JPS62119993A - 半導体レ−ザ安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザ安定化装置Info
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- JPS62119993A JPS62119993A JP25935185A JP25935185A JPS62119993A JP S62119993 A JPS62119993 A JP S62119993A JP 25935185 A JP25935185 A JP 25935185A JP 25935185 A JP25935185 A JP 25935185A JP S62119993 A JPS62119993 A JP S62119993A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザ出力光の波長を安定化させる半
導体レーザ安定化装置に関するものである。
導体レーザ安定化装置に関するものである。
（従来の技術）
半導体レーザの発振波長は、温度や電流によって大きく
変動する（例えば、波長変化／温度変化−０，０６６ｎ
ｍ／に、波長変化／電流変化＝０゜００７ｎｍ／ｍＡ）
。このため従来は波長を安定化するため、半導体レーザ
素子を恒温槽などに入れていた。
変動する（例えば、波長変化／温度変化−０，０６６ｎ
ｍ／に、波長変化／電流変化＝０゜００７ｎｍ／ｍＡ）
。このため従来は波長を安定化するため、半導体レーザ
素子を恒温槽などに入れていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような構成の半導体レーザ安定化
装置では、レーザパワーを変えるために電流を変えたり
、半導体レーザの劣化によっても波長はシフトしてしま
う。また恒温槽による精密な温度制御は複雑かつ高価な
装置を必要とするという欠点がある。
装置では、レーザパワーを変えるために電流を変えたり
、半導体レーザの劣化によっても波長はシフトしてしま
う。また恒温槽による精密な温度制御は複雑かつ高価な
装置を必要とするという欠点がある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、半導体レーザの発振波長を簡単な構成で、長期間
安定にロックすることのできる半導体レー男安定化装置
を実現することを目的とする。
ので、半導体レーザの発振波長を簡単な構成で、長期間
安定にロックすることのできる半導体レー男安定化装置
を実現することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の第１の発明に係る半導体レーザ安定化装置は、
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出力光を
入射して所定の波長で透過率または反射率が変化する光
フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を入射す
る受光素子と、この受光素子の出力に対応して前記半導
体レーザ素子の温度を制御する１ｌ制御回路とを備え、
前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長となる
ように構成したことを特徴とする。
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出力光を
入射して所定の波長で透過率または反射率が変化する光
フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を入射す
る受光素子と、この受光素子の出力に対応して前記半導
体レーザ素子の温度を制御する１ｌ制御回路とを備え、
前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長となる
ように構成したことを特徴とする。
（２）本発明の第２の発明に係る半導体レーザ安定化装
置は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出
力光を入射して所定の波長で透過率または反射率が変化
する光フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を
入射する受光素子と、この受光素子の出力に対応して前
記半導体レーザ素子の駆動電流を制御する制御回路とを
備え、前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長
