JPS62114139A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62114139A JPS62114139A JP60255261A JP25526185A JPS62114139A JP S62114139 A JPS62114139 A JP S62114139A JP 60255261 A JP60255261 A JP 60255261A JP 25526185 A JP25526185 A JP 25526185A JP S62114139 A JPS62114139 A JP S62114139A
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- JP
- Japan
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- film
- light
- substrate
- photoresist
- meshed
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光記録媒体の製造方法に関し、特に書込み
後直接読出しくＤＲＡＷ）型の光ディスクに使用される
光記録媒体の製造方法に関するものである。
後直接読出しくＤＲＡＷ）型の光ディスクに使用される
光記録媒体の製造方法に関するものである。
ＤＲＡＷ型光ディスクに使用される光記録媒体には種々
のタイプのものがあるが、金属膜や有機膜等を用いてレ
ーザ光の発熱で六をあける方式が主である。他の方法と
して、記録媒体表面の微細構造をレーザ光で変化させて
反射率を変える方式もある。この種の記録媒体としては
、エッチ・ジー・グレイヘッド（Ｈ，Ｇ、Ｇｒａｉｇｈ
ｅａｄ）他著のアプライド・フィジックス・レター（Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）第
４０巻、第８号、第６６２〜６６４頁所載の論文「テキ
スチャード・ゲルマニウム・オプティカル・ストレージ
・メディアム（Ｔｅｘｔｕｒｅｄｇｅｒｍａｎｉｕｍ
ｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ ｍｅｄｉｕｍ
）」にその−例がある。この例では、ゲルマニウム（Ｇ
６）膜を反応性イオンエツチングして、表面に１１００
ｎ以下程度の凹凸構造を作っている。この状態では、反
射率が低いが、レーザ光で書き込みを行なうと、表面凹
凸が溶解により平坦になり高返射率となるのが、この媒
体の記録・読出しメカニズムである。
のタイプのものがあるが、金属膜や有機膜等を用いてレ
ーザ光の発熱で六をあける方式が主である。他の方法と
して、記録媒体表面の微細構造をレーザ光で変化させて
反射率を変える方式もある。この種の記録媒体としては
、エッチ・ジー・グレイヘッド（Ｈ，Ｇ、Ｇｒａｉｇｈ
ｅａｄ）他著のアプライド・フィジックス・レター（Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）第
４０巻、第８号、第６６２〜６６４頁所載の論文「テキ
スチャード・ゲルマニウム・オプティカル・ストレージ
・メディアム（Ｔｅｘｔｕｒｅｄｇｅｒｍａｎｉｕｍ
ｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ ｍｅｄｉｕｍ
）」にその−例がある。この例では、ゲルマニウム（Ｇ
６）膜を反応性イオンエツチングして、表面に１１００
ｎ以下程度の凹凸構造を作っている。この状態では、反
射率が低いが、レーザ光で書き込みを行なうと、表面凹
凸が溶解により平坦になり高返射率となるのが、この媒
体の記録・読出しメカニズムである。
表面の微細構造を変化させて反射率を変える他の方法と
して、昭和６０年７月１８日刊の電波新聞に英国のＰＡ
テクノロジー社から発表されている「蛾の目（ｍｏｔｈ
ｅｙｅ、ＭＥ）ディスク」がある。第２図は、ＭＥ
ディスクの構造を示す断面図である。プラスチック基板
１４の表面に゛記録ピット径よりも十分小さい凹凸模様
１６が形成されており、金属膜１５でコートされている
。基板１４を通してレーザビームで書込を行なうと、金
属膜１５がレーザ光を吸収して発熱する。このためこの
部分に接するプラスチック基板１４も軟化し、表面張力
のために、表面積を減らす方向に力が働き、第３図に示
すように、書き込み部分１７が平坦化される。書き込み
前の第２図の表面構造では反射率は数％程度と低いが書
込み後の第３図の書込み部分１７の反射率は数１０％に
達する。
して、昭和６０年７月１８日刊の電波新聞に英国のＰＡ
