JPS62132252A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JPS62132252A JPS62132252A JP60273855A JP27385585A JPS62132252A JP S62132252 A JPS62132252 A JP S62132252A JP 60273855 A JP60273855 A JP 60273855A JP 27385585 A JP27385585 A JP 27385585A JP S62132252 A JPS62132252 A JP S62132252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- signal
- width
- depth
- pit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザー等によって、すくなくとも情報の記録
、再生を行う光ディスクに関するものである。
、再生を行う光ディスクに関するものである。
〈従来技術〉
従来、光ディスクは、大容量のメモリとして開発が進め
られているが、追加可能メモ’J(TeOx等を媒体と
するDRAW方式のディスク)あるいは書き換え可能な
メモリ(希土類・遷移金属合金を媒体とする光磁気ディ
スク)等の光ディスクでは記録を行う溝状のグループ部
分と、トラックの位置情報をあらかじめピット(即ち微
細な孔)を基板に設けることで記録しであるトランクナ
ンバーの部分とを有している。
られているが、追加可能メモ’J(TeOx等を媒体と
するDRAW方式のディスク)あるいは書き換え可能な
メモリ(希土類・遷移金属合金を媒体とする光磁気ディ
スク)等の光ディスクでは記録を行う溝状のグループ部
分と、トラックの位置情報をあらかじめピット(即ち微
細な孔)を基板に設けることで記録しであるトランクナ
ンバーの部分とを有している。
第2図はこの基板の形状を表わしたものであって、光デ
ィスクの基板にグループ1とピット2を持っている。第
3図はこのピット2の形で記録されたトラックナンバー
を読み出した際の出力信号を表わしたものであってトラ
ックナンバーの信号3が検出されている。さて、このよ
うに検出されたトラックナンバーの信号は、通常増幅さ
れるときには、DCアンプでなくACアンプをもちいて
増幅される。そしてこのトラックナンバーの信号をその
信号の中央、すなわち0レベルでスライスして、デジタ
ル信号に変換すると第4図の波形を得る。しかし、この
ような信号処理を行なう場合、このトラックナンバーの
信号は、第5図のような形になる場合がある。即ち、第
3図における様にトラックナンバーの上向きの信号振幅
Llと、下向きの信号振幅L2とが異なるとき、ビット
部分によるトラックナンバーの信号はグループ部分とそ
のDC成分が異なる事により、ACアンプの過渡応答に
よって、信号の包絡線の最初の部分4が第5図のように
、うねりを生じるのである。このようになると、この信
号をデジタルに変換するために、信号全体としての0レ
ベルでスライススルと、上記した信号の最初の部分4で
は、トラックナンバーの信号を、信号の端のレベルで切
ることになり、この個所で誤ったデジタル信号が得られ
てしまい、エラーの原因となる。
ィスクの基板にグループ1とピット2を持っている。第
3図はこのピット2の形で記録されたトラックナンバー
を読み出した際の出力信号を表わしたものであってトラ
ックナンバーの信号3が検出されている。さて、このよ
うに検出されたトラックナンバーの信号は、通常増幅さ
れるときには、DCアンプでなくACアンプをもちいて
増幅される。そしてこのトラックナンバーの信号をその
信号の中央、すなわち0レベルでスライスして、デジタ
ル信号に変換すると第4図の波形を得る。しかし、この
ような信号処理を行なう場合、このトラックナンバーの
信号は、第5図のような形になる場合がある。即ち、第
3図における様にトラックナンバーの上向きの信号振幅
Llと、下向きの信号振幅L2とが異なるとき、ビット
部分によるトラックナンバーの信号はグループ部分とそ
のDC成分が異なる事により、ACアンプの過渡応答に
よって、信号の包絡線の最初の部分4が第5図のように
、うねりを生じるのである。このようになると、この信
号をデジタルに変換するために、信号全体としての0レ
ベルでスライススルと、上記した信号の最初の部分4で
は、トラックナンバーの信号を、信号の端のレベルで切
ることになり、この個所で誤ったデジタル信号が得られ
てしまい、エラーの原因となる。
〈発明の目的〉
本発明はこの点に鑑みて為されたものであって、グルー
プの部分とビットの部分とで、DC成分に差が出ないよ
うな、ディスクの構造に関するものである。
プの部分とビットの部分とで、DC成分に差が出ないよ
