JPS6211761B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6211761B2
JPS6211761B2 JP55080992A JP8099280A JPS6211761B2 JP S6211761 B2 JPS6211761 B2 JP S6211761B2 JP 55080992 A JP55080992 A JP 55080992A JP 8099280 A JP8099280 A JP 8099280A JP S6211761 B2 JPS6211761 B2 JP S6211761B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
metal oxide
varistor
manufacturing
oxide varistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55080992A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5612703A (en
Inventor
Edowaado Mei Jon
Randooru Zoraa Suteiibun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPS5612703A publication Critical patent/JPS5612703A/en
Publication of JPS6211761B2 publication Critical patent/JPS6211761B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102Varistor boundary, e.g. surface layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/02Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/034Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/144Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は金属酸化物バリスタに関するもので、
更に詳しく言えば、かかるバリスタの性能とりわ
けはんだ付け操作を含む組立て後における性能を
向上させるような保護被膜を有するバリスタに関
する。 導電性のリード線を電極にはんだ付けする操作
は、バリスタの漏れ電流に対してしばしば有害な
影響を及ぼすことが判明している。このような事
実はこれまで明確には認められていなかつたし、
あるいは少なくとも本発明の対象を成す種類のバ
リスタにおける漏れ電流増大の原因とは見なされ
ていなかつた。バリスタの焼結温度(1000℃以
上)に比べてはんだ付け温度(数百℃)が割合に
低い点を考慮すれば、金属酸化物の電気的特性の
低下がはんだ付け操作に際して起ることは少なく
ともかなりの驚きである。 さて本発明の一側面に従つて簡単に述べれば、
漏れ電流が小さいばかりでなく、はんだ付けによ
るリード線の取付け後にもその小さい漏れ電流が
維持されるような金属酸化物バリスタが提供され
る。かかるバリスタは、互いに離隔しながら付着
した第1および第2の電極を有するバリスタ本体
並びにそれらの電極間においてバリスタ本体を被
覆するシリコーンポリイミド層から成つている。
電極に対する電気的接続は導電性のリード線をは
んだ付けすることによつて行われるが、その際に
融剤(フラツクス)を使用してもバリスタ特性の
劣化が起こることはない。 本発明の好適な一実施態様に従えば、保護層は
バリスタ本体の電極のない表面のほぼ全域並びに
電極の外周部を被覆する。 本発明においては単数または複数の保護層を設
置することができる。バリスタ本体の相対する主
面上に電極を有するバリスタの場合、保護層はバ
リスタ本体の周辺部に設けられる。あるいはま
た、バリスタ本体のいずれか一方の表面上に2個
以上の互いに離隔した電極を有するバリスタの場
合、保護層はそれらの電極間において本体表面上
に設けられる。 添付の図面を参照しながら以下の説明を読め
ば、本発明は最も良く理解されよう。 先ず第1図を見ると、本発明の一実施例を成す
金属酸化物バリスタ10が示されている。かかる
バリスタ10は本体12を含むが、これは酸化亜
鉛のごとき金属酸化物と複数の所定添加剤から本
質的に成る焼結体であることが好ましい。バリス
タ本体12の製造方法は当業者にとつて公知であ
るから、ここで詳しい説明は行わない。限定では
なく例示を目的として一般的に述べれば、主成分
および添加剤の混合、〓焼および粉砕を行つた
後、未焼結のバリスタペレツトが加圧成形され
る。次いで、かかるペレツトを高温下で焼結すれ
ば、所望のバリスタ特性を有する焼結体が得られ
る。バリスタ10または、バリスタ本体12の相
対する主面に付着した第1の電極14および第2
の電極16を有している。やはり限定ではなく例
示を目的として述べれば、電極14および16は
