JPS62122285A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS62122285A JPS62122285A JP60261466A JP26146685A JPS62122285A JP S62122285 A JPS62122285 A JP S62122285A JP 60261466 A JP60261466 A JP 60261466A JP 26146685 A JP26146685 A JP 26146685A JP S62122285 A JPS62122285 A JP S62122285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- gaas
- gaalas
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はＧａＡｌＡｓ系の半導体発光素子に関するも
ので、特に０．８μｍ帯光通信用発光素子やカメラのオ
ートフォーカス用、室内の赤外光を用いた空間伝搬伝達
用の高出力光源として用いられる。
ので、特に０．８μｍ帯光通信用発光素子やカメラのオ
ートフォーカス用、室内の赤外光を用いた空間伝搬伝達
用の高出力光源として用いられる。
ドーム型ＬＥＤ（発光素子）と称する高出力発光素子の
構造を断面図で第３図に示す。図において、１０１はＺ
ｎが添加されＰ−Ｇａ０−ｔｉＡｌｏ−ｚｓＡＳでなる
半球型の基板、１０２は前記基板に形成されたＺｎ添加
のｐ−Ｇａ６ 、、ＡＩ、 、２Ａｓ層、１０３は前記
ｐ−Ｇａ０−ａＡｌｏ−ｚＡｓ層１０２主面の中央に外
周がｐ型層との分離溝１１０セ囲まれて形成されＺｎ添
加の活性層ｐ−Ｇａ、 、、、ＡＬ。、、ｓＡｓ層、１
０４は前記活性層１０３に形成されたＴｅ添加のｎ−Ｇ
ａ、、、Ａｌ。、２Ａｓ層、１０５は前記ｎ −Ｇａ、
、、ＡＩ。、、Ａｓ層１０４に形成されたＴｅ添加の
ｎ−ＧａＡｓ層、１０６は前記ｎ−ＧａＡｓ層１０５に
前記活性層１０２と溝を介して外側に形成されたＺｎ添
加のｐ”−ＧａＡｓ層であり、このｐ＋−ＧａＡｓ層１
０６にｐ側オーミック電極１０７ｐがまた前記ｎ−Ｇａ
Ａｓ、１１０５にｎ側オーミック電極１０７ｎが夫々形
成されてなる。また、前記活性層ｐ−Ｇａｏ−９５Ａ１
０−ａｓｋｓ１０３およびこれに積層されたｎ型層１０
４，１０５と、前記ｐ”−ＧａＡｓ層１０６との間に形
成された分離溝１１０は接合の保護のために露出面がＳ
ｕｎ、層１１１で被覆さ ゛れている。
構造を断面図で第３図に示す。図において、１０１はＺ
ｎが添加されＰ−Ｇａ０−ｔｉＡｌｏ−ｚｓＡＳでなる
半球型の基板、１０２は前記基板に形成されたＺｎ添加
のｐ−Ｇａ６ 、、ＡＩ、 、２Ａｓ層、１０３は前記
ｐ−Ｇａ０−ａＡｌｏ−ｚＡｓ層１０２主面の中央に外
周がｐ型層との分離溝１１０セ囲まれて形成されＺｎ添
加の活性層ｐ−Ｇａ、 、、、ＡＬ。、、ｓＡｓ層、１
０４は前記活性層１０３に形成されたＴｅ添加のｎ−Ｇ
ａ、、、Ａｌ。、２Ａｓ層、１０５は前記ｎ −Ｇａ、
、、ＡＩ。、、Ａｓ層１０４に形成されたＴｅ添加の
ｎ−ＧａＡｓ層、１０６は前記ｎ−ＧａＡｓ層１０５に
前記活性層１０２と溝を介して外側に形成されたＺｎ添
加のｐ”−ＧａＡｓ層であり、このｐ＋−ＧａＡｓ層１
０６にｐ側オーミック電極１０７ｐがまた前記ｎ−Ｇａ
Ａｓ、１１０５にｎ側オーミック電極１０７ｎが夫々形
成されてなる。また、前記活性層ｐ−Ｇａｏ−９５Ａ１
０−ａｓｋｓ１０３およびこれに積層されたｎ型層１０
４，１０５と、前記ｐ”−ＧａＡｓ層１０６との間に形
成された分離溝１１０は接合の保護のために露出面がＳ
ｕｎ、層１１１で被覆さ ゛れている。
上記発光素子の製造は−ｐ−Ｇａｏ、７５Ａ１０．２５
Ａｇ層１０１にダブルヘテロ層のＧａＡｌＡｓ層１０２
，１０３，１０４を成長させ、周辺部をＺｎ拡散によっ
てｐ領域とし、中央部のみ表面をｎ化させた形で一部分
をエツチング除去し分離溝１１０を設ける。中央部のｎ
領域部と周辺部のｐ領域部に夫々電極を形成したのち。
Ａｇ層１０１にダブルヘテロ層のＧａＡｌＡｓ層１０２
，１０３，１０４を成長させ、周辺部をＺｎ拡散によっ
てｐ領域とし、中央部のみ表面をｎ化させた形で一部分
をエツチング除去し分離溝１１０を設ける。中央部のｎ
領域部と周辺部のｐ領域部に夫々電極を形成したのち。
ｐ−Ｇａ、−ｔｓＡｌｌ 、ｚｓＡｓｓＡｓ層の基板部
に第３図に示すように機械研磨を施して光の取出し効率
を上げるようにした構造になっている。
に第３図に示すように機械研磨を施して光の取出し効率
を上げるようにした構造になっている。
上記従来のドーム型ＬＥＤは主に高電流動作による高出
力を目的としているが、次にあげるような問題点がある
。
力を目的としているが、次にあげるような問題点がある
。
まず、ドーム型状の加工はステムにペレットをマウント
したのち、ペレットを１個ずつ機械研磨する必要がある
が、光の放出面を加工形成するので１個当り１分以上か
かりコスト高になる。
したのち、ペレットを１個ずつ機械研磨する必要がある
が、光の放出面を加工形成するので１個当り１分以上か
かりコスト高になる。
次に、厚く形成されたＧａＡｌＡｓ層にダブルヘテロＧ
ａＡｌＡｓ層を再成長させるので、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活
性層の特性（主にキャリヤ濃度）は上記厚いＧａＡｌＡ
ｓ層のＺｎが拡散することで変動し、歩留りが低下する
。
ａＡｌＡｓ層を再成長させるので、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活
性層の特性（主にキャリヤ濃度）は上記厚いＧａＡｌＡ
ｓ層のＺｎが拡散することで変動し、歩留りが低下する
。
また、構造上同一面にｐおよびｎのオーミック電極が設
けられるが、工程上、ＺｎによるＰ＋拡散およびアイソ
レーションのための分離溝形成のためのエツチング工程
が増しコスト高になる問題がある。
けられるが、工程上、ＺｎによるＰ＋拡散およびアイソ
レーションのための分離溝形成のためのエツチング工程
が増しコスト高になる問題がある。
この発明は狭い指向性が要求され、高出力光源に適する
ように高出力動作における信頼性を確保できる発光素子
の改良構造を提供する。
ように高出力動作における信頼性を確保できる発光素子
の改良構造を提供する。
この発明にかかる発光素子は、ｐ−ＧａＡｓ基板の一方
の主面に電流の障壁となる厚いｐ−ＧａＡｓ層を設けか
つその中央部にｐ型の通電領域を有し、さらにダブルヘ
テロＧａＡｌＡｓ層が積層して形成され、ｎ側電極が設
けられている。このｎ側電極は、上記基板の他方の主面
に設けられたｎ側電極に対向し、上記ｎ−ＧａＡｓ層の
通電領域に対応する開孔を備えたものである。また、こ
の開孔に球形のレンズを設けることによって極めて高い
指向性と高出力が得られるとともに高出力における信頼
性が確保できる。さらにこの発明にかかる発光素子はそ
の製造が簡単である利点もある。
の主面に電流の障壁となる厚いｐ−ＧａＡｓ層を設けか
つその中央部にｐ型の通電領域を有し、さらにダブルヘ
テロＧａＡｌＡｓ層が積層して形成され、ｎ側電極が設
けられている。このｎ側電極は、上記基板の他方の主面
に設けられたｎ側電極に対向し、上記ｎ−ＧａＡｓ層の
通電領域に対応する開孔を備えたものである。また、こ
の開孔に球形のレンズを設けることによって極めて高い
指向性と高出力が得られるとともに高出力における信頼
性が確保できる。さらにこの発明にかかる発光素子はそ
の製造が簡単である利点もある。
以下、この発明の発光素子の一実施例につき第１図およ
び第２図を参照して説明する。
び第２図を参照して説明する。
第１図において、１２はｐ−ＧａＡｓ基板１１の一方の
主面に液相成長（ＬＰＥ）法により層厚５μｍに成長形
成されたＴｅ添加のｎ−ＧａＡｓ層で、その中央部に６
０〜１２０μＩψにＺｎｔ＆選択拡散して形成されたｐ
−ＧａＡｓ層でなる狭窄通電領域２２を備える。この選
択拡散には、例えば５１３Ｎ４膜を被着し、これに狭窄
通電領域形成予定域に開孔を設は封管中にてＺｎ拡散を
施してｐ型化させて達成する。
主面に液相成長（ＬＰＥ）法により層厚５μｍに成長形
成されたＴｅ添加のｎ−ＧａＡｓ層で、その中央部に６
０〜１２０μＩψにＺｎｔ＆選択拡散して形成されたｐ
−ＧａＡｓ層でなる狭窄通電領域２２を備える。この選
択拡散には、例えば５１３Ｎ４膜を被着し、これに狭窄
通電領域形成予定域に開孔を設は封管中にてＺｎ拡散を
施してｐ型化させて達成する。
次に、上記Ｓｉ３Ｎ、膜を除去し、ＬＰＥ法にて次のＤ
Ｈ−ＡＩＧａＡｓ層を順次積層形成する。すなわち、キ
ャリヤ濃度２ Ｘ １０”ｃｍ−’にＧｅを添加して層
厚４ｐｍのｐ−Ｇａ、 、７Ａ１． 、、Ａｓ（クラッ
ド）層１３を１次いで１．５Ｘ１０”ｃｍ−３にＧｅを
添加して層厚１μｍのｐ−Ｇａｏ−＊ｔＡ’ｏ、＋＋：
＋Ａ８ （活性）層１４を、さらにＩＸｌｏｌＸｌｏｌ
ｓにＴｅを添加して層厚’Ｉｐｍのｎ −Ｇａ、 、、
Ａ１．．３Ａｓ（クラッド）層１５を成長させて形成さ
れる。これらｐ型層を形成するのにＧｅを用いることは
、従来のＺｎによるものに比し、Ｇｅが桁違いにドリフ
トしにくいことを発光領域の活性層とその隣接層に適用
して高い信頼性に結びつけることができる。ここで、ｐ
およびｎクラッド層１３．１５は駆動電圧（定電流動作
時）を下げるためには高濃度にした方がよいが、高濃度
にて結晶性が悪くなると光出力が低下するので上記キャ
リヤ濃度に設定した。また、Ｐ−Ｇａａ −１７ＡＩＱ
−ａｚＡｓ（活性）層のキャリヤ濃度は光出力と周波数
応答特性に対する要求で決定されるもので、高濃度にて
光出力は低下す・るが、高い周波数応答が得られ通信用
素子に適用される。
Ｈ−ＡＩＧａＡｓ層を順次積層形成する。すなわち、キ
ャリヤ濃度２ Ｘ １０”ｃｍ−’にＧｅを添加して層
厚４ｐｍのｐ−Ｇａ、 、７Ａ１． 、、Ａｓ（クラッ
ド）層１３を１次いで１．５Ｘ１０”ｃｍ−３にＧｅを
添加して層厚１μｍのｐ−Ｇａｏ−＊ｔＡ’ｏ、＋＋：
＋Ａ８ （活性）層１４を、さらにＩＸｌｏｌＸｌｏｌ
ｓにＴｅを添加して層厚’Ｉｐｍのｎ −Ｇａ、 、、
Ａ１．．３Ａｓ（クラッド）層１５を成長させて形成さ
れる。これらｐ型層を形成するのにＧｅを用いることは
、従来のＺｎによるものに比し、Ｇｅが桁違いにドリフ
トしにくいことを発光領域の活性層とその隣接層に適用
して高い信頼性に結びつけることができる。ここで、ｐ
およびｎクラッド層１３．１５は駆動電圧（定電流動作
時）を下げるためには高濃度にした方がよいが、高濃度
にて結晶性が悪くなると光出力が低下するので上記キャ
リヤ濃度に設定した。また、Ｐ−Ｇａａ −１７ＡＩＱ
−ａｚＡｓ（活性）層のキャリヤ濃度は光出力と周波数
応答特性に対する要求で決定されるもので、高濃度にて
光出力は低下す・るが、高い周波数応答が得られ通信用
素子に適用される。
次に、オーミック電極として、ｐ−（１：ａＡｓ基板１
１に例えばＡｕＢｅ合金でなるｐ側電極１６ｐ、ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層１５に例えばＡｕＧｅ合金でなるｎ側電極
１６ｎが形成される。なお、ｎ側電極１６ｎには光放出
側に形成されるので、前記狭窄通電領域２２の直上のｐ
−ＧａＡｌＡｓ活性層領域が発光領域となるが、光のと
り出し効果を保ちつつ駆動電圧の低減をはかるための開
孔２６が設けられている。この開孔２６は前記狭窄通電
領域の径の１．５倍程度の大きさに設定する。
１に例えばＡｕＢｅ合金でなるｐ側電極１６ｐ、ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層１５に例えばＡｕＧｅ合金でなるｎ側電極
１６ｎが形成される。なお、ｎ側電極１６ｎには光放出
側に形成されるので、前記狭窄通電領域２２の直上のｐ
−ＧａＡｌＡｓ活性層領域が発光領域となるが、光のと
り出し効果を保ちつつ駆動電圧の低減をはかるための開
孔２６が設けられている。この開孔２６は前記狭窄通電
領域の径の１．５倍程度の大きさに設定する。
次に、ペレットの大きさが０．６ｍｍ角になるようにダ
イシングを施して個々に分割を施す。また、次に狭い指
向性を持たせるために発光領域に位置合わせしてｎ側電
極の開孔２６上に一例として径２５０μｍ前後の球レン
ズ１７が樹脂１８で固着される。
イシングを施して個々に分割を施す。また、次に狭い指
向性を持たせるために発光領域に位置合わせしてｎ側電
極の開孔２６上に一例として径２５０μｍ前後の球レン
ズ１７が樹脂１８で固着される。
上記構造のＬＥＤにおける狭窄領域の径に対する発光出
力と信頼性（Ｐ、の変動率）の相関を第２図に示す。図
しこ示されるように１発光出力は狭窄領域の径が小なる
ほど電流密度が大になり高出力が得られる。例えば通電
電流３００ｍＡにおいて、径が６０μｍでは２０ｍＷ、
１２０μｍでは１５＋ｎＷが得られる６一方、信頼性
について、３００ｍＡにて１／２比（Ｄｕｔｙ）の条件
で５時間の通電を行なった場合の光出力（ＰＧ）の変動
率を調べたところ、径が１２０μｍでは１００％。
力と信頼性（Ｐ、の変動率）の相関を第２図に示す。図
しこ示されるように１発光出力は狭窄領域の径が小なる
ほど電流密度が大になり高出力が得られる。例えば通電
電流３００ｍＡにおいて、径が６０μｍでは２０ｍＷ、
１２０μｍでは１５＋ｎＷが得られる６一方、信頼性
について、３００ｍＡにて１／２比（Ｄｕｔｙ）の条件
で５時間の通電を行なった場合の光出力（ＰＧ）の変動
率を調べたところ、径が１２０μｍでは１００％。
６０μｍでは９５％で良好であるのにこれよりも小にな
ると個下し、３０μｍでは８８％と以下さらに低減の傾
向にある。上記により、高出力を保ちつつ高信頼性（９
０％以上の変動率）を保つためには狭窄領域の径は６０
〜１２０μｍに限定する必要がある。
ると個下し、３０μｍでは８８％と以下さらに低減の傾
向にある。上記により、高出力を保ちつつ高信頼性（９
０％以上の変動率）を保つためには狭窄領域の径は６０
〜１２０μｍに限定する必要がある。
この発明によれば、発光素子の高い指向性と高出力が得
られるとともに、高出力動作における信頼性が同時に充
足できる顕著な利点がある。また、この発明の構造は、
その製造にあたって従来の構造に比し簡単で精度良く達
成できる利点もある。
られるとともに、高出力動作における信頼性が同時に充
足できる顕著な利点がある。また、この発明の構造は、
その製造にあたって従来の構造に比し簡単で精度良く達
成できる利点もある。
第１図はこの発明の一実施例の発光素子の断面図、第２
図は電気的特性を示す線図、第３図は従来例の発光素子
の断面図である。 １１−−−一−−ＧａＡｓ基板 １２−−−−−− ｎ−ＧａＡｓクラッド層（Ｔｅ添加
）１３−−−−−− ｐ−Ｇａａ −ｔＡｌｏ 、３Ａ
ｓ層（Ｇｅ添加）１４−−−−−− ｐ−Ｇａ、、９．
Ａｌ、、、３Ａｓ活性層（Ｇｅ添加）１５−−−一−−
ｎ−Ｇａ、、ｔＡｌａ、ＡｓクラッドＭ（Ｔｅ添加）１
６ｎ −−−−−−ｎ（ＩＩ！ＩＩ！極（ＡｕＧｅ合金
）１６ｐ −−−−−−ｐ側電極（ＡｕＢｅ合金）２２
−−−−−一狭窄通電領域
図は電気的特性を示す線図、第３図は従来例の発光素子
の断面図である。 １１−−−一−−ＧａＡｓ基板 １２−−−−−− ｎ−ＧａＡｓクラッド層（Ｔｅ添加
）１３−−−−−− ｐ−Ｇａａ −ｔＡｌｏ 、３Ａ
ｓ層（Ｇｅ添加）１４−−−−−− ｐ−Ｇａ、、９．
Ａｌ、、、３Ａｓ活性層（Ｇｅ添加）１５−−−一−−
ｎ−Ｇａ、、ｔＡｌａ、ＡｓクラッドＭ（Ｔｅ添加）１
６ｎ −−−−−−ｎ（ＩＩ！ＩＩ！極（ＡｕＧｅ合金
）１６ｐ −−−−−−ｐ側電極（ＡｕＢｅ合金）２２
−−−−−一狭窄通電領域
Claims (5)
- （１）一方の主面にｐ型オーミック電極を有するｐ−Ｇ
ａＡｓ基板、前記基板の他方の主面に形成され一部に狭
窄通電領域を有するｎ−ＧａＡｓ層、前記ｎ−ＧａＡｓ
層に積層されたｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層とｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層とｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層でなるダ
ブルヘテロ層、および前記ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層
に形成されたｎ型オーミック電極を備えた半導体発光素
子。 - （２）一方の主面にｐ型オーミック電極を有するｐ−Ｇ
ａＡｓ基板、前記基板の他方の主面に形成され一部に狭
窄通電領域を有するｎ−ＧａＡｓ層、前記ｎ−ＧａＡｓ
層に積層されたｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層とドーパン
トとしてＧｅが添加されたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層とｎ
−ＧａＡｌＡｓクラッド層でなるダブルヘテロ層、およ
び前記ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層に形成されたｎ型オ
ーミック電極を備えた半導体発光素子。 - （３）一方の主面にｐ型オーミック電極を有するｐ−Ｇ
ａＡｓ基板、前記基板の他方の主面に形成され一部に狭
窄通電領域を有するｎ−ＧａＡｓ層、前記ｎ−ＧａＡｓ
層に積層されたｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層とｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層とｎ−ＧａＡｌＡｓ層でなるダブルヘテ
ロ層、および前記ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層に形成さ
れ前記狭窄通電領域に対応した光導出開孔を有するｎ型
オーミック電極を備えた半導体発光素子。 - （４）一方の主面にｐ型オーミック電極を有するｐ−Ｇ
ａＡｓ基板、前記基板の他方の主面に形成され一部に狭
窄通電領域を有するｎ−ＧａＡｓ層、前記ｎ−ＧａＡｓ
層に積層されたｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層とドーパン
トとしてＧｅが添加されたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層とｎ
−ＧａＡｌＡｓ層でなるダブルヘテロ層、および前記ｎ
−ＧａＡｌＡｓクラッド層に形成され前記狭窄通電領域
に対応した光導出開孔を有するｎ型オーミック電極を備
えた半導体発光素子。 - （５）狭窄通電領域が径６０ないし１２０μｍであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のい
ずれかに記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261466A JPS62122285A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261466A JPS62122285A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122285A true JPS62122285A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17362290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261466A Pending JPS62122285A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989051A (en) * | 1990-02-13 | 1991-01-29 | The Univ. Of Delaware | Bi-directional, feed through emitter-detector for optical fiber transmission lines |
