JPS62128140A - オリエンテ−シヨンフラツト検出装置 - Google Patents
オリエンテ−シヨンフラツト検出装置Info
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- JPS62128140A JPS62128140A JP26745785A JP26745785A JPS62128140A JP S62128140 A JPS62128140 A JP S62128140A JP 26745785 A JP26745785 A JP 26745785A JP 26745785 A JP26745785 A JP 26745785A JP S62128140 A JPS62128140 A JP S62128140A
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- wafer
- orientation flat
- semiconductor wafer
- optical image
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体つＩハのオリエンテーションフラッ
トを検出するオリエンテーションフラット検出装置に関
する。
トを検出するオリエンテーションフラット検出装置に関
する。
近年の半導体技術の発展とともない、半導体ウェハの口
径は、１枚のウェハに多数の半導体チップを形成して製
造コストを低減する観点から、従来の３インチあるいは
４インチの小口径のものから、例えば５インチ、６イン
チ、８インチと大口径化の傾向にある。さらに、ウェハ
の大口径化にともない、従来のオリエンテーションフラ
ット（オリフラ）に加えて、従来のオリフラの直線部分
の長さよりも短く形成され、ウェハの組成等を示す複数
のオリフラを有するウェハが用いられるようになってい
る。したがって小口径のウェハのオリフラと大口径のウ
ェハのオリフラとを検出するオリフラ検出装置が必要に
なってきた。
径は、１枚のウェハに多数の半導体チップを形成して製
造コストを低減する観点から、従来の３インチあるいは
４インチの小口径のものから、例えば５インチ、６イン
チ、８インチと大口径化の傾向にある。さらに、ウェハ
の大口径化にともない、従来のオリエンテーションフラ
ット（オリフラ）に加えて、従来のオリフラの直線部分
の長さよりも短く形成され、ウェハの組成等を示す複数
のオリフラを有するウェハが用いられるようになってい
る。したがって小口径のウェハのオリフラと大口径のウ
ェハのオリフラとを検出するオリフラ検出装置が必要に
なってきた。
第６図（Ａ）は従来より用いられているオリフラ検出装
置を示すものであり、同図（Ｂ）はその平面図である。
置を示すものであり、同図（Ｂ）はその平面図である。
このオリフラ検出装置において、ウェハ１はエアー等に
よりウェハ１の中心とほぼ同心にてテーブル３に吸着れ
さており、このチーダル３がテーブル駆動用モータ５で
回転駆動されてウェハ１が回転されるようになっている
。また、取り扱うウェハの大きさに応じてウェハ１の半
径方向に所定の数の発光ダイオード７が直線上に配設さ
れ、この発光ダイオード７に対向するように受光器９が
配設されている。この受光器９はウェハ１をはさんで発
光ダイオード７からの照射光を受光し、増幅器（図示せ
ず）を介して電気信号を出力するものである。
よりウェハ１の中心とほぼ同心にてテーブル３に吸着れ
さており、このチーダル３がテーブル駆動用モータ５で
回転駆動されてウェハ１が回転されるようになっている
。また、取り扱うウェハの大きさに応じてウェハ１の半
径方向に所定の数の発光ダイオード７が直線上に配設さ
れ、この発光ダイオード７に対向するように受光器９が
配設されている。この受光器９はウェハ１をはさんで発
光ダイオード７からの照射光を受光し、増幅器（図示せ
ず）を介して電気信号を出力するものである。
このようなオリフラ検出装置においては、ウェハ１がテ
ーブル３及びテーブル駆動用モータ５とからなる回転駆
動部により回転され、操作者が指定したウェハ１のサイ
ズに基づいて、受光器９の出力信号のうち所定の受光器
９からの出力信号が選択されて、この出力信号を検出処
理回路（図示せず）により処理することでウェハ１のオ
リフラ１１の位置が検出される。
ーブル３及びテーブル駆動用モータ５とからなる回転駆
動部により回転され、操作者が指定したウェハ１のサイ
ズに基づいて、受光器９の出力信号のうち所定の受光器
９からの出力信号が選択されて、この出力信号を検出処
理回路（図示せず）により処理することでウェハ１のオ