となるように構成したことを特徴とする。
置は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出
力光を入射して所定の波長で透過率または反射率が変化
する光フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を
入射する受光素子と、この受光素子の出力に対応して前
記半導体レーザ素子の駆動電流を制御する制御回路とを
備え、前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長
となるように構成したことを特徴とする。
（作用）
上記のような構成の半導体レーザ安定化装置によれば、
光フィルタ手段の波長特性を利用して波長のロックを行
うことができる。
光フィルタ手段の波長特性を利用して波長のロックを行
うことができる。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の一実施
例を示す構成ブロック図である。１は温度制御素子を備
えた半導体レーザ素子、２はこの半導体レーザ素子１の
゛出力光を入射して２方向に分離するハーフミラ−１３
はこのハーフミラ−２を透過した光が入射し誘電体多層
膜などで構成する光フィルタ、５はこの光フィルタ３を
通った光が入射する受光素子、４は前記ハーフミラ−２
で反射した光が入射する受光素子、６は前記受光素子４
．５の出力信号を入力して前記半導体レーザ素子１の温
度および注入電流を制御する制御回路である。受光素子
４．５．制御回路６は制御部６０を構成している。
例を示す構成ブロック図である。１は温度制御素子を備
えた半導体レーザ素子、２はこの半導体レーザ素子１の
゛出力光を入射して２方向に分離するハーフミラ−１３
はこのハーフミラ−２を透過した光が入射し誘電体多層
膜などで構成する光フィルタ、５はこの光フィルタ３を
通った光が入射する受光素子、４は前記ハーフミラ−２
で反射した光が入射する受光素子、６は前記受光素子４
．５の出力信号を入力して前記半導体レーザ素子１の温
度および注入電流を制御する制御回路である。受光素子
４．５．制御回路６は制御部６０を構成している。
第２図は制御回路６の詳細な構成を示す構成ブロック図
である。６１および６３はそれぞれ受光素子５および４
の出力信号を増幅する増幅器、６２は増幅器６１．６３
の出力を入力する差動増幅器、６４はこの差動増幅器６
２の出力に基づいて半導体レーザ素子１の温度Ｉ制御素
子を制ａするＰＩＤコントローラ、６５は前記増幅器６
３の出力を入力して光パワーの設定値と比較する設定回
路、６６はこの設定回路６５の出力に基づいて半導体レ
ーザ素子の注入電流を制御するＰＩＤコントローラであ
る。
である。６１および６３はそれぞれ受光素子５および４
の出力信号を増幅する増幅器、６２は増幅器６１．６３
の出力を入力する差動増幅器、６４はこの差動増幅器６
２の出力に基づいて半導体レーザ素子１の温度Ｉ制御素
子を制ａするＰＩＤコントローラ、６５は前記増幅器６
３の出力を入力して光パワーの設定値と比較する設定回
路、６６はこの設定回路６５の出力に基づいて半導体レ
ーザ素子の注入電流を制御するＰＩＤコントローラであ
る。
上記のような構成の半導体レーザ安定化装置の動作を次
に説明する。第３図は半導体レーザ１の出力波長の温度
依存性を示す特性曲線図で、温度で波長を制御できるこ
とがわかる。半導体レーザ素子１の出力光はハーフミラ
−２で分離され、透過光は光フィルタ３に入射する。光
フィルタ３は第４図の特性曲線図に示すように所定の波
長λχを閾値とするローパス特性を有している。光フィ
ルタ３を透過した光は受光素子５で検出され、増幅器６
１で増幅される。ハーフミラ−２で反射された光は受光
素子４で検出され、増幅器６３で増幅される。増幅器６
１の出力と増幅器６３の出力は差動増幅器でその差を演
算され、ＰＩＤコントローラ６４の入力となる。ＰＩＤ
コントローラ６４はその出力で半導体レーザ素子１の温
度を制御する。この結果、ハーフミラ−２を透過する光
ｌが、ハーフミラ−２で反射する光（至）すなわち半導
体レーザ素子１の出力光の光量の１／２と等しくなるよ
うに制御回路６が半導体レーザ素子１の温度を（第３図
のＴχに）制御するので、半導体レーザ素子１の出力光
の波長はλχにロックされる。
に説明する。第３図は半導体レーザ１の出力波長の温度
依存性を示す特性曲線図で、温度で波長を制御できるこ
とがわかる。半導体レーザ素子１の出力光はハーフミラ
