JPS62107951A - Surface grinder - Google Patents
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- JPS62107951A JPS62107951A JP24624985A JP24624985A JPS62107951A JP S62107951 A JPS62107951 A JP S62107951A JP 24624985 A JP24624985 A JP 24624985A JP 24624985 A JP24624985 A JP 24624985A JP S62107951 A JPS62107951 A JP S62107951A
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、表面研削装置、更に詳しくは、殊に半導体ウ
ェーハの表面を研削するのに適する表面研削装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a surface grinding apparatus, and more particularly, to a surface grinding apparatus suitable for grinding the surface of a semiconductor wafer.
〈従来技術〉
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程におい
ては、略円板形状である半導体ウェーハの表面を研削し
て半導体ウェーハの厚さを所要値にせしめることが必要
である。そして、半導体ウェーハの表面を研削するため
の表面研削装置としては、一般に特開昭56−1525
62号公報に開示されている形態の表面研削装置が好都
合に使用されている。かかる表面研削装置は、回転自在
に装着された支持テーブルと、この支持テーブルに固定
された複数個の半導体ウェーハ保持チャックと、上記支
持テーブルの回転方向に間隔を置いて且つ回転自在に装
着された複数個の研削砥石と、上記支持テーブルを回転
駆動するためのテーブル回転手段と、上記研削砥石を回
転せしめるための砥石回転手段とを具備している。<Prior Art> As is well known to those skilled in the art, in the semiconductor device manufacturing process, it is necessary to grind the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer to bring the thickness of the semiconductor wafer to a desired value. As a surface grinding device for grinding the surface of a semiconductor wafer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-1525
A surface grinding device of the type disclosed in Japanese Patent No. 62 has been advantageously used. Such a surface grinding device includes a support table that is rotatably mounted, a plurality of semiconductor wafer holding chucks that are fixed to the support table, and a plurality of semiconductor wafer holding chucks that are rotatably mounted at intervals in the rotational direction of the support table. The grinding wheel includes a plurality of grinding wheels, a table rotation means for rotationally driving the support table, and a grindstone rotation means for rotating the grinding wheel.
上記表面研削装置においては、表面を研削すべき半導体
ウェーハは、チャック上に保持される。In the surface grinding apparatus described above, a semiconductor wafer whose surface is to be ground is held on a chuck.
そして、複数個の研削砥石の各々が比較的高速で回転せ
しめられると共に、支持テーブルが比較的低速で回転せ
しめられる。かくして、支持テーブルに固定されたチャ
ック上に保持された半導体ウェーハは、回転せしめられ
ている複数個の研削砥石を順次に通過せしめられ、この
際に、回転せしめられている研削砥石によって半導体ウ
ェーハの表面が研削される。Each of the plurality of grinding wheels is rotated at a relatively high speed, and the support table is rotated at a relatively low speed. In this way, the semiconductor wafer held on the chuck fixed to the support table is sequentially passed through a plurality of rotating grinding wheels, and at this time, the semiconductor wafer is The surface is ground.
而して、上記表面研削装置は、上記特開昭56−152
562号公報の記載から首肯される如く、他の形態の従
来の表面研削装置と比べて種々の利点を有する。しかし
ながら、未だ充分に満足し得るものではなく、(イ)研
削砥石としては全体として環形状のものが使用されるが
、かような研削砥石によって半導体ウェーハの表面全体
を一様に研削するには研削砥石の外径は研削すべき半導
体ウェーハの外径よりも充分に大きいことが必要であり
、従って半導体ウェーハが大径化すると、これに応じて
研削砥石も大径化することが必要であるが、一般に天然
又は合成ダイヤモンド砥粒の如き超砥粒を適宜の方法に
よって結合することによって製造される研削砥石の大径
化は、砥石製造工程における種々の点から必ずしも容易
ではない、(ロ)研削の際の回転している研削砥石に対
する半導体ウェーへの相対的移動は、支持テーブルの比
較的低速である回転に付随した半導体ウェーハの送り移
動のみであって、研削砥石による半導体ウェーへの研削
軌跡は回転せしめられている研削砥石の外周縁の移動に
よって規定される単純な弧状であり、従って研削抵抗が
比較的大きいと共に、半導体ウェーハの上記送り移動に
応じて研削抵抗が比較的大幅に変動し、それ故に半導体
ウェーハの表面全体に渡って充分に均一な研削を遂行す
ることが困難であり、研削精度が制限される、等の解決
すべき問題が存在する。The surface grinding device described above is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-152.
As can be seen from the description in Japanese Patent No. 562, the present invention has various advantages over other types of conventional surface grinding devices. However, it is still not completely satisfactory, and (a) a ring-shaped grinding wheel is used as a whole, but it is difficult to uniformly grind the entire surface of a semiconductor wafer with such a grinding wheel. The outer diameter of the grinding wheel must be sufficiently larger than the outer diameter of the semiconductor wafer to be ground. Therefore, as the diameter of the semiconductor wafer increases, the diameter of the grinding wheel must also increase accordingly. However, increasing the diameter of a grinding wheel, which is generally manufactured by bonding superabrasive grains such as natural or synthetic diamond abrasive grains by an appropriate method, is not necessarily easy due to various points in the grindstone manufacturing process (b) During grinding, the only relative movement of the semiconductor wafer to the rotating grinding wheel is the feeding movement of the semiconductor wafer accompanying the relatively low-speed rotation of the support table, and the grinding of the semiconductor wafer by the grinding wheel is The locus is a simple arc defined by the movement of the outer periphery of the rotating grinding wheel, and therefore the grinding resistance is relatively large, and the grinding resistance fluctuates relatively significantly in response to the above-mentioned feeding movement of the semiconductor wafer. However, it is therefore difficult to perform sufficiently uniform grinding over the entire surface of the semiconductor wafer, and there are problems to be solved, such as the grinding accuracy being limited.
〈先願発明〉
上記問題を解決するために、本発明者は、先に、昭和5
9年特許願第226720号(発明の名称−表面研削装
置)明細書及び図面において、複数個のチャックを支持
テーブルに回転自在に装着すると共に、複数個のチャッ
クを回転駆動せしめるためのチャック回転手段を設けた
、改良された表面研削装置を提案した。かかる表面研削
装置においては、チャック上に保持された被加工物の表
面を研削砥石によって研削する際には、研削砥石を回転
せしめると共に、チャックを回転せしめてチャック上に
保持された半導体ウェーハも回転せしめることができ、
かくして上記問題(イ)及び(ロ)を解決することがで
きる。<Prior invention> In order to solve the above problem, the present inventor first invented the
In the specification and drawings of Patent Application No. 226720 (Title of the Invention - Surface Grinding Apparatus) published in 1999, a plurality of chucks are rotatably mounted on a support table, and a chuck rotating means is provided for rotatably driving the plurality of chucks. An improved surface grinding device was proposed. In such a surface grinding device, when the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the grinding wheel is rotated, and the chuck is rotated so that the semiconductor wafer held on the chuck is also rotated. can be forced,
In this way, the above problems (a) and (b) can be solved.
しかしながら、本発明者が提案した上記表面研削装置に
ついて更に検討を重ねた結果、上記チャック回転手段に
関して、更に改良すべき問題が残留していることが判明
した。即ち、上記表面研削装置におけるチャック回転手
段は、1個の共通駆動源と、この共通駆動源と複数個の
チャックの各々との間に夫々配設された複数個の駆動連
結手段とから構成されている。従って、共通駆動源が付
勢されると、複数個のチャックの全てが回転駆動され、
共通駆動源が除勢されると、複数個のチャックの全ての
回転駆動が停止される。然るに、研削効率の向上環の見
地からして、特定のチャックにおいては、その回転駆動
を停止して既に研削された半導体ウェーハを取出すと共
に次の研削すべき半導体ウェーハをチャックに装着し、
かかる間にも、他のチャックにおいては、チャックを回
転駆動して半導体ウェーハの研削を遂行することができ
るようにせしめることが望ましいことが判明した。However, as a result of further studies on the surface grinding device proposed by the present inventors, it has been found that there remain problems with the chuck rotation means that should be further improved. That is, the chuck rotation means in the surface grinding apparatus is composed of one common drive source and a plurality of drive connection means respectively disposed between the common drive source and each of the plurality of chucks. ing. Therefore, when the common drive source is energized, all of the plurality of chucks are rotationally driven,
When the common drive source is deenergized, all rotational drives of the plurality of chucks are stopped. However, from the standpoint of improving grinding efficiency, it is necessary to stop the rotation of a particular chuck, take out the already ground semiconductor wafer, and attach the next semiconductor wafer to be ground to the chuck.
In the meantime, it has been found desirable to rotate the chuck in other chucks so that the grinding of the semiconductor wafer can be accomplished.
〈発明の目的〉
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主
目的は、本発明者が先に提案した表面研削装置に更に改
良を加えて、上記要望をも充足することができるように
せしめた改良された表面研削装置を提供することである
。<Object of the Invention> The present invention has been made in view of the above facts, and its main purpose is to further improve the surface grinding device previously proposed by the inventor to satisfy the above requirements. An object of the present invention is to provide an improved surface grinding device that enables the above-mentioned surface grinding.
