JPS6211752B2 - - Google Patents

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JPS6211752B2
JPS6211752B2 JP15800280A JP15800280A JPS6211752B2 JP S6211752 B2 JPS6211752 B2 JP S6211752B2 JP 15800280 A JP15800280 A JP 15800280A JP 15800280 A JP15800280 A JP 15800280A JP S6211752 B2 JPS6211752 B2 JP S6211752B2
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JP
Japan
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address
storage
access
module
memory
Prior art date
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Application number
JP15800280A
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Japanese (ja)
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JPS5781659A (en
Inventor
Shukichi Moryama
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS5781659A publication Critical patent/JPS5781659A/en
Publication of JPS6211752B2 publication Critical patent/JPS6211752B2/ja
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multi Processors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、記憶制御装置、特に、複数のデータ
処理装置とそれらに接続された複数の記憶ユニツ
トから構成されるデータ処理システムに於ける、
各データ処理装置と記憶ユニツト間のバンクのイ
ンターリーブを制御する記憶制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a storage control device, particularly a data processing system comprising a plurality of data processing devices and a plurality of storage units connected to them.
The present invention relates to a storage control device that controls bank interleaving between each data processing device and a storage unit.

一般に、インターリーブ制御が行なわれる記憶
制御装置は、中央処理装置やチヤンネルなどのア
クセス装置から供給されるアクセスアドレスに対
し、記憶装置を駆動させるためのメモリアドレス
を発生する。
Generally, a storage control device that performs interleave control generates a memory address for driving a storage device in response to an access address supplied from an access device such as a central processing unit or a channel.

第1図は、本発明および従来の記憶制御装置を
含むシステム構成図で、中央処理装置CPUA,
CPUBやチヤンネルCHA,CHBなどのアクセス
装置ACDからのアクセスアドレスAAの供給を受
けた記憶制御装置MCは、メモリアドレスMAを
発生して記憶ユニツトMEMA,MEMBからなる
記憶装置MEMDを駆動するものである。
FIG. 1 is a system configuration diagram including the present invention and a conventional storage control device, in which central processing units CPUA,
The storage controller MC receives the access address AA from the access device ACD such as CPUB, channels CHA, CHB, etc., and generates the memory address MA to drive the storage device MEMD consisting of the storage units MEMA and MEMB. .

ここで、記憶装置MEMDは、記憶空間とメモ
リアドレスMAとの間で第2図に示すようになつ
ている。
Here, the storage device MEMD is arranged as shown in FIG. 2 between the storage space and the memory address MA.

すなわち、メモリアドレスMAは、記憶ユニツ
トMEMA,MEMBを示すユニツトアドレスMEM
と、モジユールアドレスMDと、モジユール内ア
ドレスMDADと、バンクアドレスBKとで構成さ
れ、それぞれの記憶位置はユニツトアドレス
MEM0,MEM1、モジユールアドレスMD0〜
MD3、モジユール内アドレスMDAD0〜MDAD
3、バンクアドレスBK0〜BK3で個別に指示さ
〓〓〓〓〓
れる。
In other words, memory address MA is unit address MEM indicating storage units MEMA and MEMB.
It consists of a module address MD, a module address MDAD, and a bank address BK, and each memory location is a unit address.
MEM0, MEM1, module address MD0~
MD3, module address MDAD0 to MDAD
3. Indicate individually with bank addresses BK0 to BK3〓〓〓〓〓
It can be done.

すなわち、第2図に示す記憶装置MEMDは複
数の記憶モジユールに分割され、記憶モジユール
も複数のバンクに分割されている。
That is, the storage device MEMD shown in FIG. 2 is divided into a plurality of storage modules, and the storage modules are also divided into a plurality of banks.

バンクはその各々が他のバンクとは独立してア
クセスでき中央処理装置CPUA,CPUB、およ
び、チヤンネルCHA,CHB等が同時にそれぞれ
のバンクを並行してアクセスすることができる様
に構成されている。
The banks are configured so that each bank can be accessed independently of the other banks, and the central processing units CPUA, CPUB, channels CHA, CHB, etc. can access each bank in parallel at the same time.

従来の記憶制御装置はデータ処理装置からのメ
モリアクセスに対しては、アクセスしようとする
物理記憶モジユールが有効がどうかをチエツクす
る手段を具えていて、各記憶モジユールを構成す
る複数のバンクをプロセツサおよびチヤンネル等
がいくつかのバンクを同時に並行してアクセスす
るようにし、メモリの障害に対しては障害の発生
したメモリをプログラム的又はハードウエア的に
予備メモリと切替えることによりこれを処理して
いた。
Conventional storage control devices are equipped with a means for checking whether the physical storage module to be accessed is valid in response to memory access from a data processing device. A channel or the like accesses several banks simultaneously in parallel, and memory failures are handled by switching the memory in which the failure occurs to spare memory either programmatically or by hardware.

しかし乍ら上記のように構成されたシステムに
おいては、通常のメモリアクセスでは特に問題が
ないが、ハードウエア(フオームウエア)等がメ
モリを使用する場合においては、特定の記憶ユニ
ツトにアクセスが集中してシステムの性能を劣化
させる欠点があつた。すなわち前述の通常のメモ
リアクセスではベーシングおよびセグメント方式
により物理モジユール空間では全く連続性がない
ためアクセスが特定の記憶モジユールに集中する
ことはないが、ハードウエア(フアームウエア)
が使用するエリア及びページテーブル、セグメン
トテーブル(論理アドレスから実アドレスへの変
換テーブル)等のハードウエアとソフトウエアが
使用するエリアは絶対番地でアクセスされる。
However, in a system configured as described above, there is no particular problem with normal memory access, but when hardware (formware) uses memory, accesses may concentrate on a specific storage unit. However, there were drawbacks that degraded the performance of the system. In other words, in the normal memory access mentioned above, there is no continuity in the physical module space due to the basing and segmentation methods, so accesses are not concentrated on a specific storage module, but the hardware (firmware)
Areas used by hardware and software such as page tables and segment tables (logical address to real address conversion tables) are accessed using absolute addresses.