−２で分離され、透過光は光フィルタ３に入射する。光
フィルタ３は第４図の特性曲線図に示すように所定の波
長λχを閾値とするローパス特性を有している。光フィ
ルタ３を透過した光は受光素子５で検出され、増幅器６
１で増幅される。ハーフミラ−２で反射された光は受光
素子４で検出され、増幅器６３で増幅される。増幅器６
１の出力と増幅器６３の出力は差動増幅器でその差を演
算され、ＰＩＤコントローラ６４の入力となる。ＰＩＤ
コントローラ６４はその出力で半導体レーザ素子１の温
度を制御する。この結果、ハーフミラ−２を透過する光
ｌが、ハーフミラ−２で反射する光（至）すなわち半導
体レーザ素子１の出力光の光量の１／２と等しくなるよ
うに制御回路６が半導体レーザ素子１の温度を（第３図
のＴχに）制御するので、半導体レーザ素子１の出力光
の波長はλχにロックされる。
増幅器６３の出力は設定回路６５において光パワーの設
定値と比較され、その誤差がＰｒＤコントローラ６６の
入力となり、ＰＩＤコントローラ６６の出力で半導体レ
ーザ素子１の注入Ｍ流を制御している。したがって半導
体レーザ素子１の出力パワーも一定に制御されている。
定値と比較され、その誤差がＰｒＤコントローラ６６の
入力となり、ＰＩＤコントローラ６６の出力で半導体レ
ーザ素子１の注入Ｍ流を制御している。したがって半導
体レーザ素子１の出力パワーも一定に制御されている。
半導体レーザ素子１の反対側からの出力が外部で利用さ
れる。また第１図では省略されているが、制御部６０は
光フィルタ３の温度を検出して光フィルタ３の温度特性
を補償する機能も備えている。
れる。また第１図では省略されているが、制御部６０は
光フィルタ３の温度を検出して光フィルタ３の温度特性
を補償する機能も備えている。
この様な構成の装置によれば、波長のロックを光フィル
タで行っているため、半導体レーザの劣化が起きても波
長が変化しないという利点がある。
タで行っているため、半導体レーザの劣化が起きても波
長が変化しないという利点がある。
また受光素子４でハーフミラ−２の反射光を検出してい
るので、パワー設定値を変えて半導体レーザ素子１の出
力パワーが変化しても波長のシフトが起こらない。なお
レーザパワーの制御をローカルに行えば（例えば半導体
レーザ素子内にある光パワーモニタ用受光素子を利用す
る）、第１図においてハーフミラ−２および受光素子４
を省略できる。
るので、パワー設定値を変えて半導体レーザ素子１の出
力パワーが変化しても波長のシフトが起こらない。なお
レーザパワーの制御をローカルに行えば（例えば半導体
レーザ素子内にある光パワーモニタ用受光素子を利用す
る）、第１図においてハーフミラ−２および受光素子４
を省略できる。
また上記の実施例では半導体レーザ素子１の反対側から
外部出力を取出しているが、半導体レーザ素子１とハー
フミラ−２との間にビームスプリッタなどを設けて外部
に取出してもよい。
外部出力を取出しているが、半導体レーザ素子１とハー
フミラ−２との間にビームスプリッタなどを設けて外部
に取出してもよい。
第５図は本発明の第２の実施例を示すための構成ブロッ
ク図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付して
説明を省略する。制御回路１６において、１６１は受光
素子５の出力を増幅する増幅器、１６２はこの増幅器１
６１の出力を入力するロックインアンプ、１６４は受光
素子４の出力を増幅し光パワーの設定値と比較する増幅
器、１６５はこの増幅器１６４および前記ロックインア
ンプ１６２の出力を入力する電流コントローラ、１６６
はこの電流コントローラ１６５により電流出力を制御さ
れる電流源、１７は半導体レーザ素子１１の温度をルリ
御するｍ度コントローラ、１６３は前記ロックインアン
プ１６２およびｔＲ流源１６６に出力が接続する発振器
である。
ク図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付して
説明を省略する。制御回路１６において、１６１は受光
素子５の出力を増幅する増幅器、１６２はこの増幅器１
６１の出力を入力するロックインアンプ、１６４は受光
素子４の出力を増幅し光パワーの設定値と比較する増幅
器、１６５はこの増幅器１６４および前記ロックインア
ンプ１６２の出力を入力する電流コントローラ、１６６
はこの電流コントローラ１６５により電流出力を制御さ
れる電流源、１７は半導体レーザ素子１１の温度をルリ
御するｍ度コントローラ、１６３は前記ロックインアン
プ１６２およびｔＲ流源１６６に出力が接続する発振器
である。