〈発明の要約〉
本発明者は、鋭意検討の結果、上記複数個の駆動連結手
段の各々に、連結及び離脱を制御するためのクラッチ手
段、好ましくは空気圧クラッチから構成されたクラクチ
手段、を組込むことによって、製作コストの増大を必要
最小限度にせしめて上記目的を達成することができるこ
とを見出した。<Summary of the Invention> As a result of intensive study, the present inventor incorporated a clutch means for controlling connection and disengagement into each of the plurality of drive connection means, preferably a clutch means constituted by a pneumatic clutch. It has been found that by doing so, the above object can be achieved while minimizing the increase in manufacturing costs.
即ち、本発明によれば、回転自在に装着された支持テー
ブルと、周方向に間隔を置いて該支持テーブルに回転自
在に装着された複数個の被加工物保持チャックと、該チ
ャック上に保持された被加工物の表面を研削するための
、回転自在に装着された研削砥石と、該テーブルを回転
駆動せしめるためのテーブル回転手段と、該チャックを
回転駆動せしめるためのチャック回転手段と、該研削砥
石を回転せしめるための研削砥石回転手段とを具備し、
該チャック回転手段は、1個の共通駆動源と、該共通駆
動源と該チャックの各々との間に夫々配設された複数個
の駆動連結手段を含み、該駆動連結手段の各々は、連結
及び離脱を制御するためのクラッチ手段を有する、こと
を特徴とする表面研削装置が提供される。That is, according to the present invention, a support table is rotatably mounted, a plurality of workpiece holding chucks are rotatably mounted on the support table at intervals in the circumferential direction, and a workpiece holding chuck is mounted on the chuck. a grinding wheel rotatably mounted for grinding the surface of a processed workpiece; a table rotation means for rotationally driving the table; a chuck rotation means for rotationally driving the chuck; and a grinding wheel rotation means for rotating the grinding wheel,
The chuck rotation means includes a common drive source and a plurality of drive connection means respectively disposed between the common drive source and each of the chucks, each of the drive connection means having a connection and a clutch means for controlling disengagement.
〈発明の好適具体例〉
以下、添付図面を参照して、本発明に従って構成された
表面研削装置の好適具体例について詳細に説明する。<Preferred Embodiments of the Invention> Hereinafter, preferred embodiments of the surface grinding apparatus constructed according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第1図は、本発明に従って構成された表面研削装置の一
具体例の主要構成要素を簡略に図示している。図示の表
面研削装置は、実質上鉛直に(第1図において紙面に垂
直な方向に)延びる中心軸線2を中心として回転自在に
装着された、比較的大径の円盤形態である支持テーブル
4を具備している。そして、この支持テーブル4上には
、周方向に間隔を置いて複数個、図示の場合は4個の円
盤形態である被加工物保持チャック6が回転自在に装着
されている。複数個のチャック6は、夫々、上記中心軸
線2からの半径方向距離が相互に同一で且つ支持テーブ
ル4の周方向に等間隔を置いた(即ち等角度間隔を置い
た)複数個の位置に配置されているのが好都合である。FIG. 1 schematically illustrates the main components of one embodiment of a surface grinding apparatus constructed in accordance with the present invention. The illustrated surface grinding device includes a support table 4 in the form of a relatively large diameter disk, which is rotatably mounted around a central axis 2 that extends substantially vertically (perpendicular to the plane of the paper in FIG. 1). Equipped with A plurality of workpiece holding chucks 6 (four in the illustrated case) in the form of a disk are rotatably mounted on the support table 4 at intervals in the circumferential direction. The plurality of chucks 6 are arranged at a plurality of positions having the same radial distance from the central axis 2 and equally spaced in the circumferential direction of the support table 4 (that is, spaced at equal angular intervals). It is conveniently located.
上記支持テーブル4の周方向に間隔を置いた複数個、図
示の場合は4個の位置には、夫々、作業域A、B、C及
びDが規定されている。かかる作業域A、B、C及びD
は、支持テーブル4の周方向に等間隔を置いて(即ち等
角度間隔を置いて)位置し、作業域A、B、C及びDに
おける相互角度間隔は上記複数個のチャック6における
相互角度間隔と合致しているのが好都合である。作業域
Aは被加工物取出及び装着域であり、かかる被加工物取
出及び装着域Aにおいては、表面が研削された被加工物
が適宜の取出手段(図示していない)によってチャック
6から取出され、そして表面を研削すべき新たな被加工
物が適宜の装着手段(図示していない)によってチャッ
ク6上に載置される0作業域B、C及びDは、夫々、粗
研削域、中間研削域及び仕上げ研削域である。これらの
研削域B、C及びDの各々には、研削砥石8を有する研
削砥石組立体が配設されており、後に更に言及する如く
、粗研削域Bにおいてはチャック6上に保持されている
被加工物の表面が粗研削され、中間研削域Cにおいては
チャック6上に保持されている被加工物の表面が中間研
削され、そして仕上げ研削域りにおいてはチャック6上
に保持されている被加工物の表面が仕上げ研削される。Work areas A, B, C, and D are defined at a plurality of positions (four positions in the illustrated case) spaced apart in the circumferential direction of the support table 4, respectively. Such working areas A, B, C and D
are located at equal intervals in the circumferential direction of the support table 4 (that is, at equal angular intervals), and the mutual angular intervals in the working areas A, B, C, and D are equal to the mutual angular intervals in the plurality of chucks 6. It is convenient that it matches. The work area A is a workpiece removal and mounting area, and in the workpiece removal and mounting area A, the workpiece whose surface has been ground is taken out from the chuck 6 by an appropriate removal means (not shown). The working areas B, C and D, in which a new workpiece whose surface is to be ground and whose surface is to be ground, are placed on the chuck 6 by suitable mounting means (not shown) are respectively a rough grinding area and an intermediate workpiece. These are the grinding area and the finish grinding area. Each of these grinding zones B, C and D is provided with a grinding wheel assembly having a grinding wheel 8, which in the rough grinding zone B is held on a chuck 6, as will be mentioned further below. The surface of the workpiece is roughly ground, the surface of the workpiece held on the chuck 6 is subjected to intermediate grinding in the intermediate grinding area C, and the surface of the workpiece held on the chuck 6 is ground in the final grinding area. The surface of the workpiece is finish ground.
第1図と共に第2図を参照して、支持テーブル4及びこ
の支持テーブル4に装着されたチャック6の構成につい
て詳述すると、図示の表面研削装置においては、支持テ
ーブル4の上記中心軸線2に沿って実質上鉛直に延びる
静止主支持軸(図示していない)が配設されており、か
かる主支持軸上端部に支持テーブル4が回転自在に装着
されている。支持テーブル4には適宜の伝動要素(図示
していない)を介して電動モータでよいテーブル回転手
段10が駆動連結されており、後に更に言及する如く、
テーブル回転手段10によって支持テーブル4は第1図
に矢印12で示す方向に間けつ的に或いは連続的に回転
せしめる。支持テーブル4の実質上水平な上面の周縁部
には、周方向に等間隔を置いて4個のチャック支持ブロ
ック14(第2図にその1個のみを図示している)が固
定されており、かかるチャック支持ブロック14の各々
に、上記チャック6が夫々回転自在に装着されている。Referring to FIG. 2 together with FIG. 1, the structure of the support table 4 and the chuck 6 attached to the support table 4 will be described in detail. A stationary main support shaft (not shown) is provided that extends substantially vertically along the main support shaft, and a support table 4 is rotatably mounted on the upper end of the main support shaft. A table rotation means 10, which may be an electric motor, is drivingly connected to the support table 4 via a suitable transmission element (not shown), as will be further described below.
The support table 4 is rotated intermittently or continuously by the table rotation means 10 in the direction indicated by the arrow 12 in FIG. Four chuck support blocks 14 (only one of which is shown in FIG. 2) are fixed to the periphery of the substantially horizontal upper surface of the support table 4 at equal intervals in the circumferential direction. The chuck 6 is rotatably mounted on each of the chuck support blocks 14.
更に詳述すると、略円柱形状でよいチャック支持ブロッ
ク14には上方に開口した円形穴I6が形成されており
、かかる穴16内にはベアリング部材18及び20が配
設されている。ベアリング部材18の下面は上記穴16
内に形成されている環状肩部に当接せしめられており、
ベアリング部材18と20との間には環状スペーサ部材
22が配設されており、そしてチャック支持ブロック1
4の上面に固定された環状保持板23の下面内周縁部が
ベアリング部材20の上面に当接せしめられており、か
くしてベアリング部材18及び20は所要位置に保持さ
れている。かかるベアリング部材18及び20内には、
回転軸24の下部が挿入され、かくして回転軸24がチ
ャック支持ブロック14に回転自在に装着されている。More specifically, the chuck support block 14, which may have a substantially cylindrical shape, is formed with a circular hole I6 that opens upward, and bearing members 18 and 20 are disposed within the hole 16. The lower surface of the bearing member 18 has the hole 16
It is brought into contact with an annular shoulder formed inside,
An annular spacer member 22 is disposed between the bearing members 18 and 20, and the chuck support block 1
The inner circumferential edge of the lower surface of the annular holding plate 23 fixed to the upper surface of the bearing member 4 is brought into contact with the upper surface of the bearing member 20, and thus the bearing members 18 and 20 are held in the required positions. Within such bearing members 18 and 20,
The lower part of the rotating shaft 24 is inserted, and the rotating shaft 24 is thus rotatably mounted on the chuck support block 14.