又、上記エリアは絶対番地空間で下位にアドレ
ツシングされることが通常である。
Further, the above areas are usually addressed lower in the absolute address space.

従来の記憶装置でのアドレツシング(絶対番
地)はモジユール内で連続したアドレツシングに
なつていたので特定のモジユールに対し0番地か
らそのモジユール容量分のアドレスがふられてい
た。
Addressing (absolute addresses) in conventional storage devices was continuous addressing within a module, so addresses corresponding to the module capacity were assigned to a specific module starting from address 0.

以上の様な場合、上記メモリエリアをソフトウ
エア又はハードウエアが使用する場合には絶対番
地アクセスを行うので特定モジユールにアクセス
が集中することがあり、記憶ユニツトが複数ある
ところから、特定の記憶ユニツトにアクセスが集
中し、記憶モジユール間のアクセス頻度が不均一
化してメモリアクセスの効率が低下し、システム
性能が劣化する結果となつていた。
In cases such as the above, when software or hardware uses the above memory area, absolute address access is performed, so accesses may concentrate on a specific module. Accesses were concentrated on the memory modules, and the frequency of accesses among storage modules became uneven, resulting in a decrease in memory access efficiency and a deterioration in system performance.

一方記憶モジユールにあつては障害が発生して
もシステムの処理を長時間停止することなく処理
動作を続行する必要がある。データ処理システム
の中で特にメモリは特に重要な装置であつて障害
が発生した場合には罹障メモリをソフトウエア的
又はハードウエア的に予備メモリと切り替えるこ
とがデータ処理システムの機能として必須であ
る。従来この様なメモリ切り替え方式としてモジ
ユール毎に可変装置番号を付与してこれを書き替
えることによりメモリの切り替えを行つていた。
このため従来のおいてもアクセス装置からの論理
記憶モジユール番号を実際のメモリの記憶モジユ
ール番号に変換する手段及びアクセスした記憶モ
ジユールが有効かどうかをチエツクするチエツク
手段を有していた。
On the other hand, in the case of a storage module, even if a failure occurs, it is necessary to continue processing operations without stopping system processing for a long time. Memory is a particularly important device in a data processing system, and in the event of a failure, it is essential for the data processing system to switch the affected memory to spare memory either by software or hardware. . Conventionally, as such a memory switching method, memory switching was performed by assigning a variable device number to each module and rewriting this number.
For this reason, conventional devices have included means for converting the logical storage module number from the access device into an actual memory storage module number and checking means for checking whether the accessed storage module is valid.

この様に構成されたシステムにおいて通常ソフ
トウエアからのメモリアクセスはページング及び
セグメント方式により物理モジユール空間では全
つく連続性がないため特定の記憶モジユールにア
クセスが集中することはないが、ハードウエア
(フアームウエア)等がメモリを使用する場合に
おいては絶対番地でアクセスを行うので特定の物
理記憶モジユールにアクセスが集中することがあ
る。
In a system configured in this way, memory accesses from software are usually performed using paging and segmentation methods, and there is no continuity in the physical module space, so accesses are not concentrated on a specific storage module, but memory accesses from the hardware (farm When software such as software uses memory, accesses are made using absolute addresses, so accesses may concentrate on a specific physical storage module.

この場合、メモリユニツトが複数で構成された
システムでは特定のメモリユニツトにアクセスが
集中し、システムの性能を低下させる欠点があつ
た。
In this case, in a system configured with a plurality of memory units, accesses are concentrated on a specific memory unit, which has the disadvantage of degrading system performance.

以下に、従来の記憶制御装置について図面を参
照して説明する。第3図は従来の一例を示すブロ
ツク図であり、アクセスアドレスレジスタAAR
に格納されるアクセスアドレスAAの上位ビツト
群b5〜b2はスイツチ回路SWのON.OFF動作に応
じて発生する選択信号Sにより選択回路SELでビ
ツト交換されてメモリアドレスレジスタMARに
メモリアドレスMAの上位ビツト群B5〜B2として
格納される。アクセスアドレスAAの下位ビツト
群b1〜b0はそのままメモリアドレスMAの下位ビ
ツト群B1〜B0としてメモリアドレスレジスタ
MARに格納される。
A conventional storage control device will be described below with reference to the drawings. Figure 3 is a block diagram showing an example of the conventional technology, in which the access address register AAR
The upper bits b5 to b2 of the access address AA stored in the memory address register MAR are exchanged in the selection circuit SEL by the selection signal S generated in response to the ON/OFF operation of the switch circuit SW, and the memory address MA is stored in the memory address register MAR. The upper bits are stored as a group of upper bits B5 to B2 . The lower bit group b1 to b0 of the access address AA is stored as the lower bit group B1 to B0 of the memory address MA in the memory address register.
Stored in MAR.

〓〓〓〓〓
ここで、上位ビツトB5は、ユニツトアドレス
MEMとなり、上位ビツトB4はモジユールアドレ
スMDとなり、上位ビツトB3,B2はモジユール内
アドレスMDADとなり、下位ビツトB1,B0はバ
ンクアドレスBKとなる。
〓〓〓〓〓
Here, upper bit B5 is the unit address
The upper bit B 4 becomes the module address MD, the upper bits B 3 and B 2 become the intra-module address MDAD, and the lower bits B 1 and B 0 become the bank address BK.

