JPS62127756A - 静電潜像現像方法 - Google Patents
静電潜像現像方法Info
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- JPS62127756A JPS62127756A JP26722785A JP26722785A JPS62127756A JP S62127756 A JPS62127756 A JP S62127756A JP 26722785 A JP26722785 A JP 26722785A JP 26722785 A JP26722785 A JP 26722785A JP S62127756 A JPS62127756 A JP S62127756A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は静電ＨＩ像保持体（以下感光体という）の帯電
極性と同極性の電荷が付与された高抵抗磁性トナーを用
いる反転現像、又反対極性の前記トナーを用いる正規現
像のいずれにも適用出来る現像方法に係り、特にトナー
担持体上に担持された高抵抗磁性トナーを、周波数が１
００乃至５０００Ｈｚの直流パルスバイアス電圧を用い
て感光体上に転移させる現像方法に関する。
極性と同極性の電荷が付与された高抵抗磁性トナーを用
いる反転現像、又反対極性の前記トナーを用いる正規現
像のいずれにも適用出来る現像方法に係り、特にトナー
担持体上に担持された高抵抗磁性トナーを、周波数が１
００乃至５０００Ｈｚの直流パルスバイアス電圧を用い
て感光体上に転移させる現像方法に関する。
「従来の技術」
本出願人は先に、高抵抗磁性トナーをバイアス電圧によ
って感光体ドラム上に選択的に転移させる反転現像方法
において、画像のかぶりゃにじみを防止し常に鮮明な画
像を得る為に、前記パイアスミ圧として感光体の帯電極
性と同極性の直流パルス電圧を用い、該直流パルス電圧
の最大電位（絶対値）を下記式の範囲に設定し、且つそ
のパルス幅を０．１〜５．０ ｍ５ｅｃに設定した反転
現像方法を提案している。（特願昭６０−７９３４１号
、以下第１従来技術という） ｌＶｗ ｌ＜ＩＶｂｉａｓｌ＜ａ ＸＩＶｂ １−
ｂＶ・・・・・・■ ■ｗ＝感光体の潜像電位（露光部） ■ｂ＝感光体の表面電位（非露光部） １．５２＜ａ ＜ １．８８．−２０＜ ｂ ＜ １１
０又、正規現像においても、トナー担持体より感光体に
向は反発磁界を形成すると共に、該反発磁界が形成され
た現像領域中に、下記式の範囲に制御された直流パルス
バイアスを印加した事を特徴とする静電潜像現像方法を
提案している。（特願昭５９−２０２９７７号、以下第
２従来技術という）ｌ Ｖｔｌ ＜ Ｉ Ｖｂｉａｓｌ
≦ｌ Ｖｄｌ・・・・・・■ ｖｔ：感光体表面のトナー拘束電位 ｖｄ：感光体の表面電位（露光部の潜像電位）「発明が
解決しようとする問題点」 そしてこれらはいずれも前記直流パルスバイアスの周波
数が１００乃至５０００Ｈｚにおいて好ましい効果を達
成するものであるが、第２従来技術においては直流パル
ス電圧の最大電位Ｖ ｂｉａｓを感光体の表面電位Ｖｄ
以下に設定しなければならない為に、コントラストの高
い画像を得る為には必然的に感光体の表面電位Ｖｄを高
くしなければならず、その万感光体の疲労度が増加し、
耐久性の減少につながる。又高電圧により安全性にも問
題が生じる。
って感光体ドラム上に選択的に転移させる反転現像方法
において、画像のかぶりゃにじみを防止し常に鮮明な画
像を得る為に、前記パイアスミ圧として感光体の帯電極
性と同極性の直流パルス電圧を用い、該直流パルス電圧
の最大電位（絶対値）を下記式の範囲に設定し、且つそ
のパルス幅を０．１〜５．０ ｍ５ｅｃに設定した反転
現像方法を提案している。（特願昭６０−７９３４１号
、以下第１従来技術という） ｌＶｗ ｌ＜ＩＶｂｉａｓｌ＜ａ ＸＩＶｂ １−