リフラ１１の位置が検出される。
しかしながら、このような装置にあっては、構成が複雑
になるとともに保守に手間がかかるという問題があった
。さらに、複数の発光ダイオード。
になるとともに保守に手間がかかるという問題があった
。さらに、複数の発光ダイオード。
受光器及び増幅器が必要となり、コストの増大をＩＢ
＜という問題も生じていた。
＜という問題も生じていた。
第７図（Ａ）及び同図（Ｂ）に示すオリフラ検出装置は
、上述した問題点を改善するものである。
、上述した問題点を改善するものである。
この検出装置は一対の発光ダイオード７と受光器９とが
対向するように配設されてなる発光受光ユニット１３を
用いて、操作者により指定されたウェハサイズに基づい
て、発光受光ユニット１３を矢印の方向に移動させるこ
とで、オリフラ１１の位置を検出して多様化する口径の
ウェハに対処するものである。
対向するように配設されてなる発光受光ユニット１３を
用いて、操作者により指定されたウェハサイズに基づい
て、発光受光ユニット１３を矢印の方向に移動させるこ
とで、オリフラ１１の位置を検出して多様化する口径の
ウェハに対処するものである。
しかしながら、このような装置にあっては、操作者が被
検出ウェハの口径とは違う口径を指定した場合に、オリ
フラ１１の位置を検出できなくなるとともに、発光受光
ユニット１３が誤まって移動されてこの発光受光ユニッ
ト１３によりウェハが破壊されるおそれがある。さらに
、将来におけるより大口径のウェハに対応するためには
、発光受光ユニットの移動範囲を広げる等の改造が必要
となる。
検出ウェハの口径とは違う口径を指定した場合に、オリ
フラ１１の位置を検出できなくなるとともに、発光受光
ユニット１３が誤まって移動されてこの発光受光ユニッ
ト１３によりウェハが破壊されるおそれがある。さらに
、将来におけるより大口径のウェハに対応するためには
、発光受光ユニットの移動範囲を広げる等の改造が必要
となる。
また、上述したような精度の低いオリフラ検出装置によ
り複数のオリフラを検出する場合には、誤検出されるお
それがあり、ウェハの製造及び検査の障害を沼くことな
る。
り複数のオリフラを検出する場合には、誤検出されるお
それがあり、ウェハの製造及び検査の障害を沼くことな
る。
この発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、操作者からの半導体ウェハの口径情
報を必要とせず、さらに、ウェハの口径及びウェハのオ
リエンテーションフラットの数にかかわらず、高精度か
つ安定して所定のオリエンテーションフラットを検出す
ることができるオリエンテーションフラット検出装置を
提供することにある。
的とするところは、操作者からの半導体ウェハの口径情
報を必要とせず、さらに、ウェハの口径及びウェハのオ
リエンテーションフラットの数にかかわらず、高精度か
つ安定して所定のオリエンテーションフラットを検出す
ることができるオリエンテーションフラット検出装置を
提供することにある。
上記目的を達成するために、この発明は少なくとも１つ
以上のオリエンテーションフラットを有する半導体ウェ
ハをその同心にて保持して回転させる駆動手段と、この
駆動手段により前記半導体ウェハを少なくとも１回転さ
せて前記半導体ウェハの少なくとも端部周辺を照明する
照明手段と、この照明手段から照射される照射光により
形成される前記半導体ウェハの端部周辺の光学像を集光
レンズを介して読みとりこの光学像を電気信号に変換す
るセンサ手段と、このセンサ手段から出力される電気信
号により前記光学像の明暗領域を検出して前記半導体ウ
ェハの所定のオリエンテーションフラットの位置を検出
する検出手段とを有することを要旨とする。
以上のオリエンテーションフラットを有する半導体ウェ
ハをその同心にて保持して回転させる駆動手段と、この
駆動手段により前記半導体ウェハを少なくとも１回転さ
せて前記半導体ウェハの少なくとも端部周辺を照明する
照明手段と、この照明手段から照射される照射光により
形成される前記半導体ウェハの端部周辺の光学像を集光
レンズを介して読みとりこの光学像を電気信号に変換す
るセンサ手段と、このセンサ手段から出力される電気信
号により前記光学像の明暗領域を検出して前記半導体ウ
ェハの所定のオリエンテーションフラットの位置を検出
する検出手段とを有することを要旨とする。
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図（Ａ）はこの発明の第１の実施例に係るオリエン