スイツチ回路SWからの選択信号Sは固定的に
“0”および“1”にソフトウエア、またはマニ
ユアルで設定することにより選択回路SELを選択
していた。
The selection signal S from the switch circuit SW is fixedly set to "0" and "1" by software or manually to select the selection circuit SEL.

選択信号Sを“0”に設定すると、アドレスの
流れ及び記憶装置でのアドレスマツプは第4図
a,bのようになる。
When the selection signal S is set to "0", the flow of addresses and the address map in the storage device become as shown in FIGS. 4a and 4b.

また、選択信号Sを“1”に設定すると、第5
図a,bのようになる。
Also, when the selection signal S is set to “1”, the fifth
It will look like Figures a and b.

両者においてアクセスが00から0Fまで連続
して行われたと仮定し、その動作のタイムチヤー
トを第6図および第7図に示す。
Assuming that access is performed continuously from 00 to 0F in both, time charts of the operations are shown in FIGS. 6 and 7.

選択信号Sを“0”にし、第4図a,bのよう
にすると、第6図のように、アクセス04,0
8,0Cがバンク使用中のために待たされること
になる。従つて、読出データREAD DATA 0
Fがアクセス装置に返る時間(アクセスタイム)
が遅くなる欠点がある。
When the selection signal S is set to "0" and the settings are as shown in Figure 4 a and b, accesses 04 and 0 are made as shown in Figure 6.
Since 8.0C is in use, the bank will be kept waiting. Therefore, read data READ DATA 0
Time for F to return to the access device (access time)
The disadvantage is that it is slow.

次に、選択信号Sを“1”にし、第5図a,b
のようにすると第1図のようにバンクの待ちがな
くなるため読出データREAD DATAは早く返
る。
Next, the selection signal S is set to "1", and FIGS.
By doing this, as shown in FIG. 1, there is no need to wait for the bank, so the read data READ DATA returns quickly.

上記のように、記憶装置を効率良く使用するた
めには、アクセスをバンクに対して均一化するこ
とが必要であつた。
As mentioned above, in order to use the storage device efficiently, it is necessary to equalize access to banks.

しかしながら、アドレスマツプのことを考慮す
ると、記憶モジユールの中で選択信号Sが“0”
のときにはプログラム又はデータなどを含むタス
クA,B,C,Dが第5図のようにマツプされ、
選択信号Sが“1”のときには第9図のようにタ
スクAはA0,A1にタスクBはタスクB0,B1にタ
スクCはタスクC0,C1に、タスクDはタスク
D0,D1に分散してマツプされる。
However, considering the address map, if the selection signal S is "0" in the storage module.
When , tasks A, B, C, and D, including programs or data, are mapped as shown in Figure 5.
When the selection signal S is "1", task A is assigned to A 0 and A 1 , task B is assigned to tasks B 0 and B 1, task C is assigned to tasks C 0 and C 1 , and task D is assigned to tasks C 0 and C 1 , as shown in FIG.
It is distributed and mapped to D 0 and D 1 .

すなわち、第8図では各タスクがモジユール毎
の分離しているが、第9図ではこれらのタスクは
分散してマツプされる。
That is, in FIG. 8, each task is separated for each module, but in FIG. 9, these tasks are mapped in a distributed manner.

この時両者においてメモリアドレスMEM0、
およびモジユールアドレスMD0で示されるモジ
ユールが故障したとすると、第8図においてはタ
スクAが使用不可となり該当するプログラム又は
タスクをダウンされればよいが第9図においては
タスクA,B、の2つのプログラム又はタスクを
ダウンさせなければならない。
At this time, memory address MEM0,
If the module indicated by the module address MD0 fails, task A in FIG. 8 becomes unusable and the corresponding program or task can be taken down, but in FIG. One program or task must be brought down.

従つて、メモリアドレスMEM0、およびモジ
ユールアドレスMD0で示されるモジユールのみ
が故障してもメモリアドレスMEM1の側のモジ
ユールの内容も無意味となり実質的に2つのモジ
ユールがダウンすることになる。
Therefore, even if only the module indicated by memory address MEM0 and module address MD0 fails, the contents of the module at memory address MEM1 will also become meaningless, and essentially two modules will go down.

この様に従来の構成ではアドレスを分散化する
かどうかは、全モジユールに対し固定的に一方を
選択するので、どちらでもそれぞれ上記の様な欠
点があつた。
As described above, in the conventional configuration, whether or not to decentralize the addresses is fixedly selected for all modules, and either method has the above-mentioned drawbacks.

本発明の目的は上にのべた様な両者の欠点、つ
まりアクセスが集中化すること及びダウンユニツ
トが多くなることを解決した記憶制御装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a storage control device that solves both of the above-mentioned drawbacks, namely, the centralization of access and the increase in the number of down units.

