JPS62123612A - 接触層を有するn−形導電性セラミツク電気構成部分 - Google Patents
接触層を有するn−形導電性セラミツク電気構成部分Info
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RHQQHZQUAMFINJ-GKWSUJDHSA-N 1-[(3s,5s,8s,9s,10s,11s,13s,14s,17s)-3,11-dihydroxy-10,13-dimethyl-2,3,4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl]-2-hydroxyethanone Chemical compound C1[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@H]3[C@@H](O)C[C@](C)([C@H](CC4)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CC[C@H]21 RHQQHZQUAMFINJ-GKWSUJDHSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100069663 Caenorhabditis elegans gst-1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100449761 Musca domestica Gst1 gene Proteins 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5116—Ag or Au
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
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- H—ELECTRICITY
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、n−形導電率を示し、オーム性導電率特性
を有する接触層をそなえるセラミック電気構成部分に関
する。
を有する接触層をそなえるセラミック電気構成部分に関
する。
n−形セラミック材料」二の接触のオーム性導電率特性
を得るためには、少なくとも前記材料に隣接する層が還
元性を有する金属より成るべきことが必要である。
を得るためには、少なくとも前記材料に隣接する層が還
元性を有する金属より成るべきことが必要である。
これは、例えば、米国特許第3027529号明細書に
、還元性を有する金属、例えば、アルミニウムの薄い蒸
着層」二を銅、銀又は前記金属の合金の電着又は金属化
層で補強したような層を用いると記載される。概して、
最外層は、良好なはんだ付は適性が要求される。
、還元性を有する金属、例えば、アルミニウムの薄い蒸
着層」二を銅、銀又は前記金属の合金の電着又は金属化
層で補強したような層を用いると記載される。概して、
最外層は、良好なはんだ付は適性が要求される。
ある適用にあたって、セラミック表面は、機械的処理、
例えば、研削、研磨又はのこ引きにかけねばならない。
例えば、研削、研磨又はのこ引きにかけねばならない。
ところが、既知の方法による接触層をそなえるような構
成部分は、350℃以上の使用温度でじゅうぶんな安定
性を示さないことを確かめた。更に、このような構成部
分は、温かい湿り空気(40℃−90%RH(相対湿度
))中での寿命試験に合格することができないことを確
かめた。
成部分は、350℃以上の使用温度でじゅうぶんな安定
性を示さないことを確かめた。更に、このような構成部
分は、温かい湿り空気(40℃−90%RH(相対湿度
))中での寿命試験に合格することができないことを確
かめた。
この発明は、n−形導電率を示し、オーム性導電率特性
を有する接触層をそなえるセラミック電気構成部分を提
供する。
を有する接触層をそなえるセラミック電気構成部分を提
供する。