銀ペイント電極であれば好都合である。すなわ
ち、シルクスクリーン法などによつてバリスタ本
体12の表面に銀ペイントを塗布した後、比較的
高い温度(たとえば800℃)で焼成すれば、バリ
スタ本体12に対する電気的接触が達成される。 本発明に従つてバリスタを製造する場合、これ
までに述べた諸工程は従来公知のものに比べて大
きな相違はない。本発明が存するのは以下に述べ
る諸工程である。従来技術に従えば、電極の付着
したバリスタ本体にははんだ付けなどによつて1
対の金属リード線が接合される。通例、はんだ付
け操作においては付着性を向上させるための融剤
が使用される。本発明以前においては、はんだ付
け操作における融剤の使用がバリスタ特性に対す
有害な影響と結び付けて考えられたことは全く無
かつた。さて此の度、はんだ付け操作に際して金
属酸化物バリスタの漏れ電流が増大することが見
出された。このような増大は、電極間のバリスタ
表面に対するはんだ付け操作の影響に原因するよ
うに思われる。かかる影響は、はんだ付け後に通
例行われるような表面の清浄操作によつて消去さ
れない。このようにバリスタの初期漏れ電流がは
んだ付け操作によつて増大するばかりでなく、更
には、動作電圧の長期印加後にバリスタが劣化す
る傾向もまたはんだ付け操作によつて増大する。 本発明に従えば、電極14および16を形成し
た後かつそれらの電極にリード線20および22
をはんだ付けする前において、はんだ抵抗性の保
護層18がバリスタ本体12の周辺部に設けられ
る。保護層18を設けるために特別な方法は不要
であつて、多数の適当な方法が使用可能であるこ
とは当業者にとつて自明であろう。各種の物質が
満足すべき結果をもたらすとは言え、本発明に従
えば保護層18としてシリコーンポリイミド共重
合体を使用することが好ましい。この物質は未硬
化の液体状態で容易に適用することができる。た
とえば、電極の付着したバリスタ本体を回転ジグ
に装着し、次いで小さなブラシまたはスポイトを
用いてシリコーンポリイミドを塗布する。その
後、120℃以上好ましくは約150℃の温度に1時間
以上にわたつて加熱を行うことによつてシリコー
ンポリイミドを硬化せればよい。なお、第2のシ
リコーンポリイミド層を同様にして塗布硬化させ
れば一層好ましい。 保護層18の硬化後、はんだ層24および26
によつて電極14および16にリード線20およ
び22がそれぞれ取付けられる。はんだ層24お
よび26はたとえば鉛―スズ共融合金から成るも
ので、更に少量の銀を含有してもよい。かかるは
んだ層は約225℃の温度下で約10分間にわたる加
熱によつて適用することができる。その際には各
種の融剤が使用できるが、本発明に従えば弱酸性
の融剤たとえば米国アルフア・メタルズ(Alpha
Metals)社製の商品名アルフア(Alpha)
RMA302を使用することが好ましい。はんだ付け
によつてリード線を取付けた後のバリスタに対し
ては、たとえばクロロテン中で1回以上洗うこと
によつて清浄操作が施される。なお、ここでは良
好な結果をもたらす特定のはんだ付け操作が記載
されるが、本発明はそれによつて限定されないこ
とを力説しておこう。すなわち、現行の操作を改
変しなくても、様々な操作によつて製造された各
種のバリスタにおいて本発明の利益を達成するこ
とができるのである。 完成したバリスタは、次いで、たとえば保護層
18を含めたバリスタ全体を被覆するエポキシ外
側被膜(図示せず)の形成によつて封入される。
本発明の保護層は、はんだ付け時における漏れ電
流特性の劣化を防止するばかりでなく、かかるバ
リスタの封入(カプセル封じ)に際して通例使用
されるエポキシの有害な影響を従来受けていたバ
リスタの長期安定性を向上させるためにも役立つ
ことが判明した。 シリコーンポリイミド共重合体としては、様々
な組成のもの、すなわち種々の化学構造を持つも
のが利用できる。一般にシリコーンポリイミド
は、テトラカルボン酸二無水物(例えばベンゾフ
エノンテトラカルボン酸二無水物)を有機ジアミ
ン(例えばメチレンジアニリン)及びシリコーン
含有ジアミン(例えばビス(γ―アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン)の混合物と反応
させて、シリコーンポリアミド酸すなわちシリコ
ーンポリイミド先駆体を作ることにより調製され
る。このシリコーンポリイミド先駆体は加熱によ
り硬化されてシリコーンポリイミドとなる。本発
明の実施に際しては、有機ジアミンとシリコーン
含有ジアミンとの比を70:30とし、有機溶剤中の
先駆体の固形分含量を50%とするのが好ましい。
シリコーンポリイミドはその先駆体を通常約125
℃から400℃、好ましくは約200℃以下の温度で硬
化することにより生成される。 次の第2図は、本発明を実施するための諸工程
を示す流れ図である。本発明は各種のバリスタに
関して有利に実施し得るが、特に高電圧かつ大電
流のバリスタに関して有用である。先ず最初にバ
リスタ本体12が用意されるが、これは本発明を
構成する諸工程に先立つて焼結済みのものであ
る。所望ならば、たとえば米国特許第3857174号
明細書中に記載のごとき不活性化被膜で予め被覆
