JPS62105987A - セラミツク基板の表面平滑化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミ’ｌり基板表面をモ滑にする方法、特
に、セラミック基板表面ＶＣ渠漬回路を形成せしめるの
に４する平滑な表面を有する塗模？形成させる方法の改
良に関する。

セラミック基板は、原料のセラミックス粉末からグリー
ンシートをつくり９次いでこれ全焼成することによりつ
くられているが９適才、その表面は徂である。果偵回路
のＪｋ、撹度の高度化【伴って、セラミック基板の表面
ＶＣ１没けられる回路も微細となり、欠陥のない回路を
形成させるために、この基板にも表面の凹凸が導度て少
ない所謂表面平滑なものが゛１牛れている。

従来の技術 セラミック基板の表面？平滑’ｉｃ　７ｉる方法として
は、研１誘による方法が］〕もれているか、この方法で
は充分な乎臂度が４！Ｊ帷いのみならず、ピンホールが
生起したり、効率もよくｌい免めにこれｖＣｌわる改良
され友方法、が凌つう・提案されている。

その一つは、原料の粒１四分市金調整し、ｔセラミック
ス末を用いる方法である。その二は、基板の表面に仙薬
を施して焼成する方法であり。

その三は７表面平滑止剤２例えば、特開昭６０−１１２
６８５号公報に開示の如きアルコキシンラン類の）ＪＯ
水分解生成オリゴマー浴液を用いこれを層板表面に・六
市後、乾遣し９　焼成する方法である。

発明が解決しようとする間；１点 上記の原料のセラミック粉末の粒度分布１．週整する方
法では、粉末粒子を分級する工程１粒度分布を有する均
一粉体になるまで混会する工程等を要し、！！に焼成に
よって得られた基板の表面も平滑度が尚光分でない。こ
れに対し釉薬を用いる方法によると、かなり平滑な表面
を有する基板が得られるが、釉薬を施して焼成する際７
００〜８００℃もの高温を要し、また、これを施して得
られた表面は波状曲面となっていることが多く、真の平
滑面を得難い。

特開昭６Ｏ−１ｊ２６１３５号に開示の方法は基板の表
面に容易に塗膜を形成させることができ、その塗膜？焼
成する温度も比較的低温であるから効率的であるが、得
られた塗膜の表面は平滑度が光分でなく、更に、この方
法に用いられるアルコキシシラン類の〃０水分解生成オ
リゴマー溶液は光分な安定性を欠くために、この溶液に
よっては品質一定の焼成塗膜を得難い。

セラミック簀阪は、特に東線回路用のものとしては、絶
縁性、（・虜械的強度、・、導体との゛ａ着性。

１耐薬品乍、熱云・４率共に優れ、しかもその表面に形
成される回路の劣化をも・ｔらざないものとして極めて
ｌ憂れたものであるから１表面で形成させた塗！漠によ
って基板の表面全平滑にすることができても、セラミッ
ク基板の浸れた性岨が横われる如き塗膜を形成させる方
法は実用されない、、塗膜全形成させることによる基板
の平滑化方法の改良の困難性は、上記の如くセラミック
基板の優れた性ＩＩヒを損わずに充分に高い平滑度と均
質性の高い膜をセラミック基板表面に形成さｔ得る如き
液剤を見出し堆いことによる。

本発明の目的′は、セラミック基板の浸れた性能を損う
ことなく、この基板の上に均質性及び平滑度共に高い硬
質の＋Ｉ１１を成膜性良好に、しかも簡易かつ効率よく
形成させ得る方法を提供することにある。

問題点を解決するための手段 本発明のセラミック基板表面の平滑化方法は。

Ｓ１０．として１００重量部を含む量の粒子径５〜２０
０ｍμのオルガノシリカゾルと、　　ｓｉｏ、として２
０へ７００重量部を含む量のアルキルシリケートト、該
アルキルシリケートに含まれる珪素１グラム原子に対し
０．５〜７．０モルの水との反応物をぎ有する液剤をセ
ラミック基板の表面に塗布１〜．乾燥した後焼成するこ
とを＃故とする。