すなわち、本発明の目的は特定の記憶ユニツト
の特定の記憶モジユールにアクセス頻度が集中す
ることを防止し、記憶ユニツト間のアクセス頻度
を均一化することによりメモリアクセスの効率を
上げシステム性能の向上を測り、かつ、記憶モジ
ユールに障害が発生した場合でも罹障記憶モジユ
ールを切り離すのみで不必要に記憶容量簡単かつ
少量の金物量で実現を減少することなく他の記憶
モジユールには影響を与えないこと、又、記憶ユ
ニツト間のインタリーブを記憶モジユール単位に
任意に設定できることで信頼性と性能の比重を任
意に選択できるように簡単かつ少量の金物量で実
現した記憶制御装置を提供することにある。
In other words, an object of the present invention is to prevent the concentration of access frequency on a specific storage module of a specific storage unit, and to equalize the access frequency among storage units, thereby increasing the efficiency of memory access and improving system performance. In addition, even if a failure occurs in a memory module, simply disconnecting the affected memory module will not unnecessarily reduce the memory capacity easily and with a small amount of hardware, and will not affect other memory modules. Another object of the present invention is to provide a storage control device which is simple and realized with a small amount of metal material so that interleaving between storage units can be arbitrarily set for each storage module, so that the ratio of reliability and performance can be arbitrarily selected.

本発明の記憶制御装置は、アクセス装置から供
給されるアクセスアドレスを格納するアクセスア
ドレスレジスタと、記憶モジユールごとに設けら
れた有効性ビツトとインターリーブ制御ビツトと
を前記アクセスアドレスの上位ビツトで指示され
る記憶位置に記憶するテーブルと、読み出された
前記有効性ビツトと前記インターリーブ制御ビツ
トに応じて選択信号を発生する論理積回路と、前
記アクセスアドレスの上位ビツト群を前記選択信
号に応じてビツト交換を行なつてメモリアドレス
の上位ビツト群を発生する選択回路と、前記メモ
リアドレスの上位ビツト群と前記アクセスアドレ
スの下位ビツト群からなりインターリーブ制御さ
れる記憶装置のメモリアドレスを格納するメモリ
〓〓〓〓〓
アドレスレジスタとを含んで構成される。
The storage control device of the present invention includes an access address register that stores an access address supplied from an access device, and a validity bit and an interleave control bit provided for each storage module, which are specified by the upper bits of the access address. a table stored in a memory location; an AND circuit that generates a selection signal in accordance with the read validity bit and the interleave control bit; and a bit exchange of a group of upper bits of the access address in accordance with the selection signal. a selection circuit that generates a group of upper bits of a memory address by performing a selection circuit, and a memory that stores a memory address of a storage device that is interleaved and controlled by a group of upper bits of the memory address and a group of lower bits of the access address. 〓〓
It consists of an address register.

すなわち、本発明の記憶制御装置は、複数の記
憶モジユールからなる記憶ユニツトを複数ユニツ
ト備えた記憶装置に対するデータ処理装置からの
アクセスを制御する記憶制御装置において、記憶
モジユールが有効かどうかの有効性ビツトを保持
する手段と、記憶モジユール毎にインターリーブ
を制御するインターリーブ制御ビツトを保持する
手段と、データ処理装置からのアドレスを受信す
る第1のアドレスレジスタと、記憶装置にアドレ
スを送出する第2のアドレスレジスタと、データ
処理装置からのアクセスアドレスに基いて上記有
効性表示ビツトとインターリーブ制御ビツトとを
任意の記憶モジユールについて論理積をとる論理
積回路と、上記論理積回路出力によりデータ処理
装置からのアクセスアドレスの記憶モジユール番
号の一部とモジユール内アドレスの一部の入れ替
えを行うセレクタ回路とを含んで構成される。
In other words, the storage control device of the present invention is a storage control device that controls access from a data processing device to a storage device that includes a plurality of storage units each consisting of a plurality of storage modules, and which uses a validity bit to indicate whether or not a storage module is valid. means for holding an interleave control bit for controlling interleaving for each storage module; a first address register for receiving an address from the data processing device; and a second address register for sending an address to the storage device. a register, an AND circuit that ANDs the validity indicating bit and the interleave control bit for any storage module based on the access address from the data processing device; It is configured to include a selector circuit that exchanges a part of the address storage module number and a part of the address in the module.

すなわち、本発明の記憶制御装置は、複数のバ
ンクに分割されインターリーブされた複数の記憶
モジユールから成る記憶ユニツトに対するデータ
処理装置からのアクセスを制御する記憶制御装置
にあつて、各々の記憶モジユールが有効かどうか
の有効性ビツトを保持する回路と、各々の記憶モ
ジユール毎にインターリーブを制御するインター
リーブ制御ビツトを保持する回路と、データ処理
装置からのアクセスアドレスの記憶モジユール番
号に基いて上記有効性表示ビツトとインターリー
ブ制御ビツトとを複数の記憶モジユールについて
論理積をとる論理積回路と、上記論理積回路出力
によりデータ処理装置からのアクセスアドレスの
記憶モジユール番号の一部とモジユール内アドレ
スの一部の入れ替えを行うセレクタ回路とを含ん
で構成される。
That is, the storage control device of the present invention is a storage control device that controls access from a data processing device to a storage unit consisting of a plurality of storage modules that are divided into a plurality of banks and interleaved. A circuit that holds a validity bit indicating whether or not the data is stored, a circuit that holds an interleave control bit that controls interleaving for each storage module, and a circuit that holds a validity indication bit that controls interleaving for each storage module, and and an interleave control bit for a plurality of storage modules; and an AND circuit that performs an AND operation on a plurality of storage modules, and uses the output of the AND circuit to exchange a part of the storage module number and a part of the address in the module of the access address from the data processing device. The configuration includes a selector circuit that performs the following operations.

