JPS62111401A - 薄膜抵抗及びその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62111401A JPS62111401A JP61197016A JP19701686A JPS62111401A JP S62111401 A JPS62111401 A JP S62111401A JP 61197016 A JP61197016 A JP 61197016A JP 19701686 A JP19701686 A JP 19701686A JP S62111401 A JPS62111401 A JP S62111401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resistor
- tungsten
- nitrogen
- sheet resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
- H01L28/24—Resistors with an active material comprising a refractory, transition or noble metal, metal compound or metal alloy, e.g. silicides, oxides, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子装置に関し、特に薄膜装置及び集積回路用
のＦＡＲＥ抵抗及びその製造方法に関する。
のＦＡＲＥ抵抗及びその製造方法に関する。
薄膜装置及び集積回路は回路部品として抵抗を頻繁に必
要としており、またＡＩＪ膜抵抗は、拡散及びイオン打
ち込み抵抗及びポリシリコン抵抗と共に、利用されてい
る典型的な抵抗形式である。薄膜抵抗は、基本的に、エ
ンド・コンタクトを有する絶縁物層上の薄膜の抵抗物質
からなる。一般的には、グレイザー及びシューバク・シ
ャルブ（Ｇｌａｓｅｒ ａｎｄ ５ｕｂａｋ−８ｈａｒ
ｐｃ ）著（アデイソン・ウイレー（Ａｄｄｉｓｏｎ−
Ｗｅｓｌｅｙ）社、１９７７年発行）、「集積回路工学
（Ｉｎｔｅａｒａｔｅｄ ＣｉｒｃｕｉｔＥｎｇｉｎｅ
ｅｒｉｎｇ） Ｊの１７４章を参照されたい。
要としており、またＡＩＪ膜抵抗は、拡散及びイオン打
ち込み抵抗及びポリシリコン抵抗と共に、利用されてい
る典型的な抵抗形式である。薄膜抵抗は、基本的に、エ
ンド・コンタクトを有する絶縁物層上の薄膜の抵抗物質
からなる。一般的には、グレイザー及びシューバク・シ
ャルブ（Ｇｌａｓｅｒ ａｎｄ ５ｕｂａｋ−８ｈａｒ
ｐｃ ）著（アデイソン・ウイレー（Ａｄｄｉｓｏｎ−
Ｗｅｓｌｅｙ）社、１９７７年発行）、「集積回路工学
（Ｉｎｔｅａｒａｔｅｄ ＣｉｒｃｕｉｔＥｎｇｉｎｅ
ｅｒｉｎｇ） Ｊの１７４章を参照されたい。
イオン打ら込み抵抗及び拡散抵抗は、一般に大ぎな抵抗
の温度係数（“’ＴＣＰ”）を有し、ＩＩＩ契抵抗抵抗
うな（例えば、薄膜をより簿（する陽極酸化により、又
は薄膜の一部のレーザ除去によるような）トリミングが
できない。更に、イオン打ち込み抵抗は、シリコン中で
は５．０００Ω／口までのシート抵抗までは明らかに再
現性があるが、ガリウム砒素の場合は物質の再現性及び
表面空乏層が、イオン打ち込み抵抗に対する別の制約と
なる。これに対し、抵抗物質としてニクロム（２０％の
クローム及び８０％のニッケル）を用いる薄膜抵抗は、
ＴＣＰが１００１）ｌ）Ｉｌｌ／℃のオーダであり、ま
たシート抵抗が１０〜４００Ω／口の範囲にある。
の温度係数（“’ＴＣＰ”）を有し、ＩＩＩ契抵抗抵抗
うな（例えば、薄膜をより簿（する陽極酸化により、又
は薄膜の一部のレーザ除去によるような）トリミングが
できない。更に、イオン打ち込み抵抗は、シリコン中で
は５．０００Ω／口までのシート抵抗までは明らかに再
現性があるが、ガリウム砒素の場合は物質の再現性及び
表面空乏層が、イオン打ち込み抵抗に対する別の制約と
なる。これに対し、抵抗物質としてニクロム（２０％の
クローム及び８０％のニッケル）を用いる薄膜抵抗は、
ＴＣＰが１００１）ｌ）Ｉｌｌ／℃のオーダであり、ま
たシート抵抗が１０〜４００Ω／口の範囲にある。
一定の占有領域による抵抗の抵抗値を増加させるために
、例えばメアンダー（ジグザグ）のような種々の幾何学
的なパターンとして、薄膜抵抗を製作することができ、
また抵抗を増加させるために薄膜の厚さを薄くすること
ができる。しかし、超大規模集積回路において、装置密
度が増加し、かつ設計ルールが狭くなるに従って実際上
、パターンが実現困難なものとなり、ニクロムのような
物質の場合に要求される薄膜の厚さがあまりに小さなも
のとなってしまう。従って、薄膜抵抗に用いるために、
低いＴＣＲを有する高抵抗率の物質が要望される。
、例えばメアンダー（ジグザグ）のような種々の幾何学
的なパターンとして、薄膜抵抗を製作することができ、
また抵抗を増加させるために薄膜の厚さを薄くすること
ができる。しかし、超大規模集積回路において、装置密
度が増加し、かつ設計ルールが狭くなるに従って実際上
、パターンが実現困難なものとなり、ニクロムのような
物質の場合に要求される薄膜の厚さがあまりに小さなも
のとなってしまう。従って、薄膜抵抗に用いるために、
低いＴＣＲを有する高抵抗率の物質が要望される。
低いＴＣＰと高い抵抗率を有する種々の物質が入手可能
であり、これにはケイ化クロム（クロム２４％）、クロ
ム・チタン（クロム３５％）、酸化クロム・シリコン（
クロム７０％）及び酸化第２スズを含む、Ｋ、チヨツク
及び１．カウア（Ｋ。
であり、これにはケイ化クロム（クロム２４％）、クロ
ム・チタン（クロム３５％）、酸化クロム・シリコン（
クロム７０％）及び酸化第２スズを含む、Ｋ、チヨツク
及び１．カウア（Ｋ。
Ｃｈｏｐｒａ ａｎｄ １．にａｕｒ ）著ｒｉ＃ｍの
装置応用」（ブレナム（ＰＩｅｎｕａ＋）出版、１９８
３年発行）を参照されたい。これらの物質の場合は、ク
ロム及び酸化ケイ素のサーメットが高抵抗値の抵抗に最
も有用である。しかし、このサーメットは再現性が問題
となるフラッシュ蒸発により蒸着するので、イオン・ミ
リングによりエツチングしなければならない。このよう
なサーメットをスパッタリングにより蒸着することも可
能であるが、ターゲット物質のバラツキはフラッシュ蒸
発よりも更に大きな再現性の問題を生じさゼる。従って
、再現可能なプロセスで堆積可能であり、かつ容易にエ
ツチングとトリミングが可能な、低いＴＣＷを有する高
抵抗率の物質が要望される。
装置応用」（ブレナム（ＰＩｅｎｕａ＋）出版、１９８
３年発行）を参照されたい。これらの物質の場合は、ク
ロム及び酸化ケイ素のサーメットが高抵抗値の抵抗に最