しておくこともできる。次いで、バリスタ本体上
に電極が形成される。そのためには、たとえば、
電極の形成が所望される区域内にシルクスクリー
ン法によつて銀ペーストを塗布し、次いで塗布後
のバリスタ本体を焼成すれば銀電極が形成され
る。かかる電極形成は通常の技術であつて、その
ための諸工程は本発明の一部を成すものでない。
電極を形成した後、本発明の保護層18が適用さ
れる。かかる保護層18は電極によつて被覆され
ていないバリスタ本体12の表面を被覆し、また
好ましくは電極の一部をも被覆する。はんだ付け
操作時におけるバリスタの漏れ電流特性の劣化は
内部現象というよりもむしろ表面現象であるよう
に思われるから、保護層18によつて上部電極1
4と下部電極16との間に連続した障壁が形成さ
れさえすればよいのである。保護層18がバリス
タ本体18の周辺部を完全に被覆しかつ上部電極
14および下部電極16の一部に重なることは必
ずしも要求されない。とは言え、保護層18がバ
リスタ本体18の周辺部を完全に被覆しかつ上部
電極14および下部電極16の一部に重なるよう
にすれば、バリスタ本体18の電極外表面の全域
がはんだ付け操作の影響およびその際に使用され
る融剤の影響から保護されるので好ましい。複数
の保護層を設けることも可能であるが、その場合
には各々の保護層を硬化させてから次の保護層を
設けることが好ましい。最後の保護層を設けた
後、通常の組立て手順に従つてバリスタが完成さ
れる。すなわち、融剤の使用を含むはんだ付け操
作によつてリード線20および22が取付けら
れ、次いで当業者にとつて公知のごとき清浄操作
が施される。かかるはんだ付け操作としては、温
度が約400℃を越えない限り、保護層18によつ
て被覆された部分を含むバリスタ全体をはんだ浴
中に浸漬してもよい。リード線20および22を
取付けた後のバリスタは、たとえばエポキシでカ
プセル封じすることによつて封入すればよい。 下記の表は、本発明の保護層を有するバリスタ
および有しないバリスタに関してはんだ付け後に
測定された漏れ電流の改善を例示するものであ
る。
The present invention relates to a metal oxide varistor,
More particularly, the present invention relates to a varistor having a protective coating that improves the performance of such a varistor, particularly after assembly, including soldering operations. It has been found that the operation of soldering conductive leads to electrodes often has a detrimental effect on the leakage current of the varistor. This fact has not been clearly acknowledged until now,
Or, at least, it was not considered to be a cause of increased leakage current in the type of varistor that is the object of the present invention. Considering that the soldering temperature (several hundred degrees Celsius) is relatively lower than the varistor sintering temperature (over 1000 degrees Celsius), it is at least unlikely that the electrical properties of metal oxides will deteriorate during the soldering operation. It's quite a surprise. Now, to briefly describe one aspect of the present invention,
A metal oxide varistor is provided that not only has a low leakage current, but also maintains that low leakage current even after attachment of the leads by soldering. Such a varistor consists of a varistor body having first and second electrodes spaced apart from each other and a silicone polyimide layer covering the varistor body between the electrodes.
Electrical connections to the electrodes are made by soldering conductive lead wires, but the use of flux will not cause deterioration of the varistor characteristics. According to a preferred embodiment of the invention, the protective layer covers substantially the entire electrode-free surface of the varistor body as well as the outer periphery of the electrodes. In the present invention, one or more protective layers can be provided. In the case of a varistor having electrodes on opposite main surfaces of the varistor body, the protective layer is provided around the periphery of the varistor body. Alternatively, in the case of a varistor having two or more spaced apart electrodes on either surface of the varistor body, the protective layer is provided on the body surface between the electrodes. The present invention is best understood from the following description when taken in conjunction with the accompanying drawings. Turning first to FIG. 1, there is shown a metal oxide varistor 10 that constitutes one embodiment of the present invention. Such a varistor 10 includes a body 12, which is preferably a sintered body consisting essentially of a metal oxide, such as zinc oxide, and a plurality of predetermined additives. The method of manufacturing the varistor body 12 is known to those skilled in the art and will not be described in detail here. Generally speaking, by way of example and not by way of limitation, after mixing, sintering, and grinding the main components and additives, green barista pellets are pressed. If such pellets are then sintered at high temperatures, a sintered body having desired varistor properties can be obtained. A first electrode 14 and a second electrode attached to opposing main surfaces of the varistor 10 or the varistor body 12
It has an electrode 16 of. Again by way of example and not limitation, electrodes 14 and 16 are conveniently silver paint electrodes. That is, electrical contact to the varistor body 12 can be achieved by applying silver paint to the surface of the varistor body 12 using a silk screen method or the like and then firing it at a relatively high temperature (for example, 800° C.). When producing a varistor according to the invention, the steps described so far do not differ significantly from those previously known. The present invention resides in the steps described below. According to the conventional technology, the varistor body to which the electrodes are attached is attached to the varistor body by soldering or the like.
A pair of metal lead wires are joined. Typically, fluxing agents are used in soldering operations to improve adhesion. Prior to the present invention, the use of fluxing agents in soldering operations had never been associated with deleterious effects on varistor properties. Now, it has been discovered that the leakage current of metal oxide varistors increases during soldering operations. This increase appears to be due to the effect of the soldering operation on the varistor surface between the electrodes. Such effects are not eliminated by surface cleaning operations, such as those typically performed after soldering. Thus, not only the initial leakage current of the varistor is increased by the soldering operation, but also the tendency for the varistor to deteriorate after long-term application of the operating voltage is also increased by the soldering operation. According to the invention, after forming electrodes 14 and 16 and connecting them to leads 20 and 22,
A solder-resistant protective layer 18 is provided around the periphery of the varistor body 12 before soldering. It will be obvious to those skilled in the art that no special method is required to provide the protective layer 18, and that many suitable methods can be used. Although a variety of materials may provide satisfactory results, it is preferred in accordance with the present invention to use a silicone polyimide copolymer as the protective layer 18. This material can be easily applied in its uncured liquid state. For example, a varistor body with electrodes attached is mounted on a rotating jig and then silicone polyimide is applied using a small brush or dropper. Thereafter, the silicone polyimide may be cured by heating at a temperature of 120° C. or higher, preferably about 150° C., for 1 hour or more. It is more preferable to apply and cure the second silicone polyimide layer in the same manner. After curing of protective layer 18, solder layers 24 and 26
Lead wires 20 and 22 are attached to electrodes 14 and 16, respectively, by . The solder layers 24 and 26 are made of, for example, a lead-tin eutectic alloy and may also contain a small amount of silver. Such a solder layer can be applied by heating at a temperature of about 225°C for about 10 minutes. Various fluxing agents can be used in this case, but according to the present invention, a weakly acidic fluxing agent, such as Alpha Metals (U.S.A.)
Product name: Alpha manufactured by Metals
Preferably, RMA302 is used. After the leads have been attached by soldering, the varistor is subjected to a cleaning operation, for example by washing it one or more times in chlorotene. It should be emphasized that although specific soldering operations are described herein that yield good results, the invention is not limited thereby. That is, the benefits of the present invention can be achieved in a variety of varistors manufactured by a variety of operations without modifying current operations. The completed varistor is then encapsulated, for example, by forming an epoxy outer coating (not shown) covering the entire varistor, including the protective layer 18.
The protective layer of the present invention not only prevents deterioration of leakage current characteristics during soldering, but also improves the long-term stability of varistors, which have traditionally been adversely affected by the epoxy commonly used to encapsulate such varistors. It has also been found to be useful for improving sexual performance. As silicone polyimide copolymers, those having various compositions, ie, those having various chemical structures, can be used. Silicone polyimides are generally made from tetracarboxylic dianhydrides (e.g. benzophenonetetracarboxylic dianhydride), organic diamines (e.g. methylene dianiline) and silicone-containing diamines (e.g. bis(γ-aminopropyl)tetramethyldisiloxane). A silicone polyamic acid or silicone polyimide precursor is prepared by reacting with a mixture of the following: This silicone polyimide precursor is cured by heating to become silicone polyimide. In the practice of this invention, it is preferred that the ratio of organic diamine to silicone-containing diamine be 70:30 and that the solids content of the precursor in the organic solvent be 50%.
Silicone polyimide has its precursor typically about 125
It is produced by curing at a temperature of from 0.degree. C. to 400.degree. C., preferably below about 200.degree. The following Figure 2 is a flowchart showing steps for carrying out the present invention. Although the present invention can be advantageously implemented with respect to various types of varistors, it is particularly useful with respect to high voltage and large current varistors. First, a varistor body 12 is prepared, which has already been sintered prior to the various steps constituting the present invention. If desired, it can be precoated with a passivating coating, such as that described in U.S. Pat. No. 3,857,174. Electrodes are then formed on the varistor body. To do this, for example,
A silver electrode is formed by applying a silver paste by a silk screen method in an area where it is desired to form an electrode, and then firing the coated varistor body. Such electrode formation is a common technique, and the steps therefor do not form part of the present invention.
After forming the electrodes, a protective layer 18 of the invention is applied. Such a protective layer 18 covers the surfaces of the varistor body 12 not covered by the electrodes, and preferably also covers parts of the electrodes. Since the deterioration of the leakage current characteristics of the varistor during the soldering operation seems to be a surface rather than an internal phenomenon, the protective layer 18 protects the upper electrode 1.
It is only necessary that a continuous barrier be formed between 4 and the lower electrode 16. It is not necessarily required that the protective layer 18 completely cover the periphery of the varistor body 18 and partially overlap the upper electrode 14 and the lower electrode 16. However, if the protective layer 18 completely covers the periphery of the varistor body 18 and partially overlaps the upper electrode 14 and the lower electrode 16, the entire outer surface of the electrodes of the varistor body 18 can be soldered. This is preferable because it protects it from the effects of the above and the effects of the flux used at that time. It is also possible to provide a plurality of protective layers, but in that case it is preferable to cure each protective layer before applying the next protective layer. After applying the last protective layer, the varistor is completed following normal assembly procedures. That is, leads 20 and 22 are attached by a soldering operation that includes the use of a flux, followed by a cleaning operation as is known to those skilled in the art. Such a soldering operation may involve immersing the entire varistor, including the portion covered by the protective layer 18, in a solder bath as long as the temperature does not exceed about 400°C. After the leads 20 and 22 are attached, the varistor may be encapsulated, for example by epoxy encapsulation. The table below illustrates the leakage current improvement measured after soldering for varistors with and without the protective layer of the present invention.

【表】 しないバリ
スタ
[Table] Baristas who do not

【表】 するバリス

なお、漏れ電流はV1/2ボルトで測定された
値、α,αおよびαはそれぞれ0.1〜
1mA、1〜10mAおよび10〜100mAの範囲で測定
された値、そしてV1は1mAの電流のときのバリ
スタの両端間の電圧である。このように、本発明
に基づく保護層の付加によつてバリスタの漏れ電
流が著しく改善されるばかりでなく、バリスタの
その他の特性もまた同様に改善されることがわか
る。 次の第3図は、本発明の別の実施例を成すバリ
スタを示している。この図および以後の図におい
ては、同じ構成要素は同じ参照数字で指示されて
いる。バリスタ本体12の上部および下部主面に
は、第1の電極14および第2の電極16がそれ
ぞれ付着している。バリスタ本体12の用意およ
び電極の形成は、第1図に関連して前述した通り
に行えばよい。保護層30がバリスタ本体12の
周辺部を包囲しているが、電極14および16に
重なつてはいない。かかる保護層30は、電極1
4および16の間におけるバリスタ本体12の表
面電流路がはんだ付け操作に際して汚染されるこ
とを防止するのに役立つ。保護層30の設置後、
はんだ層24および26によつて導電性リード線
20および22が電極14および16にそれぞれ
取付けられる。保護層30の塗布および硬化並び
にリード線20および22のはんだ付けは、第1
図に関連して前述した通りに行えばよい。すなわ
ち、保護層30の適用に当つては、バリスタ本体
12の周辺部並びに電極14および16の一部を
被覆する保護層を得るために必要な量よりも僅か
に少ない量のシリコーンポリイミドをバリスタ本
体12の周辺部に塗布しさえすればよい。 次の第4図は、本発明の更に別の実施例を成す
バリスタを示している。かかるバリスタ34は第
1〜3図に関連して前述した通りの本体12を含
むが、第1の電極36および第2の電極38は一
方の主面40に付着している。電極36および3
8は互いに離隔して配置され、そして保護層42