この発明に従って、上記構成の構成部分は、還元性を有
する蒸着層に隣接する層が次の組成ニガラス質結合剤
10〜25重量% アルミニウム粒子 ≧ 5重量% 銀粒子 く 50重量% の混合物より成ることを特徴とする。
する蒸着層に隣接する層が次の組成ニガラス質結合剤
10〜25重量% アルミニウム粒子 ≧ 5重量% 銀粒子 く 50重量% の混合物より成ることを特徴とする。
この主要な特徴を満たす構成部分は、450℃もの使用
温度での繰り返し放置にすぐれた耐性を有し、また」1
記の温かい湿り空気の試験にも耐える。
温度での繰り返し放置にすぐれた耐性を有し、また」1
記の温かい湿り空気の試験にも耐える。
この発明に従う接触層の最」二層における銀の存在は、
それが機械仕」二表面を有する構成部分の耐性に関係す
る場合は必要がない3、還元性を有する層を蒸着により
設けることは、不i+J欠である。
それが機械仕」二表面を有する構成部分の耐性に関係す
る場合は必要がない3、還元性を有する層を蒸着により
設けることは、不i+J欠である。
しかし、A−導電性セラミック構成部分の若干の適用の
ためには、Hl−IH通より高い、接触層の耐摩滅性が
要求される。これは、なかんずく正の抵抗温度係数を有
する抵抗体より成る電動機保護装置における場合であり
、そこでは、電動機をオンにスイッチする度に可動接触
子により接触表面が接触される。
ためには、Hl−IH通より高い、接触層の耐摩滅性が
要求される。これは、なかんずく正の抵抗温度係数を有
する抵抗体より成る電動機保護装置における場合であり
、そこでは、電動機をオンにスイッチする度に可動接触
子により接触表面が接触される。
構成部分の接触層の1li4磨滅性に関しては、特別の
要求がなされる用途に417に向けられるこの発明の好
ましい例によれば、hl、I+構成部分、還元性を有す
る層に隣接する層が次の11量%組成ニガラス質R,−
合剤 10〜25(F量%アルミニウム粒子 ≧
5重量% 銀粒子 20〜50重債% を有することを特徴とする。
要求がなされる用途に417に向けられるこの発明の好
ましい例によれば、hl、I+構成部分、還元性を有す
る層に隣接する層が次の11量%組成ニガラス質R,−
合剤 10〜25(F量%アルミニウム粒子 ≧
5重量% 銀粒子 20〜50重債% を有することを特徴とする。
ガラス質結合剤としては、ガラスが何らの酸化成分をも
含有せず、かつ軟化温度が約650℃より低いことを条
件に任意の組成物を用いることができる。接触層を生じ
る出発物として用いうるペーストにおいては、ガラスは
、例えば、10μmの粒度を有する摩砕フリットの形で
用いられ、金属粒子も、例えば、この大きさで用いられ
る。
含有せず、かつ軟化温度が約650℃より低いことを条
件に任意の組成物を用いることができる。接触層を生じ
る出発物として用いうるペーストにおいては、ガラスは
、例えば、10μmの粒度を有する摩砕フリットの形で
用いられ、金属粒子も、例えば、この大きさで用いられ
る。
適当なガラス組成物の例は:
Pb0 36.0重量% 74.0重量% 53.5
重量% 44.4重量%3aQ” ’ //
18.3 // //S’+02 2
0.6 〃18.6 〃20.2 ” 26
.1 〃3rQ // −−// 2
15 tte2o35.0 〃5.0 〃5.4
〃6.1 〃へ1203 2.4 〃2
.4 〃2.6 /’ 2.9
〃BI2[]336.0 // //
−// −//、であり、いわゆる厚膜技術で用
いられる他の既知のガラスも用いることができる。
重量% 44.4重量%3aQ” ’ //
18.3 // //S’+02 2
0.6 〃18.6 〃20.2 ” 26
.1 〃3rQ // −−// 2
15 tte2o35.0 〃5.0 〃5.4
〃6.1 〃へ1203 2.4 〃2
.4 〃2.6 /’ 2.9
〃BI2[]336.0 // //
−// −//、であり、いわゆる厚膜技術で用
いられる他の既知のガラスも用いることができる。
ガラス質結合剤の役目は、アルミニウム粒子上に存在す
る自然酸化物層をその中に溶解して、金属を遊離させる
