JPS62113420A - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置

Info

Publication number
JPS62113420A
JPS62113420A JP25457485A JP25457485A JPS62113420A JP S62113420 A JPS62113420 A JP S62113420A JP 25457485 A JP25457485 A JP 25457485A JP 25457485 A JP25457485 A JP 25457485A JP S62113420 A JPS62113420 A JP S62113420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
chamber
sample
bellows
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25457485A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Tano
田野 眞志
Shigeo Sugawara
菅原 繁夫
Naoshige Ueki
植木 直重
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority to JP25457485A priority Critical patent/JPS62113420A/ja
Publication of JPS62113420A publication Critical patent/JPS62113420A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主に高集積半導体装置の製造のためのCVD(
Chemical Vapor Deposition
)装置、エツチング装置、スパンタリング装置等として
用いられるプラズマ装置に関するものである。
〔従来技術〕
電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ装置は低ガ
ス圧で活性度の商いプラズマを生成することが出来、イ
オンエネルギの広範囲な選択が可能であり、また大きな
イオン電流がとれ、イオン流の指向性、均一性に優れる
などの利点があり、高集積半導体装置の製造に欠かせな
いものとしてその研究、開発が進められている。
第3図はプラズマCVD装置として構成した従来の電子
サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ装置の縦断面図
、第4図は第3図のIV−IV線による横断面図であり
、プラズマ生成室31の上部壁に設けた石英ガラス板3
1aにて封止されているマイクロ波導入口31bには他
端部をマグネトロンMに連結した導波管32の一端部を
I9続し、また下部壁におけるマイクロ波導入口31b
と対向する位置に設けたプラズマ引出口31dに臨ませ
て反応室33を配設すると共に、プラズマ生成室31の
外周及びこれに接続した導波管32の一端部外周にわた
る間には励磁コイル34を同心状に配設し、プラズマ生
成室31内で生成せしめたプラズマをプラズマ引出口3
1dを通じて、励磁コイル34にて形成される反応室3
3側に向けて磁束密度が低くなる発散磁界によってホル
ダ37上の半導体ウェハー等からなる試料36に投射せ
しめるようになっている。
反応室33にはその一側壁に設けた挿脱口33aに臨ま
せてロードロック室35が配置されており、このロート
ロック室35は第4図に示す如く挿脱口33aに面して
両側に長く延在する部分35aと、その長手方向の中央
部であって、挿脱口33aに面してその前方に延在する
部分35bとからなり、平面視では全体として丁字形を
なすよう構成されている。
ロードロック室35の部分35a内にはその一端部には
複数の試料36をセットしたローディングカセント38
aが、また他端部には試料をセントしていないアンロー
ディングカセット38bが夫々配設され、両力セット、
38a、38bを結んでヘルドコンベヤ38cが設けら
れ、また一方、部分35b内には先端に試料36に対す
る挟持機能を備えるホルダ37を備えたアーム38eが
ロードロック室35と反応室33との間を往復移動可能
に配設されており、カセソ) 38aからベルトコンベ
ヤ38c上に移載された試料36が挿脱口33aと対向
する位置に達して停止するとアーム38eが進出し、そ
のホルダ37にて試料36を保持し、反応室33内にお
けるプラズマの被投射位置に前進し、反応室33内にお
ける成膜が終了するとアーム38eがホルダ37上の試
料36を保持して後退してベルトコンベヤ38c上に戻
し、ヘルドコンベヤ38cにてカセソl−38b側に移
載せしめるようになっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで上述した如き従来装置にあってはカセット38