そして、チャック支持ブロック14を越えて上方へ突出
している回転軸24の上端にチャック6が固定されてい
る0図示のチャック6は、円盤形状の主部26と、主部
26の下面に形成された円形突部28と、円形突部28
の中央から下方に延びる連結ねじ部30とを有する。一
方、上記回転軸24の上面には、チャック6の円形突部
28を受入れる円形凹部32と、かかる円形凹部32の
中央に穿設されたねじ孔33とが形成されている。The chuck 6 is fixed to the upper end of a rotating shaft 24 that protrudes upward beyond the chuck support block 14. The chuck 6 shown in FIG. circular protrusion 28 and circular protrusion 28
It has a connecting threaded portion 30 extending downward from the center. On the other hand, a circular recess 32 for receiving the circular protrusion 28 of the chuck 6 and a screw hole 33 bored in the center of the circular recess 32 are formed on the upper surface of the rotating shaft 24.
チャック6の連結ねじ部30は回転軸24のねじ孔33
に螺合され、かくして回転軸24の上端にチャック6が
固定される。回転軸24にチャック6を所要通りに固定
した状態において、チャック6の上記円形突部28の下
面と回転軸24の上記円形凹部32の底面との間には若
干の間隔が存在し、両者間には閉空間34が規定されて
いる。回転軸24には、上記円形凹部32の底面に開口
した上端から回転軸24の下面に開口した下端まで軸線
方向に延びる流路36が形成されている。チャック支持
ブロック14に形成されている上記穴I6の底面中央部
には、中空マニホルド38が固定されており、上記流路
36の下端はこのマニホルド38に連通せしめられてい
る。チャック支持ブロック14の下端部には、上記マニ
ホルド38に連通せしめられた内側端からチャック支持
ブロック14の外周面に開口した外側端まで半径方向に
延びる流路40が形成されている。流路40の外側端°
は、適宜の切換弁42を有する管路44を介して真空源
46と水でよい液体の供給源48とに接続されている。The connecting screw portion 30 of the chuck 6 is connected to the screw hole 33 of the rotating shaft 24.
The chuck 6 is thus fixed to the upper end of the rotating shaft 24. When the chuck 6 is fixed to the rotating shaft 24 as required, there is a slight gap between the lower surface of the circular protrusion 28 of the chuck 6 and the bottom surface of the circular recess 32 of the rotating shaft 24, and there is a gap between the two. A closed space 34 is defined. A flow path 36 is formed in the rotating shaft 24 and extends in the axial direction from an upper end that opens at the bottom surface of the circular recess 32 to a lower end that opens at the lower surface of the rotating shaft 24. A hollow manifold 38 is fixed to the center of the bottom surface of the hole I6 formed in the chuck support block 14, and the lower end of the flow path 36 is communicated with the manifold 38. A flow path 40 is formed at the lower end of the chuck support block 14 and extends radially from an inner end communicating with the manifold 38 to an outer end opening on the outer peripheral surface of the chuck support block 14. Outer end of channel 40°
is connected via a line 44 with a suitable switching valve 42 to a vacuum source 46 and a source 48 of liquid, which may be water.
一方、チャック6の上記円形突部28及び主部26には
、円形突部28の下面から土部26の上面まで延びる複
数個の孔(図示していない)が形成されている。上記被
加工物取出及び装着域Aにおいてチャック6の上面に半
導体ウェーへの如き被加工物がWIi置されると、切換
弁42が操作されて流路40が真空源46に接続される
。かくすると、チャック6に形成された上記複数個の孔
(図示していない)、空間34.流a36.マニホルド
38.流路40及び管路44を介して空気が吸引され、
かくして被加工物がチャック6上に吸着保持される。上
記被加工物取出及び装着域Aにおいてチャック6上から
被加工物を取出す時には、切換弁42が操作されて流路
40が供給源48に接続される。かくすると、管路44
゜流路40.マニホルド38.流路36.空間34及び
チャック6に形成された上記複数個の孔(図示していな
い)を介してチャック6の上面に水の如き液体が供給さ
れ、かくしてチャック6に吸着されていた被加工物が浮
上せしめられる。On the other hand, a plurality of holes (not shown) extending from the lower surface of the circular projection 28 to the upper surface of the soil portion 26 are formed in the circular projection 28 and the main portion 26 of the chuck 6. When a workpiece such as a semiconductor wafer is placed WIi on the upper surface of the chuck 6 in the workpiece unloading and mounting area A, the switching valve 42 is operated and the flow path 40 is connected to the vacuum source 46 . Thus, the plurality of holes (not shown) formed in the chuck 6 and the spaces 34. flow a36. Manifold 38. Air is sucked through the flow path 40 and the conduit 44,
In this way, the workpiece is suctioned and held on the chuck 6. When taking out the workpiece from the chuck 6 in the workpiece removal and mounting area A, the switching valve 42 is operated and the flow path 40 is connected to the supply source 48 . Thus, the conduit 44
°Flow path 40. Manifold 38. Channel 36. A liquid such as water is supplied to the upper surface of the chuck 6 through the space 34 and the plurality of holes (not shown) formed in the chuck 6, and thus the workpiece adsorbed on the chuck 6 is floated. It will be done.
第2図を参照してチャック回転手段について説明すると
、図示の具体例においては、上記支持テーブル4の実質
上水平な上面の中央部に中央支持ブロック50が固定さ
れ、この中央支持ブロック50に中央回転軸52が回転
自在に装着されている。更に詳しくは、中央支持ブロッ
ク5oは、円盤状基部54とこの基部54の上面中央部
がら実質上鉛直に上方に延びる支持円柱部56を有する
。Referring to FIG. 2, the chuck rotating means will be described. In the illustrated example, a central support block 50 is fixed to the center of the substantially horizontal upper surface of the support table 4, and A rotating shaft 52 is rotatably mounted. More specifically, the central support block 5o has a disc-shaped base 54 and a support column 56 extending substantially vertically upward from the center of the upper surface of the base 54.
一方、中央回転軸52の下部には大径部58が形成され
ており、この大径部58には下方に開口した円形凹部6
0が形成されている。そして、中央回転軸52の大径部
58がベアリング部材62及び64を介して、上記中央
支持ブロック5oの支持円柱部56に回転自在に装着さ
れている。ベアリング部材62の下面は中央支持ブロッ
ク50の基部54の上面に当接し、ベアリング部材62
とベアリング部材64との間には環状スペーサ部材66
が配設され、ベアリング部材64の上面は円形凹部60
の底面(上面)に当接し、かくしてベアリング部材62
及び64は所要位置に保持されている。中央回転軸52
の上端部は、適宜の伝動要素(図示していない)を介し
て電動モータでよい共通回転駆動源68に駆動連結され
ている。回転駆動源6日は、上記支持テーブル4上に適
宜の支持枠体(図示していない)を介して装着、或いは
上記支持テーブル4とは別個に適宜の位置に装着するこ
とができる。中央回転軸52の上記大径部58の外周面
には環状フランジ70が形成されており、この環状フラ
ンジ70上に歯車72が固定されている。On the other hand, a large diameter portion 58 is formed at the lower part of the central rotating shaft 52, and this large diameter portion 58 has a circular recess 6 that opens downward.
0 is formed. The large diameter portion 58 of the central rotating shaft 52 is rotatably attached to the support columnar portion 56 of the central support block 5o via bearing members 62 and 64. The lower surface of the bearing member 62 abuts the upper surface of the base 54 of the central support block 50, and the bearing member 62
An annular spacer member 66 is provided between the bearing member 64 and the bearing member 64.
is arranged, and the upper surface of the bearing member 64 has a circular recess 60
The bearing member 62 is in contact with the bottom surface (top surface) of the
and 64 are held in place. Central rotating shaft 52
The upper end of is drivingly connected to a common rotary drive source 68, which may be an electric motor, via a suitable transmission element (not shown). The rotary drive source 6 can be mounted on the support table 4 via a suitable support frame (not shown), or separately from the support table 4 at a suitable position. An annular flange 70 is formed on the outer peripheral surface of the large diameter portion 58 of the central rotating shaft 52, and a gear 72 is fixed onto the annular flange 70.