うな、ディスクの構造に関するものである。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明に係る光メモリ素子で
は、ある深さと幅を持ったグループと、それと異なる幅
、または深さをもつビットを有し、この深さと幅の組み
合わせを適切に選ぶことによって、上記の問題を解決し
ようというものである。
は、ある深さと幅を持ったグループと、それと異なる幅
、または深さをもつビットを有し、この深さと幅の組み
合わせを適切に選ぶことによって、上記の問題を解決し
ようというものである。
〈発明の実施例〉
以下、図面を用い本発明に係る実施例を詳細に説明する
。
。
基板に形成された微細なグループやビットを、レーザー
などのスポットで照射すると、グループやビットで光が
回折され、平坦な部分に比べて反射光量が減少する。こ
の反射光の強度(反射率)Dはグループの幅Wと深さd
によって第6図の様に変化する。ここで第3図における
ビットのない部分aでの反射光のレベルはほぼlであり
、グループ上すでの反射率はD(Wlldl)であり、
ビット上Cでの反射率はD (W 21 d 2 )で
ある。ここで、従来よりトラックナンバーの信号を顕著
なものとするために、 1)D(W1、dt))D(W2.d2)となるような
幅と深さ、(W1+dl+W2+d2)の組み合わせを
選んでグループ及びビットを作製していた。
などのスポットで照射すると、グループやビットで光が
回折され、平坦な部分に比べて反射光量が減少する。こ
の反射光の強度(反射率)Dはグループの幅Wと深さd
によって第6図の様に変化する。ここで第3図における
ビットのない部分aでの反射光のレベルはほぼlであり
、グループ上すでの反射率はD(Wlldl)であり、
ビット上Cでの反射率はD (W 21 d 2 )で
ある。ここで、従来よりトラックナンバーの信号を顕著
なものとするために、 1)D(W1、dt))D(W2.d2)となるような
幅と深さ、(W1+dl+W2+d2)の組み合わせを
選んでグループ及びビットを作製していた。
本発明では上記条件に加えて更にW1、W2.d1、d
2の組み合わせにおいて、 +−D(W1、dl)−D(Wt、dt) D(W2
.d2) (1)即ち、 2D(Wx、dt)=I+D(W2.d2)
(21となるように幅と深さW1+ W21
d t + d 2を設定したものである。このように
すると、これから得られる信号は、第1図のようになる
。即ち、トラックナンバーの信号の上半分の振幅L+と
、下半分の振幅L2が等しくなり、グループの部分のD
CレヘルトトラックナンバーのDCレベルが等しくなり
、この信号をAC増幅器に通しても、増幅器の過渡応答
の影響を受けることがなく、信号の包絡線にうねりは生
じ無い。このため0レベルでスライスしても信号の真ん
中でスライスすることになり、誤ったデジタル信号を得
ることがないものである。
2の組み合わせにおいて、 +−D(W1、dl)−D(Wt、dt) D(W2
.d2) (1)即ち、 2D(Wx、dt)=I+D(W2.d2)
(21となるように幅と深さW1+ W21
d t + d 2を設定したものである。このように
すると、これから得られる信号は、第1図のようになる
。即ち、トラックナンバーの信号の上半分の振幅L+と
、下半分の振幅L2が等しくなり、グループの部分のD
CレヘルトトラックナンバーのDCレベルが等しくなり
、この信号をAC増幅器に通しても、増幅器の過渡応答
の影響を受けることがなく、信号の包絡線にうねりは生
じ無い。このため0レベルでスライスしても信号の真ん
中でスライスすることになり、誤ったデジタル信号を得
ることがないものである。
上記(2)式のような関係を与える幅W1+W2 +
d 1 + d 2の組み合わせは無数にあるが、たと
えて例をあげれば、グループの線幅W+=0.8 ミク
ロンとし、dl=d2とすると、(2)式を満たすピッ
ト部分の線幅は第6図の結果より、約046ミクロンと
なる。
d 1 + d 2の組み合わせは無数にあるが、たと
えて例をあげれば、グループの線幅W+=0.8 ミク
ロンとし、dl=d2とすると、(2)式を満たすピッ
ト部分の線幅は第6図の結果より、約046ミクロンと
なる。
即チ、クループの線幅を0.8ミクロンとし、ピット部
分の線幅を0.46ミクロンとし、深さを同じにすると
、第1図のような信号が得られ、AC増幅器の過渡応答
の影響をか少なくなる。このほかにも式(2)を満たす
グループ幅と深さ、ピット幅と深さの組み合わせは、色
々有り、この例に限ることはなく、幅だけでなく深さを
変えても良い。
分の線幅を0.46ミクロンとし、深さを同じにすると
、第1図のような信号が得られ、AC増幅器の過渡応答
の影響をか少なくなる。このほかにも式(2)を満たす
グループ幅と深さ、ピット幅と深さの組み合わせは、色
々有り、この例に限ることはなく、幅だけでなく深さを
変えても良い。
〈発明の効果〉
このように本発明によれば、トラックナンバーの信号を