aから試料36を取出し、成膜を行った後、カセット3
8bに戻す迄の作業において、互いに直交する2方向に
試料を移動するためのアーム38e、ヘルドコンベヤ3
8cを夫々必要とするため、個々に駆動手段が必要で構
成が複雑となり、またロードロック室35も大嵩となる
などの問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは交叉する2方向への伸縮移動が可能
な第1.第2アームを連接配設してその先端部に試料用
のホルダを固定し、第1゜第2アームの操作によって試
料をロードロック室と、試料に対する成膜、加工等を行
う試料室たる反応室内のプラズマ被投射位置とに往復移
動させ得るようにして、構成の大幅な簡略化、コンパク
ト化を図れるようにしたプラズマ装置を提供するにある
本発明に係るプラズマ装置は、試料にプラズマを投射す
る試料室と、該試料室に連設して配置され、試料の交換
口を備えるロードロック室と、試料をホルダに装着して
前記ロードロック室と前記試料室との間を移動する1般
送手段とを具備するプラズマ装置において、前記試料の
搬送手段は、前記ロードロック室と試料室のプラズマ被
投射位置以外の位置とを伸縮移動する第1のアーム部材
と、該第1のアーム部材の先端部に基端部を取り付けら
れ、先端部にホルダを備え第1のアーム部材と交叉する
向きに試料室内のプラズマ被投射位置以外の位置とプラ
ズマ被投射位置との間を伸縮移動する第2のアーム部材
とを具備することを特徴とする。
〔実施例〕
以下本発明をプラズマCVD装置として構成した実施例
を示す図面に基づき具体的に説明する。第り図は、本発
明に係るプラズマ装置C以下本発明装置という)の縦断
面図、第2図は第1図の■−■先による横断面図であり
、図中1はプラズマ生成室、2は導波管、3は試料室を
構成する反応室、4は励磁コイル、5はロードロック室
を示している。
プラズマ生成室1はステンレス鋼製であって周囲壁を2
重構造にして冷却水の通流室1aを備え、上部壁中央に
は石英ガラス板1bにて封止されたマイクロ波の導入口
1cを備え、また下部壁中央には、前記マイクロ波導入
口1cと対向する位置にプラズマの引出口1dを備えて
おり、前記マイクロ波導入口1cには導波管2の一端部
が、またプラズマの引出口1dにはこれに臨ませて反応
室3が配設され、更にプラズマ生成室1及びこれに連結
された導波管2の一端部にわたってこれらと略同心状に
励磁コイル4が周設せしめられている。
導波管2の他端部はマグネトロンMに接続されており、
ここで発せられたマイクロ波をマイクロ波導入口1cか
らプラズマ生成室1内に導入するようにしである。励磁
コイル4は図示しない直流電源に接続されており、直流
電圧の印加によってプラズマ生成室1内にマイクロ波の
導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を形成すると
共に、反応室3側に向けて磁束密度が低くなる発散磁界
を形成し、プラズマ生成室1内に生成されたプラズマイ
オンを反応室3内に投射せしめるようになっている。l
e、Hは通流室1aに対する冷却水の給水系、排水系、
Ig、3gはガス供給系である。
反応室3は中空の直方体形に形成され、長手方向の−・
端gl+寄りの位置をプラズマ引出口ld下に臨ませて
配設され、また他端部側寄りの側壁には第2図に示す如
くゲートバルブ3aにて開閉される連通孔3bが設けら
れており、これに臨ませてロードロック室5が連接され
ている9反応室3の側壁には真空ポンプに連なる図示し
ない排気口が設けられており、稼動中はヅ°ラズマ生成
室1と共に常時所定の真空度に設定維持されるようにな
っている。
前記ロードロック室5内には前記連通孔3bと対向する
側壁に試料6の搬送手段を構成する第1゜第2アーム部
材8.9が連設配置されている。第1、第2アーム部材
8,9は気密構造に形成され、空気の給排によって伸縮
する蛇腹8a、9aと、蛇腹8a、9aを折り畳み状態
に引き戻す引張りばね8b、9bとにて構成されている
。第1アーム部材8にあっては蛇腹8aの基端部をロー
ドロック室5の側壁内面に開口させたエアパイプ5aに
臨ませて固定し、また先端部には連結治具8cを固定し
てあり、この蛇腹8aの内側を通して基端をロードロツ
タ室5の側壁に、また先端を連結治具8cに連結した状
態で引張りばね8bを配設してあり、エアパイプ5aを
通して蛇腹8a内に空気を給排することによって、先端
の連結治具8C1換言すれば試料6のホルダ7はロード
ロック室5における位置Aと反応室3におけるプラズマ
が投射されない位置Bとの間を往復移動せしめられるよ
うになっている。一方第2アーム部材9にあっては蛇腹
9aの基端部を連結冶具8cに固定し、先端部にはホル
ダ7を固定し、またこの蛇II!9aの内側を通して基
端を連結治具8cに、先端をホルダ7に連結した状態で