支持テーブル4の上面には、更に、被加工物保持チャッ
ク6の各々の角度位置に対応して位置する4個の支持ブ
ロック74が固定されている(第2図には1個の支持ブ
ロック74のみを図示している)。そして、かかる支持
ブロック74の各々に、空気圧クラッチを含む駆動連結
要素が装着されている。詳述すると、上記支持ブロック
74の各々は、下部大径円柱部76と上部小径円柱部7
8を有する。そして、上部小径円柱部78には、ベアリ
ング部材80及び82を介して略円筒形状の回転部材8
4が回転自在に装着されている。ベアリング部材80の
下面は大径円柱部76の上面に当接し、ベアリング部材
80とベアリング部材82との間には環状スペーサ部材
86が配設され、ベアリング部材82の上面は回転部材
84の内周面に形成されている環状フランジ88の下面
に当接し、かくしてベアリング部材80及び82は所要
位置に保持されている。上部小径円柱部78の上面には
環状部材90が固定されており、かかる環状部材90の
下面が回転部材84の上記環状フランジ88を拘束する
ことによって、回転部材84の上方への移動が阻止され
る。回転部材84の外周面には環状フランジ92が形成
されており、この環状フランジ92上に歯車94が固定
されている。この歯車94は上記歯車72に係合せしめ
られている。回転部材84の上端には、合成ゴムの如き
高a!擦係数の材料から形成されている環状摩擦板96
が固定されている。一方、支持ブロック74の下部大径
円柱部76には下方に開放された円形凹部98が形成さ
れている。この円形凹部98の下面は支持テーブル4に
よって閉じられ、後の説明から明らかになる如く、円形
凹部98は空気圧シリンダ機構のシリンダとして機能す
る。支持ブロック74には、更に、実質上に鉛直に延び
る貫通穴100が形成されており、この貫通穴100に
軸102が鉛直方向に滑動自在に装着されている。軸1
02は上部小径円柱部78の上面を越えて上方へ延びて
おり、軸102の上端部には、ベアリング部材106及
び止めリング108によって、歯車110が軸102に
対して軸線方向には移動し得ないが回転自在に装着され
ている。歯車110の下面には、上記摩擦板96に対向
する環状突条112が形成されている。上記円形凹部9
8内に位置する軸102の下端には、空気圧シリンダ機
構のピストンとして機能する円板114が固定されてい
る。支持テーブル4の上面と円板114との間には複数
枚の皿ばねでよい弾性手段116が配設されており、か
かる弾性手段116は円板114(従って、軸102及
びこれに装着された歯車110を上方へ弾性的に偏倚す
る。一方、支持ブロック74の下部大径円柱部76には
、上記円形凹部98の上端に開口した内側端から下部大
径円柱部76の外周面に開口した外側端まで延びる流路
118が形成されている。そして、流路118の外側端
は、適宜の切換弁120を有する管路122を介して圧
縮空気供給源124と大気とに選択的に連通せしめられ
る。流路118が圧縮空気供給源124に連通せしめら
れると、円形凹部98に供給される圧縮空気によって、
弾性手段116の弾性偏倚作用に抗して円板114が図
示の位置まで下降され、従って軸102及び歯車110
は実線で示す連結位置まで下降される。かかる連結位置
においては、歯車110の下面に形成されている環状突
条112が上記摩擦板96に押圧され、かくして歯車1
10が回転部材84に摩擦連結される。一方、流路11
8を大気に連通せしめると、弾性手段116の弾性偏倚
作用によって円板114が上昇せしめられ、従って軸1
02及び歯車110は2点鎖線で示す解除位置に上昇せ
しめられる。かかる解除位置においては、歯車110の
下面に形成されている環状突条112が上記摩擦板96
から上方に離隔し、かくして歯車110と回転部材84
との連結が解除される。更に、チャック6が固定されて
いる上記回転軸24には歯車!26が固定されており、
かかる歯車126は上記歯車110に係合せしめられて
いる。Further, four support blocks 74 are fixed to the upper surface of the support table 4, and are positioned corresponding to the respective angular positions of the workpiece holding chuck 6 (one support block 74 is shown in FIG. 2). (Only shown) Each of these support blocks 74 is equipped with a drive coupling element including a pneumatic clutch. More specifically, each of the support blocks 74 has a lower large-diameter cylindrical portion 76 and an upper small-diameter cylindrical portion 7.
It has 8. A substantially cylindrical rotating member 8 is connected to the upper small diameter cylindrical portion 78 via bearing members 80 and 82.
4 is rotatably attached. The lower surface of the bearing member 80 contacts the upper surface of the large diameter cylindrical portion 76, an annular spacer member 86 is disposed between the bearing member 80 and the bearing member 82, and the upper surface of the bearing member 82 contacts the inner periphery of the rotating member 84. It abuts the underside of an annular flange 88 formed in the surface, thus holding bearing members 80 and 82 in position. An annular member 90 is fixed to the upper surface of the upper small diameter cylindrical portion 78, and the lower surface of the annular member 90 restrains the annular flange 88 of the rotating member 84, thereby preventing the rotating member 84 from moving upward. Ru. An annular flange 92 is formed on the outer peripheral surface of the rotating member 84, and a gear 94 is fixed onto this annular flange 92. This gear 94 is engaged with the gear 72. The upper end of the rotating member 84 is made of a high a material such as synthetic rubber. An annular friction plate 96 formed from a material with a high friction coefficient.
is fixed. On the other hand, the lower large-diameter cylindrical portion 76 of the support block 74 is formed with a circular recess 98 that is open downward. The lower surface of this circular recess 98 is closed by the support table 4, and as will become clear from the later description, the circular recess 98 functions as a cylinder of a pneumatic cylinder mechanism. The support block 74 is further formed with a through hole 100 that extends substantially vertically, and a shaft 102 is mounted in the through hole 100 so as to be slidable in the vertical direction. axis 1
02 extends upwardly beyond the upper surface of the upper small-diameter cylindrical portion 78, and a gear 110 is attached to the upper end of the shaft 102 so as to be movable in the axial direction relative to the shaft 102 by means of a bearing member 106 and a retaining ring 108. Although it is not, it is attached so that it can rotate freely. An annular protrusion 112 facing the friction plate 96 is formed on the lower surface of the gear 110. Said circular recess 9
A disk 114 is fixed to the lower end of the shaft 102 located within the cylinder 8, which functions as a piston of the pneumatic cylinder mechanism. An elastic means 116, which may be a plurality of disc springs, is disposed between the upper surface of the support table 4 and the disk 114. The gear 110 is elastically biased upward. On the other hand, the lower large-diameter cylindrical portion 76 of the support block 74 has an inner end that opens at the upper end of the circular recess 98 and an opening on the outer peripheral surface of the lower large-diameter cylindrical portion 76. A flow passage 118 is formed extending to an outer end, and the outer end of the flow passage 118 is selectively communicated with a compressed air source 124 and the atmosphere via a conduit 122 having a suitable switching valve 120. When the flow path 118 is brought into communication with the compressed air supply source 124, the compressed air supplied to the circular recess 98 causes
The disc 114 is lowered against the elastic biasing action of the elastic means 116 to the position shown, so that the shaft 102 and the gear 110
is lowered to the connection position shown by the solid line. In this connected position, the annular protrusion 112 formed on the lower surface of the gear 110 is pressed against the friction plate 96, and thus the gear 1
10 is frictionally coupled to rotating member 84 . On the other hand, the flow path 11
8 is brought into communication with the atmosphere, the disk 114 is raised by the elastic biasing action of the elastic means 116, so that the shaft 1
02 and gear 110 are raised to the release position shown by the two-dot chain line. In this release position, the annular protrusion 112 formed on the lower surface of the gear 110 touches the friction plate 96.
and thus gear 110 and rotating member 84
The connection with is canceled. Furthermore, the rotating shaft 24 to which the chuck 6 is fixed has a gear! 26 is fixed,
The gear 126 is engaged with the gear 110.
上述した通りのチャック回転手段においては、共通の駆
動源68と複数個(4個)のチャック6の各々との間に
配設されている駆動連結手段が、クラッチ手段(回転部
材84に固定された摩擦板96と歯車110に形成され
た環状突条112等)を含んでいる。従って、複数個の
チャック6の各々の回転を別個独立に制御することがで
きる。即ち、歯車110を実線で示す連結位置に下降せ
しめると、駆動源68の回転が中央回転軸52.歯車7
2.歯車941回転部材84.摩擦板96゜歯車110
及び歯車126を介してチャック6に伝動され、かくし
てチャック6が回転される。歯車110を2点鎖線で示
す解除位置に上昇せしめると、摩擦板96と歯車110
との間の連結が解除され、従ってチャック6の回転が停
止される。In the chuck rotation means as described above, the drive connection means disposed between the common drive source 68 and each of the plurality of (four) chucks 6 is a clutch means (fixed to the rotation member 84). the friction plate 96 and the annular protrusion 112 formed on the gear 110, etc.). Therefore, the rotation of each of the plurality of chucks 6 can be controlled separately and independently. That is, when the gear 110 is lowered to the connected position shown by the solid line, the rotation of the drive source 68 is caused by the rotation of the central rotation shaft 52. gear 7
2. Gear 941 rotating member 84. Friction plate 96° gear 110
and is transmitted to the chuck 6 via the gear 126, thus rotating the chuck 6. When the gear 110 is raised to the release position shown by the two-dot chain line, the friction plate 96 and the gear 110
The connection between the chuck 6 and the chuck 6 is released, and the rotation of the chuck 6 is therefore stopped.