ｂＶ・・・・・・■ ■ｗ＝感光体の潜像電位（露光部） ■ｂ＝感光体の表面電位（非露光部） １．５２＜ａ ＜ １．８８．−２０＜ ｂ ＜ １１
０又、正規現像においても、トナー担持体より感光体に
向は反発磁界を形成すると共に、該反発磁界が形成され
た現像領域中に、下記式の範囲に制御された直流パルス
バイアスを印加した事を特徴とする静電潜像現像方法を
提案している。（特願昭５９−２０２９７７号、以下第
２従来技術という）ｌ Ｖｔｌ ＜ Ｉ Ｖｂｉａｓｌ
≦ｌ Ｖｄｌ・・・・・・■ ｖｔ：感光体表面のトナー拘束電位 ｖｄ：感光体の表面電位（露光部の潜像電位）「発明が
解決しようとする問題点」 そしてこれらはいずれも前記直流パルスバイアスの周波
数が１００乃至５０００Ｈｚにおいて好ましい効果を達
成するものであるが、第２従来技術においては直流パル
ス電圧の最大電位Ｖ ｂｉａｓを感光体の表面電位Ｖｄ
以下に設定しなければならない為に、コントラストの高
い画像を得る為には必然的に感光体の表面電位Ｖｄを高
くしなければならず、その万感光体の疲労度が増加し、
耐久性の減少につながる。又高電圧により安全性にも問
題が生じる。
一方第１従来技術は、反転現像方法において感光体の表
面電位ｖｂを低電位に維持して耐久性の向上を図りつつ
画像のかぶりやにじみを防止し、常に鮮明な画像を得る
事を目的として発明されたものであるが、直流パルス電
圧Ｖ ｂｉａｓを感光体の表面電位ｖｂ以上に設定する
為に、そのパルス幅が０．１〜５．０ ｍ５ｅｃと限定
した範囲内しか適用出来ないという問題を有す。
面電位ｖｂを低電位に維持して耐久性の向上を図りつつ
画像のかぶりやにじみを防止し、常に鮮明な画像を得る
事を目的として発明されたものであるが、直流パルス電
圧Ｖ ｂｉａｓを感光体の表面電位ｖｂ以上に設定する
為に、そのパルス幅が０．１〜５．０ ｍ５ｅｃと限定
した範囲内しか適用出来ないという問題を有す。
而も直流パルス電圧Ｖｂｉａｓを決定する算式に用いら
れる定数ａ及びｂがいずれも所定の許容幅を有するレン
ジで設定されている為に、精度よ〈Ｖｂｉａｓの値を求
める事が出来ず、特にＶ ｂｉａｓを感光体の表面電位
ｖｂ以上に設定する場合には一般的にＶ ｂｉａｓが前
記０式の上限値付近に近づく事が多いが、このような場
合は前記定数ａ及びｂにレンジ幅を有する為に多少余裕
をもってＶ ｂｉａｓを設定しなければならず、その万
感光体の表面電位ｖｂを引上げねばならないという問題
が派生する。
れる定数ａ及びｂがいずれも所定の許容幅を有するレン
ジで設定されている為に、精度よ〈Ｖｂｉａｓの値を求
める事が出来ず、特にＶ ｂｉａｓを感光体の表面電位
ｖｂ以上に設定する場合には一般的にＶ ｂｉａｓが前
記０式の上限値付近に近づく事が多いが、このような場
合は前記定数ａ及びｂにレンジ幅を有する為に多少余裕
をもってＶ ｂｉａｓを設定しなければならず、その万
感光体の表面電位ｖｂを引上げねばならないという問題
が派生する。
又前記０式は実験式である為に、正規現像への適用には
問題があり、その適用範囲が反転現像に限定される。
問題があり、その適用範囲が反転現像に限定される。
本発明が解決しようとする技術的課題は直流パルス電圧
（最大電位）を、感光体の表面電位付近又はそれ以上に
引き上げる事を可能にし、この結果感光体表面電位を低
電位に維持し耐久性の向上を図り得る現像方法を提供す
る事にある。
（最大電位）を、感光体の表面電位付近又はそれ以上に
引き上げる事を可能にし、この結果感光体表面電位を低
電位に維持し耐久性の向上を図り得る現像方法を提供す
る事にある。
又本発明の他の目的は、そのパルス幅に限定される事な
く周波数が１００乃至５０００Ｈｚにおいて、精度よく
且つ簡潔にその電圧値等を決定し得る、言い換えれば設
計の自由度の向上と共に濃度調整その他の制御の容易化