も有用である。しかし、このサーメットは再現性が問題
となるフラッシュ蒸発により蒸着するので、イオン・ミ
リングによりエツチングしなければならない。このよう
なサーメットをスパッタリングにより蒸着することも可
能であるが、ターゲット物質のバラツキはフラッシュ蒸
発よりも更に大きな再現性の問題を生じさゼる。従って
、再現可能なプロセスで堆積可能であり、かつ容易にエ
ツチングとトリミングが可能な、低いＴＣＷを有する高
抵抗率の物質が要望される。
［発明の要約］
本発明は、窒素を含む雰囲気中でケイ化金屈をスパッタ
リングする製造方法、と共に抵抗膜物質として金属窒化
ケイ化物を用いる薄膜抵抗を提供する。抵抗膜のシート
抵抗値を調整するために、スパッタリング雰囲気中の窒
素成分を変更できる。
リングする製造方法、と共に抵抗膜物質として金属窒化
ケイ化物を用いる薄膜抵抗を提供する。抵抗膜のシート
抵抗値を調整するために、スパッタリング雰囲気中の窒
素成分を変更できる。
ＩＶＡ族、ＶＡ族、及びＶＩＡ族の金属が適当と思われ
る。好ましい実施態様ではＭＳｉｘＮｙで、Ｍは例えば
タングステン、チタン、タンタルのような金属又はこれ
らの合金を表わし、Ｘ１ｙは大きさが１のオーダ内の数
を表わす。好ましい実施例の方法では、アルゴン窒素雰
囲気中においてケイ化金属ターゲットのスパッタリング
を行う。ここでアルゴンに対する窒素の比により、厚さ
が２゜０００人の膜に対して１００〜１０．００００／
口の好適範囲とできるシート抵抗値を決定する。
る。好ましい実施態様ではＭＳｉｘＮｙで、Ｍは例えば
タングステン、チタン、タンタルのような金属又はこれ
らの合金を表わし、Ｘ１ｙは大きさが１のオーダ内の数
を表わす。好ましい実施例の方法では、アルゴン窒素雰
囲気中においてケイ化金属ターゲットのスパッタリング
を行う。ここでアルゴンに対する窒素の比により、厚さ
が２゜０００人の膜に対して１００〜１０．００００／
口の好適範囲とできるシート抵抗値を決定する。
これらの物質は、妥当な膜厚、プラズマ・エツチングに
よる処理の容易さ、抵抗値の再現性、レーザによるトリ
ミングの可能性、単純なターゲット物質、シート抵抗値
の調整のｉｔＩさ、かつ小さな抵抗値温度係数をもつ高
いシート抵抗を提供し、既知のＦＩＪ膜抵抗物質の問題
を解決するものである。
よる処理の容易さ、抵抗値の再現性、レーザによるトリ
ミングの可能性、単純なターゲット物質、シート抵抗値
の調整のｉｔＩさ、かつ小さな抵抗値温度係数をもつ高
いシート抵抗を提供し、既知のＦＩＪ膜抵抗物質の問題
を解決するものである。
［好ましい実施態様］
第１図の拡大側断面図に、第１の実施態様の薄膜抵抗を
ｍ要約に３０により示す。これには、タングステン窒化
ケイ化物膜３２、二酸化ケイ素絶縁層３４、エンド・コ
ンタクト３６、及び二酸化ケイ素絶縁体３８を有し、全
てガリウム砒素基板４０上に配置されている。タングス
テン窒化ケイ化物膜３２は、厚さが２，０ＯＯＡであり
、組成がＷＳｉ Ｎ ％ｘ−０，８、Ｖ＝１である
。こｙ のような厚さ及び組成により、約６００Ω／口のシート
抵抗値、及び小さな抵抗温度係数（約２００〜３００１
１ｐｍ／’Ｃ）が得られる。二酸化ケイ素絶縁層３４は
厚さが約３．０００人であり、タングステン窒化ケイ化
物膜３２は二酸化ケイ素絶縁層３４に対して良く接着す
る。各エンド・コンタクト３６はアルミニュウム又はＴ
ｒ−Ｗ／ＡＵから作られている。抵抗３０のその他の特
性は、好ましい第１の実施例の製造方法を考慮すること
より、良く説明することができる。これには次のステッ
プが含まれている。
ｍ要約に３０により示す。これには、タングステン窒化
ケイ化物膜３２、二酸化ケイ素絶縁層３４、エンド・コ
ンタクト３６、及び二酸化ケイ素絶縁体３８を有し、全
てガリウム砒素基板４０上に配置されている。タングス
テン窒化ケイ化物膜３２は、厚さが２，０ＯＯＡであり
、組成がＷＳｉ Ｎ ％ｘ−０，８、Ｖ＝１である
。こｙ のような厚さ及び組成により、約６００Ω／口のシート
抵抗値、及び小さな抵抗温度係数（約２００〜３００１
１ｐｍ／’Ｃ）が得られる。二酸化ケイ素絶縁層３４は
厚さが約３．０００人であり、タングステン窒化ケイ化
物膜３２は二酸化ケイ素絶縁層３４に対して良く接着す
る。各エンド・コンタクト３６はアルミニュウム又はＴ
ｒ−Ｗ／ＡＵから作られている。抵抗３０のその他の特
性は、好ましい第１の実施例の製造方法を考慮すること
より、良く説明することができる。これには次のステッ
プが含まれている。
（２） ガリウム砒素基板４０上にＬＰＧＶＤ （低圧
ＣＶ［））により二酸化ケイ素を３，０００人の厚さで
蒸着する。これが最終的に二酸化ケイ素絶縁層３４を形
成することになる。
ＣＶ［））により二酸化ケイ素を３，０００人の厚さで
蒸着する。これが最終的に二酸化ケイ素絶縁層３４を形
成することになる。
（へ） Ｗ５Ｓｉ３からなる複合焼結ターゲット４４を
備えたマグネトロン・スパッタリング装置４２に、ガリ
ウム砒素基板４０を配置する：概略的にマグネトロン・
スパッタリング装置４２を拡大して断面図により示す第
２図を参照されたい（マグネトロン・スパッタリング装
置４２は＠４３の回りに軸対称であることに注意）。８
０％アルゴンと２０％窒素との混合ガスを流量１０ ｓ
ｅｃｍ、全圧力１０ｍＴｏｒｒでマグネトロン・スパッ
タリング装置４２に流す。この混合ガスは励起されてプ
ラズマとなり、約２０分間のスパッタ堆積により２゜ｏ
ＯＯへのＷＳｉ Ｎを堆積させる。このよう０．８ なスパッタリングは次のようにして起る。高周波（ＲＦ
）電圧を７ノード４６と接地シールド４８との間に印加
してグロー放電を形成する、交差する電場及び（磁石コ
イル５０により発生した）ｌａ場によりプラズマ電子を
長いヘリカル軌道に開じ込め、これによってプラズマ電
子が混合ガスをイオン化する。カンードターゲットであ
る複合焼結ターゲット４４は、負電圧にバイアスされて
いる。
備えたマグネトロン・スパッタリング装置４２に、ガリ
ウム砒素基板４０を配置する：概略的にマグネトロン・
スパッタリング装置４２を拡大して断面図により示す第
２図を参照されたい（マグネトロン・スパッタリング装
置４２は＠４３の回りに軸対称であることに注意）。８
０％アルゴンと２０％窒素との混合ガスを流量１０ ｓ
ｅｃｍ、全圧力１０ｍＴｏｒｒでマグネトロン・スパッ
タリング装置４２に流す。この混合ガスは励起されてプ
ラズマとなり、約２０分間のスパッタ堆積により２゜ｏ
ＯＯへのＷＳｉ Ｎを堆積させる。このよう０．８ なスパッタリングは次のようにして起る。高周波（ＲＦ
）電圧を７ノード４６と接地シールド４８との間に印加
してグロー放電を形成する、交差する電場及び（磁石コ
イル５０により発生した）ｌａ場によりプラズマ電子を