引張りばね9bを配設してあり、蛇腹9aの基端部には
ロードロック室5の側壁に開口させたエアパイプ5bに
一端を連結したフレキシブルパイプ9cの他端部が連結
され、蛇11fi9aに対する空気の給排によって、先
端のホルダ7を破線で示す如くに反応室3内で第1アー
ム部材8と直交する方向にプラズマの投射されない位置
Bとプラズマの被投射位置Cとに水平に往1g移動せし
められるようになっている。ホルダ7は円板状に形成さ
れており、その表面に試料6を静電吸着等の手段にて固
定するようにしである。なおロードロツタ室5にも前記
反応室と同様の給排管が設けられており、必要に応じて
大気圧と反応室3と同程度の真空度とに選択的に設定さ
れるようになっている。その他5cは試料6の交換口、
 5dは試料交換日用の扉である。
而して上述の如く構成した本発明装置にあっては第1.
第2アーム部材8.9ともに収縮状態に設定した状態に
あっては第2図に一点鎖線で示す如くホルダ7はロート
ロック室5内の交換口5cに面して位置するから、ゲー
トバルブ3aを閉じて連通孔3bを封止し、図示しない
給排気管を通じてロートロック室5内を大気圧まで高め
た後、i5dを開き、交倹口5cを通じてホルダ7上の
試料6を新たな試料6と交換する。試料6のセントが終
了すると@5dを閉しロードロック室5内の空気を排出
し、反応室3と略等しい圧力の真空度に設定した後、ゲ
ートバルブ3aを開き、まず第1アーム8の蛇腹8a内
にエアを供給し、蛇腹8aを引張りばね8bに抗して伸
長させ、ホルダ7をA位置から第2図に破線で示す位置
B、換言すればプラスマ被投射位置以外の位置まで前進
させ、次いでフレキシブルチューブ9cを通じて第2ア
ーム部材9の蛇腹9a内にエアを供給し、蛇腹9aを引
張りばね9bに抗して最大伸長位置である実線で示す位
置C1換言すればプラズマ被投射位置まで伸長させる。
これによってホルダ7は第1図に示す如くプラズマ生成
室1のプラズマ引出口1dと対向する位置に達し、試料
6はプラズマ引出口1dと対向することとなる。プラズ
マ生成室lにガス供給系1gからN2又は02等のガス
を供給すると共に、励磁コイル4には直流電圧を印加し
、また導波管2を通じてマイクロ波を導入してプラズマ
を生成させ、これを励磁コイル4が形成するプラズマ引
出口1dの前方側に向かう発散磁界によって反応室3内
の試料6に投射せしめる。
反応室3内にはガス供給系3gを通じてSil+4が所
定の圧力に供給されており、プラズマ生成室1から投射
されくプラズマイオンによって分解され、試料6の表面
に5i02 (又は5i3N4)等が蒸着せしめられる
成膜作業が終了すれば第2アーム部材92次いで第1ア
ーム部材8の各蛇腹9a 、 8a内から排気し、引張
りばね9b、8bの引張力により順次的に収縮させ、前
記とは逆にホルダ7をCからB、更にはA位置に移動し
、試料6を交換して再び前記した作業を反復してゆく。
〔効果〕
以上の如く本発明装置においてはロードロック室と試料
室との間を伸縮移動可能に設けた第1アーム部材と、こ
の第1アーム部材の先端部にあって、試料室内のプラズ
マが投射されない位置と、プラズマの投射位置とを伸縮
移動する第2アーム部材とを備えているから、単一の搬
送手段にて試料をロードロック室と試料室のプラズマ投
射位置との間を往復移動せしめ得ることとなって、搬送
手段の構成が簡略化され、ロードロック室の小型化が可
能となり、設備コストの低減が図れるなど、本発明は優
れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の縦断面図、第2図は第1図の■−
■線による横断面図、第3図は従来装置の縦断面図、第
4図は第3図のIV−IV線による横断面図である。 l・・・プラズマ生成室 2・・・導波管 3・・・反
応室4・・・励磁コイル 5・・・ロードロック室 6
・・・試料7・・・ホルダ 8・・・第1アーム部材 
9・・・第2アーム部材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、試料にプラズマを投射する試料室と、該試料室に連
    設して配置され、試料の交換口を備えるロードロック室
    と、試料をホルダに装着して前記ロードロック室と前記
    試料室との間を移動する搬送手段とを具備するプラズマ
    装置において、前記試料の搬送手段は、前記ロードロッ
    ク室と試料室のプラズマ被投射位置以外の位置との間を
    伸縮移動する第1のアーム部材と、該第1のアーム部材
    の先端部に基端部を取り付けられ、先端部にホルダを備
    え、第1のアーム部材と交叉する向きに試料室内のプラ
    ズマ被投射位置以外の位置とプラズマ被投射位置との間
    を伸縮移動する第2のアーム部材とを具備することを特
    徴とするプラズマ装置。