本発明のが去は、各１のセラミック基板にＡ用すること
ができる。そのセラミックスの例としては、アルミナ、
ベリリア、マグネシア、ムライト、ステアライト、７オ
ルステライト、はうろう等の酸化物系セラミックス、窒
化珪素、窒仕アルミニウム、炭化珪素等の非酸化物系セ
ラミックスが慣げられる。

本発明の方法・（用いられる液剤は９粒子径５〜２００
１αのオルガノシリカゾルとアルキルシリケートと水と
を特定比率に反応させることによって得られる反応物を
含有する液状体である。

上記オルガノシリカゾルは、有機溶媒中に粒子径５〜２
００１μのコロイダルシリ力が分散さ九た液状体であり
、その有機溶媒の列として：ま。

メタノール、エタノール、インプロパツール。

ブタノール等アルコール類、アセト／、メチルエチルケ
トン、メチルイノブチルケトン−等のケトン類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ヘキサ
ン、ヘプタノ等の脂肪＆炭化水素類、　ベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素頑、シイツブａビル
エーテル、グリコールエーテル等のエーテル類又はそれ
らの混合物等が挙げられる。これらオルガノシリクゾル
は１通ｉ　Ｓｉｎ、とじて５〜５０直肴％のコロイダル
シリカを含有する。その製法としては、公・凡の方法０
例えば１粒径５〜２００１μのコロイダルンリ力の安定
な水性シリカゾルから、これに有機溶媒を添加しながら
水を有機溶媒で蒸盾置換する方法等が挙げられる。

本発明に用いられるアルキルシリケートは。

そのアルキル基が１６鎖の又は分岐鎖を有する炭素原子
ａ１〜４のアルキル着であるテトラアルキルオルトシリ
ケート、上記シリケートの縮合物であ］て亡・、７）縮
合ＩＷが約１０ｃノ、−ドであるアル・キルポリシリケ
ート又は−ｔｈらの混合物序である。？′ｌれら−ｆア
ルルシリケートの列としては。

テトフメチルオルトンリクート７テトラエチルオルトシ
リケート、テトラｎ−プロビルオルトシリク、−ト、テ
トラ１−プロピルオルトシリケート、テトラｎ−ブチル
オルトシリケート、テトラＲＬ３Ｃ−ブチルオルトシリ
ケート、メチルポリシリケート、エチルボリシリケー　
ト等が挙げられる。テトラエチルオルトシリケートとエ
チルポリシリケートの混合物であって。８１へ含有率４
０　重量Ｘの商品名エチルシリケート４０は好ましい例
である。

本発明に用いられる反応物は、　　’１１．０ｊとして
１ｏｅ膚１１部を含む槍のＦ記オルガノシリカゾルと、
　　Ｓｌ、０．として２０〜２００重を部を含む壕の１
−記アルキルシリケートと、このアルキルシリケー　ト
に含まれる珪恵１グラム原子に対して［１，５〜７．０
モルの水と全通線の反応器中で反応させることにより得
られるものである。この反応ｊ″１．８所囁Ｉ／ｒ、応
じ希釈のた７）のｆｉ機溶媒金史、に力１１λノて行わ
ぜてもよ（ハ１．用いられる七機浴・魔とＬ７てンま。

均一な反応系が形成されるようなものがよい１゜ この反応は９通常２００℃以トー。好肇じ〈ｌよ室温〜
約１５ＤＣ，！侍に好士しくは４０℃−湛媒の常圧Ｆの
沸屯程１ｆのＬｇＬ度で行われる５、また。

この反応は、開始期（（は化ぺ的低７１７ｉｉで、イ凝
萌には高めた温度で行わせてもよい、。

更に、この反応は、Ｌ記反応系に１畦Ｉｓ：全添加する
ことにより促進させることがでへる。用いられる触媒の
例と１〜ては、４１便、硫酸、１１肖酸。

１］ん酸。はう酸等の無機酸、ぎ酸、咋曖、蓚峻。

安息＋８　：’！！！、　、　メタ／スルホ／［ｌｊ！
２．パラトルエンスルホン酸等の有機酸、水素型置・イ
オン交換樹脂。

その他金属の・・ｐゲン化物、無機酸４３有機酸塩等が
挙げられる。加える触媒の１１とし２ては。

上記アルキルシリケートに含まれる珪素に対しくＬ１２
−５モルＸ程度が好ましい９．この触媒としては、単独
又は混合し２て、吹いは反応を多段階に分けて進行させ
、それら段階毎に異なる触媒−ｔＳんで用いることもで
きる。