長いヘリカル軌道に開じ込め、これによってプラズマ電
子が混合ガスをイオン化する。カンードターゲットであ
る複合焼結ターゲット４４は、負電圧にバイアスされて
いる。
複合焼結ターゲット４４にアルゴン・イオンが衝突する
ことにより、タングステン及びシリコンが放出される、
複合焼結ターゲット４４におけるシリコン対タングステ
ンの比が３対５であっても、シリコンはより効梁的に放
出されるのでタングステン窒化ケイ化物膜３２における
シリコン対タングステンの比は約０．８対１になること
に注意されたい。放出されたタングステン、シリコン及
び混合ガスから供給される窒素はガリウム砒素基板４０
上に堆積して、ＷＳｉ ＮＩＦＪを形成する。
ことにより、タングステン及びシリコンが放出される、
複合焼結ターゲット４４におけるシリコン対タングステ
ンの比が３対５であっても、シリコンはより効梁的に放
出されるのでタングステン窒化ケイ化物膜３２における
シリコン対タングステンの比は約０．８対１になること
に注意されたい。放出されたタングステン、シリコン及
び混合ガスから供給される窒素はガリウム砒素基板４０
上に堆積して、ＷＳｉ ＮＩＦＪを形成する。
０．８
（ロ） マグネトロン・スパッタリング装置４２から積
層したガリウム砒素基板４０を取り去り、ＷＳｉ
Ｎ層をパターン付けし、ＣＦ４＋０２０．８ によりプラズマ・エツチングして抵抗膜３２を作る。こ
のプラズマ・エツチングは窒化ケイ素をエツチングする
標準的エツチングであり、ニないし三百人／分の速度で
ＷＳｉ Ｎｍをエツチング０．８ することに注意された。次に、酸化層を堆積し、パター
ン付けし、ＣＨＦ３＋０２により中途までプラズマ・エ
ツチングをして、二酸化ケイ素絶縁層３８を形成する。
層したガリウム砒素基板４０を取り去り、ＷＳｉ
Ｎ層をパターン付けし、ＣＦ４＋０２０．８ によりプラズマ・エツチングして抵抗膜３２を作る。こ
のプラズマ・エツチングは窒化ケイ素をエツチングする
標準的エツチングであり、ニないし三百人／分の速度で
ＷＳｉ Ｎｍをエツチング０．８ することに注意された。次に、酸化層を堆積し、パター
ン付けし、ＣＨＦ３＋０２により中途までプラズマ・エ
ツチングをして、二酸化ケイ素絶縁層３８を形成する。
このプラズマ・エツチングはタングステン窒化ケイ化物
膜３２は約６０人／分の速度でしかエツチングしないが
酸化物は３００〜４００人／分の速度でエツチングする
ので、実際的には、タングステン窒化ケイ化物膜３２で
エツチングが停止することに注意されたい。
膜３２は約６０人／分の速度でしかエツチングしないが
酸化物は３００〜４００人／分の速度でエツチングする
ので、実際的には、タングステン窒化ケイ化物膜３２で
エツチングが停止することに注意されたい。
（ロ）最後に、エンド・コンタクト３６をスパッタ堆積
して形成する。タングステン窒化ケイ化物膜３２はコン
タクトの合金化及びボンディング条件において安定であ
り、レーザ除去によりトリミングできる。これにより抵
抗３ｏが完成する。
して形成する。タングステン窒化ケイ化物膜３２はコン
タクトの合金化及びボンディング条件において安定であ
り、レーザ除去によりトリミングできる。これにより抵
抗３ｏが完成する。
抵抗３０のタングステン窒化ケイ化物膜３２に対する堆
積条件を変更して膜の組成、従ってシート抵抗値を調整
することができる。特に、複合焼結ターゲラ１〜４４の
組成及び混合ガスの混合の両方を容易に変えても、再現
性よく膜シート抵抗を作ることができる。更に、混合ガ
スによりシート抵抗値の調整が可能であることにより、
入手可能なターゲットの組成に再現性が欠如することを
補但することができる。換言ずれば、製造処理中に第１
ターゲツトを他のターゲットに置換した場合は新しいタ
ーゲットにより作成された第１の抵抗を測定して古いタ
ーゲットにより作成された抵抗からのズレがあればそれ
を混合ガスの調整により補償することができる。特に、
第３図は７．５ｍＴｏｒｒのアルゴンと１．５ｍ丁ｏｒ
ｒの窒素との混合ガス中で堆積された厚さ２．２００人
の膜のシート抵抗値のターゲット組成に依存性を示す。
積条件を変更して膜の組成、従ってシート抵抗値を調整
することができる。特に、複合焼結ターゲラ１〜４４の
組成及び混合ガスの混合の両方を容易に変えても、再現
性よく膜シート抵抗を作ることができる。更に、混合ガ
スによりシート抵抗値の調整が可能であることにより、
入手可能なターゲットの組成に再現性が欠如することを
補但することができる。換言ずれば、製造処理中に第１
ターゲツトを他のターゲットに置換した場合は新しいタ
ーゲットにより作成された第１の抵抗を測定して古いタ
ーゲットにより作成された抵抗からのズレがあればそれ
を混合ガスの調整により補償することができる。特に、
第３図は７．５ｍＴｏｒｒのアルゴンと１．５ｍ丁ｏｒ
ｒの窒素との混合ガス中で堆積された厚さ２．２００人
の膜のシート抵抗値のターゲット組成に依存性を示す。
この厚さのＷＮが約１５Ω／口のシート抵抗値を有し、
シリコン含有量が増加するに従い、ＷＳｉＮ× ｙ のシート抵抗値はＸは約２．５、ｙは約２の場合的１．
８００Ω／口にまで増加する。タングステンシリコン窒
化物のアモルファス性により、シート抵抗値は木質的に
連続的に変化する。
シリコン含有量が増加するに従い、ＷＳｉＮ× ｙ のシート抵抗値はＸは約２．５、ｙは約２の場合的１．
８００Ω／口にまで増加する。タングステンシリコン窒
化物のアモルファス性により、シート抵抗値は木質的に
連続的に変化する。
第４図は、膜の厚さが２，２００八でありターゲットが
Ｗｓ Ｓ ＋ ３である場合の、シート抵抗値が混合ガ
ス中の窒素含有量に依存する依存性を示す。シート抵抗
値は対数目盛により示され、最小の窒素の場合の１００
０／口以下（即ち、ニケイ化タングステンのシート抵抗
値は、この厚さで約５Ω／口である）から、１００％窒
素に近い場合の１０，０００Ω／口以上まで変化するこ
とに注意してほしい。勿論、プラズマ中のアルゴン・イ
オンによりタングステン及びシリコンのスパッタ放出の
多くがなされるので、窒素の百分率が高くなると、スパ
ッタリング速度は低下する。窒素の含有量に対するシー
ト抵抗値の感度は、低窒素濃度のときにより轟いが、こ
れらのレベルはニクロムが使用可能な範囲のシート抵抗
値に対応していることに注意されたい。
Ｗｓ Ｓ ＋ ３である場合の、シート抵抗値が混合ガ
ス中の窒素含有量に依存する依存性を示す。シート抵抗
値は対数目盛により示され、最小の窒素の場合の１００
０／口以下（即ち、ニケイ化タングステンのシート抵抗
値は、この厚さで約５Ω／口である）から、１００％窒
素に近い場合の１０，０００Ω／口以上まで変化するこ
とに注意してほしい。勿論、プラズマ中のアルゴン・イ
オンによりタングステン及びシリコンのスパッタ放出の