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図である。このオリフラ検出装置はテー
ブル３及びテーブル駆動用モータ５とからなりウェハ１
を回転させる回転駆動部と、発光源１５．集光レンズ１
７．ラインイメージセンサ１９とからなる検出部とから
構成されでおり、回転駆動部は第７図（Ａ＞のそれと同
一である。
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図である。このオリフラ検出装置はテー
ブル３及びテーブル駆動用モータ５とからなりウェハ１
を回転させる回転駆動部と、発光源１５．集光レンズ１
７．ラインイメージセンサ１９とからなる検出部とから
構成されでおり、回転駆動部は第７図（Ａ＞のそれと同
一である。
発光源１５はウェハ１の下方に配設され、ウェハ１の半
径方向の直線上に配列されたＬＥＤで構成されている。
径方向の直線上に配列されたＬＥＤで構成されている。
集光レンズ１７はこの発光源１５とウェハ１を介して対
向するように配設されており、発光源１５からの透過光
を集光する。ラインイメージセンサ１９はこの集光レン
ズ１７の上方に配設され、集光レンズ１７により集光さ
れた発光源１５からの透過光が入射されて、この透過光
が大綱した部分に位置するラインイメージセンサ１．９
から電気信号が出力される。
向するように配設されており、発光源１５からの透過光
を集光する。ラインイメージセンサ１９はこの集光レン
ズ１７の上方に配設され、集光レンズ１７により集光さ
れた発光源１５からの透過光が入射されて、この透過光
が大綱した部分に位置するラインイメージセンサ１．９
から電気信号が出力される。
第２図はラインイメージセンサ１９からの電気信号を受
けて、オリフラ位置を検出しオリフラを所定の位置に移
動させるべくテーブル駆動用モータ５を制御する処理回
路を示すものである。
けて、オリフラ位置を検出しオリフラを所定の位置に移
動させるべくテーブル駆動用モータ５を制御する処理回
路を示すものである。
ラインイメージセンサ１９はカウンタ２１により駆動さ
れ、ウェハ１が回転することでラインイメージセンサ１
９から出力される電気信号はプリアンプ２３で増幅され
零クランプ回路２５に供給された後、カウンタ２１でカ
ウントされた暗領域基準ビットに対応したゲートが零レ
ベルを確保すべく零クランプ回路２５に供給されてコン
パレータ２７で２値化される。
れ、ウェハ１が回転することでラインイメージセンサ１
９から出力される電気信号はプリアンプ２３で増幅され
零クランプ回路２５に供給された後、カウンタ２１でカ
ウントされた暗領域基準ビットに対応したゲートが零レ
ベルを確保すべく零クランプ回路２５に供給されてコン
パレータ２７で２値化される。
このようにして得られたウェハ１の円周部の２値化情報
がカウンタ２９に供給されて、この２値化情報に基づい
てウェハ１の円周部の連続暗状態がカウントされる。こ
のようにしてカウントされたカウント値は最小値検出回
路３１に与えられて、ウェハ１の回転中の最小値すなわ
ちウェハ１のオリフラ位置が検出される。また、複数の
オリフラを有するウェハにおいては最も大きなオリフラ
位置が検出される。
がカウンタ２９に供給されて、この２値化情報に基づい
てウェハ１の円周部の連続暗状態がカウントされる。こ
のようにしてカウントされたカウント値は最小値検出回
路３１に与えられて、ウェハ１の回転中の最小値すなわ
ちウェハ１のオリフラ位置が検出される。また、複数の
オリフラを有するウェハにおいては最も大きなオリフラ
位置が検出される。
この最小値が検出された後に最小検出回路３１は、オリ
フラ検出信号をテーブル制御回路３３に送出する。この
テーブル制御回路３３はこのオリフラ検出信号を受けて
、このオリフラ検出信号が与えられた時のテーブル３の
角度を記憶する。テーブル制御回路３３はこの角度にテ
ーブルを回転させるべく、テーブル駆動用モータ５を駆
動させ、ウェハ１はこの角度において位置合せが行なわ
れる。
フラ検出信号をテーブル制御回路３３に送出する。この
テーブル制御回路３３はこのオリフラ検出信号を受けて
、このオリフラ検出信号が与えられた時のテーブル３の
角度を記憶する。テーブル制御回路３３はこの角度にテ
ーブルを回転させるべく、テーブル駆動用モータ５を駆
動させ、ウェハ１はこの角度において位置合せが行なわ
れる。
第３図（Ａ）は最小値検出回路３１の一員体例を示すも
のであり、同図（Ｂ）はその入力データを示すものであ
る。ラインイメージセンサ１９からの出力信号のうち各
−ライン信号ごとに暗信号が連続的にカウントされ、こ
のカウント値とウェハ１の回転開始時にイニシャライズ