この反応を進行さする時間としてｒよ、本発明の目的と
する改良され九反応物が得られるような時間でよい。

史に１反応のｍｌ　＃　を行い易いようＶＣＩ反応金−
に段階に分けて９反厄温１Ｗ、＠媒、その添加置浄をそ
れら段階別に変えて行なう方法も好ましい。また１反応
物中の８１０．含有率を調節するために反応中に溶媒を
添／’１０したり、或いは蒸留によって６・渫を線傷な
がら反応させたり０反応系に存する水全共弗留去させな
がら反応させる方法等によっても反応２行わせ得る。

本発明に用いられる正則としては、上記原料成分のみ？
反応させてなる反応物の曲０本発明の目的が達成される
限り、更に池の任ぜ尤の成分金上記反応前９反応中又は
反応後にａ口えてもよい。本宅間に用いられる好ましい
代削として（は。

液剤中の８１０．含有率が５０　ｊｌｉ　ｔＸ以丁であ
るものが好ましい。

また、液剤中）アルキルンリゲートに由来するＳ１０．
含有率が１〜１５重駄％であるものが好ましい。

本発明の）５去Ｖｃｔ、−ける七うミック礪板表面に上
記ｇ削を塗布する方法として、・ま、従来から■られＣ
いる任意の方法、向えば、活仮倉、′僕削ＶＣ【（Ｓ鎌
引纜トげる所Ｊ浸漬法１回蝦本七て基板全固定し基板表
面に液剤を、漏下する所謂スピナー法、ソの曲スプレー
、　　ｏ−ル、刷毛浄？用いる方法斗が挙げられる。い
ずれの塗布方法によってもよいが、この塗布によって基
板表面に一様な情模を形成さすることが好ま１−〈、上
記≠ｒｔ法、スピナー法等が特にｑ子ましい。

本発明り方法にち・ける吃燥社０通若の方法。

例えば、自然乾燥１強制乾幀浄のか法：でよって行われ
る。、また１本発明１．７）ｂ去（１少ける′尭成も通
常のが法９例えば、大気中又は飢４ρ−ｊ中力ロ熱する
方法によって４易に行な・ハ得る１、暁りｙ温１紺は基
板の１類にもよるが、７５０℃以に、　＃に５５０℃以
上が好ましい。暁或峙間としても・、体４．孜剤徂成等
に応じ、ａ分〜ａ時間、好ましくは１０−１５０分程度
でよい。

セラミックｆｓ板表面に形成された焼成１令腐のｆ、１
度は、　　ＪＩＳＢ　０６０１　　［表面りらＧＪＶｃ
規定の、中心腺平均あらさＲａのｆｌｆ　Ｋよって容易
にかつ４１！度よく測定することができる。

作　　用 オルガノシリカゾルにアルキルシリケート又は水を加え
ても反応は起らない。しかし、アルキルシリケートに水
を６口えると反応が起る。

アルキルシリケートは水と反応すると１反応系にンラノ
ール基含有珪虞化脅物とアルカノールが生成する。この
生成シラノール基含有珪素化合物は２反応した水の、ｆ
によって珪素原子１１Ｉｉ当りにａ会するシラノール基
の故が異なるが。

シラノール基は反応性が高く、シラノール基同志の或・
ハは、シラノール基とアルコキシ基との反応ｔＶしてシ
ロキサン結＠−を生成せしめる。

このシロキサン結付生成反応はｍ付文ｌｃとも呼ばれる
。従来のアルギルシリケート？酸性触媒の存生Ｆ　７１
０水外弄することにより得られろオルガノシリカゾルは
、ト記ンラノール基生成反応と網台反応を起さすること
によって生成した超微細コロイダルシリカ粒子の分散体
である。

従来のアルキルシリケー）ｋＩＪＯ水分解することによ
り得られるオルガノシリカシルトｒ＞Ｍ　配本発明に用
・ハられるオルガノシリカゾルを混甘しでも、支いは更
に加熱処理を施しても本発明に用いられる反応物又は液
剤は得られないが、＠配本発明に用いられるオルガノシ
リカゾルとアルキルシリケートと水とを特定比率に均一
に混甘しで反応させると格段に改良された反応物が得ら
れる。