は電極36および38の互いに近接した端部間に
おいて主面40上に設けられている。次いで、前
述の場合と同じ操作により、導電性リード線44
および46が電極36および38にそれぞれはん
だ付けされる。なお、保護層42の塗布および硬
化は前述の場合と同様に行えばよいが、保護層4
2の塗布時にバリスタ本体12を回転させる必要
がないことは勿論である。その代わりに、刷毛な
どを用いて電極36および38の間にシリコーン
ポリイミドを線状に塗布すればよい。バリスタ3
4にはまた、所望ならば、第3図に関連して前述
したごとくに周辺部の保護層30を設置すること
もできる。 次の第5図は第4図のものに類似したバリスタ
を示しているが、保護層がバリスタ本体の露出面
の全域並びに電極の一部を被覆している点に相違
がある。かかるバリスタ50は一方の主面に付着
した第1の電極36および第2の電極38を有す
る本体12を含み、かつ周辺領域52Aおよび内
部領域52Bから成る保護層52を有している。
なお、電極36および38の間に位置する内部領
域52Bは周辺領域52Aの延長部である。電極
36および38には、はんだ層54および56に
よつて導電性リード線44および46がそれぞれ
取付けられている。 以上述べたように、保護層を形成するためにシ
リコーンポリイミドが使用されるが、バリスタ本
体上に保護層を設けるための方法の細部はバリス
タの種類およびそれと共に使用されるパツケージ
に応じて変更することができる。
[Table] Barista
In addition, the leakage current is a value measured at V 1 /2 volts, α 1 , α 2 and α 3 are each 0.1 to
Values measured in the range 1 mA, 1-10 mA and 10-100 mA, and V 1 is the voltage across the varistor at a current of 1 mA. It can thus be seen that not only the leakage current of the varistor is significantly improved by the addition of the protective layer according to the invention, but also the other properties of the varistor are improved as well. The following FIG. 3 shows a varistor forming another embodiment of the invention. In this and subsequent figures, like components are designated with like reference numerals. A first electrode 14 and a second electrode 16 are attached to the upper and lower main surfaces of the varistor body 12, respectively. Preparation of the varistor body 12 and formation of the electrodes may be performed as described above in connection with FIG. A protective layer 30 surrounds the periphery of the varistor body 12 but does not overlap the electrodes 14 and 16. Such a protective layer 30 covers the electrode 1
This serves to prevent the surface current path of the varistor body 12 between 4 and 16 from becoming contaminated during the soldering operation. After installing the protective layer 30,
Conductive leads 20 and 22 are attached to electrodes 14 and 16 by solder layers 24 and 26, respectively. The application and curing of the protective layer 30 and the soldering of the lead wires 20 and 22 are performed in the first step.
This may be done as described above in connection with the figures. That is, when applying the protective layer 30, a slightly smaller amount of silicone polyimide is applied to the varistor body than is necessary to obtain a protective layer that covers the periphery of the varistor body 12 and a portion of the electrodes 14 and 16. It is only necessary to apply it to the peripheral area of 12. The following FIG. 4 shows a varistor constituting yet another embodiment of the present invention. Such a varistor 34 includes a body 12 as described above in connection with FIGS. 1-3, but with a first electrode 36 and a second electrode 38 attached to one major surface 40. electrodes 36 and 3
8 are spaced apart from each other, and the protective layer 42
are provided on main surface 40 between adjacent ends of electrodes 36 and 38. Then, by the same operation as described above, the conductive lead wire 44 is
and 46 are soldered to electrodes 36 and 38, respectively. Note that the protective layer 42 may be applied and cured in the same manner as described above, but
It goes without saying that there is no need to rotate the varistor body 12 during the application of step 2. Instead, silicone polyimide may be applied in a line between electrodes 36 and 38 using a brush or the like. barista 3
4 may also be provided with a peripheral protective layer 30 as described above in connection with FIG. 3, if desired. The following FIG. 5 shows a varistor similar to that of FIG. 4, except that the protective layer covers the entire exposed surface of the varistor body as well as part of the electrodes. Such a varistor 50 includes a body 12 having a first electrode 36 and a second electrode 38 attached to one major surface, and has a protective layer 52 consisting of a peripheral region 52A and an inner region 52B.