テクノロジー社から発表されている「蛾の目（ｍｏｔｈ
ｅｙｅ、ＭＥ）ディスク」がある。第２図は、ＭＥ
ディスクの構造を示す断面図である。プラスチック基板
１４の表面に゛記録ピット径よりも十分小さい凹凸模様
１６が形成されており、金属膜１５でコートされている
。基板１４を通してレーザビームで書込を行なうと、金
属膜１５がレーザ光を吸収して発熱する。このためこの
部分に接するプラスチック基板１４も軟化し、表面張力
のために、表面積を減らす方向に力が働き、第３図に示
すように、書き込み部分１７が平坦化される。書き込み
前の第２図の表面構造では反射率は数％程度と低いが書
込み後の第３図の書込み部分１７の反射率は数１０％に
達する。
これがＭＥディスクの記録・読出しメカニズムである。
上述のゲルマニウムを用いた媒体は表面を反応性エツチ
ングする必要があり、量産には適さないが、ＭＥディス
クの表面構造は、ディスクのプリグループを形成するの
と同時に射出成型等のプラスチック加工で行なうことが
でき、量産性にすぐれている。
ングする必要があり、量産には適さないが、ＭＥディス
クの表面構造は、ディスクのプリグループを形成するの
と同時に射出成型等のプラスチック加工で行なうことが
でき、量産性にすぐれている。
上述のＭＥディスクの表面凹凸構造は、凹凸の周期、深
さが一定でなければ反射率の変動を生じるため、均一な
表面凹凸構造が必要である。又、表面凹凸の周期はピッ
ト径やレーザ光波長よりも十分小さい０．２〜０．３μ
ｍの値である必要がある。しかし、このような微細な表
面凹凸を均一にしかも広い面積にわたり形成する方法は
、従来知られていなかった。
さが一定でなければ反射率の変動を生じるため、均一な
表面凹凸構造が必要である。又、表面凹凸の周期はピッ
ト径やレーザ光波長よりも十分小さい０．２〜０．３μ
ｍの値である必要がある。しかし、このような微細な表
面凹凸を均一にしかも広い面積にわたり形成する方法は
、従来知られていなかった。
本発明の光記録媒体の製造方法は、フォトレジスト膜に
干渉したレーザ光を照射してから現像して記録ピットの
直径よりも十分小さい周期のメツシュ状凹凸を成形する
工程と、前記メツシュ状凹凸が成形された前記フォトレ
ジスト膜から電鋳法によって金型を形成する工程と、前
記金型を用いてプラスチック成形により前記メツシュ状
凹凸を片面に有する基板を形成する工程と、前記基板の
前記メツシュ状凹凸を有する面上に金属膜を形成する工
程とを含んで構成される。
干渉したレーザ光を照射してから現像して記録ピットの
直径よりも十分小さい周期のメツシュ状凹凸を成形する
工程と、前記メツシュ状凹凸が成形された前記フォトレ
ジスト膜から電鋳法によって金型を形成する工程と、前
記金型を用いてプラスチック成形により前記メツシュ状
凹凸を片面に有する基板を形成する工程と、前記基板の
前記メツシュ状凹凸を有する面上に金属膜を形成する工
程とを含んで構成される。
本発明では、ピット径よりも十分小さい０．２〜０．３
μｍ周期のメツシュ状表面凹凸を形成するために、ホロ
グラフィの手法を用いる。ホログラフィでは、２光束の
干渉で波長の１重２以上の周期の格子を形成することが
できる。そこで、各々周期方向の直交する格子を２重に
記録することでメツシュ状の干渉縞が得られ、感光体に
フォトレジストを用いることで表面凹凸のメツシュ状パ
ターンを形成できる。
μｍ周期のメツシュ状表面凹凸を形成するために、ホロ
グラフィの手法を用いる。ホログラフィでは、２光束の
干渉で波長の１重２以上の周期の格子を形成することが
できる。そこで、各々周期方向の直交する格子を２重に
記録することでメツシュ状の干渉縞が得られ、感光体に
フォトレジストを用いることで表面凹凸のメツシュ状パ
ターンを形成できる。
次に図面を参照して本発明について説明する。
第１図は、本発明の一実施例のフォトレジスト膜にレー
ザ光の干渉でメツシュ状凹凸を記録する工程を示す斜視
図である。図において、基板１上にフォトレジスト２が
塗布されている。図では、４光束を同時に用いてメツシ
ュ状の干渉縞パターンを得ている。図示していないレー
ザ光源（Ｈ６−Ｃｄレーザ、波長３２５ｎｍ）からの光
ビームは４分割され、コリメーティングレンズ３．ｉ、
５゜６により各々平行光にされ、フォトレジスト２上の
露光部分１１を照射する。平行ビーム７及び９は挟角１
２を有し、平行ビーム８及び１０は挟角１３を有す。平
行ビーム７及び９は同一の入射平面上にあり、又、平行
ビーム８及び１０も同一の入射平面上にあり、これら２
つの入射平面はほぼ直交している。この結果、干渉縞は
メツシュ状になる。平行ビーム７〜１０各々の入射角を