この反応の解明（は容易でない九めに完祷されていない
が、アルキル７リケートと水との反応によって生じたシ
ラノール基が、オルガノシリカゾルのコロイダルシリカ
粒子と反応して、コロイダルシリカ粒子上に祈たなシミ
キサン結合を形成するシラノール基の縮せ反し６が起る
ことによるものと考えられる。

用いられるオルガノシリカゾルのコロイダルシリカの粒
子径が５・ルμ以Ｆでは、得られ九反応物又ニーｉこｒ
Ｌを含有するＩ液剤から焼成塗膜を形成させるとき、ク
ラックが生じ易い。また、この粒子径が２００．ａα以
上では、得られた反応物又はこれケ含有する４Ｌ削の成
１漠注が乏しく、焼成本、摸の硬度も低い。

この反応に供されるアルキルシリケートの量が、オルガ
ノシＩＪ　６ゾルに由来するＳｉｎ、　１００直置部て
付してＳｉＯ２として２００重・止部以上では、得られ
た反応物又はこれを含有する液剤の結廿力は向上せず、
この反応物又はこれを含有する液剤から厚い焼成塗膜を
形成させるときクラックが生じ易・ハ。反対に、このア
ルキル７リケートの壕がオルガノ７リカゾルに由来する
Ｓｉ０．１００・直せ部に対してｓｔｏ、として２０重
量部以ドで１よ、４られ九反応物又はこれを含有する夜
削は、これを用いて形成される焼成塗膜の硬度及び層板
との譜層性が乏しく好ましくない。

上記反応に共される水のせか、アルキルシリケートに湾
−！ルる珪素１グラム原子に対しα５モル以丁では、得
られｔ反応物又はこれを含有する液剤は、これを用いて
塗！漢？杉成させるとき、・貞杉成力に乏しく、Ｔ）鵡
の一度及び透明性も１氏〈好ましくない。反対に、上、
己水の槍がアルキルシリケートに含−まルる珪素１グラ
ム原子に対し７モル以上では得らｒした反応物又゛佳こ
れ？含有する液剤の安定性が低Ｆして好ましくない。

かくして１本発明の改良された反応物は。

Ｓ１０．として１００　＋ｉ債部金含む嘘の５〜２００
贋αのオルガノシリカゾルと、　ＳｉＯ２として２０〜
２００市奮部′ｆｒ言む喰のアルギルシリケートとこの
アルキルン１１ケートに含まれる珪素１グラム原子に対
し［１５〜７モルの水とを反応させることによってｆ得
られる。しかし、光分な安定性を有する好ましい反応物
又はこれｆｔよ有する孜削は、それに含まれるＳｉｎ、
含有率が３５・し１ぞ以丁となるように、オルガノシリ
カゾル及びアルキルンリケードの盪ｔ、更に隻すルば希
σくのために／Ｊｌｌえられる溶媒の量を関節すること
によって佛られる。更に安定性が高い１叉応物又はこれ
を浮有する液剤は、その中に含−まれるアルキルシリケ
ートに由来するＳ１０．含有率が１１．１〜１５重量Ｓ
、特Ｖｃ１〜１０這醤％となるように調節することによ
って得られる。

荷に１粒径５・０　ヘ１５０　ｍαのオルガノシリカゾ
ルを用いると、ａ成塗７漠を形成さ忙るとき膜４がｔｆ
〈てもクラツクが生起せず、硬度及び密櫂力にも涜れる
塗ｍを成膜性良好に形成させ得る反応物又はこれを含有
する鏝剤が得られる。

本発明に用いられる好ましい反応物を得るには、上記原
料を１１．曾して反応させる碌に１反応を過（Ｗに進め
ないようにするのがよ（八。過度に反応を進めると１反
応系はゲル化を起すに至り。

或いは反応中にゲル化が起らなくても、得られた反応物
は短期保存中にゲル化を起し易い。特に、２０ＯＣ以上
での反応は９反応系をゲル化させ易く、或・ハ・：は得
られた反応物の保存安定性を低下させ易い。