Note that the internal region 52B located between the electrodes 36 and 38 is an extension of the peripheral region 52A. Conductive leads 44 and 46 are attached to electrodes 36 and 38 by solder layers 54 and 56, respectively. As mentioned above, silicone polyimide is used to form the protective layer, but the details of the method for providing the protective layer on the varistor body will vary depending on the type of varistor and the package used with it. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に基づくはんだ付け適性改善用
の被膜を有する金属酸化物バリスタの断面図、第
2図は本発明に従つてはんだ付け可能なバリスタ
を製造する方法の流れ図、第3図は本発明の別の
実施例を成すバリスタの断面図、第4図は本発明
の更に別の実施例を成すバリスタの断面図、そし
て第5図は本発明の更に別の実施例を成すバリス
タの断面図である。 図中、12はバリスタ本体、14および16は
電極、18は保護層、20および22はリード
線、24および26ははんだ層、30は保護層、
36および38は電極、42は保護層、44およ
び46はリード線、52は保護層、そして54お
よび56ははんだ層を表わす。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a metal oxide varistor having a coating for improving solderability according to the present invention, FIG. 2 is a flowchart of a method for manufacturing a solderable varistor according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of a varistor constituting another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of a varistor constituting still another embodiment of the present invention. FIG. In the figure, 12 is the varistor body, 14 and 16 are electrodes, 18 is a protective layer, 20 and 22 are lead wires, 24 and 26 are solder layers, 30 is a protective layer,
36 and 38 represent electrodes, 42 a protective layer, 44 and 46 lead wires, 52 a protective layer, and 54 and 56 a solder layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属酸化物および1種以上の添加剤から本質
的に成る本体、互いに離隔して前記本体に直接付
着した第1および第2の電極、前記第1および第
2の電極間において前記本体の表面上に設けられ
た保護層、並びに前記第1および第2の電極の
各々の露出した表面にそれぞれ設けられたはんだ
層を有する金属酸化物バリスタであつて、前記保
護層がシリコーンポリイミドからなつていて、は
んだおよびはんだに含まれる汚染物に対して抵抗
性があり、更に前記保護層が前記電極の外周部を
被覆していて、前記電極の各々の表面の内のはん
だ取付け領域を露出させて限定するそれぞれの開
口を有することを特徴とする漏れ電流の少ない金
属酸化物バリスタ。 2 バリスタ材料の本体12を用意し、互いに離
隔した第1および第2の電極14,16または3
6,38を前記本体上に形成し、次いで第1およ
び第2の導電性リード線20,22または44,
46を前記第1および第2の電極にはんだ付けす
る諸工程から成る金属酸化物バリスタの製造方法
において、前記はんだ付け工程に先立ち前記第1
および第2の電極間において前記本体上にシリコ
ーンポリイミドからなる保護物質の層18,3
0,42または52を設ける工程を含むことを特
徴とする金属酸化物バリスタの製造方法。 3 前記第1および第2の電極36,38が、第
1および第2の主面を有する前記本体のいずれか
一方の主面上に配置される、特許請求の範囲第2
項記載の金属酸化物バリスタの製造方法。 4 前記第1および第2の電極14,16が前記
本体の第1および第2の主面上にそれぞれ配置さ
れる、特許請求の範囲第2項記載の金属酸化物バ
リスタの製造方法。 5 前記シリコーンポリイミドを硬化させること
を特徴とする、特許請求の範囲第2項記載の金属
酸化物バリスタの製造方法。 6 前記シリコーンポリイミド層が、前記第1お
よび第2の電極によつて被覆されていない前記本
体の表面のほぼ全域並びに前記第1および第2の
電極の外周部に設けられる、特許請求の範囲第2
〜5項のいずれか1項に記載の金属酸化物バリス
タの製造方法。 7 前記硬化工程が、前記シリコーンポリイミド
層を設けた前記本体125℃より高い温度に加熱す
ることから成る、特許請求の範囲第5項記載の金
属酸化物バリスタの製造方法。 8 前記シリコーンポリイミド層上にそれとほぼ
同じ範囲にわたつて第2のシリコーンポリイミド
層を設ける、特許請求の範囲第7項記載の金属酸
化物バリスタの製造方法。 9 前記第2のシリコーンポリイミド層を125℃
より高い温度に加熱することによつてそれを硬化
させる、特許請求の範囲第8項記載の金属酸化物
バリスタの製造方法。 10 前記バリスタをカプセル封じする工程が追
加包含される、特許請求の範囲第2〜9項のいず
れか1項に記載の金属酸化物バリスタの製造方
法。 11 前記本体が酸化亜鉛および1種以上の添加
剤から本質的に成る、特許請求の範囲第2〜10
項のいずれか1項に記載の金属酸化物バリスタの
製造方法。
[Scope of Claims] 1. A body consisting essentially of a metal oxide and one or more additives, first and second electrodes spaced apart from each other and directly attached to said body, said first and second electrodes. A metal oxide varistor having a protective layer provided on the surface of the main body in between, and a solder layer provided on the exposed surfaces of each of the first and second electrodes, the protective layer being made of silicone polyimide and resistant to solder and solder-containing contaminants, and wherein the protective layer covers the outer periphery of the electrode and provides solder attachment within the surface of each of the electrodes. A metal oxide varistor with low leakage current, characterized in that it has respective openings that expose and define areas. 2. A body 12 of varistor material is provided with first and second electrodes 14, 16 or 3 spaced apart from each other.