AC増幅器を通して増幅した場合でも、増幅器の過渡応
答の影響を受けることが少なく、エラー率の少ないデジ
タル信号を得ることが出来る。
AC増幅器を通して増幅した場合でも、増幅器の過渡応
答の影響を受けることが少なく、エラー率の少ないデジ
タル信号を得ることが出来る。
第1図は本発明に係る光メモリ素子によって得られる反
射率のグラフ図、第2図は光メモリ素子の一部平面図、
第3図は従来の光メモリ素子によって得られる反射率の
グラフ図、第4図は信号波形図、第5図は信号波形図、
第6図は反射率のグラフ図を示す。 図中、 1゛グループ 2:ピノト 3:)ラックナンバー信号 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第3FA イ2−¥f 第4図
射率のグラフ図、第2図は光メモリ素子の一部平面図、
第3図は従来の光メモリ素子によって得られる反射率の
グラフ図、第4図は信号波形図、第5図は信号波形図、
第6図は反射率のグラフ図を示す。 図中、 1゛グループ 2:ピノト 3:)ラックナンバー信号 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第3FA イ2−¥f 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光スポット案内用のグループと、予めピットの形で
形成されたトラックナンバー信号を有する光メモリ素子
であって、 グループの幅をW_1、深さをd_1、ピットの幅をW
_2、深さをd_2とし、そのグループ、ピットに因る
反射率をD(W_1、d_1)、D(W_2、d_2)
とするとき、 2D(W_1、d_1)=1+D(W_2、d_2)と
なるような関係がなりたつ線幅、深さの組み合わせを有
するグループ、ピットを備えたことを特徴とする光メモ
リ素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60273855A JPS62132252A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 光メモリ素子 |
US07/497,099 US5107486A (en) | 1985-12-04 | 1990-03-21 | Optical memory device with grooves and pits in selected dimensional relationship |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60273855A JPS62132252A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62132252A true JPS62132252A (ja) | 1987-06-15 |
JPH0375941B2 JPH0375941B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=17533490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60273855A Granted JPS62132252A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62132252A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008248811A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の制御装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58165794U (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-04 | 株式会社東芝 | 光学式情報記憶媒体 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60273855A patent/JPS62132252A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58165794U (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-04 | 株式会社東芝 | 光学式情報記憶媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008248811A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0375941B2 (ja) | 1991-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |