JPS62122128A - プロキシミテイ−露光装置 - Google Patents
プロキシミテイ−露光装置Info
- Publication number
- JPS62122128A JPS62122128A JP60262099A JP26209985A JPS62122128A JP S62122128 A JPS62122128 A JP S62122128A JP 60262099 A JP60262099 A JP 60262099A JP 26209985 A JP26209985 A JP 26209985A JP S62122128 A JPS62122128 A JP S62122128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- temperature
- gas
- controlled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造過程において、表面にフォト
・レジスト膜を形成された半導体基板に選択的に露光を
行うプロキシミティー露光装置に関するものである。
・レジスト膜を形成された半導体基板に選択的に露光を
行うプロキシミティー露光装置に関するものである。
従来、この種のプロキシミティー露光装置は、マスクや
ウェー・・の温度調整機能は有していなかった。
ウェー・・の温度調整機能は有していなかった。
そのため、この種のプロキシミティー露光装置はウェー
ハやマスクの伸び縮みや、反りなどによって生じるピッ
チ・エラーを補正することができないという欠点があっ
た。
ハやマスクの伸び縮みや、反りなどによって生じるピッ
チ・エラーを補正することができないという欠点があっ
た。
本発明は前記問題点を解消するもので、ウェーハやマス
クの伸び縮みや反りなどによって生じるピッチエラーを
補正する装置を提供するものである。
クの伸び縮みや反りなどによって生じるピッチエラーを
補正する装置を提供するものである。
本発明は向き合せに設置したマスクとウェーハとの対向
面間およびウェーノ・に対面しないマスクの他の面とに
向けてそれぞれマスク及びウェー−・の温度制御を行う
気体の吹き出し口を備えた２系統の気体供給源を有する
ことを特徴とするグロキシミティー露光装置である。
面間およびウェーノ・に対面しないマスクの他の面とに
向けてそれぞれマスク及びウェー−・の温度制御を行う
気体の吹き出し口を備えた２系統の気体供給源を有する
ことを特徴とするグロキシミティー露光装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、マスク３とウェー・・４とはマスク保
持プレート６、真空チャック５にそれぞれ保持されて向
き合せに設置される。
持プレート６、真空チャック５にそれぞれ保持されて向
き合せに設置される。
本実施例はそれぞれ独立に気体を吹き出す２系統の気体
供給源７ａと７ｂを有し、一方の気体供給源７ａの吹き
出し口２を向き合うマスク３及びウェーハ４の対向面３
ａ 、 ４ａ間の空間Ｓに向けて開口し、他方の気体供
給源７ｂの吹き出し口１をクエ”’４に対面しないマス
ク３の他の面３ｂに向けて開口したものである。
供給源７ａと７ｂを有し、一方の気体供給源７ａの吹き
出し口２を向き合うマスク３及びウェーハ４の対向面３
ａ 、 ４ａ間の空間Ｓに向けて開口し、他方の気体供
給源７ｂの吹き出し口１をクエ”’４に対面しないマス
ク３の他の面３ｂに向けて開口したものである。
実施例におりて、２系統の気体供給源７ａ、７ｂから、
マスク３の上部及びマスク３とウェーノ１４の間に各々
吹き出し口１，２を通して温度コントロールされたＮ２
ガスを供給し、これをマスク３とウェー−・４とにそれ
ぞれ吹き付ける。各々の温度をＴ１゜Ｔ２とし、Ｔ１＝
Ｔ２＝Ｔｏと仮定した場合、マスク３に反りはなく、ピ
ンチ・エラーをコントロールしていない状態である。こ
のとき、Ｍはマスク３の長さであり、Ｗはウェー／・４
の長さく径）である。第２図は吹き出し口１，２から出
るＮ２ガスの温度を各各Ｔ １ ’ｒ Ｔ ２’とし、
Ｔ ＋’（Ｔ Ｏ＜ Ｔ ２’と仮定したときの様子で
あり、マスク３の長さはＭからＭ′に櫨み、ウェーハ４
の長さく径）はＷからＷ／に伸びている。まだマスクに
ついては、断面方向の温度傾斜により図の様な反りを生
じている。すなわち、マスク３の温度は、その両側のＮ
２ガスの温度によって決定され、熱膨張係数に応じて、
伸び縮みがコントロールされる。また、マスク上部と下
部のＮ２ガスの温度差によシ、マスクの断面方向の温度
傾斜が決まシ、マスクの反りがコントロールされる。さ
らに、マスクとウェーノ・間に流れるＮ２ガスはウェー
ハの温度を決定し、ウェー・〜の伸び縮みがコン）＝＝
−ルされる。よってマスク上部及び、マスクとウェーハ
間に流れるＮ２ガスの温度を制御することにより、マス
クとウェーノ・の伸び縮みを自在に変化させ、ピッチ・
エラーを生じないように調整することが可能となる。
マスク３の上部及びマスク３とウェーノ１４の間に各々
吹き出し口１，２を通して温度コントロールされたＮ２
ガスを供給し、これをマスク３とウェー−・４とにそれ
ぞれ吹き付ける。各々の温度をＴ１゜Ｔ２とし、Ｔ１＝
Ｔ２＝Ｔｏと仮定した場合、マスク３に反りはなく、ピ
ンチ・エラーをコントロールしていない状態である。こ
のとき、Ｍはマスク３の長さであり、Ｗはウェー／・４
の長さく径）である。第２図は吹き出し口１，２から出
るＮ２ガスの温度を各各Ｔ １ ’ｒ Ｔ ２’とし、
Ｔ ＋’（Ｔ Ｏ＜ Ｔ ２’と仮定したときの様子で
あり、マスク３の長さはＭからＭ′に櫨み、ウェーハ４
の長さく径）はＷからＷ／に伸びている。まだマスクに
ついては、断面方向の温度傾斜により図の様な反りを生
じている。すなわち、マスク３の温度は、その両側のＮ
２ガスの温度によって決定され、熱膨張係数に応じて、
伸び縮みがコントロールされる。また、マスク上部と下
部のＮ２ガスの温度差によシ、マスクの断面方向の温度
傾斜が決まシ、マスクの反りがコントロールされる。さ
らに、マスクとウェーノ・間に流れるＮ２ガスはウェー
ハの温度を決定し、ウェー・〜の伸び縮みがコン）＝＝
−ルされる。よってマスク上部及び、マスクとウェーハ
間に流れるＮ２ガスの温度を制御することにより、マス
クとウェーノ・の伸び縮みを自在に変化させ、ピッチ・
エラーを生じないように調整することが可能となる。
以上説明したように本発明は、マスクとウェーハに異な
る温度の気体を流すことによシ、マスクとウェーノ・温
度をコントロールしてピッチ・エラーを補正することが
できる効果がある。