次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第10図は本発明の一実施例を示すブロツク図
である。テーブルTABL0,TABL1はモジユー
ルの有効性ビツトとインターリーブ制御ビツトが
格納されるテーブルで、このテーブルはソフトウ
エア又はハードウエアによつて予め設定されてい
る。その設定値を有効性ビツトV0〜V3=1イン
ターリーブ制御ビツトI0〜I3=0であると仮定す
る。このときはどのアクセスアドレスAAに対し
てアクセスしても論理積回路ANDの出力は
“0”なので選択回路SELは0側が選ばれ、アド
レスビツトの流れおよび記憶モジユール内でのア
ドレスは従来と同じ第4図a,bのようになる。
FIG. 10 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. Tables TABL0 and TABL1 are tables in which module validity bits and interleave control bits are stored, and these tables are set in advance by software or hardware. Assume that the setting values are validity bits V 0 -V 3 =1 and interleave control bits I 0 -I 3 =0. At this time, no matter which access address AA is accessed, the output of the AND circuit AND is "0", so the selection circuit SEL selects the 0 side, and the flow of address bits and the addresses in the memory module are the same as before. It will look like Figure 4 a and b.

この場合アクセス頻度の高いアクセスアドレス
AAが00〜0Fであつたとすると、アクセスは
MEM0に集中することになり有効なアクセスが
できない。
In this case, the frequently accessed access address
If AA is 00-0F, access is
It will be concentrated on MEM0 and cannot be accessed effectively.

次にテーブルの内容をV0〜V3=1、I0〜I3=1
に設定したと仮定すると、このときどのアクセス
アドレスAAに対してアクセスしても論理積回路
ANDの出力は“1”なので選択回路SELは1側
が選択され、アドレスビツトの流れおよび記憶モ
ジユールでのアドレスは従来と同じ第5図a,b
のようになる。
Next, the contents of the table are V 0 ~ V 3 = 1, I 0 ~ I 3 = 1
Assuming that it is set to , no matter which access address AA is accessed, the AND circuit
Since the output of AND is "1", the selection circuit SEL selects the 1 side, and the flow of address bits and the address in the storage module are the same as in the conventional case, as shown in Figures 5a and b.
become that way.

この場合、アクセス頻度の高いアクセスアドレ
スAAである00〜0Fは記憶ユニツトMEM0と
MEM1に分散している。従つて両記憶ユニツト
へのアクセスは均一化されることになる。
In this case, the frequently accessed access addresses AA, 00 to 0F, correspond to the memory unit MEM0.
It is distributed in MEM1. Therefore, access to both storage units will be equalized.

さらに、もう一つの例としてV0〜V3=1、I3
0、I0〜I2=1にテーブルが設定されたケースに
ついて説明する。アクセス装置からのアクセスア
ドレスAAが00〜1FのときはV0,V2,I0,I2
=1なので論理積回路ANDの出力は“1”とな
り選択回路SELは“1”側が選択されアドレスビ
ツトの流れは第11図aの実線のようになる。ま
た、アクセスアドレスAAが20〜3Fのときは
I3=0なので論理積回路ANDの出力は0となり選
択回路SELは“0”側が選択され、アドレスビツ
トの流れは第11図aの点線のようになる。
Furthermore, as another example, V 0 ~V 3 = 1, I 3 =
A case where the table is set to 0, I 0 to I 2 =1 will be explained. When the access address AA from the access device is 00 to 1F, V 0 , V 2 , I 0 , I 2
=1, the output of the AND circuit AND becomes "1", the selection circuit SEL selects the "1" side, and the flow of address bits becomes as shown by the solid line in FIG. 11a. Also, when the access address AA is between 20 and 3F,
Since I 3 =0, the output of the AND circuit AND becomes 0, and the selection circuit SEL selects the "0" side, and the flow of address bits becomes as shown by the dotted line in FIG. 11a.

この例からわかるように、アドレスマツプは第
11図bのようになり、モジユールによつて、ア
ドレツシングが異るように作用する。すなわち、
アクセス頻度が集中するモジユールはアドレスマ
ツプをモジユール間に分散させ、そうでないとこ
ろは、モジユール内で連続させるという様にし、
アクセス頻度を均一化し、かつダウンユニツトも
少なくする様にした。しかしながら前記のI3=0
のケースで、上記第11図a,bでは、アクセス
アドレスAAが04〜07,0C〜0F,14〜
17及び1C〜1FとアクセスアドレスAAが2
0〜2FのときではMEM1のモジユールMD0
で重複する為第12図に示すようにアクセスアド
レスAAのうち20〜2Fが使用できないことに
〓〓〓〓〓
なる。
As can be seen from this example, the address map is as shown in FIG. 11b, and addressing works differently depending on the module. That is,
For modules that are frequently accessed, the address map is distributed between modules, and for other modules, the address map is made continuous within the module.
The access frequency was made uniform and the number of down units was also reduced. However, the above I 3 =0
In the case of FIG. 11a and b above, the access address AA is 04~07, 0C~0F, 14~
17 and 1C to 1F and access address AA is 2
For 0 to 2F, module MD0 of MEM1
As shown in Figure 12, 20th to 2F of access address AA cannot be used due to duplication.
Become.

また、I1=0のときにもMEM1のMD0におい
て前記同様にアドレスが重複し、また、I0=0ま
たはI2=0のケースでもMEM0のMD1において
アドレスが重複する。これはV0〜V3が0のとき
も同様である。
Also, when I 1 =0, addresses overlap in MD0 of MEM1 as described above, and even when I 0 =0 or I 2 =0, addresses overlap in MD1 of MEM0. This also applies when V 0 to V 3 are 0.