ようにすることである。
る自然酸化物層をその中に溶解して、金属を遊離させる
ようにすることである。
ペーストをかける前に、それを焼成中に揮発及び/又は
燃焼する仮結合剤を混合する。このような結合剤は、ペ
ーストに適当なレオロジー特性を与えるために加えられ
る。このような結合剤の例は、安息香酸ベンジルとエチ
ルセルロースの混合物又はエチルセルロースのブタノー
ル−1及び酢酸プチルカルヒ用・−ルの混合物中の溶液
である。
燃焼する仮結合剤を混合する。このような結合剤は、ペ
ーストに適当なレオロジー特性を与えるために加えられ
る。このような結合剤の例は、安息香酸ベンジルとエチ
ルセルロースの混合物又はエチルセルロースのブタノー
ル−1及び酢酸プチルカルヒ用・−ルの混合物中の溶液
である。
次に、この発明を二つの例によって一層詳細に説明する
。
。
例 1
一Ω−−導電性11a7i0.’J:の二、三の接触層
、すなわち: a) 原子比80:20で、0.1 μmの)ワさに真
空蒸着させたNiCr層、0.3μmの銀蒸着層及び蒸
着銀層」二に5〜10μmの厚さでかけた既知の銀ペー
ストの組合せを用い全体を450℃で5分間焼成したも
の、 b) ペーストの形でスクリーン印刷によりかけ、14
.7〜15.0重量%・のIn、 3.65−3.75
重量%のGa。
、すなわち: a) 原子比80:20で、0.1 μmの)ワさに真
空蒸着させたNiCr層、0.3μmの銀蒸着層及び蒸
着銀層」二に5〜10μmの厚さでかけた既知の銀ペー
ストの組合せを用い全体を450℃で5分間焼成したも
の、 b) ペーストの形でスクリーン印刷によりかけ、14
.7〜15.0重量%・のIn、 3.65−3.75
重量%のGa。
73.5〜75,2重量%の銀及び6〜8%のエナメル
粉末を含有するInJa Ag層並びにこの」−に同じ
くスクリーン印刷により5〜10μmの厚さにかけた醜
−ペーストの組合せを用い、第1唐をかけた後に全体を
620℃で20分間焼成し、第2層をかけた後全体を6
20℃で10分間焼成したもの、 C) スクリーン印刷によりかけ同じく620℃で20
分間焼成した同じ組成のIn−G計へg層並びに乾燥物
質で約20重量%のガラス粉末及び80重里%のへ1粉
末を含んで成る層ペーストの5〜10μm厚さの層の組
合せて、全体を620℃で20分間焼成したもの の特性をこの発明に従う次の4種の接触層組合せ:d)
真空蒸着した2μ印厚さのアルミニウムの屑、その七
に乾燥物質で約201量%のガラス粉末および80重里
%のA1粉末を含んで成るへ1ペーストの、5〜10μ
m厚さのスクリーン印刷層を置き、全体を650℃で2
0分間焼成したもの、 e) 原子比80:20で真空蒸着したNiCrの0.
1μ印厚さの層、0.3μmの銀の蒸着層及びその」二
の、d)と同じ厚さ及び組成のへ1ペーストのスクリー
ン印刷層から成り、全体を同様に650℃で20分間焼
成した組合せ、 f) へ1ペースト層をスクリーン印刷でな(スプレー
イングで設けたほかはd)と同じもの、g) へ1ペー
スト層をスクリーン印刷でなくスプレーイングで設けた
ほかはe)と同じものと比較する。
粉末を含有するInJa Ag層並びにこの」−に同じ
くスクリーン印刷により5〜10μmの厚さにかけた醜
−ペーストの組合せを用い、第1唐をかけた後に全体を
620℃で20分間焼成し、第2層をかけた後全体を6
20℃で10分間焼成したもの、 C) スクリーン印刷によりかけ同じく620℃で20
分間焼成した同じ組成のIn−G計へg層並びに乾燥物
質で約20重量%のガラス粉末及び80重里%のへ1粉
末を含んで成る層ペーストの5〜10μm厚さの層の組
合せて、全体を620℃で20分間焼成したもの の特性をこの発明に従う次の4種の接触層組合せ:d)
真空蒸着した2μ印厚さのアルミニウムの屑、その七
に乾燥物質で約201量%のガラス粉末および80重里
%のA1粉末を含んで成るへ1ペーストの、5〜10μ
m厚さのスクリーン印刷層を置き、全体を650℃で2
0分間焼成したもの、 e) 原子比80:20で真空蒸着したNiCrの0.