信号ＩＮＴで記憶情報がすべて暗にイニシャライズされ
たメモリ３４の記憶情報とがコンパレータ３６により比
較される。
のであり、同図（Ｂ）はその入力データを示すものであ
る。ラインイメージセンサ１９からの出力信号のうち各
−ライン信号ごとに暗信号が連続的にカウントされ、こ
のカウント値とウェハ１の回転開始時にイニシャライズ
信号ＩＮＴで記憶情報がすべて暗にイニシャライズされ
たメモリ３４の記憶情報とがコンパレータ３６により比
較される。
カウント値がメモリ３４に記憶された情報より小さい場
合には、カウント値がバッファ３８を介してメモリ３４
に供給されて、メモリ３４に記憶されるカウント値の最
小値が更新されるとともに、オリフラ検出信号がコンパ
レータ３６からテーブル制御回路３３に供給される。
合には、カウント値がバッファ３８を介してメモリ３４
に供給されて、メモリ３４に記憶されるカウント値の最
小値が更新されるとともに、オリフラ検出信号がコンパ
レータ３６からテーブル制御回路３３に供給される。
第４図（Ａ）はこの発明の第２の実施例に係るオリエン
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＩＶ−Ｉ
Ｖ断面図である。この検出装置の特徴とすることろは、
直線上に配列されたＬＥＤで構成され、ウェハ１の下方
に配置された発光源１５によりウェハ１を照明して、ウ
ェハ１がらの反射光を自己集束性の集光レンズ４１を介
して、反射光学像を密着型ラインイメージセンサ４３に
供給するようにしたことにある。密着型ラインイメージ
センサ４３から出力される電気信号は第１の実施例と同
様に処理されてオリフラ位置が検出される。なお第１図
（Ａ）と同符号のものは同一物を示しその説明は省略す
る。
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＩＶ−Ｉ
Ｖ断面図である。この検出装置の特徴とすることろは、
直線上に配列されたＬＥＤで構成され、ウェハ１の下方
に配置された発光源１５によりウェハ１を照明して、ウ
ェハ１がらの反射光を自己集束性の集光レンズ４１を介
して、反射光学像を密着型ラインイメージセンサ４３に
供給するようにしたことにある。密着型ラインイメージ
センサ４３から出力される電気信号は第１の実施例と同
様に処理されてオリフラ位置が検出される。なお第１図
（Ａ）と同符号のものは同一物を示しその説明は省略す
る。
第５図（Ａ）はこの発明の第３の実施例に係るオリエン
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図であり、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のｖ
−■断面図である。この検出装置の特徴とするところは
、発光源として螢光ランプ４５を用いて、この螢光ラン
プ４５をウェハ１の円周部が照明されるようにウェハ１
の上方に配置するととともに、ウェハ１の背景となりウ
ェハ１とは反射率の異なる反射板４７をウェハ ′
１の下方に配置して、ウェハ１及び反射板４７からの反
射光を集光レンズ１７を介してラインイメージセンサ１
９に供給するようにしたことにある。
テーションフラット検出装置を示すものであり、同図（
Ｂ）はその平面図であり、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のｖ
−■断面図である。この検出装置の特徴とするところは
、発光源として螢光ランプ４５を用いて、この螢光ラン
プ４５をウェハ１の円周部が照明されるようにウェハ１
の上方に配置するととともに、ウェハ１の背景となりウ
ェハ１とは反射率の異なる反射板４７をウェハ ′
１の下方に配置して、ウェハ１及び反射板４７からの反
射光を集光レンズ１７を介してラインイメージセンサ１
９に供給するようにしたことにある。
ラインイメージセンサ１９から出力される電気信号は第
１の実施例と同様に処理されてオリフラ位置が検出され
る。なお、第１図（Ａ）と同符号のものは同一物を示し
その説明は省略した。
１の実施例と同様に処理されてオリフラ位置が検出され
る。なお、第１図（Ａ）と同符号のものは同一物を示し
その説明は省略した。
以−Ｅ説明したように、この発明によれば、半導体ウェ
ハを回転させることによりこの半導体ウェハの端部周辺
を照明して、この照明により形成された光学像に基づい
て、半導体ウェハの所定のオリエンテーションフラット
の位置を検出するようにしたので、多様化する口径の半
導体ウェハ及び複数のオリエンテーションフラットを有
する半導体ウェハの所定のオリエンテーションフラット