つまり主記憶を有効に使用するということにお
いて欠点がある。しかし、本発明の決定的な欠点
でない事は言うまでもない。つまり第13図の様
なモジユール数が多い場合においてはインターリ
ーブ制御ビツトの設定をアドレスがモジユール上
で重複しない様に設定することによつて主記憶を
有効に使用することは可能である。
In other words, it has a drawback in terms of effective use of main memory. However, it goes without saying that this is not a decisive drawback of the present invention. In other words, when there are a large number of modules as shown in FIG. 13, it is possible to use the main memory effectively by setting the interleave control bits so that addresses do not overlap on the modules.

第14図はより改善された本発明の他の実施例
を示すブロツク図である。
FIG. 14 is a block diagram showing another improved embodiment of the present invention.

第14図ではモジユールの変換テーブルを設け
て構成される。
In FIG. 14, a module conversion table is provided.

テーブルTABL0′およびTABL1′はモジユー
ルの変換情報、有効性ビツトおよびインターリー
ブ制御ビツトが格納されている。
Tables TABL0' and TABL1' store module conversion information, validity bits, and interleave control bits.

まず第15図a,bのようにインターリーブ制
御ビツトが全て“0”のときを例に説明する。
First, an example will be explained in which the interleave control bits are all "0" as shown in FIGS. 15a and 15b.

例えば、アクセスアドレスAAが00(16)番地
に対しアクセスが行われるとアドレスb5は0な
のでテーブルTABLは0側が選択されその内容
“1110”及び“0010”を出力する。
For example, when the access address AA accesses the address 00 (16) , the address b5 is 0, so the 0 side of the table TABL is selected and its contents "1110" and "0010" are output.

次に、選択回路SEL0,SEL1はアドレスb4
及びアドレスb2が“0”なので共に0側を選択
し選択回路SEL0,SEL1の出力は共に“11”を
出力する。また、テーブルTABLの出力に0が1
つ以上あるので論理積回路ANDの出力は“0”
となり、選択回路SEL2は0側が選択される。従
つて、選択回路SEL2の出力は選択回路SEL1の
出力“11”を出力し、モジユールアドレスとして
記憶装置へのアドレスとなる。モジユール内アド
レス及びバンクアドレスは“0000”が記憶装置へ
のアドレスとなる。従つて、アクセス装置からの
アドレス00(16)はモジユールMD=3、モジユ
ール内アドレス=0、バンクアドレス=0にアク
セスされる。アクセス装置からのアドレスはこの
様にしてモジユール番号が変換され記憶装置に対
し送出される。
Next, selection circuits SEL0 and SEL1 select address b4.
Since the address b2 is "0", both select the 0 side, and the outputs of the selection circuits SEL0 and SEL1 both output "11". Also, 0 is 1 in the output of table TABL.
Since there are more than one, the output of the logical product circuit AND is “0”
Therefore, the selection circuit SEL2 selects the 0 side. Therefore, the output of the selection circuit SEL2 is the output "11" of the selection circuit SEL1, which becomes the address to the storage device as a module address. For the intra-module address and bank address, "0000" is the address to the storage device. Therefore, address 00 (16) from the access device is accessed to module MD=3, address within module=0, and bank address=0. The address from the access device is thus converted into a module number and sent to the storage device.

次に、有効性ビツト及びインターリーブ制御ビ
ツトが全て“1”のケースのときには、第16図
a,bのようになる。
Next, when the validity bit and the interleave control bit are all "1", the results are as shown in FIGS. 16a and 16b.

アクセスアドレスAAの00(16)番地に対しア
クセスが行なわれるとアドレスb5は0なのでテ
ーブルTABL1は0側が選択され、その内容
“0111”および“1011”を出力する。
When access is made to address 00 (16) of access address AA, address b5 is 0, so the 0 side of table TABL1 is selected and its contents "0111" and "1011" are output.

次に、選択回路SEL0,SEL1はアドレスb2
およびb4が0なのでともに0側を選択し選択回
路SEL0,SEL1の出力は共に“01”を出力す
る。また論理積回路ANDの入力は全て“1”が
入力されるので、出力は“1”となり、選択回路
SEL2は1側が選択される。従つて、選択回路
SEL2の出力は選択回路SEL0の出力“01”をそ
のまま出力しモジユールアドレスとなる。また、
b4およびb3がモジユール内アドレスとなり記
憶装置へのアドレスとなる。
Next, selection circuits SEL0 and SEL1 select address b2
Since and b4 are 0, both select the 0 side, and the outputs of the selection circuits SEL0 and SEL1 both output "01". Also, since all the inputs of the logical product circuit AND are "1", the output is "1", and the selection circuit
For SEL2, the 1 side is selected. Therefore, the selection circuit
The output of SEL2 is the output "01" of the selection circuit SEL0 as it is, and becomes the module address. Also,
b4 and b3 become addresses within the module and become addresses to the storage device.

次にアドレス04(16)番地に対しアクセスが行
なわれたとすると、テーブルTABL′の出力、選
択回路SEL1の出力、論理積回路ANDの出力は
上記と変らないがb2が“1”となるので選択回
路SEL0は“1”側が選択されテーブル
TABL′の出力“10”を選択回路SEL2に送出す
る。選択回路SEL2はそのまま“10”をモジユー
ルアドレスとして記憶装置へのアドレスとする。
以上の様にアドレスb2ビツトが0のときはテー
ブルTABL0′の内容を、b2ビツトが“1”の
ときはテーブルTABL1′の内容をそれぞれ記憶
装置へ送出する様に作用する。
Next, if the address 04 (16) is accessed, the output of the table TABL', the output of the selection circuit SEL1, and the output of the AND circuit AND are the same as above, but b2 becomes "1", so it is selected. The “1” side is selected for circuit SEL0 and the table
The output "10" of TABL' is sent to the selection circuit SEL2. The selection circuit SEL2 directly uses "10" as a module address to address the storage device.
As described above, when the address b2 bit is 0, the contents of the table TABL0' are sent to the storage device, and when the b2 bit is ``1'', the contents of the table TABL1' are sent to the storage device.