歯車110が2点鎖線で示す解除位置に上昇せしめられ
ると直ちにチャック6の回転が停止せしめられるように
なすために、所望ならば、歯車110の上昇に同期して
チャック6に作用するブレーキ手段(図示していない)
を設けることもできる。In order to stop the rotation of the chuck 6 as soon as the gear 110 is raised to the release position indicated by the chain double-dashed line, if desired, a brake means ( (not shown)
It is also possible to provide
1個の共通駆動源68を使用しているにもかかわらず、
複数個のチャック6の各々の回転を別個独立に制御する
ことができる故に、例えば、研削域B、C及びD(第1
図)に夫々存在する3個のチャック6は回転せしめて研
削域B、C及びDにおいて夫々研削作業を遂行し、一方
被加工物取出及び装着域A(第1図)に存在するチャッ
ク6は停止せしめて被加工物取出及び装着域Aにおいて
被加工物取出及び装着作業を遂行し、かくして作業能率
を向上せしめることができる。所望ならば、チャック6
の各々に位置検出器(図示していない)を付設せしめて
クラッチ手段の連結及び解除を自動的に制御し、チャッ
ク6の各々が少なくとも研削域B、C及びDに存在する
間はチャック6を回転せしめ、チャック6の各々が少な
くとも被加工物装着及び取出域Aに存在する間はチャッ
ク6を停止せしめることもできる。Despite using one common drive source 68,
Since the rotation of each of the plurality of chucks 6 can be controlled separately and independently, for example, the grinding areas B, C and D (first
The three chucks 6 in FIG. 1 are rotated to perform grinding operations in the grinding zones B, C, and D, respectively, while the chuck 6 in the workpiece removal and loading zone A (FIG. 1) It is possible to stop the workpiece and carry out the workpiece unloading and loading work in the workpiece unloading and loading area A, thus improving work efficiency. If desired, chuck 6
A position detector (not shown) is attached to each of the chucks 6 to automatically control the engagement and disengagement of the clutch means so that the chucks 6 are kept at least while each of the chucks 6 is in the grinding zones B, C and D. It is also possible to rotate the chucks 6 and to stop the chucks 6 at least while each of the chucks 6 is in the workpiece loading and unloading area A.
図示の具体例においては、更に、支持テーブル4上には
、適宜の支持手段(図示していない)によって保護カバ
ー128.130及び132も配設されている。かかる
保護カバー128,130及び132は、後述する通り
にしてチャック6上に保持された被加工物を研削砥石8
によって研削する際に使用される水でもよい冷却液或い
は生成される研削屑が、支持テーブル4上に配設された
上述した通りの種々の回転支持構造及び伝動要素内に進
入するのを防止する。In the embodiment shown, protective covers 128, 130 and 132 are also arranged on the support table 4 by suitable support means (not shown). These protective covers 128, 130 and 132 are used to protect the workpiece held on the chuck 6 from the grinding wheel 8 as described below.
This prevents the coolant, which may be water, used during grinding or the generated grinding debris from entering the various rotary support structures and transmission elements as described above, which are arranged on the support table 4. .
第1図に符号B、C及びDで示す研削域の各々において
は、支持テーブル4に隣接せしめて研削砥石組立体が配
設されている(第1図においては、図面の明瞭化のため
に研削砥石組立体における研削砥石8のみを2点鎖線で
面略に図示している)。In each of the grinding zones designated B, C and D in FIG. 1, a grinding wheel assembly is arranged adjacent to the support table 4 (in FIG. Only the grinding wheel 8 in the grinding wheel assembly is schematically illustrated by a two-dot chain line).
研削域B、C及びDに配設されている研削砥石組立体の
構成は実質上同一でよく、第2図には1個の研削砥石組
立体が図示されている。第2図を参照して説明すると、
全体を番号134で示す図示の研削砥石組立体は、支持
テーブル4の周縁に隣接して位置せしめられた静止支持
基台136を有する。この基台136上には、適宜の支
持手段(図示していない)によって第2図において左右
方向に実質上水平に移動自在に水平動ブロック138が
装着されている。水平動ブロック138の移動方向は、
支持テーブル4の半径方向と実質上合致しているのが好
ましい。基台136と水平動ブロック138との間には
、電動モータでよい駆動源を含む第1の砥石移動手段1
40が介在せしめられており、かかる第1の砥石移動手
段140によって水平動ブロック138が移動せしめら
れる。The construction of the grinding wheel assemblies disposed in grinding zones B, C and D may be substantially the same, with one grinding wheel assembly being shown in FIG. To explain with reference to Figure 2,
The illustrated grinding wheel assembly, indicated generally by the numeral 134, has a stationary support base 136 positioned adjacent the periphery of the support table 4. A horizontally movable block 138 is mounted on the base 136 so as to be movable substantially horizontally in the left-right direction in FIG. 2 by suitable support means (not shown). The moving direction of the horizontal movement block 138 is
Preferably, it substantially coincides with the radial direction of the support table 4. Between the base 136 and the horizontal movement block 138, a first grindstone moving means 1 including a drive source, which may be an electric motor, is provided.
40 is interposed, and the horizontal movement block 138 is moved by the first grindstone moving means 140.
水平動ブロック138には、適宜の支持手段(図示して
いない)を介して鉛直動ブロック142が実質上鉛直に
昇降動自在に装着されている。そして、水平動ブロック
138と鉛直動ブロック142との間には、電動モータ
でよい駆動源を含む第2の砥石移動手段144が介在せ
しめられており、かかる第2の砥石移動手段144によ
って鉛直動ブロック142が昇降動せしめられる。鉛直
動ブロック142には、回転軸146が回転自在に装着
されている。そして、鉛直動ブロック142から下方に
突出している回転軸146の下端に、所謂カップ型研削
ホイールであるのが好ましい研削ホイール148が固定
されている。図示の研削ホイール148は、上記回転軸
146の下端に固定された逆カップ形状の支持体150
と、この支持体150の円環状開口端に固定された研削
砥石8とから構成されている。研削砥石8は全体として
円環状であるのが好ましいが、図示の如く環状に連続し
て延びるものに限られず、複数個の弧状片を周方向に間
隔を置いて支持体150の環状開口端に固定することに
よって全体として円環状にせしめられたものも好都合に
使用することができる。A vertically movable block 142 is attached to the horizontally movable block 138 via appropriate support means (not shown) so as to be movable up and down substantially vertically. A second grindstone moving means 144 including a drive source, which may be an electric motor, is interposed between the horizontal movement block 138 and the vertical movement block 142. Block 142 is moved up and down. A rotary shaft 146 is rotatably mounted on the vertical motion block 142. A grinding wheel 148, preferably a so-called cup-shaped grinding wheel, is fixed to the lower end of a rotating shaft 146 that projects downward from the vertical motion block 142. The illustrated grinding wheel 148 has an inverted cup-shaped support 150 fixed to the lower end of the rotating shaft 146.
and a grinding wheel 8 fixed to the annular open end of this support 150. Although it is preferable that the grinding wheel 8 has an annular shape as a whole, it is not limited to the one that extends continuously in an annular shape as shown in the figure, but may include a plurality of arcuate pieces arranged at intervals in the circumferential direction at the annular open end of the support 150. It is also possible to advantageously use a device which is fixed to form an annular shape as a whole.
上記回転輪146は、鉛直動ブロック142に装着され
ている電動モータでよい砥石回転手段152に駆動連結
されており、この砥石回転手段15’2によって回転軸
146及びこれに固定された研削ホイール148が、回
転軸146の中心軸線154を中心として回転せしめら
れる。中心軸線154は、実質上鉛直に延びることがで
きる。所望ならば、中心軸線154を所定の方向、例え
ば第2図において下方に向って右方に若干の角度(例え
ば0.004度乃至0.01度程度)傾斜せしめること
もできる。研削砥石8自体は、天然又は合成ダイヤモン
ド粒或いは立方晶窒化硼素粒の如き超砥粒を適宜の方式
によって結合することによって形成されたものであるの
が好都合である。粗研削域Bにおいて使用される研削砥
石8の砥粒粒度は比較的大きく、中間研削域Cにおいて
使用される研削砥石8の砥粒粒度は中間の大きさで、仕
上げ研削域りにおいて使用される研削砥石8の砥粒粒度
は比較的小さいのが好ましい。The rotating wheel 146 is drivingly connected to a grindstone rotating means 152, which may be an electric motor, mounted on the vertical motion block 142, and the grinding wheel rotating means 15'2 causes a rotating shaft 146 and a grinding wheel 148 fixed thereto. is rotated about the central axis 154 of the rotating shaft 146. Central axis 154 can extend substantially vertically. If desired, the central axis 154 can be tilted in a predetermined direction, for example, downward and to the right in FIG. 2 by a slight angle (for example, about 0.004 degrees to 0.01 degrees). The grinding wheel 8 itself is advantageously formed by bonding superabrasive grains, such as natural or synthetic diamond grains or cubic boron nitride grains, in any suitable manner. The abrasive grain size of the grinding wheel 8 used in the rough grinding area B is relatively large, and the abrasive grain size of the grinding wheel 8 used in the intermediate grinding area C is intermediate in size, and is used in the finish grinding area. It is preferable that the abrasive grain size of the grinding wheel 8 is relatively small.