6, 38 are formed on said body, and then first and second conductive leads 20, 22 or 44,
46 to the first and second electrodes, prior to the soldering step, the first
and a layer 18, 3 of a protective material made of silicone polyimide on the body between the second electrodes.
A method for manufacturing a metal oxide varistor, comprising the step of providing 0, 42 or 52. 3. Claim 2, wherein the first and second electrodes 36, 38 are disposed on one major surface of the main body having first and second major surfaces.
A method for manufacturing a metal oxide varistor as described in . 4. The method for manufacturing a metal oxide varistor according to claim 2, wherein the first and second electrodes 14 and 16 are respectively arranged on the first and second main surfaces of the main body. 5. The method for manufacturing a metal oxide varistor according to claim 2, which comprises curing the silicone polyimide. 6. The silicone polyimide layer is provided on substantially the entire surface of the main body not covered by the first and second electrodes and on the outer periphery of the first and second electrodes. 2
The method for manufacturing a metal oxide varistor according to any one of items 1 to 5. 7. The method of manufacturing a metal oxide varistor according to claim 5, wherein the curing step comprises heating the main body provided with the silicone polyimide layer to a temperature higher than 125°C. 8. The method for manufacturing a metal oxide varistor according to claim 7, wherein a second silicone polyimide layer is provided on the silicone polyimide layer in substantially the same area as the silicone polyimide layer. 9 Heat the second silicone polyimide layer to 125°C.
9. A method of manufacturing a metal oxide varistor according to claim 8, wherein the metal oxide varistor is hardened by heating to a higher temperature. 10. The method for manufacturing a metal oxide varistor according to any one of claims 2 to 9, further comprising the step of encapsulating the varistor. 11. Claims 2-10, wherein the body consists essentially of zinc oxide and one or more additives.
A method for manufacturing a metal oxide varistor according to any one of the above.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4444351A (en) * 1981-11-16 1984-04-24 Electric Power Research Institute, Inc. Method of soldering metal oxide varistors
JPS60156976U (en) * 1984-03-29 1985-10-18 株式会社 エム・ケ−・アイ Luminous float for fishing
DE3731966C3 (en) * 1986-09-26 1995-02-09 Gen Electric Surface mount varistor
US4785276A (en) * 1986-09-26 1988-11-15 General Electric Company Voltage multiplier varistor
DE3638342A1 (en) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Electrical component, made of ceramic and having multilayer metallisation, and a method for its production
DE10000617A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-12 Abb Hochspannungstechnik Ag Surge arresters
CN110349720A (en) * 2018-04-04 2019-10-18 爱普科斯电子元器件(珠海保税区)有限公司 Metal-oxide varistor and its manufacturing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2473887A (en) * 1945-12-29 1949-06-21 Westinghouse Electric Corp Protecting metal surfaces during soldering and brazing processes
US2501322A (en) * 1946-11-07 1950-03-21 Westinghouse Electric Corp Moisture-resistant lightning arrester valve block
DE2126340C3 (en) * 1971-05-24 1973-10-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Thick film resistor provided with electrodes
JPS549294B2 (en) * 1972-02-16 1979-04-23
DE2639042C3 (en) * 1976-08-30 1982-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Voltage-dependent resistance element and method for its manufacture
AU497337B2 (en) * 1976-11-19 1978-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-dependent resistor
US4148135A (en) * 1978-03-10 1979-04-10 General Electric Company Method of treating metal oxide varistors to reduce power loss

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