を可能にした現像方法を提供する事にある。
く周波数が１００乃至５０００Ｈｚにおいて、精度よく
且つ簡潔にその電圧値等を決定し得る、言い換えれば設
計の自由度の向上と共に濃度調整その他の制御の容易化
を可能にした現像方法を提供する事にある。
又本発明の他の目的は反転現像以外に正規現像にも適用
し得る現像方法を提供する事にある。
し得る現像方法を提供する事にある。
「問題点を解決する為の手段」
先ず本発明に至った過程を説明する。
周波数が１００乃至５０００Ｈｚの直流パルス／ヘイア
メ電圧を用いて静電潜像保持体上に高抵抗磁性トナーを
転移させる現像方法において、感光体表面電位を低電位
に維持しつつもコントラストの高い高品質の画像を得る
には、前記直流パルスの最大電位を感光体表面電位と同
等又はそれ以上に設定する必要がある事は前述した通り
である。
メ電圧を用いて静電潜像保持体上に高抵抗磁性トナーを
転移させる現像方法において、感光体表面電位を低電位
に維持しつつもコントラストの高い高品質の画像を得る
には、前記直流パルスの最大電位を感光体表面電位と同
等又はそれ以上に設定する必要がある事は前述した通り
である。
しかしながら、画像のかぶりやにじみ、言い換えれば潜
像部に適切にトナーが付着するか否かの変動要素は、直
流パルス電圧の最大電位と感光体表面電位との関係では
なく、下記第０式により導かれる直流パルス印加時にお
けるトナー担持体の表面電位（以下実効電位という）と
感光体表面電位との関係によって定まることを本発明者
は見い出し、これに基すいて本発明がなされた。
像部に適切にトナーが付着するか否かの変動要素は、直
流パルス電圧の最大電位と感光体表面電位との関係では
なく、下記第０式により導かれる直流パルス印加時にお
けるトナー担持体の表面電位（以下実効電位という）と
感光体表面電位との関係によって定まることを本発明者
は見い出し、これに基すいて本発明がなされた。
即ち本発明は、下記■■式を満足するように感光体表面
電位と、直流パルスの最大電位、周期、及びパルス幅を
設定して現像を行うようにした現像方法を提供する事に
ある。
電位と、直流パルスの最大電位、周期、及びパルス幅を
設定して現像を行うようにした現像方法を提供する事に
ある。
ｌＶｂ １＞ ｌ Ｖｓ ＋Ｔｖ −Ｍｖ ｌ＞ｌＶ
ｗ ｌ−・−■Ｖｓ ＝ ［（ｔｌ／ ｔ）
−ＡＩ 争 Ｖｂｉａｓ＋Ｃ−＊ ・■ｖｗ＝感
光体の露光部電位、 ■ｂ＝感光体の表面電位（非露光部電位）、Ｖｂｉａｓ
：直流パルスの最大電位 ｖｓ：直流パルス実効電位 Ｔｖ：スリーブを回転させ、バイアスを印加する前の現
像位置におけるトナー表面電位（定数） Ｍｖ：現像位置におけるトナー担持体に内包された固定
磁石集成体の保持力と対応する電圧成分（定数） ｔｌ：直流パルスのパルス幅 （スイッチング０８時間） ｔ：直流パルスの周期（時間） Ａ：直流パルスの波形の乱れから起因する補正係数（定
数） Ｃ：トナー担持体の導電率、バイアス基板の特性から起
因する補正値 尚、感光体の露光部は反転現像の場合は潜像形成部、又
正規現像の場合は背景部となり、又非露光部においては
この逆となるが、ｖｂとＶｓの極性は反転現像、正規現
像とも同極性になる。
ｗ ｌ−・−■Ｖｓ ＝ ［（ｔｌ／ ｔ）
−ＡＩ 争 Ｖｂｉａｓ＋Ｃ−＊ ・■ｖｗ＝感
光体の露光部電位、 ■ｂ＝感光体の表面電位（非露光部電位）、Ｖｂｉａｓ
：直流パルスの最大電位 ｖｓ：直流パルス実効電位 Ｔｖ：スリーブを回転させ、バイアスを印加する前の現
像位置におけるトナー表面電位（定数） Ｍｖ：現像位置におけるトナー担持体に内包された固定
磁石集成体の保持力と対応する電圧成分（定数） ｔｌ：直流パルスのパルス幅 （スイッチング０８時間） ｔ：直流パルスの周期（時間） Ａ：直流パルスの波形の乱れから起因する補正係数（定
数） Ｃ：トナー担持体の導電率、バイアス基板の特性から起