多くがなされるので、窒素の百分率が高くなると、スパ
ッタリング速度は低下する。窒素の含有量に対するシー
ト抵抗値の感度は、低窒素濃度のときにより轟いが、こ
れらのレベルはニクロムが使用可能な範囲のシート抵抗
値に対応していることに注意されたい。
第５図は膜の組成によるシート抵抗値の変化を示す組成
図である。第５図は次のように説明される。三角形内の
各点は、この三角形の底辺からその点までの距離に比例
した窒素（Ｎ＞の原子割合を表わし、シリコン（Ｓｉ）
の原子割合は三角形の左辺からその点までの距離に比例
し、タングステン（Ｗ）の原子割合は三角形の右辺から
その点までの距離に比例している。このため、例えば、
純粋のタングステンは三角形の左下端により表わされ、
窒化ケイ素（Ｓ１３Ｎ４）は頂点から右辺を３／７下っ
た点により表わされる。
図である。第５図は次のように説明される。三角形内の
各点は、この三角形の底辺からその点までの距離に比例
した窒素（Ｎ＞の原子割合を表わし、シリコン（Ｓｉ）
の原子割合は三角形の左辺からその点までの距離に比例
し、タングステン（Ｗ）の原子割合は三角形の右辺から
その点までの距離に比例している。このため、例えば、
純粋のタングステンは三角形の左下端により表わされ、
窒化ケイ素（Ｓ１３Ｎ４）は頂点から右辺を３／７下っ
た点により表わされる。
シート抵抗値が左下端に向かって（タングステン増加）
減少し、また右辺に向かって（タングステン減少）増加
することを述べることにより、膜組成に対するシート抵
抗値の変化を第５図内で全体的に説明できる。第４図に
示した変化は、第５図の線４−４の部分に対応するもの
であり、また第３図に示した変化は線３−３の部分に対
応する。
減少し、また右辺に向かって（タングステン減少）増加
することを述べることにより、膜組成に対するシート抵
抗値の変化を第５図内で全体的に説明できる。第４図に
示した変化は、第５図の線４−４の部分に対応するもの
であり、また第３図に示した変化は線３−３の部分に対
応する。
従って、点線で示す領域が、期待される有用なシート抵
抗値に対応する。金属ケイ化物及び金属窒化物の抵抗率
は、ニス、ムラルカ（Ｓ、 Ｈｕｒａｒｋａ）著、ｒＶ
ＬＳ Ｉ応用のためのケイ化物（Ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ
ｆｏｒ ＶＬＳＩ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ） Ｊ
（アカデミツク出版（八ｃａｄｃｍｉｃ Ｐｒｅｓ
ｓ） 、１９８３年）に記載されている。
抗値に対応する。金属ケイ化物及び金属窒化物の抵抗率
は、ニス、ムラルカ（Ｓ、 Ｈｕｒａｒｋａ）著、ｒＶ
ＬＳ Ｉ応用のためのケイ化物（Ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ
ｆｏｒ ＶＬＳＩ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ） Ｊ
（アカデミツク出版（八ｃａｄｃｍｉｃ Ｐｒｅｓ
ｓ） 、１９８３年）に記載されている。
第２の実施例の抵抗１３０は抵抗３０と構造的には同様
である。ただし、抵抗１３０はＴｔｓｔｘＮ、の抵抗膜
１３２を有するこの抵抗［１１３２の特性は、抵抗値は
より小さいがタングステン窒化ケイ化物膜３２同等であ
る。抵抗膜１３２のシート抵抗値のターゲット組成依存
性と、混合ガス依存性は第３図及び第４図に示すものと
同様である。しかし、チタンベースのチタン窒化ケイ化
物膜１３２はタングステンベースのタングステン窒化ケ
イ化物ｌ！３２よりも、ＣＦ４＋０２のプラズマ中にお
いてより速くエツチングされる。
である。ただし、抵抗１３０はＴｔｓｔｘＮ、の抵抗膜
１３２を有するこの抵抗［１１３２の特性は、抵抗値は
より小さいがタングステン窒化ケイ化物膜３２同等であ
る。抵抗膜１３２のシート抵抗値のターゲット組成依存
性と、混合ガス依存性は第３図及び第４図に示すものと
同様である。しかし、チタンベースのチタン窒化ケイ化
物膜１３２はタングステンベースのタングステン窒化ケ
イ化物ｌ！３２よりも、ＣＦ４＋０２のプラズマ中にお
いてより速くエツチングされる。
第３の好ましい実施例の抵抗２３０も構造的には抵抗３
０と同様である。しかし、この抵抗２３０は、タングス
テン窒′化ケイ化物膜３２同等であるＴａ５（ｘＮ、の
抵抗膜２３２を有する。抵抗膜２３２のシート抵抗値の
ターゲット組成と混合ガスとに対する依存性は第３図及
び第４図に示すものと同様である。しかし、タンタルベ
ースのタンタル窒化ケイ化物膜２３２はタングステンベ
ースのタングステン窒化ケイ化物膜３２よりもＣＦ４＋
０２プラズマ中においてより遅くエツチングされる。
０と同様である。しかし、この抵抗２３０は、タングス
テン窒′化ケイ化物膜３２同等であるＴａ５（ｘＮ、の
抵抗膜２３２を有する。抵抗膜２３２のシート抵抗値の
ターゲット組成と混合ガスとに対する依存性は第３図及
び第４図に示すものと同様である。しかし、タンタルベ
ースのタンタル窒化ケイ化物膜２３２はタングステンベ
ースのタングステン窒化ケイ化物膜３２よりもＣＦ４＋
０２プラズマ中においてより遅くエツチングされる。
［変更及び効果］
金属窒化ケイ化物の特性、又は窒素を含む雰囲気中にお
ける金属ケイ化物・ターゲットのスパッタリングの特徴
を維持しつつ、好ましい実施例の装置及び方法について
、例えば大きさ及び幾何学的形状について、種々の変更
を実施することかできる。
ける金属ケイ化物・ターゲットのスパッタリングの特徴
を維持しつつ、好ましい実施例の装置及び方法について
、例えば大きさ及び幾何学的形状について、種々の変更
を実施することかできる。
特に、周期表のＩＶＡ族、ＶＡ族、ＶＩＡ族、■Ａ族又
は■族の金属に対する金属窒化ケイ化物は、広く有用な
膜の範囲を示す。
は■族の金属に対する金属窒化ケイ化物は、広く有用な
膜の範囲を示す。
また、種々の不活性ガス、例えばヘリウム、ネオン、ア
ルゴン、クリプトン、及びキセノン又はこれらの混合物
のような不活性ガスを含む窒素雰囲気中におけるスパッ
タリング・ターゲットとして、ＩＶ Ａ族、ＶＡ族、Ｖ
ＴＡ族の金属のケイ化物及びこれらの合金を用いること
ができる。また、多重ターゲットを使ったスパッタリン
グによって合金ターゲットをシミュレートすることがで
きる。
ルゴン、クリプトン、及びキセノン又はこれらの混合物
のような不活性ガスを含む窒素雰囲気中におけるスパッ
タリング・ターゲットとして、ＩＶ Ａ族、ＶＡ族、Ｖ
ＴＡ族の金属のケイ化物及びこれらの合金を用いること
ができる。また、多重ターゲットを使ったスパッタリン
グによって合金ターゲットをシミュレートすることがで
きる。