次に、上述した通りの表面研削装置による半導体ウェー
への表面研削様式について説明する。Next, a method of surface grinding a semiconductor wafer using the surface grinding apparatus as described above will be explained.
第1の表面研削様式においては、支持テーブル −4は
、第1図に図示する角度位置から90度毎間けつ的に矢
印12で示す方向に回転せしめられる。In the first surface grinding mode, the support table 4 is rotated in the direction indicated by arrow 12 in increments of 90 degrees from the angular position shown in FIG.
従って、支持テーブル4に装着されている4個のチャッ
ク6の各々は、順次に、被加工物取出及び装着域A、粗
研削域B、中間研削域C及び仕上げ研削域りに位置付け
られる。チャック6が被加工物取出及び装着域Aに位置
せしめられている間には、上述した如く既に表面が研削
された半導体ウェーハWが適宜の取出手段(図示してい
ない)によってチャック6上から取出される。次いで、
表面を研削すべき新たな半導体ウェーハWが、第1図及
び第2図に2点鎖線で図示する如く、適宜の装着手段(
図示していない)によってチャック6上に載置され、上
述した如くしてチャック6上に吸着保持される。かよう
な半導体ウェーハWの取出及び装着の際には、上記クラ
ッチ手段(回転部材84に固定された摩擦板96と歯車
110に形成された環状突条112等)が離脱状態にせ
しめられ、チャック6の回転が停止せしめられる。Therefore, each of the four chucks 6 mounted on the support table 4 is sequentially positioned in the workpiece removal and mounting area A, the rough grinding area B, the intermediate grinding area C, and the finish grinding area. While the chuck 6 is positioned in the workpiece removal and mounting area A, the semiconductor wafer W whose surface has already been ground as described above is removed from the chuck 6 by an appropriate removal means (not shown). be done. Then,
A new semiconductor wafer W whose surface is to be ground is attached to an appropriate mounting means (as shown by the two-dot chain line in FIGS. 1 and 2).
(not shown) on the chuck 6, and is held by suction on the chuck 6 as described above. When such a semiconductor wafer W is taken out and mounted, the clutch means (friction plate 96 fixed to the rotating member 84, annular protrusion 112 formed on the gear 110, etc.) is brought into a disengaged state, and the chuck 6 is stopped.
研削域B、C及びDの各々における研削は、次の通りに
して遂行することができる。主として第1図を参照して
説明すると、支持テーブル4の回転が停止されて支持テ
ーブル4が特定角度位置に停止せしめられると、研削域
B、C及びDの各々においては、チャック6上に保持さ
れた半導体ウェーハWの上方に研削砥石8が位置する。Grinding in each of grinding zones B, C and D can be accomplished as follows. Mainly referring to FIG. 1, when the rotation of the support table 4 is stopped and the support table 4 is stopped at a specific angular position, in each of the grinding areas B, C, and D, the support table 4 is held on the chuck 6. A grinding wheel 8 is located above the semiconductor wafer W that has been polished.
半導体ウェーハWに対する研削砥石8の相対的位置は、
第1図及び第2図に図示する如く、略円板形状の半導体
ウェーハW(半導体ウェーハWは、一般に、オリエンテ
ーションフラットと称される直線状周縁を除き実質上円
形である)の表面の実質上中心を、研削砥石8の研削縁
が通るようにせしめるのが好ましい。かような要件を充
足するために、第1図及び第2図においては、半導体ウ
ェーハWの中心軸線(第1図において紙面に垂直な方向
に延び、第2図において上下方向に延びる)に対して研
削砥石8の中心軸線154(第2図)を、支持テーブル
4の半径方向外方に変位せしめているが、所望ならば他
の方向、例えば第3図に図示する如く支持テーブル4の
周方向に変位せしめることもできる。半導体ウェーハW
の表面を研削する際には、上記クラッチ手段を連結状態
にせしめてチャック6及びその上に保持された半導体ウ
ェーハWを矢印156で示す方向(或いは逆方向)に、
例えば1乃至100rpn+程度で回転せしめる。同時
に、砥石回転手段152(第2図)によって研削砥石8
を矢印158で示す方向(或いは逆方向)に比較的高速
、例えば500乃至5000rpm程度で回転せしめる
。そして、第2の砥石移動手段144によって鉛直動ブ
ロック142を比較的低速、例えば0.001乃至1.
0tm/分で下降せしめ(第2図)、かくして研削砥石
8を半導体ウェーハWに向けて下降せしめる。かくする
と、回転せしめられている研削砥石8が回転せしめられ
ている半導体ウェーハWに作用し、これによって研削深
さを漸次増大せしめながら半導体ウェーハWの表面が研
削される。半導体ウェーハWの表面の研削深さは、研削
砥石8の下降量によって規定される。The relative position of the grinding wheel 8 with respect to the semiconductor wafer W is
As shown in FIGS. 1 and 2, the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer W (a semiconductor wafer W is generally circular except for a linear periphery called an orientation flat) is substantially It is preferable to allow the grinding edge of the grinding wheel 8 to pass through the center. In order to satisfy such requirements, in FIGS. 1 and 2, the central axis of the semiconductor wafer W (extending in the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 1, and extending in the vertical direction in FIG. 2) is The center axis 154 (FIG. 2) of the grinding wheel 8 is displaced radially outward of the support table 4, but if desired, it can be displaced in other directions, for example around the circumference of the support table 4 as shown in FIG. It can also be displaced in the direction. Semiconductor wafer W
When grinding the surface of , the clutch means is engaged and the chuck 6 and the semiconductor wafer W held thereon are moved in the direction indicated by the arrow 156 (or in the opposite direction).
For example, it is rotated at about 1 to 100 rpm+. At the same time, the grinding wheel 8 is rotated by the grinding wheel rotating means 152 (FIG. 2).
is rotated in the direction shown by arrow 158 (or in the opposite direction) at a relatively high speed, for example, about 500 to 5000 rpm. Then, the second grindstone moving means 144 moves the vertical motion block 142 at a relatively low speed, for example, 0.001 to 1.
The grinding wheel 8 is lowered at a rate of 0 tm/min (FIG. 2), thus lowering the grinding wheel 8 toward the semiconductor wafer W. In this way, the rotating grinding wheel 8 acts on the rotating semiconductor wafer W, thereby grinding the surface of the semiconductor wafer W while gradually increasing the grinding depth. The depth of grinding of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the amount by which the grinding wheel 8 is lowered.
かような表面研削様式において、研削砥石8の研削縁と
半導体ウェーハWの表面の実質上中心との間に若干のず
れが存在すると、容易に理解される如く、半導体ウェー
ハWの表面の中心領域に幾分かの非研削突起が残留する
。かかる場合には、研削砥石8を所定量下降せしめた後
に、水平動ブロック138を幾分かの範囲に渡って往復
動せしめることによって、半導体ウェーハWの表面に対
して研削砥石8を幾分かの範囲に渡って往復動せしめ、
これによって上記非研削突起を研削して消失せしめるこ
とができる。半導体ウェーハWの表面が所要通りに研削
されると、研削砥石8が上昇せしめられ、そして研削砥
石8の回転が停止される。In such a surface grinding mode, if there is a slight deviation between the grinding edge of the grinding wheel 8 and the substantially center of the surface of the semiconductor wafer W, as is easily understood, the central region of the surface of the semiconductor wafer W Some unground protrusions remain. In such a case, by lowering the grinding wheel 8 by a predetermined amount and then reciprocating the horizontal movement block 138 over a certain range, the grinding wheel 8 may be moved slightly against the surface of the semiconductor wafer W. reciprocate over a range of
This allows the non-ground protrusions to be ground and disappear. When the surface of the semiconductor wafer W is ground as required, the grinding wheel 8 is raised and the rotation of the grinding wheel 8 is stopped.
しかる後に、支持テーブル4を90度面回転しめる。After that, the support table 4 is rotated 90 degrees.