因する補正値 尚、感光体の露光部は反転現像の場合は潜像形成部、又
正規現像の場合は背景部となり、又非露光部においては
この逆となるが、ｖｂとＶｓの極性は反転現像、正規現
像とも同極性になる。
又本発明は周波数がｉｏｏ乃至５０００Ｈｚの直流パル
スバイアス電圧を用いた場合のみ適用されるものである
。
スバイアス電圧を用いた場合のみ適用されるものである
。
けだし、その理由は、周波数が１００ Ｈｚ以下では各
パルス毎の印加時間が長くなる為に、画像のかぶりやに
じみの変動要素が、前記直流パルスの実効電位Ｖｓでは
なく最大電位Ｖ ｂｉａｓに影響してしまい、又５００
０Ｈｚ以上ではそのパルス周期時間が極めて短くなる為
に、実効電位ＶＳと最大電位Ｖｂｉａｓの関係が０式に
示すようにリニアに正比例して変化し得ない為である。
パルス毎の印加時間が長くなる為に、画像のかぶりやに
じみの変動要素が、前記直流パルスの実効電位Ｖｓでは
なく最大電位Ｖ ｂｉａｓに影響してしまい、又５００
０Ｈｚ以上ではそのパルス周期時間が極めて短くなる為
に、実効電位ＶＳと最大電位Ｖｂｉａｓの関係が０式に
示すようにリニアに正比例して変化し得ない為である。
「作用」
前記０式より理解される通り、直流パルス印加時におけ
るトナー担持体の表面電位、言い換えればトナー担持体
表面に形成される直流パルス実効電位Ｖｓに、現像位置
におけるトナー表面電位ＴＶと固定磁石集成体の保持力
と対応する電圧成分Ｍｖを加除して得られた電圧成分が
、感光体の露光部電位Ｖｗと感光体非露光部電位ｖｂの
間にあるように設定すれば、かぶりやにじみが生じる事
なく感光体の潜像形成部にのみ適切にトナーを転移させ
る事が出来、常に安定した鮮明画像を得る基が出来る訳
である。
るトナー担持体の表面電位、言い換えればトナー担持体
表面に形成される直流パルス実効電位Ｖｓに、現像位置
におけるトナー表面電位ＴＶと固定磁石集成体の保持力
と対応する電圧成分Ｍｖを加除して得られた電圧成分が
、感光体の露光部電位Ｖｗと感光体非露光部電位ｖｂの
間にあるように設定すれば、かぶりやにじみが生じる事
なく感光体の潜像形成部にのみ適切にトナーを転移させ
る事が出来、常に安定した鮮明画像を得る基が出来る訳
である。
而も後記する確認実験からも理解される通り、トナー表
面電位Ｔｖと固定磁石集成体の保持力対応電圧Ｍｖはい
ずれもバイアス電圧等の変動に影響されない定数である
為に、直流パルス実効電位Ｖｓのみにて画像鮮明度の有
無を決定出来る。
面電位Ｔｖと固定磁石集成体の保持力対応電圧Ｍｖはい
ずれもバイアス電圧等の変動に影響されない定数である
為に、直流パルス実効電位Ｖｓのみにて画像鮮明度の有
無を決定出来る。
即ちトナー表面電位Ｔｖはトナーの摩擦帯電により注入
形成されるものである為に、使用するトナーが一定材質
であれば変動する事なく、又保持力対応電圧Ｍｖも現像
間隔、トナーの磁気特性、固定磁石集成体の磁束密度等
により決定される為に、同様に同一条件化では変動する
事はない。
形成されるものである為に、使用するトナーが一定材質
であれば変動する事なく、又保持力対応電圧Ｍｖも現像
間隔、トナーの磁気特性、固定磁石集成体の磁束密度等
により決定される為に、同様に同一条件化では変動する
事はない。
従ってこれらの定数は前もって既知にする本は可能であ
り、直流パルス実効電位Ｖｓのみにて画像鮮明度の有無
を決定出来る。
り、直流パルス実効電位Ｖｓのみにて画像鮮明度の有無
を決定出来る。
そして直流パルス実効電位Ｖｓは０式よりあきらかな如
く、１００乃至５０００Ｈｚの範囲において、パルス幅
ｔ１、パルス周期ｔとパルス最大電位Ｖｂｉａｓに依存
している為に、これらを決定する事によりパルス実効電
位Ｖｓを容易に且つ正確に定める事が出来る。
く、１００乃至５０００Ｈｚの範囲において、パルス幅
ｔ１、パルス周期ｔとパルス最大電位Ｖｂｉａｓに依存