次に、第17図a,bを参照して任意のモジユ
ールのインターリーブ制御ビツトが“0”の場合
について説明する。
Next, the case where the interleave control bit of an arbitrary module is "0" will be explained with reference to FIGS. 17a and 17b.

この場合アクセスアドレスAAのb5が0のと
きは第16図a,bと同様の作用でアクセスアド
レスb5が1のときは第15図a,bと同様の作
用となる。
In this case, when b5 of access address AA is 0, the effect is similar to that in FIGS. 16a and b, and when access address b5 is 1, the effect is similar to that in FIGS. 15a and b.

この様に、モジユール変換テーブルを設けるこ
とにより、アドレスのマツピングをより可変にす
ることが可能となりソフトウエアの使用性を容易
にすることができる。
By providing the module conversion table in this way, it is possible to make address mapping more variable, and the usability of the software can be made easier.

第18図〜第20図は、第15図a,b〜第1
7図a,bに対応したタスクマツプを示す図であ
り、ダウンしたモジユールに対しては、アドレス
を分散させず、また、絶対アドレスなどインター
リーブの効率向上を行なわせるためにはモジユー
ル間でアドレス分散をさせればよく、このときに
〓〓〓〓〓
は、第18図〜第20図あるいはその他のタスク
マツプになるようにすればよい。
Figures 18 to 20 are figures 15a, b to 1.
This figure shows a task map corresponding to Figures 7a and 7b, in which addresses are not distributed for modules that are down, and addresses are not distributed between modules in order to improve the efficiency of interleaving such as absolute addresses. At this time,
18 to 20 or some other task map.

本発明の記憶制御装置は、テーブルを追加する
ことにより、アドレスマツプを自由に変更するこ
とができるので、アクセス頻度の集中防止ならび
にモジユールダウン時の影響を軽減できるという
効果がある。
Since the storage control device of the present invention can freely change the address map by adding a table, it has the advantage of preventing concentration of access frequencies and reducing the effects of module downtime.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明および従来の記憶制御装置を含
むシステム構成図、第2図は第1図に示す記憶装
置におけるメモリアドレスと記憶空間との関係を
示すアドレス割付図、第3図は従来の一例を示す
ブロツク図、第4図a,bは第3図に示す従来例
において選択信号が第1の状態のときのアクセス
アドレスとメモリアドレスとの第1のアドレス関
係におけるアドレス関係図およびアドレスマツ
プ、第5図a,bは第3図に示す従来例において
選択信号が第2の状態のときのアクセスアドレス
とメモリアドレスとの第2のアドレス関係におけ
るアドレス関係図およびアドレスマツプ、第6図
は第4図a,bに示す第1のアドレス関係のとき
のアクセス装置と記憶装置とにおける第1のアク
セス状態を説明するためのタイムチヤート、第7
図は第5図a,bに示す第2のアドレス関係のと
きのアクセス装置と記憶装置とにおける第1のア
クセス状態を説明するためのタイムチヤート、第
8図は第4図a,bに示す第1のアドレス関係の
ときの記憶装置における第1のタスク割付状態を
説明するためのタスクマツプ、第9図は第5図
a,bに示す第2のアドレス関係のときの記憶装
置における第1のタスク割付状態を説明するため
のタスクマツプ、第10図は本発明の一実施例を
示すブロツク図、第11図a,bは第10図に示
す実施例におけるアクセスアドレスとメモリアド
レスとの関係を示すアドレス関係図およびアドレ
スマツプ、第12図は第11図a,bに示すアド
レス関係のときの記憶装置における第1のタスク
割付状態を説明するためのタスクマツプ、第13
図は本発明を記憶装置のモジユール数を増加して
適用したときの第2のタスク割付状態を説明する
ためのタスクマツプ、第14図は本発明の他の実
施例を示すブロツク図、第15図a,bは第14
図に示す実施例でのテーブル状態が第1のテーブ
ル状態のときのテーブル格納状態およびアドレス
マツプ、第16図a,bは第14図に示す実施例
でのテーブル状態が第2のテーブル状態のときの
テーブル格納状態およびアドレスマツプ、第17
図a,bは第14図に示す実施例でのテーブル状
態が第3のテーブル状態のときのテーブル格納状
態およびアドレスマツプ、第18図は第15図
a,bに示す第1のテーブル格納状態のときの第
1のタスク割付状態を説明するためのタスクマツ
プ、第19図は第16図a,bに示す第2のテー
ブル格納状態のときの第1のタスク割付状態を説
明するためのタスクマツプ、第20図は第17図
a,bに示す第3のテーブル格納状態のときの第
1のタスク割付状態を説明するためのタスクマツ
プである。 ACD……アクセス装置、CPUA,CPUB……中
央処理装置、CHA,CHB……チヤンネル、MC…
…記憶制御装置、MEMD……記憶装置、
MEMA,MEMB……記憶ユニツト、SW……スイ
ツチ回路、SEL,SEL0,SEL1,SEL2……選
択回路、AAR……アクセスアドレスレジスタ、
MAR……メモリアドレスレジスタ、TABL,
TABL0,TABL1,TABL0′,TABL1′……
テーブル、AND,AND′……論理積回路、AA…
…アクセスアドレス、MA……メモリアドレス、
MEM,MEM0,MEM1……ユニツトアドレ
ス、MD,MD0,MD1……モジユールアドレ
ス、MDAD,MDAD0〜MDAD3……モジユー
ル内アドレス、BK,BK0〜BK3……バンクア
ドレス、S,S′,S″……選択信号、READ
DATA……読出データ、V1,V2,V3,V4……有
効性表示ビツト、I1,I2,I3,I4……インターリー
ブ制御ビツト、A,B,C,D,E,F,G,
H,A0,B0,C0,D0,A1,B1,C1,D1……タス
ク、MN0〜MN3……モジユール番号。 〓〓〓〓〓
FIG. 1 is a system configuration diagram including the present invention and a conventional storage control device, FIG. 2 is an address allocation diagram showing the relationship between memory addresses and storage spaces in the storage device shown in FIG. A block diagram showing an example, FIGS. 4a and 4b, is an address relationship diagram and an address map in the first address relationship between the access address and the memory address when the selection signal is in the first state in the conventional example shown in FIG. , FIGS. 5a and 5b are an address relationship diagram and an address map in the second address relationship between the access address and the memory address when the selection signal is in the second state in the conventional example shown in FIG. 3, and FIG. Time chart 7 for explaining the first access state between the access device and the storage device in the first address relationship shown in FIGS. 4a and 4b.
The figure is a time chart for explaining the first access state between the access device and the storage device in the case of the second address relationship shown in FIGS. 5a and b, and FIG. 8 is shown in FIGS. 4a and b. FIG. 9 is a task map for explaining the first task allocation state in the storage device when the first address relationship exists, and FIG. A task map for explaining the task allocation state, FIG. 10 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 11a and 11b show the relationship between access addresses and memory addresses in the embodiment shown in FIG. 10. Address relationship diagram and address map, FIG. 12 is a task map for explaining the first task allocation state in the storage device when the address relationships shown in FIGS.
The figure shows a task map for explaining the second task allocation state when the present invention is applied by increasing the number of modules of the storage device, FIG. 14 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 15 a and b are the 14th
The table storage state and address map when the table state in the embodiment shown in the figure is the first table state, FIGS. 16a and b are the table state when the table state in the embodiment shown in FIG. Table storage status and address map, No. 17
Figures a and b show the table storage state and address map when the table state is the third table state in the embodiment shown in Fig. 14, and Fig. 18 shows the first table storage state shown in Figs. 15 a and b. 19 is a task map for explaining the first task allocation state when the second table is stored in the state shown in FIGS. 16a and 16b, FIG. 20 is a task map for explaining the first task allocation state in the third table storage state shown in FIGS. 17a and 17b. ACD...Access device, CPUA, CPUB...Central processing unit, CHA, CHB...Channel, MC...
...Storage control device, MEMD...Storage device,
MEMA, MEMB...memory unit, SW...switch circuit, SEL, SEL0, SEL1, SEL2...selection circuit, AAR...access address register,
MAR...Memory address register, TABL,
TABL0, TABL1, TABL0', TABL1'...
Table, AND, AND′...AND circuit, AA...
...Access address, MA...Memory address,
MEM, MEM0, MEM1...Unit address, MD, MD0, MD1...Module address, MDAD, MDAD0-MDAD3...Address within module, BK, BK0-BK3...Bank address, S, S', S''... …Selection signal, READ
DATA...Read data, V1 , V2 , V3 , V4 ...Validity display bit, I1 , I2 , I3 , I4 ...Interleave control bit, A, B, C, D, E ,F,G,
H, A0 , B0 , C0, D0 , A1, B1 , C1 , D1 ...Task, MN0 to MN3 ...Module number . 〓〓〓〓〓