触媒の添加＋正金アルギルシリケー　トて３まれる珪素
に吋して５モル°ぎ以上に増大させると。

得られた反応物又はこれケ含有する液剤から塗膜を形成
させると１゜釜Ｉ膜表面の上滑性。塗膜の緻密性等が損
われ易いので、触媒及びその添加遣を適当に選んで用い
ることによ−〕で好ましい反応物か得られる。

一ト紀液剤の塗布によ−）て杉［ｌ３２１さＪまた塗膜
ま。

溶媒窄（４ネ註成分？含有するが。６削の省ｆ５ＶＣ引
き続（乾燥によって上記揮発性成汁が除々される。この
揮発性成８上の除去ゲ用めるためＶＣ扁温で乾葉するこ
とけ好ましいが、ｄ４・ｆ　ｉ／Ｃ４めると＃！膜から
の揮発性成イ士の°放しい導多励によって塗膜の一様性
及び−ｆＬ、ｆ注が＋Ｅｉわれ易い１．従って強制乾膿
去によるとき寸、乾燥温度は２５０℃以Ｆ、給ＶＣ５０
〜２００’Ｃ程度がよい。また。

塗膜の充分な乾燥前に焼成を施すと、ト記同鎌に塗膜の
一様性及び平滑性が損われる。

上記乾燥後の塗ｊ１ｑには、珪素原子に化＄結合されて
・いるアルコキシ基が含オ？′＋４ろが、上、−己乾栗
に：　ＪＩき恍〈焼成によってこのアルコキシ基が流説
すると共にシリカ績曾体からなる塗膜が形成されるう焼
成温度は高い程遠やかに上記焼成を行い得るが、ａ度の
高温は、有機成分の煮しい離脱によって焼成塗・漠にク
ラックを生じさせ７ｔす、塗膜の基板からの剥離等が１
り易く、ま、で、エネルギー１４着も工曽大するので好
ましくｔい。１０〜１５０分程度の・焼成時間は、好ま
しい塗、漠が得らル、しかも不安！！：、ｍ熱金纏けら
ｒＬ、ｂ時間である。

丸施例１ （イ）浴剤の調褪 テトラエチルオルトシリケート２０８９とエタノール７
７０２の（見付夜中に、　　ＳＬｏ、３ｉ度５０耽、よ
イ、位子径７０〜１００ミリミクロンのインプロパツー
ルシリカゾル４６７？と水５４？と濃１・ｆＩＰとのａ
、汁液を１拌ド５０分を擾して湧Ｆした。この商ドによ
り反応ｌ見付物は当−のの２１℃から６０℃に上昇した
。上記滴Ｆの終Ｔ僅１反応混合物金史に５時間、攪拌ド
岱媒の！゛（流層１ｔで／ＪＯ熱することにより、Ｓ１
０．分金２０４ｊ看Ｊ（コ↑む本発明に用いられる一代
＋ｊｌＪ　：Ａ）が得られた。

（ロフ　セラミック基信反の−ｆ滑化 ＄　４約１６！ＩＪＩ、ｌ従と順が谷１インチでｂも市
販のアルミナ層板？、上記Δ剤Ａ）中に４１すした燈、
引１１：げ侵、崖ｒ用いて５０ｇ／’＋上の１＊度で引
きヒげること、ｌＣより、基鈑りに塗膜を形成させた。

次いで、この堕模ｒりする基板を、１００℃で５０分・
芝潰＠浬した後２　ば気炉中５５０Ｃで２時間焼成１−
、たところ、クラックも剥離もないＩｇ明かつ４這の波
膜を有する）＆板が得られた。

この暁或塗′（俵金仔−する基板の髪面ｔｔｉざｒ。

Ｊ［Ｓ→［１６０１ＶＣ規定の方法により、・巾・１＼
仮・刈作（升製の５１１１表・酊形伏（則妃＜４　（ｖ
ＯＩ）：Ｒ：＋　Ｓ　Ｅ　−３Ｃ）？用いて測定１７り
ところ、（ａｉα１２μｍであつｆｌ　、１ 次（−′Ｓで、上、己Ｒ−・直１１１２の壜喚ｒ有する
基板金、再び一上記・伎削Ａ］に浸、道し、ト記同様に
して乾燥塗膜？形成させた後焼成すると、やはり透明か
つ硬質の塗！漠を有する基板が得られた。