スパッタ率を許容できる値に保ちつつ混合ガスの圧力及
び流出を広い範囲で変化させることができる。また■Ａ
族及び■族の金属も有用である。
び流出を広い範囲で変化させることができる。また■Ａ
族及び■族の金属も有用である。
シート抵抗値が、金属に対するシリコン及び窒素の比に
依存することは、再現性を失うことなく、シート抵抗値
の調整が簡単であるという効果を生じる。また、窒素を
調整してターゲット組成におりるバラツキを調整するこ
とができるので、１ターゲツト処理を用いることができ
る。更に、低いＴＣＰの既知の被膜材料によっては得ら
れない抵抗が得られる。更に、通常のプラズマ・エツチ
ングにおける金属窒化ケイ化物の破エツチング性は容易
な処理を可能にしている。
依存することは、再現性を失うことなく、シート抵抗値
の調整が簡単であるという効果を生じる。また、窒素を
調整してターゲット組成におりるバラツキを調整するこ
とができるので、１ターゲツト処理を用いることができ
る。更に、低いＴＣＰの既知の被膜材料によっては得ら
れない抵抗が得られる。更に、通常のプラズマ・エツチ
ングにおける金属窒化ケイ化物の破エツチング性は容易
な処理を可能にしている。
以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。
（１） 簿膜抵抗において、
（ａ） 周期表のｒＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ、ＶＩＡ又は
■族の金属又は合金Ｍを有するＭＳｉｘＮｙを含むこと
を特徴とする薄膜抵抗。
■族の金属又は合金Ｍを有するＭＳｉｘＮｙを含むこと
を特徴とする薄膜抵抗。
（２） 第１項記載の薄膜抵抗において、（ａ）０．
１≦Ｘ≦１０であることを特徴とする薄膜抵抗。
１≦Ｘ≦１０であることを特徴とする薄膜抵抗。
（３） 第２項記載の薄膜抵抗において、■ ０．１
≦ｙ≦１０であることを特徴とづる薄膜抵抗。
≦ｙ≦１０であることを特徴とづる薄膜抵抗。
（４） 第１項記載の７ＩＩＪ膜抵抗にＪ５いて、（
ａ） 前記Ｍはタングステン、タンタル、チタン、及
びそれらの合金から選択されたものであることを特徴と
する薄膜抵抗。
ａ） 前記Ｍはタングステン、タンタル、チタン、及
びそれらの合金から選択されたものであることを特徴と
する薄膜抵抗。
（５） 第１Ｉ項の簿膜抵抗にＪシいて、（２） 前
記Ｍはタングステンであり、（ハ） 前記物質は第５図
の点線内のものであることを特徴とする薄膜抵抗。
記Ｍはタングステンであり、（ハ） 前記物質は第５図
の点線内のものであることを特徴とする薄膜抵抗。
（６） 金属窒化ケイ化物を堆積する１１ｇ膜抵抗の
製造方法において、 （２） 窒素を含む雰囲気中において金属ケイ化物をス
パッタリングするステップを備えていることを特徴とす
る７ｉ９膜抵抗の製造方法。
製造方法において、 （２） 窒素を含む雰囲気中において金属ケイ化物をス
パッタリングするステップを備えていることを特徴とす
る７ｉ９膜抵抗の製造方法。
（７） 第６項記載の金属窒化ケイ化物をｌｆｆ−積
ケる薄膜抵抗の製造方法において、 ＠１）ａ２雰囲気は本質的に窒素及び不活性ガスからな
ることを特徴とザる金ｒｉＡ窒化ケイ化物を准ｈ′１す
る簿膜抵抗の製造方法。
ケる薄膜抵抗の製造方法において、 ＠１）ａ２雰囲気は本質的に窒素及び不活性ガスからな
ることを特徴とザる金ｒｉＡ窒化ケイ化物を准ｈ′１す
る簿膜抵抗の製造方法。
（８） 第７項記載の金属窒化ケイ化物をＪ（１積す
る薄膜抵抗の製造方法において、 ＠ 前記不活性ガスはアルゴンであることを特徴とする
金属窒化ケイ化物を堆積する薄膜抵抗の製造方法。
る薄膜抵抗の製造方法において、 ＠ 前記不活性ガスはアルゴンであることを特徴とする
金属窒化ケイ化物を堆積する薄膜抵抗の製造方法。
（９） 第７項記載の金属窒化ケイ化物を堆積する薄
膜抵抗の製造方法において、 （ａ） 前記不活性ガスに対する窒素の比を調整する
ステップを更に含むことを特徴とする金属窒化ケイ化物
を堆積する薄膜抵抗の製造方法。
膜抵抗の製造方法において、 （ａ） 前記不活性ガスに対する窒素の比を調整する
ステップを更に含むことを特徴とする金属窒化ケイ化物
を堆積する薄膜抵抗の製造方法。
（１０）一連の基板の各々に予め選択した抵抗値を右す
る薄膜抵抗を製造する方法に４５いて、（ａ） 窒素
を含む雰囲気中で金属ケイ化物ターゲットをスパッタリ
ングしＣ前記ｌ扱のうちの第１のＩＩ根板上金属窒化ケ
イ化物膜をイを積さぜるステップと、 （ハ） 前記金属窒化ケイ化物膜のパターン形成及びエ
ツチングをして前記第１の基板上に前記薄膜抵抗を形成
するステップと、 （弓 前記簿膜抵抗の抵抗値を測定して予め選択した前
記抵抗値と比軸するステップと、 （ｄ） １ｉｒｉ記雰囲気内の窒素の割合を調′？ｉ
ｉ４ることにＪ：リステップ（ａ）により１（１槓した
金属窒化ケイ化物膜の抵抗値を調整し、ステップ（へ）
により予め選択した館記抵抗舶を作成ブるステップと、
（ｅ） 残りの前記基板に対してステップ〈Ｑ及びス
フツブ（ハ）を繰り返すステップと、 を備えたことを特徴とする薄膜抵抗の’ＦＪ造方法。
る薄膜抵抗を製造する方法に４５いて、（ａ） 窒素
を含む雰囲気中で金属ケイ化物ターゲットをスパッタリ
ングしＣ前記ｌ扱のうちの第１のＩＩ根板上金属窒化ケ
イ化物膜をイを積さぜるステップと、 （ハ） 前記金属窒化ケイ化物膜のパターン形成及びエ
ツチングをして前記第１の基板上に前記薄膜抵抗を形成
するステップと、 （弓 前記簿膜抵抗の抵抗値を測定して予め選択した前
記抵抗値と比軸するステップと、 （ｄ） １ｉｒｉ記雰囲気内の窒素の割合を調′？ｉ
ｉ４ることにＪ：リステップ（ａ）により１（１槓した
金属窒化ケイ化物膜の抵抗値を調整し、ステップ（へ）
により予め選択した館記抵抗舶を作成ブるステップと、
（ｅ） 残りの前記基板に対してステップ〈Ｑ及びス
フツブ（ハ）を繰り返すステップと、 を備えたことを特徴とする薄膜抵抗の’ＦＪ造方法。
（１１）第１０項記載の′Ａ簿膜抵抗製造方法において
、 ＜ａ） 前記金属ケイ化物ターゲットはタングステン
及びシリコンの化合物であることを１！ｆ徴とするｉｉ
９摸（氏抗の製ｊ告方法。
、 ＜ａ） 前記金属ケイ化物ターゲットはタングステン
及びシリコンの化合物であることを１！ｆ徴とするｉｉ
９摸（氏抗の製ｊ告方法。
（１２）第１０項記載の１ｌＩ（ｉｌ１６１抵［への製
造方法に１１夕いて、 （ａ） 前記雰囲気は窒素及びアルゴンの混合物である
ことを特徴とする薄膜抵抗の装造ブｊ法。
造方法に１１夕いて、 （ａ） 前記雰囲気は窒素及びアルゴンの混合物である
ことを特徴とする薄膜抵抗の装造ブｊ法。
第１図は好ましい第１の実施例の簿膜抵抗の拡大側断面
図、第２図は本発明の￥！造方法の好Ｊニジい第１の実