を、確実かつ安定して検出することができる。
ハを回転させることによりこの半導体ウェハの端部周辺
を照明して、この照明により形成された光学像に基づい
て、半導体ウェハの所定のオリエンテーションフラット
の位置を検出するようにしたので、多様化する口径の半
導体ウェハ及び複数のオリエンテーションフラットを有
する半導体ウェハの所定のオリエンテーションフラット
を、確実かつ安定して検出することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｂ）はこの発明の第１の実施例に係る
オリエンテーションフラット検出装置を示す構成図、第
２図はラインイメージセンサからの電気信号を処理して
テーブル駆動用モータを制御するための処理回路を示す
構成図、第３図（Ａ）〜（Ｂ）は最小値検出回路の一具
体例を示す構成図及びその入力データを示す図、第４図
（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第２の実施例に係るオリエ
ンテーションフラット検出装置を示す構成図、第５図（
Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第３の実施例に係るオリエン
テーションフラット検出装置を示す構成図、第６図（Ａ
）〜（Ｂ）は従来のオリエンテーションフラット検出装
置の構成図、第７図（Ａ）〜（Ｂ）は従来の伯のオリエ
ンテーションフラット検出装置の構成図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・半導体
ウェハ ３・・・テーブル ５・・・テーブル駆動用モータ １５・・・発光源 １７・・・集光レンズ （シ＼１７ 第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 工２図 −一一一一一一一 第６図 （Ａ） 第６図 ＣＢ） 第７図（Ａ） 第７図（Ｂ） と補正する。 （３）明＠書、第１１頁第１２行目に、［半導体ウェハ
の所定の・・・・・・」とあるのを、 ［半導体ウェハの最も大きな・・・・・・］と補正する
。 （４） 明細書、第１１＠第１６行目に、［・・・・
・・ウェハの所定の・・・・・・」とあるのを、 ［・・・・・・ウェハの最も大ぎな・・・・・・」と補
正する。 ８、添付ｍ類の目録 特許請求の範囲 １通 以上 特許請求の範囲 少なくとも１つ以上のオリエンテーションフラットを有
する半導体ウェハをその同心にて保持して回転さける駆
動手段と、この駆動手段により前記半導体ウェハを少な
くとも１回転させて前記半導体ウェハの少なくとも端部
周辺を照明する照明手段と、この照明手段から照射され
る照射光により形成される前記半導体ウェハの端部周辺
の光学像を集光レンズを介して読みとりこの光学像を電
気信号に変換するセンサ手段と、このセンサ手段から出
力される電気信号により前記光学像の明暗領域を検出し
て前記半導体ウェハのオリエンテーションフラットのう
ち最も ぎなオリエンテーションフラットの位置を検出
する検出手段とを有することを特徴とするオリエンテー
ションフラット検出装置。
オリエンテーションフラット検出装置を示す構成図、第
２図はラインイメージセンサからの電気信号を処理して
テーブル駆動用モータを制御するための処理回路を示す
構成図、第３図（Ａ）〜（Ｂ）は最小値検出回路の一具
体例を示す構成図及びその入力データを示す図、第４図
（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第２の実施例に係るオリエ
ンテーションフラット検出装置を示す構成図、第５図（
Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第３の実施例に係るオリエン
テーションフラット検出装置を示す構成図、第６図（Ａ
）〜（Ｂ）は従来のオリエンテーションフラット検出装
置の構成図、第７図（Ａ）〜（Ｂ）は従来の伯のオリエ
ンテーションフラット検出装置の構成図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）１・・・半導体
ウェハ ３・・・テーブル ５・・・テーブル駆動用モータ １５・・・発光源 １７・・・集光レンズ （シ＼１７ 第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 工２図 −一一一一一一一 第６図 （Ａ） 第６図 ＣＢ） 第７図（Ａ） 第７図（Ｂ） と補正する。 （３）明＠書、第１１頁第１２行目に、［半導体ウェハ
