JPS62128129A - ウエハ−加熱装置 - Google Patents
ウエハ−加熱装置Info
- Publication number
- JPS62128129A JPS62128129A JP26802585A JP26802585A JPS62128129A JP S62128129 A JPS62128129 A JP S62128129A JP 26802585 A JP26802585 A JP 26802585A JP 26802585 A JP26802585 A JP 26802585A JP S62128129 A JPS62128129 A JP S62128129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- block
- temperature
- thermocouple
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハー処理装置中、特に真空槽内に
おいて半導体ウェハーを加熱する装置に関する。
おいて半導体ウェハーを加熱する装置に関する。
従来、真空槽内におけるウェハー加熱はランプを使用し
た赤外線加熱が一般的であったが、ウニへ−の昇温特性
が遅いこと、ランプ又はランプ保護石英ガラスの汚ｎに
よりウェー・一温度の変動が生ずる欠点を解決するため
、不活性ガスによる熱伝導を利用した加熱方式が提案さ
れた。この加熱方式は第３図のごとく、ウェト−５と金
属のブロック１との間に空間４を設けた構造である。金
属ブロックを一定温度に加熱しておき、ガス導入口２よ
りＡｒガスを導入する。Ａｒガスはウェノ・−５と金属
ブロックｌとの接触部３より流出するまで、ウェハーと
金属プロ、りの間で衝突を繰シ返す。この衝突によりウ
ェハーへの熱伝導が行われウェノ１−が加熱される。６
はＡｒガス導入通路、７は銅製プロ、り温度制御用熱電
対、８はセラミックヒータ−である。
た赤外線加熱が一般的であったが、ウニへ−の昇温特性
が遅いこと、ランプ又はランプ保護石英ガラスの汚ｎに
よりウェー・一温度の変動が生ずる欠点を解決するため
、不活性ガスによる熱伝導を利用した加熱方式が提案さ
れた。この加熱方式は第３図のごとく、ウェト−５と金
属のブロック１との間に空間４を設けた構造である。金
属ブロックを一定温度に加熱しておき、ガス導入口２よ
りＡｒガスを導入する。Ａｒガスはウェノ・−５と金属
ブロックｌとの接触部３より流出するまで、ウェハーと
金属プロ、りの間で衝突を繰シ返す。この衝突によりウ
ェハーへの熱伝導が行われウェノ１−が加熱される。６
はＡｒガス導入通路、７は銅製プロ、り温度制御用熱電
対、８はセラミックヒータ−である。
上述した従来の加熱方式はウニ／蔦−５と金属ブロック
１の間の空間４に閉じ込められたガス分子の衝突運動を
利用するため、閉じ込められているガス分子の量が加熱
特性に大きく影響する。この方式を量産装置に適用した
場合は、金属プロック１のウェハーへ接触部３のキズ、
接触時のウェノ・−とブロックとのズレ等による接触部
でのすき間の発生が考えられる。
１の間の空間４に閉じ込められたガス分子の衝突運動を
利用するため、閉じ込められているガス分子の量が加熱
特性に大きく影響する。この方式を量産装置に適用した
場合は、金属プロック１のウェハーへ接触部３のキズ、
接触時のウェノ・−とブロックとのズレ等による接触部
でのすき間の発生が考えられる。
すき間が発生すると、ブロックへ導入するガスはブロッ
クとウェー・−との間での衝突を充分行わない内にすき
間よシ空間４から流れ出す。このため、第４図のａに示
すすき間が生じてない場合のウェハーの昇温特性に比べ
て、ｂで示すすき間が生じた場合のウェノ・−昇温特性
は低下し、所望のウェハ一温度が得られない。このよう
に従来の方式では、プロ、り接触部の表面状態、ウェ／
・−の接触状態がウェノ・一温度に影響を与え、再現性
よく加熱できないという欠点がある。
クとウェー・−との間での衝突を充分行わない内にすき
間よシ空間４から流れ出す。このため、第４図のａに示
すすき間が生じてない場合のウェハーの昇温特性に比べ
て、ｂで示すすき間が生じた場合のウェノ・−昇温特性
は低下し、所望のウェハ一温度が得られない。このよう
に従来の方式では、プロ、り接触部の表面状態、ウェ／
・−の接触状態がウェノ・一温度に影響を与え、再現性
よく加熱できないという欠点がある。
本発明はウェノ・一温度に影響を与えず、再現性よく加
熱できるウェ・・−加熱装置を提供するものである。