| JP2007150364A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60261466A patent/JPS62122285A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989051A (en) * | 1990-02-13 | 1991-01-29 | The Univ. Of Delaware | Bi-directional, feed through emitter-detector for optical fiber transmission lines |
| WO1991012633A1 (en) * | 1990-02-13 | 1991-08-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Bi-directional, feed through emitter-detector for optical fiber transmission lines |
| JP2007150364A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222868B1 (en) | Surface-type optical device, fabrication method therefor and display device | |
| US6169296B1 (en) | Light-emitting diode device | |
| CN103430332B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| KR20200123126A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH05506333A (ja) | 上面発光ダイオードレーザ | |
| US5163064A (en) | Laser diode array and manufacturing method thereof | |
| US4625223A (en) | Double heterostructure light-emitting semiconductor device | |
| JPH07176788A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2001085742A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS62122285A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5105234A (en) | Electroluminescent diode having a low capacitance | |
| JPS61125092A (ja) | 半導体発光ダイオ−ド | |
| JPH05243612A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH09172198A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPS6260278A (ja) | 半導体発光ダイオ−ド | |
| JP2000269546A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS6293986A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JPH088458A (ja) | 面発光型発光ダイオード | |
| JP2001044502A (ja) | 複合発光素子及びその製造方法 | |
| JPH07147429A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH0220853Y2 (ja) | ||
| JPS61199679A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS59181055A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63169775A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08204228A (ja) | 面発光型点光源発光ダイオード |