JP25457485A 1985-11-12 1985-11-12 プラズマ装置 Pending JPS62113420A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25457485A JPS62113420A (ja) 1985-11-12 1985-11-12 プラズマ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25457485A JPS62113420A (ja) 1985-11-12 1985-11-12 プラズマ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62113420A true JPS62113420A (ja) 1987-05-25

Family

ID=17266934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25457485A Pending JPS62113420A (ja) 1985-11-12 1985-11-12 プラズマ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62113420A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571330A (en) * 1992-11-13 1996-11-05 Asm Japan K.K. Load lock chamber for vertical type heat treatment apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571330A (en) * 1992-11-13 1996-11-05 Asm Japan K.K. Load lock chamber for vertical type heat treatment apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5476182A (en) Etching apparatus and method therefor
US5342472A (en) Plasma processing apparatus
US6273956B1 (en) Synchronous multiplexed near zero overhead architecture for vacuum processes
EP0342279B1 (en) Plasma apparatus
US6080679A (en) High-speed soft evacuation process and system
JP2017199909A5 (ja)
US7638759B2 (en) Hyperthermal neutral beam source and method of operating
US5580420A (en) Plasma generating method and apparatus and plasma processing method and apparatus
JPH0834205B2 (ja) ドライエツチング装置
US20010054484A1 (en) Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma
KR19980071126A (ko) 펌프 다운 시간과 기본 압력을 감소시키도록 도포된 진공 챔버
KR100939933B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
KR20140005206U (ko) 기판 구동 시스템을 위한 알루미늄 코팅된 부품들 또는 세라믹 부품들
JPH10144668A (ja) プラズマ処理方法
JP3158612B2 (ja) ドライエッチング方法
JPS62113420A (ja) プラズマ装置
US20070218197A1 (en) Vacuum processing system and method of making
KR20210020808A (ko) 기판 처리 방법, 압력 제어 장치 및 기판 처리 시스템
JP2000195830A (ja) 半導体製造装置、半導体製造装置のクリ―ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JPS62235484A (ja) 薄膜装置
KR102548570B1 (ko) 기판 처리 장치 및 도어 어셈블리 구동 방법
US20240021418A1 (en) Apparatus for treating substrate
JPH0473288B2 (ja)
JPS62204515A (ja) 試料の搬送装置
US20240071783A1 (en) Apparatus for treating substrate