上記の通りの第1の表面研削様式に代えて、次の通りの
第2の表面研削様式を遂行することもできる。この第2
の表面研削様式においては、研削開始時には、第4図に
2点鎖線8Aで示す如く、研削砥石8はチャック6上に
保持されている半導体ウェーハWの外側に位置せしめら
れる。そして、研削砥石8の上下方向位置は、所要研削
深さに設定、即ち研削砥石8の下端が所要研削深さだけ
半導体ウェーハWの表面よりも下方になるように設定さ
れる。そして、上記第1の表面研削様式の場合と同様に
、チャック6及びその上に保持されている半導体ウェー
ハWを矢印156で示す方向(或いは逆方向)に比較的
高速で回転せしめると共に、研削砥石8を矢印158で
示す方向(或いは逆方向)に比較的高速で回転せしめる
。そして更に、第1の砥石移動手段140によって水平
動ブロック138を第2図において左方に比較的低速、
例えば100乃至50(tm/分で移動せしめ、かくし
て研削砥石8を第4図において2点鎖線8Aで示す位置
から2点鎖線8Bで示す位置まで矢印160で示す方向
に移動せしめる。第4図に2点tW線8Bで示すところ
の研削砥石8の位置は、第1図に2点鎖線で示すところ
の研削砥石8の位置と同一でよい、かくすると、回転せ
しめられている研削砥石8が、矢印160で示す方向へ
の移動に応じて半導体ウェーハWの周縁から中心に向け
て漸次作用して半導体ウェーハWの表面を研削する。半
導体ウェーハWの表面の研削深さは、研削砥石8の初期
設定研削深さによって規定される。Instead of the first surface grinding mode as described above, a second surface grinding mode as follows can also be performed. This second
In this surface grinding mode, at the start of grinding, the grinding wheel 8 is positioned outside the semiconductor wafer W held on the chuck 6, as shown by a two-dot chain line 8A in FIG. The vertical position of the grinding wheel 8 is set to a required grinding depth, that is, the lower end of the grinding wheel 8 is set to be below the surface of the semiconductor wafer W by the required grinding depth. Then, as in the case of the first surface grinding method, the chuck 6 and the semiconductor wafer W held thereon are rotated at a relatively high speed in the direction indicated by the arrow 156 (or in the opposite direction), and the grinding wheel is rotated at a relatively high speed. 8 is rotated at a relatively high speed in the direction shown by arrow 158 (or in the opposite direction). Furthermore, the first grindstone moving means 140 moves the horizontally movable block 138 to the left in FIG. 2 at a relatively low speed.
For example, the grinding wheel 8 is moved at a rate of 100 to 50 tm/min in the direction shown by the arrow 160 from the position shown by the two-dot chain line 8A to the position shown by the two-dot chain line 8B in FIG. The position of the grinding wheel 8 shown by the two-point tW line 8B may be the same as the position of the grinding wheel 8 shown by the two-dot chain line in FIG. The surface of the semiconductor wafer W is ground by gradually acting from the periphery toward the center of the semiconductor wafer W as it moves in the direction indicated by the arrow 160.The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is equal to the initial Defined by the set grinding depth.
上記第1及び第2の表面研削様式に代えて、次の通りの
第3の表面研削様式を遂行することもできる。主として
第1図を参照して説明すると、上記第1及び第2の表面
研削様式においては、研削の際には支持テーブル4は特
定角度位置に停止せしめられていたが、第3の表面研削
様式においては、チャック6上に保持された半導体ウェ
ーハWが研削域B、C及びDを矢印12で示す方向に連
゛続的に移動して研削砥石8を通過するように、支持テ
ーブル4が矢印12で示す方向に連続的に比較的低速、
例えばチャック6上に保持された半導体ウェーハWの矢
印12で示す方向への移動速度で1000/分乃至50
0w5/分程度の速度で回転せしめられる。一方、研削
砥石83は、第3図に2点鎖線で示す位置(或いは第1
図に2点鎖線で示す位置乃至それより幾分半径方向内側
の位置)において、所要研削深さに設定、即ち研削砥石
8の下端が所要深さだけ半導体ウェーハWの表面よりも
下方になるように設定される。そして、上記第1及び第
2の表面研削様式の場合と同様に、少なくとも研削域B
、C及びDにおいてはチャック6上に保持された半導体
ウェーハWが矢印156で示す方向(或いは逆方向)に
比較的高速で回転せしめられると共に、研削砥石8が矢
印158で示す方向(或いは逆方向)に比較的高速で回
転せしめられる。かくして、支持テーブル4の連続的回
転によってチャック6上に保持されたウェーハWが研削
砥石8を通過する際に、回転せしめられている研削砥石
8が回転せしめられている半導体ウェーハWの表面に作
用して研削する。半導体ウェーハWの表面の研削深さは
、研削砥石8の初期設定研削深さによって規定される。Instead of the first and second surface grinding modes described above, a third surface grinding mode as follows can also be performed. Explaining mainly with reference to FIG. 1, in the first and second surface grinding modes, the support table 4 was stopped at a specific angle position during grinding, but in the third surface grinding mode, the support table 4 was stopped at a specific angle position. , the support table 4 is moved in the direction indicated by the arrow so that the semiconductor wafer W held on the chuck 6 continuously moves through the grinding zones B, C, and D in the direction indicated by the arrow 12 and passes the grinding wheel 8. Continuously at a relatively low speed in the direction indicated by 12,
For example, the moving speed of the semiconductor wafer W held on the chuck 6 in the direction shown by the arrow 12 is 1000/min to 50/min.
It is rotated at a speed of about 0w5/min. On the other hand, the grinding wheel 83 is located at the position shown by the two-dot chain line in FIG.
The required grinding depth is set at the position indicated by the two-dot chain line in the figure or a position somewhat radially inward from that position, that is, the lower end of the grinding wheel 8 is set below the surface of the semiconductor wafer W by the required depth. is set to Then, as in the case of the first and second surface grinding modes, at least the grinding area B
, C and D, the semiconductor wafer W held on the chuck 6 is rotated at a relatively high speed in the direction shown by the arrow 156 (or in the opposite direction), and the grinding wheel 8 is rotated in the direction shown by the arrow 158 (or in the opposite direction). ) is rotated at a relatively high speed. Thus, when the wafer W held on the chuck 6 passes through the grinding wheel 8 due to the continuous rotation of the support table 4, the rotating grinding wheel 8 acts on the surface of the semiconductor wafer W being rotated. and grind. The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the initial setting grinding depth of the grinding wheel 8.
以上、添付図面を参照して本発明に従って構成された表
面研削装置の一具体例について詳細に説明したが、本発
明はかかる具体例に限定されるものではなく、本発明の
範囲を逸脱することな(種々の変形乃至修正が可能であ
ることは勿論である。Although a specific example of a surface grinding device configured according to the present invention has been described above in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to such specific example, and there may be no deviation from the scope of the present invention. (Of course, various modifications and modifications are possible.
〈発明の効果〉
本発明に従って構成された表面研削装置の一具体例につ
いての上記説明から明らかな如く、本発明に従って構成
された表面研削装置においては、半導体ウェーハWの如
き被加工物の表面の研削の際には、研削砥石8が回転せ
しめられると共に、被加工物も回転せしめられる。それ
故に、図示の具体例においては被加工物の外径よりも相
当大きな外径を有する研削砥石8を使用しているが、研
削砥石8の外径が被加工物の外径と略同−或いはそれよ
りも幾分小さい場合でも、被加工物の表面全体を一様に
研削することができる。従って、例えば半導体ウェーハ
Wが大径化しても、これに応じて研削砥石8を大径化す
ることが必ずしも必要でない。また、研削の際の被加工
物と研削砥石8との相対的移動は、少なくとも研削砥石
8の回転と被加工物の回転との双方によって規定され、
従って、研削砥石8による被加工物の表面の研削軌跡は
、被加工物の表面全体に渡って種々の方向に延在する著
しく複雑なものになる。それ故に、研削抵抗が比較的小
さく且つ研削抵抗の変動が充分に小さく、被加工物の表
面全体に渡って充分に均一な研削を遂行することができ
る。加えて、複数個のチャック6を回転せしめるのに1
個の共1i11’lU動源68を使用しているにもかか
わらず、共通駆動源68と複数個のチャック6の各々と
の間の駆動連結手段の各々にクラッチ手段を組込んでい
る故に、製作コストの増大を必要最小限度にせしめて、
複数個のチャック6の各々の回転を別個独立に制御する
ことが可能化せしめられており、それ故に、特定のチャ
ックにおいてはその回転を停止せしめて被加工物の取出
及び装着を遂行し、かかる間にも他のチャックにおいて
はチャックを回転せしめて被加工物の研削を遂行し、か
くして研削効率を向上せしめることができる。<Effects of the Invention> As is clear from the above description of a specific example of a surface grinding apparatus constructed according to the present invention, the surface grinding apparatus constructed according to the present invention can improve the surface of a workpiece such as a semiconductor wafer W. During grinding, the grinding wheel 8 is rotated, and the workpiece is also rotated. Therefore, in the illustrated example, a grinding wheel 8 having an outer diameter considerably larger than the outer diameter of the workpiece is used, but the outer diameter of the grinding wheel 8 is approximately the same as the outer diameter of the workpiece. Or even if it is somewhat smaller than that, the entire surface of the workpiece can be uniformly ground. Therefore, for example, even if the diameter of the semiconductor wafer W increases, it is not necessarily necessary to increase the diameter of the grinding wheel 8 accordingly. Further, the relative movement between the workpiece and the grinding wheel 8 during grinding is defined by at least both the rotation of the grinding wheel 8 and the rotation of the workpiece,
Therefore, the grinding locus of the surface of the workpiece by the grinding wheel 8 becomes extremely complex and extends in various directions over the entire surface of the workpiece. Therefore, the grinding resistance is relatively small, the fluctuations in the grinding resistance are sufficiently small, and sufficiently uniform grinding can be achieved over the entire surface of the workpiece. In addition, in order to rotate a plurality of chucks 6, one
Although the common drive source 68 is used, a clutch means is incorporated in each of the drive connection means between the common drive source 68 and each of the plurality of chucks 6. By keeping the increase in production costs to the minimum necessary,
It is possible to control the rotation of each of the plurality of chucks 6 separately and independently. Therefore, in a particular chuck, the rotation is stopped to perform the removal and loading of the workpiece, and the Meanwhile, in other chucks, the chuck can be rotated to perform grinding of the workpiece, thus improving the grinding efficiency.