施例ににるＩｆｆ槓処理の概Ｉｉ８描成図、第３図及び
第４図はシート抵抗（直の１仔槓パラメータ依存性を示
寸グラフ、第５図はシート低抗舶の絹ｆ戊依ｒｔ性を説
１１トｙるための組成図である。 ３０．１３０，２３０・・・・・・抵抗、３２・・・・
・・タングステン窒化ケイ化物膜、４ｏ・・・・・・ガ
リウム砒素基板、 ４４・・・複合焼結ターゲラ１−１ １３２．２３２・・・・・・抵抗膜。
図、第２図は本発明の￥！造方法の好Ｊニジい第１の実
施例ににるＩｆｆ槓処理の概Ｉｉ８描成図、第３図及び
第４図はシート抵抗（直の１仔槓パラメータ依存性を示
寸グラフ、第５図はシート低抗舶の絹ｆ戊依ｒｔ性を説
１１トｙるための組成図である。 ３０．１３０，２３０・・・・・・抵抗、３２・・・・
・・タングステン窒化ケイ化物膜、４ｏ・・・・・・ガ
リウム砒素基板、 ４４・・・複合焼結ターゲラ１−１ １３２．２３２・・・・・・抵抗膜。
Claims (2)
- （１）薄膜抵抗において、 （ａ）周期表のIVＡ族、ＶＡ族、VIＡ族、VIIＡ族又は
VIIIＡ族の金属又は合金Ｍを含むＭＳｉ＿ｘＮ＿ｙを有
することを特徴とする薄膜抵抗。 - （２）金属窒化ケイ化物を堆積する薄膜抵抗の製造方法
において、 （ａ）窒素を含む雰囲気中において金属ケイ化物をスパ
ッタリングするステップを備えることを特徴とする薄膜
抵抗の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/769,209 US4760369A (en) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | Thin film resistor and method |
| US769209 | 1985-08-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111401A true JPS62111401A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=25084794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197016A Pending JPS62111401A (ja) | 1985-08-23 | 1986-08-22 | 薄膜抵抗及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4760369A (ja) |
| JP (1) | JPS62111401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017022176A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | Koa株式会社 | 薄膜抵抗器及びその製造方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006421A (en) * | 1988-09-30 | 1991-04-09 | Siemens-Bendix Automotive Electronics, L.P. | Metalization systems for heater/sensor elements |
| US5106786A (en) * | 1989-10-23 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Thin coatings for use in semiconductor integrated circuits and processes as antireflection coatings consisting of tungsten silicide |
| US5218225A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-08 | Dallas Semiconductor Corp. | Thin-film resistor layout |
| US5200733A (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-06 | Harris Semiconductor Corporation | Resistor structure and method of fabrication |
| US5156725A (en) * | 1991-10-17 | 1992-10-20 | The Dow Chemical Company | Method for producing metal carbide or carbonitride coating on ceramic substrate |
| US5232522A (en) * | 1991-10-17 | 1993-08-03 | The Dow Chemical Company | Rapid omnidirectional compaction process for producing metal nitride, carbide, or carbonitride coating on ceramic substrate |
| US5466484A (en) * | 1993-09-29 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Resistor structure and method of setting a resistance value |
| JPH10508430A (ja) * | 1994-06-09 | 1998-08-18 | チップスケール・インコーポレーテッド | 抵抗器の製造 |
| GB2316541B (en) * | 1994-06-09 | 1998-11-18 | Chipscale Inc | Resistor fabrication |
| JP2692590B2 (ja) * | 1994-06-29 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5518958A (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor polycide process |
| JPH10173135A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路とその製造方法 |