熱できるウェ・・−加熱装置を提供するものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は加熱されたブロックのガス噴出口にウェハーを
設置し、該ブロック内に通過させて加熱した不活性ガス
をウェノ・−に接触させ、該ウェノ１−を加熱するウェ
ハー加熱装置において、前記プロ、りのガス噴出口での
ガスの温度を検出する温度センサーと、該温度センサー
の出力に基いてガスの供給流量をコントロールする制御
部とを有することを特徴とするウェハー加熱装置である
。
設置し、該ブロック内に通過させて加熱した不活性ガス
をウェノ・−に接触させ、該ウェノ１−を加熱するウェ
ハー加熱装置において、前記プロ、りのガス噴出口での
ガスの温度を検出する温度センサーと、該温度センサー
の出力に基いてガスの供給流量をコントロールする制御
部とを有することを特徴とするウェハー加熱装置である
。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
第１図において、加熱される金属プロ、り１の前面にガ
ス噴出口としての凹陥部１ａを設け、金属ブロックｌ内
に通してＡｒガス導入通路６を凹陥部１ａに接続しであ
る。７は銅製ブロック温度制御用熱電対、８はセラミッ
クヒータである。これらの構成は従来と同じである。
ス噴出口としての凹陥部１ａを設け、金属ブロックｌ内
に通してＡｒガス導入通路６を凹陥部１ａに接続しであ
る。７は銅製ブロック温度制御用熱電対、８はセラミッ
クヒータである。これらの構成は従来と同じである。
本発明は金属プロ、り１内にセラミック管９を通し、セ
ラミック管９によシブ口、り１と熱遮断してＣ−Ａ熱電
対１０をプロ、り１の凹陥部１ａに設置するとともに、
導入通路６にガス流量コントロールパルプ１１を設置し
、さらに熱電対１０の出力に基いてパルプ１１を制御し
ガスの供給流量をコントロールする制御部１２を備えた
ものである。
ラミック管９によシブ口、り１と熱遮断してＣ−Ａ熱電
対１０をプロ、り１の凹陥部１ａに設置するとともに、
導入通路６にガス流量コントロールパルプ１１を設置し
、さらに熱電対１０の出力に基いてパルプ１１を制御し
ガスの供給流量をコントロールする制御部１２を備えた
ものである。
実施例において、ウェＩ・−５を加熱するには、まずウ
ェハー５をプロ、り１の凹陥部１ａの周縁部に設置し、
凹陥部１ａとウェハー５によシ空間４を画成し、真空槽
１３内を真空にする。そして、パルプ１１を開き、不活
性ガスを空間４内に導入する。金属プロ、り（銅）１は
Ｃ−Ａ熱電対７とセラミ、クヒーター８を用いたＰＩＤ
方式の温度制御により一定温度に保つ。熱電対７の指示
温度が４００℃となるようヒーターへの電力を制御し、
熱電対１０の指示温度３００℃となるようにＡｒ流量を
ガスコントロールパルプ１１で制御すると、ウェ・・−
の温度上昇ａ及びＡｒ流流量上第２図のようになシ、加
熱開始的４０ｓｅｃで温度は安定する。
ェハー５をプロ、り１の凹陥部１ａの周縁部に設置し、
凹陥部１ａとウェハー５によシ空間４を画成し、真空槽
１３内を真空にする。そして、パルプ１１を開き、不活
性ガスを空間４内に導入する。金属プロ、り（銅）１は
Ｃ−Ａ熱電対７とセラミ、クヒーター８を用いたＰＩＤ
方式の温度制御により一定温度に保つ。熱電対７の指示
温度が４００℃となるようヒーターへの電力を制御し、
熱電対１０の指示温度３００℃となるようにＡｒ流量を
ガスコントロールパルプ１１で制御すると、ウェ・・−
の温度上昇ａ及びＡｒ流流量上第２図のようになシ、加
熱開始的４０ｓｅｃで温度は安定する。
今、銅プロ、り１のウェハーと接触する部分３にＡｒガ
スの流れ出す１ｍφの穴が開いた場合には熱電対１０の
起電力に応じて制御部１２はＡｒ流量を制御し、温度上
昇す、Ａｒ流流量上第２図のようにコントロールするた
め、加熱開始４９ｓｅｃ以降のウェハ一温度は銅ブロッ
クに穴のない場合と同様に設定される。
スの流れ出す１ｍφの穴が開いた場合には熱電対１０の
起電力に応じて制御部１２はＡｒ流量を制御し、温度上
昇す、Ａｒ流流量上第２図のようにコントロールするた
め、加熱開始４９ｓｅｃ以降のウェハ一温度は銅ブロッ
クに穴のない場合と同様に設定される。
従来の方法による温度上昇の特性は、銅ブロックに穴の
有る場合と無い場合では第４図ａ、ｂのように大きな差
がみられるが、銅ブロックのウェノ・−との接触面にお
けるキズ、ウェノ・−と銅ブロックとのズレ等によシ生
じた接触部でのすき間が原因となるウェハー加熱特性の
変動は本発明による加熱方式で解決される。
有る場合と無い場合では第４図ａ、ｂのように大きな差
がみられるが、銅ブロックのウェノ・−との接触面にお
けるキズ、ウェノ・−と銅ブロックとのズレ等によシ生