第1図は、本発明に従って構成された表面研削装置の一
具体例の主要構成要素を示す簡略平面図。
第2図は、第1図の表面研削装置の一部を示す断面図。
第3図及び第4図は、第1図の表面研削装置による表面
研削様式の変形例を説明するための簡略部分平面図。
4・・・支持テーブル(支持台)
6・・・被加工物保持チャック
8・・・研削砥石FIG. 1 is a simplified plan view showing the main components of a specific example of a surface grinding apparatus constructed according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a part of the surface grinding device shown in FIG. 1. 3 and 4 are simplified partial plan views for explaining a modification of the surface grinding style by the surface grinding device shown in FIG. 1. FIG. 4... Support table (support stand) 6... Workpiece holding chuck 8... Grinding wheel
Claims (1)
隔を置いて該支持テーブルに回転自在に装置された複数
個の被加工物保持チャックと、該チャック上に保持され
た被加工物の表面を研削するための、回転自在に装着さ
れた研削砥石と、該テーブルを回転駆動せしめるための
テーブル回転手段と、該チャックを回転駆動せしめるた
めのチャック回転手段と、該研削砥石を回転せしめるた
めの研削砥石回転手段とを具備し、該チャック回転手段
は、1個の共通駆動源と、該共通駆動源と該チャックの
各々との間に夫々配設された複数個の駆動連結手段を含
み、該駆動連結手段の各々は、連結及び離脱を制御する
ためのクラッチ手段を有する、ことを特徴とする表面研
削装置。 2、該クラッチ手段は圧力空気によって制御される空気
圧クラッチである、特許請求の範囲第1項記載の表面研
削装置。 3、該テーブルの周方向に間隔を置いて、1個の被加工
物取出及び装着域と複数個の研削域が規定されており、
該研削域の各々に該研削砥石が設けられている、特許請
求の範囲第1項又は第2項記載の表面研削装置。 4、該チャックの各々が少なくとも該研削域のいずれか
に存在する間は、対応する該クラッチ手段が連結状態に
せしめられ、該チャックの各々が少なくとも該被加工物
取出及び装着域に存在する間は、対応する該クラッチ手
段が離脱状態にせしめられる、特許請求の範囲第3項記
載の表面研削装置。 5、該研削砥石は全体として円環形状であり、該研削砥
石の回転中心軸線は該チャックの回転中心軸線と略平行
に配置されている、特許請求の範囲第1項乃至第4項の
いずれかに記載の表面研削装置。 6、該研削砥石はその回転中心軸線方向に移動自在に装
着されていて、該研削砥石をその回転中心軸線方向に移
動せしめるための砥石移動手段が設けられており、該チ
ャック上に保持された被加工物の表面を該研削砥石によ
って研削する際には、該テーブルは該研削砥石に対して
該チャック上に保持された被加工物が所定関係になる所
定角度位置に停止せしめられ、該研削砥石は該砥石移動
手段によって該チャックに向けて移動せしめられ、かく
して被加工物の表面の研削深さが漸次増大せしめられる
、特許請求の範囲第5項記載の表面研削装置。 7、該被加工物は略円板形状であり、該テーブルが該所
定角度位置に停止せしめられると、該研削砥石の外周縁
が被加工物の表面の実質上中心を通るように該研削砥石
に対して被加工物が位置付けられる、特許請求の範囲第
6項記載の表面研削装置。 8、該チャック上に保持された被加工物の表面を該研削
砥石によって研削する際には、該テーブルは該テーブル
回転手段によって連続的に回転せしめられ、かくして該
チャック上に保持された被加工物が該研削砥石を通過せ
しめられる、特許請求の範囲第5項記載の表面研削装置
。 9、該研削砥石はその回転中心軸線に対して略垂直な方
向に移動自在に装着されていて、該研削砥石をその回転
中心軸線に対して略垂直な方向に移動せしめられるため
の砥石移動手段が設けられており、該チャック上に保持
された被加工物の表面を該研削砥石によって研削する際
には、該テーブルは所定角度位置に停止せしめられ、該
研削砥石は該チャック上に保持された被加工物の周縁か
ら中心に向けて該砥石移動手段によって移動せしめられ
、かくして被加工物の表面がその周縁から中心に向けて
漸次研削せしめられる、特許請求の範囲第5項記載の表
面研削装置。 10、該被加工物の略円板形状であり、該研削砥石はそ
の外周縁が被加工物の表面の実質上中心を通る位置まで
該砥石移動手段によって移動せしめられる、特許請求の
範囲第9項記載の表面研削装置。 11、被加工物は半導体ウェーハである、特許請求の範
囲第1項乃至第10項のいずれかに記載の表面研削装置
。[Claims] 1. A support table rotatably mounted, a plurality of workpiece holding chucks rotatably mounted on the support table at intervals in the circumferential direction, and workpieces held on the chucks. a grinding wheel rotatably mounted for grinding the surface of a processed workpiece; a table rotation means for rotationally driving the table; a chuck rotation means for rotationally driving the chuck; A grinding wheel rotation means for rotating the grinding wheel is provided, and the chuck rotation means includes one common drive source and a plurality of chuck rotation means arranged between the common drive source and each of the chucks. 1. A surface grinding device comprising: drive coupling means, each drive coupling means having clutch means for controlling engagement and disengagement. 2. The surface grinding device according to claim 1, wherein the clutch means is a pneumatic clutch controlled by pressurized air. 3. One workpiece removal and mounting area and a plurality of grinding areas are defined at intervals in the circumferential direction of the table,
The surface grinding device according to claim 1 or 2, wherein each of the grinding zones is provided with the grinding wheel. 4. While each of the chucks is present at least in any of the grinding zones, the corresponding clutch means is brought into a connected state, and while each of the chucks is present at least in any of the workpiece removal and loading zones; 4. A surface grinding device according to claim 3, wherein the corresponding clutch means is placed in a disengaged state. 5. Any one of claims 1 to 4, wherein the grinding wheel has an annular shape as a whole, and the center axis of rotation of the grinding wheel is arranged substantially parallel to the center axis of rotation of the chuck. The surface grinding device described in Crab. 6. The grinding wheel is mounted so as to be movable in the direction of its rotational center axis, and a grindstone moving means for moving the grinding wheel in the direction of its rotational center axis is provided, and the grinding wheel is held on the chuck. When the surface of the workpiece is ground by the grinding wheel, the table is stopped at a predetermined angular position where the workpiece held on the chuck is in a predetermined relationship with the grinding wheel, and 6. The surface grinding apparatus according to claim 5, wherein the grindstone is moved toward the chuck by the grindstone moving means, and thus the grinding depth of the surface of the workpiece is gradually increased. 7. The workpiece is approximately disk-shaped, and when the table is stopped at the predetermined angular position, the grinding wheel is moved such that the outer peripheral edge of the grinding wheel passes through substantially the center of the surface of the workpiece. 7. A surface grinding device according to claim 6, wherein the workpiece is positioned against. 8. When the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the table is continuously rotated by the table rotation means, and thus the workpiece held on the chuck is 6. A surface grinding device according to claim 5, wherein an object is forced to pass through the grinding wheel. 9. The grinding wheel is mounted so as to be movable in a direction substantially perpendicular to its rotational center axis, and a grindstone moving means for moving the grinding wheel in a direction substantially perpendicular to its rotational center axis. is provided, and when the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the table is stopped at a predetermined angular position, and the grinding wheel is held on the chuck. The surface grinding method according to claim 5, wherein the grindstone is moved by the grindstone moving means from the periphery of the workpiece toward the center, thereby gradually grinding the surface of the workpiece from the periphery toward the center. Device. 10. Claim 9, wherein the workpiece is approximately disk-shaped, and the grinding wheel is moved by the grindstone moving means to a position where the outer peripheral edge of the grinding wheel passes through substantially the center of the surface of the workpiece. The surface grinding device described in Section 1. 11. The surface grinding apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the workpiece is a semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24624985A JPS62107951A (en) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | Surface grinder |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24624985A JPS62107951A (en) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | Surface grinder |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62107951A true JPS62107951A (en) | 1987-05-19 |
JPH0512099B2 JPH0512099B2 (en) | 1993-02-17 |
Family
ID=17145717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24624985A Granted JPS62107951A (en) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | Surface grinder |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62107951A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0732252A (en) * | 1993-07-22 | 1995-02-03 | Hitachi Ltd | Work autorotation type grinding machining, work autorotation type grinding machine, silicon wafer and ceramic substrate |
JP2002200545A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding device |
JP2008042081A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer grinding device |
JP2018083252A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP24624985A patent/JPS62107951A/en active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0732252A (en) * | 1993-07-22 | 1995-02-03 | Hitachi Ltd | Work autorotation type grinding machining, work autorotation type grinding machine, silicon wafer and ceramic substrate |
JP2002200545A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding device |
JP2008042081A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer grinding device |
JP2018083252A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0512099B2 (en) | 1993-02-17 |
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