| TW417249B (en) * | 1997-05-14 | 2001-01-01 | Applied Materials Inc | Reliability barrier integration for cu application |
| US6562207B1 (en) | 1997-07-15 | 2003-05-13 | Tosoh Smd, Inc. | Refractory metal silicide alloy sputter targets, use and manufacture thereof |
| KR100240880B1 (ko) | 1997-08-16 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 게이트 전극 형성 방법 |
| US6174811B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated deposition process for copper metallization |
| US6090678A (en) * | 1998-06-05 | 2000-07-18 | Analog Devices, Inc. | I. C. thin film processing and protection method |
| US6627542B1 (en) | 1999-07-12 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Continuous, non-agglomerated adhesion of a seed layer to a barrier layer |
| US6313033B1 (en) | 1999-07-27 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Ionized metal plasma Ta, TaNx, W, and WNx liners for gate electrode applications |
| US6299294B1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-10-09 | Hewlett-Packard Company | High efficiency printhead containing a novel oxynitride-based resistor system |
| US6336713B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-01-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency printhead containing a novel nitride-based resistor system |
| DE19961180C2 (de) * | 1999-12-18 | 2002-02-28 | Daimler Chrysler Ag | Dünnschichtwiderstand mit hohem Temperaturkoeffizienten als passives Halbleiterbauelement für integrierte Schaltungen und Herstellungsverfahren |
| US6562715B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer structure for copper metallization and method of forming the structure |
| JP3935687B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2007-06-27 | アルプス電気株式会社 | 薄膜抵抗素子およびその製造方法 |
| US7989917B2 (en) * | 2002-01-31 | 2011-08-02 | Nxp B.V. | Integrated circuit device including a resistor having a narrow-tolerance resistance value coupled to an active component |
| JP5210559B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2013-06-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2015005931A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Amorphous thin metal film |
| US10263065B2 (en) | 2015-11-04 | 2019-04-16 | Globalfoundries Inc. | Metal resistor forming method using ion implantation |
| US9972671B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-05-15 | International Business Machines Corporation | Metal resistors having varying resistivity |
| US9985088B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-05-29 | International Business Machines Corporation | Metal resistors having nitridized metal surface layers with different nitrogen content |
| US10020358B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-07-10 | International Business Machines Corporation | Metal resistors having nitridized dielectric surface layers and nitridized metal surface layers |
| KR102426051B1 (ko) | 2016-05-31 | 2022-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814501A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 大精電子株式会社 | タンタル・シリコン・窒素薄膜抵抗体 |