上記同様にしてＲａ、直を測定したところ、ａ０６であ
った。

上記液剤１Ａ）ＶＣ浸漬前の族アルミナ基板は、上記同
様にしてＲａ１ｆｉを測定するとＩＩＬ３５であったか
ら、上記Ｒａ）直α０６は平滑度がムめて闘いことを表
わしている。

実＃１ＩＪｌ〜７ （イ）液剤の調製 液剤・Ｂ） テトラエチルオルトシリケート２０ＢｆとＳ１０．棲、
変６０直看イ９粒子径７０へ１００ミ１１ミクロンのメ
タノールシリカノル２５五５２と８１０，７ＪＩ建６０
改肴Ｘ１１粒子径１０〜２０ミリミクロンのエチルセロ
ソルブシリカゾル２５五５ｆとの混合液に、エタノール
２７０ｆと水５４９と・ｔｉ酸１２との混せ膿を攪拌Ｆ
、筒ドした。引き続き、ズ応ｆ！、せ物金溶媒の還流温
度で攪拌ド５時間加熱することにより、　Ｓｉｎ、分全
２０屯−Ｘ含有する実施列２に用いらｎ／、）奴ｉす（
Ｂ）をイ（＃た。

液剤（ｊ） テトラメチルオルト７リケート１５２Ｆとメｐ７−ル２
４５ｙの混８孜中に、　　ＳｉＯ，ｍ度５０重ＸＸ、粒
子径４０〜５０ミリミクロンのイノプロパツールシリカ
ゾル５００Ｆと水５４２とｄ４酸１２との混合液を攪拌
Ｆ溶媒の還流１Ｍ度で１時間を要して１＋４　Ｆ　ｌ、
　、引き続き溶媒の還流温度で２時間加熱することによ
り。

５１０１分を２０重′ｉ％含有する実施列６に用いられ
る液剤（０）を得た。

、ｌＩ剤（ＩＪ） １５０Ｆの市販＋（Ｚエチルシリケート４０と４９８２
のエタノールの混合液ザて、　　ＳＬＯ，磯度５０重ｔ
Ｎ、粒子径７０〜１００ミリミクロンのエタノールシリ
カゾル５５５２と水１８ｔと４１１！１Ｆとの混合液を
攪拌丁５０汁ｒ要して滴下した。次いで、この反応混合
物？耐Ｅ８器中１２０℃で１時間加熱処理することによ
り、　　Ｓｉｏ、分２１６　Ｔｆｌ　ｄＸを含イする実
施ＭＪ　４　Ｋ用いられる蔽削（Ｄ）を得た。

ｄ３ε第１す（Ｋ） テトラエチルオルトンリケー）２０８ｆとエタノール２
４５．５　Ｆの混ぜ液に、　　５ｉｏｓａ度４ｏＩｉ址
ｘ、ａ子径１０−２０ミリミク（１７のメチルインブチ
ルケト／シリカゾル５１０Ｉと水６６？と勧い５２との
混合液を攪序ド１０浄を要して膚ドし乏後１反応混會物
の溶媒の還流層１１で５時間加熱することにより５１０
１分２３重凌Ｘ全含有する実施例５に用いられる液剤（
勅を得た。

社則（リ テトラエチルオルトシリケート２０８？とＳ（ イノプロパツール７０１Ｆとの混合液に、町０゜儂度６
０直量イ１粒子径７０〜１００ミリミクロンのエタノー
ル・シリカゾル６６７ｆと水５４２と４Ｉｆ！１　ｔと
のイ見付［１梵拌下１５分′ｆｒ４ｉシて〆商ドじた鎌
１反応混せ物の溶媒の還流温度で５時間力ロ熱すること
により、　　ｓｉｏ、分２６直瀘Ｘを含有する実施列６
に用いられる液剤（Ｆ）を得た。

液剤（Ｇ） テトラエチルオルトシリケー）２０８ｆとｓｉｏ、４度
６０直黛イ１粒子径１５０〜１７０ミリミクロンのエチ
ルセロソルブシリカゾル１００？との混合液に、エタノ
ール６８６ノと水５４２と１酸２Ｉとの混オ疲を１党拌
ド５０分を要して「南下した後、溶媒のＩｔ流温度で１
時間加熱することにより、　Ｓｉｎ、公金１２ｔ　ｔ　
ｘ含有する実＃ｉ列７に用いられる液剤（Ｇ）を得た。