る温度の気体を流すことによシ、マスクとウェーノ・温
度をコントロールしてピッチ・エラーを補正することが
できる効果がある。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す構成図であり
、第１図は吹き付ける気体の温度が等しい場合の図、第
２図は吹き付ける気体の温度が異なる場合の図である。 １．２・・・吹き出し口、３・・・マスク、４・・・ウ
エーノ為、７ａ 、 ７ｂ・・・気体供給源。 特許出願人 日本電気株式会社 ＋５．−２、・ノ 第１図
、第１図は吹き付ける気体の温度が等しい場合の図、第
２図は吹き付ける気体の温度が異なる場合の図である。 １．２・・・吹き出し口、３・・・マスク、４・・・ウ
エーノ為、７ａ 、 ７ｂ・・・気体供給源。 特許出願人 日本電気株式会社 ＋５．−２、・ノ 第１図
Claims (1)
- （１）向き合せに設置したマスクとウェーハとの対向面
間およびウェーハに対面しないマスクの他の面とに向け
てそれぞれマスクおよびウェーハの温度制御を行う気体
の吹き出し口を備えた２系統の気体供給源を有すること
を特徴とするプロキシミティー露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262099A JPS62122128A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | プロキシミテイ−露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262099A JPS62122128A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | プロキシミテイ−露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122128A true JPS62122128A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17371021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60262099A Pending JPS62122128A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | プロキシミテイ−露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101930181A (zh) * | 2009-06-17 | 2010-12-29 | 株式会社日立高科技 | 接近式曝光装置、基板温度控制方法及面板基板制造方法 |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP60262099A patent/JPS62122128A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101930181A (zh) * | 2009-06-17 | 2010-12-29 | 株式会社日立高科技 | 接近式曝光装置、基板温度控制方法及面板基板制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7156924B2 (en) | System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates | |
| US8027746B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| KR100519613B1 (ko) | 기판온도제어장치및방법 | |
| JP2748127B2 (ja) | ウエハ保持方法 | |
| TWI785079B (zh) | 基板之背側沉積系統及方法 | |
| TWI671816B (zh) | 負載鎖定整合斜面蝕刻器系統 | |
| US7150628B2 (en) | Single-wafer type heat treatment apparatus for semiconductor processing system | |
| JPH113850A (ja) | 処理システム | |
| US4564284A (en) | Semiconductor exposure apparatus | |
| CN110297399B (zh) | 光刻曝光设备及曝光前装载晶圆的温度控制方法 | |
| JP3342118B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP6875386B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| US6613487B1 (en) | Pre-alignment system of exposure apparatus having wafer cooling means and exposure method using the same | |
| JP6890085B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS62122128A (ja) | プロキシミテイ−露光装置 | |
| JP3898895B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
| KR20210011837A (ko) | 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 | |
| JPH01305524A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR20230004888A (ko) | 이너 월 및 기판 처리 장치 | |
| JP3099053B2 (ja) | 真空装置 | |
| JPH11354528A (ja) | ウェーハ加熱用ヒータ | |
| JP2004517493A (ja) | 基板の改善されたベーキング均一化のための可変表面を有するホットプレート | |
| JPH0862849A (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
| JPH05283501A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03140471A (ja) | 半導体装置の製造装置 |