1μ印厚さの層、0.3μmの銀の蒸着層及びその」二
の、d)と同じ厚さ及び組成のへ1ペーストのスクリー
ン印刷層から成り、全体を同様に650℃で20分間焼
成した組合せ、 f) へ1ペースト層をスクリーン印刷でな(スプレー
イングで設けたほかはd)と同じもの、g) へ1ペー
スト層をスクリーン印刷でなくスプレーイングで設けた
ほかはe)と同じものと比較する。
次の第1表に得られた特性、ずなわぢオーム接触の性質
、40℃、90%Rl−1の淵り空気中での寿命試験に
関する安定性及び多くの温度に保った場合の安定性の概
括を示す 結果は、次の認定により記録される: 十」−極めて良好 」−良好 十−許容しろる − 悪い −−極めて悪い 1−導電性naTlo3の表面」―の層の多数の次の組
合せの耐磨滅性に関する特性を測定した:a) 厚さ0
.1 μmのN1Cr(80:20) とその−1
−の厚さ0.3 μmの銀層との(真空)蒸着組合せ、
及び蒸着組合せ」二に40μmの12さてスクリーン印
刷により設けた、20重量%のガラスと80重量%のA
1を含んで成る層ペースト、 b) a)と同じ蒸着組合せの−ににl1機物質とし
て47重量%のへgst1.J重量%の層及び残りの百
分率のガラスフリッ!・を含んで成るペーストをスクリ
ーン印刷により設けたもの、 c) a)と同じ蒸着組合せの−1−に無機物質とし
て35重量%の八1と残りの百分率のガラスを含んで成
るペーストをスクリーン印刷により設けたもの。
、40℃、90%Rl−1の淵り空気中での寿命試験に
関する安定性及び多くの温度に保った場合の安定性の概
括を示す 結果は、次の認定により記録される: 十」−極めて良好 」−良好 十−許容しろる − 悪い −−極めて悪い 1−導電性naTlo3の表面」―の層の多数の次の組
合せの耐磨滅性に関する特性を測定した:a) 厚さ0
.1 μmのN1Cr(80:20) とその−1
−の厚さ0.3 μmの銀層との(真空)蒸着組合せ、
及び蒸着組合せ」二に40μmの12さてスクリーン印
刷により設けた、20重量%のガラスと80重量%のA
1を含んで成る層ペースト、 b) a)と同じ蒸着組合せの−ににl1機物質とし
て47重量%のへgst1.J重量%の層及び残りの百
分率のガラスフリッ!・を含んで成るペーストをスクリ
ーン印刷により設けたもの、 c) a)と同じ蒸着組合せの−1−に無機物質とし
て35重量%の八1と残りの百分率のガラスを含んで成
るペーストをスクリーン印刷により設けたもの。
機械的磨滅は、次の寿命試験により試験された。
いわゆる電動機始動接点の中−ペンを構成部分の表面上
1分当り16回の度数で0.5mmの距離にわたって往
復させる。ばね接点」二の圧力は約3Nである。組立体
を垂直に置き生成しんが逃げるようにする。耐磨滅性の
尺度として、J−導電性13aTlo+、正の温度係数
を有する抵抗体により制御される電流のしゃ断が起こる
時間を測定する。
1分当り16回の度数で0.5mmの距離にわたって往
復させる。ばね接点」二の圧力は約3Nである。組立体
を垂直に置き生成しんが逃げるようにする。耐磨滅性の
尺度として、J−導電性13aTlo+、正の温度係数
を有する抵抗体により制御される電流のしゃ断が起こる
時間を測定する。
しゃ断が接触a)では40分後に、b)では25時間後
に、C)では100〜400時間後にやっと起こる。
に、C)では100〜400時間後にやっと起こる。
この発明の範囲内で用いうるへlAgペーストの他の組
成は次のとおりである: Ag 23 、八l’ 4Q各重量%、残りガラス(無
機物質中)、 八g55.5、へ116.6各市量%、残りガラス(無
機物質中)。
成は次のとおりである: Ag 23 、八l’ 4Q各重量%、残りガラス(無
機物質中)、 八g55.5、へ116.6各市量%、残りガラス(無
機物質中)。
後の方の組成は、例えば、次の形で与えられる二人g4
0.0重量% へ112.0重量% ガラスフリット20.0重量%(例えば、前に列挙した
組成3) 有機結合剤の有機溶媒溶液 28.0重量%。
0.0重量% へ112.0重量% ガラスフリット20.0重量%(例えば、前に列挙した
組成3) 有機結合剤の有機溶媒溶液 28.0重量%。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、n−形導電率を示し、オーム性導電率特性を有する
接触層をそなえるセラミック電気構成部分であって、接
触層が少なくとも二つの副層から成り、それらのうちセ
ラミック表面に隣接する層が還元性を有し、蒸着により
設けられたセラミック電気構成部分において、還元性を
有する層に隣接する層が次の組成:ガラス質結合剤10
〜25重量% アルミニウム粒子≧5重量% 銀粒子≦50重量% の混合物より成ることを特徴とする接触層を有するn−
形導電性セラミック電気構成部分。 2、還元性を有する層に隣接する層が次の組成:ガラス
質結合剤10〜25重量% アルミニウム粒子≧5重量% 銀粒子20〜50重量% を有する特許請求の範囲第1項記載のセラミック電気構
成部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8503142 | 1985-11-15 | ||
NL8503142A NL8503142A (nl) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | N-type geleidend keramisch elektrisch onderdeel met contactlagen. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62123612A true JPS62123612A (ja) | 1987-06-04 |
