行なった半田耐熱試
験後も上記アルミナ絶縁層の損傷及び耐電圧の劣化は認
められなかった。
第１図は、上記アルミナ絶縁金属基板の熱放散性を検討
する目的で、上記アルミナ絶縁金属基板にチップ抵抗を
設けてこれに電圧を印加し、この時の供給電力に対する
上記チップ抵抗の温度変化を追跡した結果を示すグラフ
である。このグラフから本発明に係るアルミナ絶縁金属
基板は、合成樹脂性の基板を使用した絶縁基板に比較し
て、温度上昇が緩やかで熱放散性に優れた特性を有して
いることが分かった。
する目的で、上記アルミナ絶縁金属基板にチップ抵抗を
設けてこれに電圧を印加し、この時の供給電力に対する
上記チップ抵抗の温度変化を追跡した結果を示すグラフ
である。このグラフから本発明に係るアルミナ絶縁金属
基板は、合成樹脂性の基板を使用した絶縁基板に比較し
て、温度上昇が緩やかで熱放散性に優れた特性を有して
いることが分かった。
実施例２
ステンレス板上に、これと同一組成のステンレス粉（原
料粉の粒径２〜１７μｍ）をプラズマ溶ｎすすることに
よって厚さ約７０μｍのステンレス溶射膜を形成し、更
に該溶射膜上に厚さ１５０μｍのアルミナ絶縁層（γ−
Ａｌ２Ｏ３１３重量％）を減圧プラズマ溶射法によって
形成した。その後導体ペーストをスクリーン印刷し、８
７５℃で焼成した。
料粉の粒径２〜１７μｍ）をプラズマ溶ｎすすることに
よって厚さ約７０μｍのステンレス溶射膜を形成し、更
に該溶射膜上に厚さ１５０μｍのアルミナ絶縁層（γ−
Ａｌ２Ｏ３１３重量％）を減圧プラズマ溶射法によって
形成した。その後導体ペーストをスクリーン印刷し、８
７５℃で焼成した。
この時のアルミナ絶縁膜の状態について検討したところ
、亀裂や剥離等の損傷は全く認められず、耐電圧も７．
８ＫＶと良好な値を示していた。
、亀裂や剥離等の損傷は全く認められず、耐電圧も７．
８ＫＶと良好な値を示していた。
また上記第１図を得るに当たって行なったのと同様の検
討を行なったが、本実施例に係るアルミナ絶縁基板は優
れた熱放散性を有していることが分かった。
討を行なったが、本実施例に係るアルミナ絶縁基板は優
れた熱放散性を有していることが分かった。
［発明の効果］
本発明は、上述の如く構成されているので、熱放散性に
優れる上に靭性、耐割れ性、耐剥離性を向上させること
のできる絶縁金属基板及びその製造方法を提供すること
ができた。
優れる上に靭性、耐割れ性、耐剥離性を向上させること
のできる絶縁金属基板及びその製造方法を提供すること
ができた。
第１図は、本発明に係る絶縁金属基板の熱放散性を検討
する為のグラフである。
する為のグラフである。
Claims (2)
- （１）金属基板上にアルミナ絶縁層を形成してなる絶縁
金属基板において、上記絶縁層としてγ−Ａｌ＿２Ｏ＿
３が５〜４５重量％、、残部が実質的にα−Ａｌ＿２Ｏ
＿３であるアルミナ層を形成したものであることを特徴
とする絶縁金属基板。 - （２）金属基板上にアルミナ絶縁層を形成してなる絶縁
金属基板を製造する方法において、α−Ａｌ＿２Ｏ＿３
原料粉を用い、プラズマ溶射によりγ−Ａｌ＿２Ｏ＿３
を５〜４５重量％含み、残部が実質的にα−Ａｌ＿２Ｏ
＿３であるアルミナ絶縁層を形成することを特徴とする
絶縁金属基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60272219A JPS62133061A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 絶縁金属基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60272219A JPS62133061A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 絶縁金属基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133061A true JPS62133061A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17510772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60272219A Pending JPS62133061A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 絶縁金属基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133061A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display device |
| JPH01195642A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2011114010A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法ならびに電気機器 |
| JP2011129731A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体モジュール |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP60272219A patent/JPS62133061A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display device |
| JPH01195642A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2011114010A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法ならびに電気機器 |
| JP2011129731A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体モジュール |
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