ここでは半導体レーザ１１の電流を変化させてレーザ出
力光の波長を変え、半導体レーザ素子１１の温度は温度
コントローラ１７により独立に設定ｍ度に定植制御され
る。半導体レーザ１１には直流分と周波数ｆの交流分の
和が注入電流として加わる。ロックインアンプ１６２の
参照周波数が２ｆのときに得られる２次微分波形出力が
Ｏになるように注入電流を制御すれば波長の［１ツクが
行われる。
力光の波長を変え、半導体レーザ素子１１の温度は温度
コントローラ１７により独立に設定ｍ度に定植制御され
る。半導体レーザ１１には直流分と周波数ｆの交流分の
和が注入電流として加わる。ロックインアンプ１６２の
参照周波数が２ｆのときに得られる２次微分波形出力が
Ｏになるように注入電流を制御すれば波長の［１ツクが
行われる。
このような構成の装置によれば、ロックインアンプを使
用しているのでノイズの低減に効果があリ、より正確に
波長のロックを行うことができる。
用しているのでノイズの低減に効果があリ、より正確に
波長のロックを行うことができる。
第６図は第１図および第５図の実施例において、ハーフ
ミラ−を省略した本発明の第３の実施例を示す部分構成
ブロック図である。２２．２３は半導体レーザ素子１の
出力を入射して平行光にするレンズである。半導体レー
ザ素子１の出力光の一部はレンズ２２および光フィルタ
３を介して受光素子５に入射し、他の一部はレンズ２３
を介して受光素子４に入射する。
ミラ−を省略した本発明の第３の実施例を示す部分構成
ブロック図である。２２．２３は半導体レーザ素子１の
出力を入射して平行光にするレンズである。半導体レー
ザ素子１の出力光の一部はレンズ２２および光フィルタ
３を介して受光素子５に入射し、他の一部はレンズ２３
を介して受光素子４に入射する。
第７図は本発明の第４の実施例を説明するための特性曲
線図である。すなわら上記の各実施例において、光フィ
ルタ３の角度を変えることにより、点線に示すように波
長に対する透過特性をシフトすることができる。この結
果、半導体レーザ安定化装置がロックするレーザ光の波
長を変えることができる。
線図である。すなわら上記の各実施例において、光フィ
ルタ３の角度を変えることにより、点線に示すように波
長に対する透過特性をシフトすることができる。この結
果、半導体レーザ安定化装置がロックするレーザ光の波
長を変えることができる。
第８図は本発明の第５の実施例を示す構成ブロック図で
ある。３２は半導体レーザ素子１の出力光を入射するダ
イクロイックミラーで光フィルタ手段を構成し、第９図
の特性曲線図に示すような反射透過特性を有する。３６
はダイクロイックミラー３２からの透過光を受光素子５
で検出した信号△およびダイクロイックミラー３２から
の反射光を受光素子４で検出した信号Ｂを入力し、半導
体レーザ素子１に対してＡ／Ｂを一定にするように波長
制御を行い、△十Ｂを一定とするように出力制御を行う
制御回路である。第１図の実施例に比べて光学系の構成
が簡単になるという利点がある。
ある。３２は半導体レーザ素子１の出力光を入射するダ
イクロイックミラーで光フィルタ手段を構成し、第９図
の特性曲線図に示すような反射透過特性を有する。３６
はダイクロイックミラー３２からの透過光を受光素子５
で検出した信号△およびダイクロイックミラー３２から
の反射光を受光素子４で検出した信号Ｂを入力し、半導
体レーザ素子１に対してＡ／Ｂを一定にするように波長
制御を行い、△十Ｂを一定とするように出力制御を行う
制御回路である。第１図の実施例に比べて光学系の構成
が簡単になるという利点がある。
第１０図は本発明の第６の実施例を示す構成ブロック図
である。４１は半導体レーザ素子１の出力光を直線偏光
とする偏光子、４２はこの偏光子４１の出力光の偏光方
向を回転させる旋光物質でここでは水晶を用いたもの、
４３はこの旋光物質４２の出力光を２つの方向に分離す
る偏光ビームスプリッタ、４６はこの偏光ビームスプリ
ッタ４３の透過光を検出する受光素子５の出力と反射光
を検出する受光素子４の出力を入力して半導体レーザ素
子１の温度および電流を制御する制御回路である。偏光
子４１．旋光物質４２および偏光ビームスプリンタ４３
は光フィルタ手段を構成している。旋光角度は波長によ
り変化するから、この装置にＪ＞ける波長特性は第１１
図の特性曲線図のようになる。制御回路４６の動作は第
８図の場合と同様である。
である。４１は半導体レーザ素子１の出力光を直線偏光
とする偏光子、４２はこの偏光子４１の出力光の偏光方
向を回転させる旋光物質でここでは水晶を用いたもの、
４３はこの旋光物質４２の出力光を２つの方向に分離す