JPH0357601B2 JPH0357601B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=19846873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61268768A Granted JPS62123612A (ja) | 1985-11-15 | 1986-11-13 | 接触層を有するn−形導電性セラミツク電気構成部分 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0223303A1 (ja) |
JP (1) | JPS62123612A (ja) |
KR (1) | KR870005417A (ja) |
NL (1) | NL8503142A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910544A (en) * | 1988-02-15 | 1990-03-20 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Focus adjusting apparatus in zoom lens camera |
JP2005184025A (ja) * | 2005-02-03 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0603565B1 (en) * | 1992-11-24 | 1999-05-12 | TDK Corporation | Chip varistor and its production method |
ATE405264T1 (de) | 2000-02-08 | 2008-09-15 | Euro Celtique Sa | Zusammensetzungen mit kontrollierter freisetzung, die einen opioid agonist und antagonist enthalten |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1490271A1 (de) * | 1958-04-30 | 1968-12-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern |
DE1415406B1 (de) * | 1958-04-30 | 1970-08-20 | Siemens Ag | Keramischer Widerstand mit hohem positiven Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes |
GB1151648A (en) * | 1966-10-17 | 1969-05-14 | Nat Lead Co | Conductive Coatings |
US3547835A (en) * | 1969-06-09 | 1970-12-15 | Du Pont | Processes of producing and applying silver compositions,and products therefrom |
GB1556638A (en) * | 1977-02-09 | 1979-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing a ceramic electronic component |
-
1985
- 1985-11-15 NL NL8503142A patent/NL8503142A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-11-13 KR KR860009578A patent/KR870005417A/ko not_active Application Discontinuation
- 1986-11-13 EP EP86201990A patent/EP0223303A1/de not_active Withdrawn
- 1986-11-13 JP JP61268768A patent/JPS62123612A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910544A (en) * | 1988-02-15 | 1990-03-20 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Focus adjusting apparatus in zoom lens camera |
JP2005184025A (ja) * | 2005-02-03 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR870005417A (ko) | 1987-06-08 |
NL8503142A (nl) | 1987-06-01 |
EP0223303A1 (de) | 1987-05-27 |
JPH0357601B2 (ja) | 1991-09-02 |
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