（ロ）　セラミック基板の平滑化 寸法は実施例１に記載のものと同じであるが、４類の異
なるアルミナ基板とほうろう基板とを用意し、それらの
表面の・（ａ値を測定し友ところ第１表に記載のあらさ
てあった。

欠いで、こルら基板の上に、第１羨て記載りように、上
記液剤（Ａ）〜（（ｌ））を用ハて、令膜を形成させ、
　　Ｒａ直を測定したうその結果は第１表に記載されて
いるように。いずれも極めて高い７脅ｔＷ′ｃあった。

比べ例１・〜２ （イ）　　　で没　卸」　の、Ａ　棟 イ（削　（１（） テトラエチルオルトシリク゛−）２０８ｒとＴ−タノー
ル１１９ｆの混汗疲に、水７２２と１［ツ１？の混せ液
？攪拌ド、水冷温度で３０−＋を要して、ｌ々ドした後
０反応混合物の溶媒の這流層隻で１時間加熱することＶ
こよゆ、　　Ｓｉ、Ｏ。

分？１５重看゛￥含有する比較例１に用いられる液剤（
−（）倉得た。

液剤（１） テトラメチルオルトシリケート２５５ｔにメタノール４
２７ｆとアセトン２００ｆと水１２０ｔと硝酸１’１０
５ｒと全ノノロえ、６０℃で２０時間反応さ（すること
により、　　Ｓｉｎ、公金１０東訃イ浮１ｆする比較例
２に用いられる成剤（Ｉ）？得先。

（川　アルミナ基板のｆ臂化 、ｊ−法ケーラ：実施例ＩＩｆ、記、故ζ））ものと同
１．；で、七）るが。他、直が１１５２で、ちるアルミ
ナ基板を用１．釆し、その及面Ｖｃ第１、表に記ｄ□７
３．１：　’）　Ｉｃ、　　ｌン１ｔｕｐｉ、ｋｌ　（
：（）と（丁）紫用いて黴ｊ」莫を形成させ、Ｒ徨・直
を１１（す定した１、第２回１」の濱ｆｌｉ　Ｋよる濱
膜でもＩ軸直は（１２２゛であり６ｉ：：れら液ハ（ｊ
に↓−）では基Ｗの゛ト滑度はさ桿向十、しないＣ９と
金認めた。

実施例８及び比・咬例５ Ｌ記液剤（〜〜（Ｇ）を実施例とし、（Ｈ）及び（１）
を比較列として、夫々密封容器中２０℃で保存すること
により安定性を試・検しｔところ、　（Ｈ）及び（［）
は１ケ月以内に寒天状にゲル化したが（Ａ）〜（ｊ）は
、６ケ月後も４粘がなく良好な安定性を有することを認
めた。ま九、上記５ケ月、護過後の液剤（Ａ）〜（Ｇ）
を用いて、実施列１と同様にしてアルミナ秀板表面に焼
成塗・漢を形成させたが、実施例１と同様成膜性良好に
表１■平滑な焼成塗膜を形成させることができた。

発明の均果 と記の如く９本発明によるとセラミック基板表面に硬質
の平滑な表ｆを有する焼成塗膜を密着性良好に、しかも
簡易かつ効率よく形成させることができる。本発明の方
法によって形成された焼成塗膜はシリカ質であるから東
積回路を形成ざするのに好部会なセラミックスの性能を
全く損わない。従って本発明の方法によって得られたセ
ラミック基板は、その上に＋ａ洲７を回路を欠陥なく形
成させ得るので４に高妾漬度回路の形成にも適する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＳｉＯ＿２として１００重量部を含む量の粒子径５〜２
   ００ｍμのオルガノシリカゾルと、ＳｉＯ＿２として２
   ０〜２００重量部を含む量のアルキルシリケートと、該
   アルキルシリケートに含まれる珪素１グラム原子に対し
   ０．５〜７．０モルの水との反応物を含有する液剤をセ
   ラミック基板の表面に塗布した後、乾燥し、焼成するこ
   とを特徴とするセラミック基板の表面平滑化方法。