ほぼ４５６にするとメツシュの周期はほぼ０．２３μｍ
となる。
ザ光の干渉でメツシュ状凹凸を記録する工程を示す斜視
図である。図において、基板１上にフォトレジスト２が
塗布されている。図では、４光束を同時に用いてメツシ
ュ状の干渉縞パターンを得ている。図示していないレー
ザ光源（Ｈ６−Ｃｄレーザ、波長３２５ｎｍ）からの光
ビームは４分割され、コリメーティングレンズ３．ｉ、
５゜６により各々平行光にされ、フォトレジスト２上の
露光部分１１を照射する。平行ビーム７及び９は挟角１
２を有し、平行ビーム８及び１０は挟角１３を有す。平
行ビーム７及び９は同一の入射平面上にあり、又、平行
ビーム８及び１０も同一の入射平面上にあり、これら２
つの入射平面はほぼ直交している。この結果、干渉縞は
メツシュ状になる。平行ビーム７〜１０各々の入射角を
ほぼ４５６にするとメツシュの周期はほぼ０．２３μｍ
となる。
第１図では、４光束干渉の場合を示したが、平行ビーム
７及び９の２光束干渉縞を記録した後、基板１を基板面
内で９０°回転し、再び平行ビーム７及び９の２光束干
渉縞を記録する方法でもメツシュ状パターンを得ること
ができる。フォトレジスト２としては解像度の高いヘキ
スト社のＡＺ−１３５０Ｊを用いた。
７及び９の２光束干渉縞を記録した後、基板１を基板面
内で９０°回転し、再び平行ビーム７及び９の２光束干
渉縞を記録する方法でもメツシュ状パターンを得ること
ができる。フォトレジスト２としては解像度の高いヘキ
スト社のＡＺ−１３５０Ｊを用いた。
光デイスク媒体として製作する場合は、プリグループも
表面に必要である。このためには、プリグループパター
ンをあらかじめ露光現像したフォトレジスト製プリグル
ープに、上述のホログラフィ−法でメツシュパターンを
露光する方法を採る。
表面に必要である。このためには、プリグループパター
ンをあらかじめ露光現像したフォトレジスト製プリグル
ープに、上述のホログラフィ−法でメツシュパターンを
露光する方法を採る。
ホログラフィ−法で露光したフォトレジスト２を現像し
て製作したメツシュパターン表面に無電解めっきでニッ
ケル膜を形成し、これを電極にしてニッケルの電解めっ
きしたものを電鋳法により金型化する。この金型を用い
ることで、通常の光デイスク基板を製作するのと同様に
射出成型法等によって片面にメツシュパターンを有する
プラスチックのディスク基板が複製できる。プラスチッ
クとしては、アクリル、塩化ビニル、ポリカーボネート
等が適している。次に光吸収層であり、書込み後の反射
層になる金属膜をディスク基板のメツシュパターン表面
に形成する。金属としては比較的変形しやすい、アルミ
ニウム、クロム、金などが適しており、はぼ１０００人
程度で吸収層となる。蒸着、スパッタ、イオンブレーテ
ィングいずれによっても形成することができる。
て製作したメツシュパターン表面に無電解めっきでニッ
ケル膜を形成し、これを電極にしてニッケルの電解めっ
きしたものを電鋳法により金型化する。この金型を用い
ることで、通常の光デイスク基板を製作するのと同様に
射出成型法等によって片面にメツシュパターンを有する
プラスチックのディスク基板が複製できる。プラスチッ
クとしては、アクリル、塩化ビニル、ポリカーボネート
等が適している。次に光吸収層であり、書込み後の反射
層になる金属膜をディスク基板のメツシュパターン表面
に形成する。金属としては比較的変形しやすい、アルミ
ニウム、クロム、金などが適しており、はぼ１０００人
程度で吸収層となる。蒸着、スパッタ、イオンブレーテ
ィングいずれによっても形成することができる。
第４図は、本発明の方法によって形成した光記録媒体の
断面を示す図で、ディスク基板１４上にトラックピッチ
１．６μｍに対して、はぼ０．２μｍピッチの表面凹凸
メツシュパターン１６が均一に形成され、その上に金属
膜１５が形成されている。
断面を示す図で、ディスク基板１４上にトラックピッチ
１．６μｍに対して、はぼ０．２μｍピッチの表面凹凸
メツシュパターン１６が均一に形成され、その上に金属
膜１５が形成されている。
以上述べたとおり、本発明は、ピット径に比べ十分小さ
い表面凹凸パターンを均一にしかも広い面積にわたって
形成できるので、信号光量の一定したＭＥディスクを製
作することができる効果がある。
い表面凹凸パターンを均一にしかも広い面積にわたって
形成できるので、信号光量の一定したＭＥディスクを製
作することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のフォトレジスト膜にレーザ
光の干渉でメツシュ状パターンを記録する工程の斜視図
、第２図および第３図はＭＥディスクの断面図でそれぞ