している為に、これらを決定する事によりパルス実効電
位Ｖｓを容易に且つ正確に定める事が出来る。
而も前記パルス実効電位Ｖｓはパルス最大電位Ｖｂｉａ
ｓを変化させても、又デユーティ比（ｔｌ ／ｌ）のい
ずれを増減させても変化可能である為に、コントラスト
を一定に保ちつつ階調性を変化させたり濃度調整を行っ
たりする事が出来、種々の肌合を有する画像形成が可能
となる。
ｓを変化させても、又デユーティ比（ｔｌ ／ｌ）のい
ずれを増減させても変化可能である為に、コントラスト
を一定に保ちつつ階調性を変化させたり濃度調整を行っ
たりする事が出来、種々の肌合を有する画像形成が可能
となる。
尚、前記ｌ Ｖｓ ＋Ｔｖ−Ｍｙ ｌはｌＶｗｌよ（１
大に設定しているために潜像部へのトナー転移を良好に
行なう事ができる。
大に設定しているために潜像部へのトナー転移を良好に
行なう事ができる。
「実施例」
以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
第１図は本発明が適用された画像形成装置の概略構成を
示し、１ａは感光体表面で感光体ドラムｌの表面に光導
電性絶縁層を形成してなり、感光体ドラムｌは矢印方向
に１００ｍ５＋／ｓｅｃの周速で回転可能に構成してい
る。
示し、１ａは感光体表面で感光体ドラムｌの表面に光導
電性絶縁層を形成してなり、感光体ドラムｌは矢印方向
に１００ｍ５＋／ｓｅｃの周速で回転可能に構成してい
る。
光導電性絶縁層にはセレン、酸化亜鉛、アモルファスシ
リコン等の無機半導体や、ポリビニルカルバゾル等の有
機半導体等が使用され、夫々使用特性が異なるが、本実
施例においてはポリビニルカルバゾル系の有機半導体を
用い、負極性の帯電がなされるよう構成している。
リコン等の無機半導体や、ポリビニルカルバゾル等の有
機半導体等が使用され、夫々使用特性が異なるが、本実
施例においてはポリビニルカルバゾル系の有機半導体を
用い、負極性の帯電がなされるよう構成している。
前記感光体ドラム１の周囲には、回転方向に沿って感光
体表面１ａを一様に均一帯電させる帯電器２、該帯電さ
れた感光体表面１ａの電荷を、画像情報に基づいて消散
させ、所定の静電潜像を形成するレーザビーム３、該静
電潜像を反転現像する反転現像装置４、該現像装置４に
より顕像化されたトナー像を転写紙５に転写する転写器
６、転写後の残留トナーを除去するクリーナ７、及び非
露光部の残留電荷を除去する除電ランプ８ （イレーザ
）等が配置されており、これにより所定の画像形成サイ
クルを繰り返し行うことが可能となる。
体表面１ａを一様に均一帯電させる帯電器２、該帯電さ
れた感光体表面１ａの電荷を、画像情報に基づいて消散
させ、所定の静電潜像を形成するレーザビーム３、該静
電潜像を反転現像する反転現像装置４、該現像装置４に
より顕像化されたトナー像を転写紙５に転写する転写器
６、転写後の残留トナーを除去するクリーナ７、及び非
露光部の残留電荷を除去する除電ランプ８ （イレーザ
）等が配置されており、これにより所定の画像形成サイ
クルを繰り返し行うことが可能となる。
さて、前記現像装置４は、感光体ドラムｌと所定間隔離
間して配置し、感光体ドラムｌと同一の周速で矢印方向
に回転する非磁性スリーブ４１と、該スリーブ４１内に
内包された固定磁石集成体４２と、前記感光体表面１ａ
対面位置の上流側に配置された層厚規制部材４３と、ト
ナー容器４４から構成され、前記感光体ドラム１との現
像間隔（最近接間隔）及び層厚規制部材４３により規制
されるトナ一層厚は現像位置におけるトナ一層厚より現
像間隔が大になるよう設定している。
間して配置し、感光体ドラムｌと同一の周速で矢印方向
に回転する非磁性スリーブ４１と、該スリーブ４１内に
内包された固定磁石集成体４２と、前記感光体表面１ａ
対面位置の上流側に配置された層厚規制部材４３と、ト
ナー容器４４から構成され、前記感光体ドラム１との現