じた接触部でのすき間が原因となるウェハー加熱特性の
変動は本発明による加熱方式で解決される。
以上説明したように本発明のウェノ・−加熱装置は加熱
された金属ブロックとウェノ１−との接触の仕方の再現
性の悪さに影響されることなく、再現性よくウェハーを
加熱することができ、従りて真空中で枚葉式の処理を行
う装置のウニノー−加熱装置として非常に有効であると
いう効果を有するものである。
された金属ブロックとウェノ１−との接触の仕方の再現
性の悪さに影響されることなく、再現性よくウェハーを
加熱することができ、従りて真空中で枚葉式の処理を行
う装置のウニノー−加熱装置として非常に有効であると
いう効果を有するものである。
第１図は本発明のウェ・・−加熱装置の断面図、第２図
は本発明装置の昇温特性とガス流量の関係を示す図、第
３図は従来のウニノー−加熱装置の断面図、第４図はそ
の昇温特性を示す図である。 １・・・金属ブロック、２・・・Ａｒガス導入口、３・
・・ウェハーとブロックとの接触部、４・・・Ａｒがス
を充満させる空間、５・・・ウェハー、６・・・Ａｒガ
ス導入通路、７・・・銅製ブロック温度制御用熱電対、
８・・・セラミックヒータ−１９・・・熱電対導入用セ
ラミック管、１０・・・Ａｒ流量制御用熱電対、１１・
・・がス流量コントロールパル７”、１２・・・真空槽
。 り 第１図 第３図
は本発明装置の昇温特性とガス流量の関係を示す図、第
３図は従来のウニノー−加熱装置の断面図、第４図はそ
の昇温特性を示す図である。 １・・・金属ブロック、２・・・Ａｒガス導入口、３・
・・ウェハーとブロックとの接触部、４・・・Ａｒがス
を充満させる空間、５・・・ウェハー、６・・・Ａｒガ
ス導入通路、７・・・銅製ブロック温度制御用熱電対、
８・・・セラミックヒータ−１９・・・熱電対導入用セ
ラミック管、１０・・・Ａｒ流量制御用熱電対、１１・
・・がス流量コントロールパル７”、１２・・・真空槽
。 り 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）加熱されたブロックのガス噴出口にウェハーを設
置し、該ブロック内に通過させて加熱した不活性ガスを
ウェハーに接触させ、該ウェハーを加熱するウェハー加
熱装置において、前記ブロックのガス噴出口でのガスの
温度を検出する温度センサーと、該温度センサの出力に
基いてガスの供給流量をコントロールする制御部とを有
することを特徴とするウェハー加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802585A JPS62128129A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | ウエハ−加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802585A JPS62128129A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | ウエハ−加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128129A true JPS62128129A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17452847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26802585A Pending JPS62128129A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | ウエハ−加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382035A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Nec Corp | ウェハー加熱装置 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26802585A patent/JPS62128129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382035A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Nec Corp | ウェハー加熱装置 |
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