の所定の・・・・・・」とあるのを、 ［半導体ウェハの最も大きな・・・・・・］と補正する
。 （４） 明細書、第１１＠第１６行目に、［・・・・
・・ウェハの所定の・・・・・・」とあるのを、 ［・・・・・・ウェハの最も大ぎな・・・・・・」と補
正する。 ８、添付ｍ類の目録 特許請求の範囲 １通 以上 特許請求の範囲 少なくとも１つ以上のオリエンテーションフラットを有
する半導体ウェハをその同心にて保持して回転さける駆
動手段と、この駆動手段により前記半導体ウェハを少な
くとも１回転させて前記半導体ウェハの少なくとも端部
周辺を照明する照明手段と、この照明手段から照射され
る照射光により形成される前記半導体ウェハの端部周辺
の光学像を集光レンズを介して読みとりこの光学像を電
気信号に変換するセンサ手段と、このセンサ手段から出
力される電気信号により前記光学像の明暗領域を検出し
て前記半導体ウェハのオリエンテーションフラットのう
ち最も ぎなオリエンテーションフラットの位置を検出
する検出手段とを有することを特徴とするオリエンテー
ションフラット検出装置。
Claims (1)
- 少なくとも１つ以上のオリエンテーションフラットを有
する半導体ウェハをその同心にて保持して回転させる駆
動手段と、この駆動手段により前記半導体ウェハを少な
くとも１回転させて前記半導体ウェハの少なくとも端部
周辺を照明する照明手段と、この照明手段から照射され
る照射光により形成される前記半導体ウェハの端部周辺
の光学像を集光レンズを介して読みとりこの光学像を電
気信号に変換するセンサ手段と、このセンサ手段から出
力される電気信号により前記光学像の明暗領域を検出し
て前記半導体ウェハの所定のオリエンテーションフラッ
トの位置を検出する検出手段とを有することを特徴とす
るオリエンテーションフラット検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26745785A JPS62128140A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | オリエンテ−シヨンフラツト検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26745785A JPS62128140A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | オリエンテ−シヨンフラツト検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128140A true JPS62128140A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17445106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26745785A Pending JPS62128140A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | オリエンテ−シヨンフラツト検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128140A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| JPH02292844A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハの外周位置検出装置 |
| JP2003057022A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Cradle Corp | 光学検査装置及び光学検査システム |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26745785A patent/JPS62128140A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| JPH02292844A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハの外周位置検出装置 |
| JP2003057022A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Cradle Corp | 光学検査装置及び光学検査システム |
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