| JPS5955001A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-03-29 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 抵抗およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539399B2 (ja) * | 1972-12-09 | 1978-04-05 | ||
| US4217570A (en) * | 1978-05-30 | 1980-08-12 | Tektronix, Inc. | Thin-film microcircuits adapted for laser trimming |
| JPS56130374A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Thermal head |
| US4392992A (en) * | 1981-06-30 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Chromium-silicon-nitrogen resistor material |
| JPS6094757A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-27 | Fujitsu Ltd | 抵抗体 |
-
1985
- 1985-08-23 US US06/769,209 patent/US4760369A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-08-22 JP JP61197016A patent/JPS62111401A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814501A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 大精電子株式会社 | タンタル・シリコン・窒素薄膜抵抗体 |
| JPS5955001A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-03-29 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 抵抗およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017022176A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | Koa株式会社 | 薄膜抵抗器及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4760369A (en) | 1988-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62111401A (ja) | 薄膜抵抗及びその製造方法 | |
| US4020222A (en) | Thin film circuit | |
| EP0082183A1 (en) | THIN-LAYER RESISTANCE MATERIAL AND METHOD. | |
| US3477935A (en) | Method of forming thin film resistors by cathodic sputtering | |
| US5585776A (en) | Thin film resistors comprising ruthenium oxide | |
| US3458847A (en) | Thin-film resistors | |
| US5266529A (en) | Focused ion beam for thin film resistor trim on aluminum nitride substrates | |
| JP2964505B2 (ja) | 集積回路装置製造用スパッタリングターゲット | |
| EP1237164B1 (en) | Method for controlling the sheet resistance of thin film resistors | |
| US3585073A (en) | Electric film resistors | |
| US3398032A (en) | Method of making cermet resistors by etching | |
| US3594225A (en) | Thin-film resistors | |
| JP3156593B2 (ja) | 薄膜素子及びその製造方法 | |
| EP0688026A1 (en) | Resistor coated on diamond substrate | |
| US5023589A (en) | Gold diffusion thin film resistors and process | |
| US3647662A (en) | Technique for the fabrication of hafnium nitride resistor | |
| JP2004342705A (ja) | 窒化タンタル薄膜抵抗体及びその製造方法 | |
| US3575833A (en) | Hafnium nitride film resistor | |
| US7609144B2 (en) | High resistivity thin film composition and fabrication method | |
| JP3288241B2 (ja) | 抵抗材料および抵抗材料薄膜 | |
| US20020125986A1 (en) | Method for fabricating ultra high-resistive conductors in semiconductor devices and devices fabricated | |
| JP2503662B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| Hoffman et al. | Cermet Resistors on Ceramic Substrates | |
| JPH0331780B2 (ja) | ||
| JPH0244701A (ja) | 薄膜抵抗器およびその製造方法 |