れ書込まれてない状態および書込まれた状態、第４図は
本発明により製造されたＭＥディスクの一部の破断斜視
図である。 １．１４・・・基板、２・・・フォトレジスト、３，４
゜５．６・・・コリメーティングレンズ、７，８，９゜
１０・・・平行光、１１・・・露光部分、１２．１３・
・・ビーム挟角、１５・・・金属膜、１６・・・表面凹
凸メツシュパターン、１７・・・書込みピット。 −９＝ 峯１０ 、ぐ
光の干渉でメツシュ状パターンを記録する工程の斜視図
、第２図および第３図はＭＥディスクの断面図でそれぞ
れ書込まれてない状態および書込まれた状態、第４図は
本発明により製造されたＭＥディスクの一部の破断斜視
図である。 １．１４・・・基板、２・・・フォトレジスト、３，４
゜５．６・・・コリメーティングレンズ、７，８，９゜
１０・・・平行光、１１・・・露光部分、１２．１３・
・・ビーム挟角、１５・・・金属膜、１６・・・表面凹
凸メツシュパターン、１７・・・書込みピット。 −９＝ 峯１０ 、ぐ
Claims (1)
- フォトレジスト膜に干渉したレーザ光を照射してから現
像して記録ピットの直径よりも十分小さい周期のメッシ
ュ状凹凸を成形する工程と、前記メッシュ状凹凸が成形
された前記フォトレジスト膜から電鋳法によって金型を
形成する工程と、前記金型を用いてプラスチック成形に
より前記メッシュ状凹凸を片面に有する基板を形成する
工程と、前記基板の前記メッシュ状凹凸を有する面上に
金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする光記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255261A JPS62114139A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255261A JPS62114139A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62114139A true JPS62114139A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17276288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60255261A Pending JPS62114139A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62114139A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7759755B2 (en) | 2008-05-14 | 2010-07-20 | International Business Machines Corporation | Anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| US8003425B2 (en) | 2008-05-14 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60255261A patent/JPS62114139A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7759755B2 (en) | 2008-05-14 | 2010-07-20 | International Business Machines Corporation | Anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| US8003425B2 (en) | 2008-05-14 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| US8138534B2 (en) | 2008-05-14 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| US8409904B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-04-02 | International Business Machines Corporation | Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors |
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