像間隔（最近接間隔）及び層厚規制部材４３により規制
されるトナ一層厚は現像位置におけるトナ一層厚より現
像間隔が大になるよう設定している。
又前記非磁性スリーブ４１には、スイッチング回路４５
を介して直流電源４Ｂが接続され、該スイッチング回路
４５に付設されたタイマー（図示せず）により周期的に
スイッチング操作を行うことにより矩形状の直流パルス
電圧が非磁性スリーブ４１に印加されるよう構成してい
る。
を介して直流電源４Ｂが接続され、該スイッチング回路
４５に付設されたタイマー（図示せず）により周期的に
スイッチング操作を行うことにより矩形状の直流パルス
電圧が非磁性スリーブ４１に印加されるよう構成してい
る。
又前記現像装置４に使用されるトナーとして、平均粒径
９〜２０ｇ＊、電気抵抗率がｌＯΩ・ｃｍ、比誘電率が
２．０以下、保持力８５０ｅ 、飽和磁化２０〜４０ｅ
ｍｕ／ｇであって、摩擦帯電により負の帯電極性を有す
る磁性トナーを使用する。
９〜２０ｇ＊、電気抵抗率がｌＯΩ・ｃｍ、比誘電率が
２．０以下、保持力８５０ｅ 、飽和磁化２０〜４０ｅ
ｍｕ／ｇであって、摩擦帯電により負の帯電極性を有す
る磁性トナーを使用する。
かかる装置を用いて前記各■■式の確認実験を行った結
果を下記に示す。
果を下記に示す。
Ａ、０式の検定
Ａ−１、先ずＶ ｂｉａｓを一４００Ｖ、デユーティ比
（１１／１）を５０％ ニ一定に保チナかうｔｌ／ ｔ
を１５０／３００ｇ５ｅｃ 、 ２００／４００ ｇｓ
ｅｃ 、 ２５０１５００ ｐ−５ｅｃ 、 ３５０／
７００ ｇ ｓｅｃ 、 ５００／１０００ ｐ、 ｓ
ｅｃ 、と変化させたが、現像位置における非磁性スリ
ーブ４１の表面電位ＶＳを表面電位計で測定した所、い
ずれも１７５ｖ〜１７８ｖの間に入り、一定値を示した
。
（１１／１）を５０％ ニ一定に保チナかうｔｌ／ ｔ
を１５０／３００ｇ５ｅｃ 、 ２００／４００ ｇｓ
ｅｃ 、 ２５０１５００ ｐ−５ｅｃ 、 ３５０／
７００ ｇ ｓｅｃ 、 ５００／１０００ ｐ、 ｓ
ｅｃ 、と変化させたが、現像位置における非磁性スリ
ーブ４１の表面電位ＶＳを表面電位計で測定した所、い
ずれも１７５ｖ〜１７８ｖの間に入り、一定値を示した
。
従ってデユーティ比（ｔｌ ／ｌ）とＶ ｂｉａｓが一
定であれば、Ｖｓは変化しない事が理解出来る。
定であれば、Ｖｓは変化しない事が理解出来る。
Ａ−２、次にデユーティ比（１１／１）を数回づつ５０
０／１０００ ｐ−ｓｅｃに一定にしてＶ ｂｉａｓを
一４００Ｖ、−４５０■、−５００Ｖ−５５０Ｖ、−６
００Ｖと変化させてＶｓを測定した所、第２Ａ図のよう
に相関度０．９９８の確率で直線状にあることが確認さ
れた。
０／１０００ ｐ−ｓｅｃに一定にしてＶ ｂｉａｓを
一４００Ｖ、−４５０■、−５００Ｖ−５５０Ｖ、−６
００Ｖと変化させてＶｓを測定した所、第２Ａ図のよう
に相関度０．９９８の確率で直線状にあることが確認さ
れた。
Ａ−３、次にＶｂｉａｓを一４００Ｖ、パルス周期ｔを
１０００ ｇ ｓｅｃに一定にしてパルス幅ｔ１を８８
０ ｇ ｓｅｃ、８００４ｓｅｃ 、 ７００ ｐ−５
ｅｃ 、 ５００ ｐ、ｓｅｃ 、 ３００ ｇｓｅｃ
と変化させて■Ｓを数回づつ°測定した所、第２Ｂ図の
ように相関度０．９９９の確率で直線状にあることが確
認された。
１０００ ｇ ｓｅｃに一定にしてパルス幅ｔ１を８８
０ ｇ ｓｅｃ、８００４ｓｅｃ 、 ７００ ｐ−５
ｅｃ 、 ５００ ｐ、ｓｅｃ 、 ３００ ｇｓｅｃ
と変化させて■Ｓを数回づつ°測定した所、第２Ｂ図の
ように相関度０．９９９の確率で直線状にあることが確
認された。
Ａ−４、最後に前記Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、をもとに
Ｖｓ 、 Ｖｂｉａｓ、（ｔｌ／ｌ）の関係式を求めた
所、Ｖｓ ＝ ［（ｔｌ／１）−０，０８２］ ・Ｖ