る偏光ビームスプリッタ、４６はこの偏光ビームスプリ
ッタ４３の透過光を検出する受光素子５の出力と反射光
を検出する受光素子４の出力を入力して半導体レーザ素
子１の温度および電流を制御する制御回路である。偏光
子４１．旋光物質４２および偏光ビームスプリンタ４３
は光フィルタ手段を構成している。旋光角度は波長によ
り変化するから、この装置にＪ＞ける波長特性は第１１
図の特性曲線図のようになる。制御回路４６の動作は第
８図の場合と同様である。
第１２図は本発明の第７の実施例で、第１０図の装置に
おいて、偏光ビームスプリッタ４３の代りに襖屈折を利
用するローションプリズム５３を使用したものを示す構
成ブロック図である。
おいて、偏光ビームスプリッタ４３の代りに襖屈折を利
用するローションプリズム５３を使用したものを示す構
成ブロック図である。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、半導体レーザの発掘
波長を簡単な構成で、長期間安定にロックすることので
きる半導体レーザ安定化装置を簡単な構成で実現するこ
とができる。光計測用光源としても優れている。
波長を簡単な構成で、長期間安定にロックすることので
きる半導体レーザ安定化装置を簡単な構成で実現するこ
とができる。光計測用光源としても優れている。
第１図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の一実施
例を示す構成ブロック図、第２図は第１図装置の部分構
成ブロック図、第３図および第４図は第１図装置の動作
を説明するための特性曲線図、第５図は本発明に係る半
導体レーザ安定化装置の第２の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第６図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の
第３の実施例を示す要部構成ブロック図、第７図は本発
明に係る半導体レーザ安定化装置の第４の実施例を説明
するための特性曲線図、第８図は本発明に係る半導体レ
ーザ安定化装置の第５の実施例を示す構成ブロック図、
第９図は第８図装置の動作を説明するための特性曲線図
、第１０図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の第
６の実施例を示す構成ブロック図、第１１図は第１０図
装置の動作を説明するための特性曲線図、第１２図は本
発明に係る半導体レーザ安定化ｔ装置の第７の実施例を
示す要部構成ブロック図である。 １．１１・・・半導体レーザ素子、３，３２，４１゜４
２．４３．５３・・・光フィルタ手段、４，５．・・・
受光素子、６，１６．３６．４６・・・制御回路、λχ
・・・所定の波長。 ′ｊＰＪ１図 Ｍ２図 第３図 温度ニー−〉 ° 第４図 Ｘ長−一 篤５図 篤１０図 第１２図 篤１１図 深長λ−〉
例を示す構成ブロック図、第２図は第１図装置の部分構
成ブロック図、第３図および第４図は第１図装置の動作
を説明するための特性曲線図、第５図は本発明に係る半
導体レーザ安定化装置の第２の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第６図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の
第３の実施例を示す要部構成ブロック図、第７図は本発
明に係る半導体レーザ安定化装置の第４の実施例を説明
するための特性曲線図、第８図は本発明に係る半導体レ
ーザ安定化装置の第５の実施例を示す構成ブロック図、
第９図は第８図装置の動作を説明するための特性曲線図
、第１０図は本発明に係る半導体レーザ安定化装置の第
６の実施例を示す構成ブロック図、第１１図は第１０図
装置の動作を説明するための特性曲線図、第１２図は本
発明に係る半導体レーザ安定化ｔ装置の第７の実施例を
示す要部構成ブロック図である。 １．１１・・・半導体レーザ素子、３，３２，４１゜４
２．４３．５３・・・光フィルタ手段、４，５．・・・
受光素子、６，１６．３６．４６・・・制御回路、λχ
・・・所定の波長。 ′ｊＰＪ１図 Ｍ２図 第３図 温度ニー−〉 ° 第４図 Ｘ長−一 篤５図 篤１０図 第１２図 篤１１図 深長λ−〉
Claims (10)
- （１）半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出
力光を入射して所定の波長で透過率または反射率が変化