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 インターリーブされた複数の記憶モジユール
から成る記憶ユニツトを複数ユニツト備えた記憶
装置に対するアクセス装置から供給されるアクセ
スアドレスを格納するアクセスアドレスレジスタ
と、前記記憶モジユールごとに設けられた有効性
ビツトとインターリーブ制御ビツトとを前記アク
セスアドレスの上位ビツトの記憶モジユール指定
で指示される記憶位置に記憶するテーブルと、前
記アクセスアドレスの上位ビツトの記憶モジユー
ル指定に基いて前記記憶テーブルから記憶ユニツ
ト毎に一つの記憶モジユールを選抜して読み出さ
れた前記有効性ビツトと前記インターリーブ制御
ビツトに応じて選択信号を発生する論理積回路
と、前記アクセスアドレスの上位ビツト群の一部
を前記選択信号に応じてアクセスアドレスの下位
ビツト群の一部とビツト交換を行なつてメモリア
ドレスの上位ビツト群及び下位ビツト群を発生す
る選択回路と、前記メモリアドレスの上位ビツト
群と前記アクセスアドレスの下位ビツト群からな
りインターリーブ制御される記憶装置のメモリア
ドレスを格納するメモリアドレスレジスタとを含
むことを特徴とする記憶制御装置。
1. An access address register for storing an access address supplied from an access device for a storage device having a plurality of storage units each consisting of a plurality of interleaved storage modules, and a validity bit and interleave control provided for each storage module. a table for storing bits in a storage location indicated by the storage module designation of the upper bits of the access address; and one storage module for each storage unit from the storage table based on the storage module designation of the upper bits of the access address. an AND circuit that generates a selection signal in response to the validity bits and the interleave control bits selected and read out; A selection circuit that performs bit exchange with a part of the lower bit group to generate the upper bit group and lower bit group of the memory address, and the upper bit group of the memory address and the lower bit group of the access address are interleaved and controlled. 1. A storage control device comprising: a memory address register for storing a memory address of a storage device.
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