ｂｉａｓ＋ （−１０Ｖ）・・・ｌ となり、前記０式と整合する。
Ｖｓ 、 Ｖｂｉａｓ、（ｔｌ／ｌ）の関係式を求めた
所、Ｖｓ ＝ ［（ｔｌ／１）−０，０８２］ ・Ｖ
ｂｉａｓ＋ （−１０Ｖ）・・・ｌ となり、前記０式と整合する。
尚、Ｃが（−１０Ｖ）となったのはバイアス基板におい
てグランドレベルが一１０Ｖであることを示す。
てグランドレベルが一１０Ｖであることを示す。
Ｂ、■式の検定
Ｂ−１，バイアスを印加する前の現像位置におけるトナ
ー表面電位Ｔｖが定数である事の検定バイアスを印加し
たときのスリーブ４１の表面電位Ｖｓ （トナーが付
着していない状態）とバイアスを印加したときの現像位
置におけるトナー表面電位（Ｔｖ＋Ｖｓ）を、Ｖ ｂｉ
ａｓ、（ｔｌ／ｌ ）を夫々変化させて各数回づつ測定
した所、第３Ａ図のように相関度０．９９９でリニアな
関係であり、Ｔｖが定数（−３７Ｖ）であることが確認
された。
ー表面電位Ｔｖが定数である事の検定バイアスを印加し
たときのスリーブ４１の表面電位Ｖｓ （トナーが付
着していない状態）とバイアスを印加したときの現像位
置におけるトナー表面電位（Ｔｖ＋Ｖｓ）を、Ｖ ｂｉ
ａｓ、（ｔｌ／ｌ ）を夫々変化させて各数回づつ測定
した所、第３Ａ図のように相関度０．９９９でリニアな
関係であり、Ｔｖが定数（−３７Ｖ）であることが確認
された。
Ｂ−２，現像位置における非磁性スリーブ４１に内包さ
れた固定磁石集成体４２の保持力と対応する電圧成分が
定数である事の検定 次にデユーティ比（ｔｌ ／ｌ）を７００／ １０００
ｇ ｓｅｃに一定にしてＶ ｂｉａｓを−１２００Ｖ
（Ｖｓ ニア５１Ｖ ）、−１０００Ｖ （Ｖ ｓニー
６２８Ｖ）、−８００Ｖ （Ｖ ｓニー５０４Ｖ ）と
変化させてカブリの始まる感光体の表面電位ｖｂを各数
回づつ測定した所、第３Ｂ図のように相関度０．９９で
リニアな関係であり１Ｍマが定数（−３０Ｖ）であるこ
とが見い出され、・１）式との整合性が確認され、且つ
いずれもＶ ｂｉａｓがｖｂより大に設定し得た。
れた固定磁石集成体４２の保持力と対応する電圧成分が
定数である事の検定 次にデユーティ比（ｔｌ ／ｌ）を７００／ １０００
ｇ ｓｅｃに一定にしてＶ ｂｉａｓを−１２００Ｖ
（Ｖｓ ニア５１Ｖ ）、−１０００Ｖ （Ｖ ｓニー
６２８Ｖ）、−８００Ｖ （Ｖ ｓニー５０４Ｖ ）と
変化させてカブリの始まる感光体の表面電位ｖｂを各数
回づつ測定した所、第３Ｂ図のように相関度０．９９で
リニアな関係であり１Ｍマが定数（−３０Ｖ）であるこ
とが見い出され、・１）式との整合性が確認され、且つ
いずれもＶ ｂｉａｓがｖｂより大に設定し得た。
「発明の効果」
以−ヒ記載の如く本発明によれば、画像のにじみやかぶ
りを防止しつつ、 Ｖｂｉａｓを感光体の表面電位付近
又はそれ以上に引き上げる基を可能にし、この結果感光
体表面電位を低電位に維持し耐久性の向上を図ることが
出来る。
りを防止しつつ、 Ｖｂｉａｓを感光体の表面電位付近
又はそれ以上に引き上げる基を可能にし、この結果感光
体表面電位を低電位に維持し耐久性の向上を図ることが
出来る。
又本発明によれば、パルスバイアスの周波数が１００乃
至５０００Ｈｚにおいて、Ｅ記Ｊｌ ｔう）式の範囲内
でＶｂ 、 Ｖｂｉａｓ、 を及びｔｌを自由に決定出
来、コノ結果設計の自由度の向上と共に法度調整１画像
階調度その他の制御の容易化を可能にする。
至５０００Ｈｚにおいて、Ｅ記Ｊｌ ｔう）式の範囲内
でＶｂ 、 Ｖｂｉａｓ、 を及びｔｌを自由に決定出
来、コノ結果設計の自由度の向上と共に法度調整１画像
階調度その他の制御の容易化を可能にする。
又本発明は反転現像以外に正規現像にも適用し得る為に
その実用的効果は極めて大きい。
その実用的効果は極めて大きい。
等の種々の著効を有す。
第１図は本発明が適用された画像形成装置の概略図、第
２Ａ図及び第２Ｂ図は特許請求の範囲の■式を検定する