する光フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を
入射する受光素子と、この受光素子の出力に対応して前
記半導体レーザ素子の温度を制御する制御回路とを備え
、前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長とな
るように構成したことを特徴とする半導体レーザ安定化
装置。 - （２）制御回路は半導体レーザ素子の光出力と光フィル
タ手段の光出力の比が一定となるように半導体レーザ素
子の温度を制御する特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ安定化装置。 - （３）制御回路は半導体レーザ素子の光出力が一定とな
るように半導体レーザ素子の駆動電流も制御する特許請
求の範囲第２項記載の半導体レーザ安定化装置。 - （４）光フィルタ手段として波長により透過光量と反射
光量の比が変化する光フィルタ素子を使用し、制御回路
は前記比が一定になるように半導体レーザ素子の温度を
制御する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ安定
化装置。 - （５）制御回路は半導体レーザ素子の光出力が一定とな
るように半導体レーザ素子の駆動電流も制御する特許請
求の範囲第４項記載の半導体レーザ安定化装置。 - （６）光フィルタ手段における光フィルタ素子の角度を
変えることにより半導体レーザ素子の出力光の波長を変
化させるようにした特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ安定化装置。 - （７）半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の出
力光を入射して所定の波長で透過率または反射率が変化
する光フィルタ手段と、この光フィルタ手段の出力光を
入射する受光素子と、この受光素子の出力に対応して前
記半導体レーザ素子の駆動電流を制御する制御回路とを
備え、前記半導体レーザ素子の出力光が前記所定の波長
となるように構成したことを特徴とする半導体レーザ安
定化装置。 - （８）制御回路は半導体レーザ素子の光出力と光フィル
タ手段の光出力の比が一定となるように半導体レーザ素
子の駆動電流を制御する特許請求の範囲第７項記載の半
導体レーザ安定化装置。 - （９）光フィルタ手段として波長により透過光量と反射
光量の比が変化する光フィルタ素子を使用し、制御回路
は前記比が一定になるように半導体レーザ素子の駆動電
流を制御する特許請求の範囲第７項記載の半導体レーザ
安定化装置。 - （１０）光フィルタ手段における光フィルタ素子の角度
を変えることにより半導体レーザ素子の出力光の波長を
変化させるようにした特許請求の範囲第７項記載の半導
体レーザ安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25935185A JPS62119993A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体レ−ザ安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25935185A JPS62119993A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体レ−ザ安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119993A true JPS62119993A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17332901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25935185A Pending JPS62119993A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体レ−ザ安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119993A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-11-19 JP JP25935185A patent/JPS62119993A/ja active Pending
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