為のグラフ図、第３Ａ図及び第３Ｂ図は特許請求の範囲
の０式を検定する為のグラフ図である。 第１図 第２Ｂ図 ％ 第３Ａ図 ｓ 第３Ｂ図 Ｓ
２Ａ図及び第２Ｂ図は特許請求の範囲の■式を検定する
為のグラフ図、第３Ａ図及び第３Ｂ図は特許請求の範囲
の０式を検定する為のグラフ図である。 第１図 第２Ｂ図 ％ 第３Ａ図 ｓ 第３Ｂ図 Ｓ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 トナー担持体上に担持された高抵抗磁性トナーを、周波
数が１００乃至５０００Ｈｚの直流パルスバイアス電圧
を用いて静電潜像保持体上に転移させる現像方法におい
て、下記の（１）及び（２）式を満足するように、静電
潜像保持体表面電位Ｖｂ、直流パルスの最大電位Ｖｂｉ
ａｓ、その周期を及びパルス幅ｔ１を設定して現像を行
うようにした事を特徴とする静電潜像現像方法。 ｜Ｖｂ｜＞｜Ｖｓ＋Ｔｖ−Ｍｖ｜＞｜Ｖｗ｜…（１）Ｖ
ｓ＝［（ｔ１／ｔ）−Ａ］・Ｖｂｉａｓ＋Ｃ…（２）Ｖ
ｗ：静電潜像保持体の露光部電位、 Ｖｓ：直流パルスの実効電位 Ｔｖ：スリーブを回転させ、バイアスを印加する前の現
像位置におけるトナー表面電位 （定数） Ｍｖ：トナー担持体に内包された固定磁石集成体の保持
力と対応する電圧成分（定数） Ａ：直流パルスの波形の乱れから起因する補正係数（定
数） Ｃ：トナー担持体の導電率、バイアス基板の特性から起
因する補正値
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26722785A JPS62127756A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 静電潜像現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26722785A JPS62127756A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 静電潜像現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127756A true JPS62127756A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17441904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26722785A Pending JPS62127756A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 静電潜像現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62127756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02287370A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-27 | Mita Ind Co Ltd | グレートナーを用いる画像形成方法 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26722785A patent/JPS62127756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02287370A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-27 | Mita Ind Co Ltd | グレートナーを用いる画像形成方法 |
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