JPS62103906A - フラツトケ−ブル - Google Patents
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- JPS62103906A JPS62103906A JP60242293A JP24229385A JPS62103906A JP S62103906 A JPS62103906 A JP S62103906A JP 60242293 A JP60242293 A JP 60242293A JP 24229385 A JP24229385 A JP 24229385A JP S62103906 A JPS62103906 A JP S62103906A
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- conductor
- flat cable
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- dielectric layer
- ground electrode
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Links
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は可撓性を有するフラットケーブルに係り、特に
+Ins以下の立上がり時間を有する超高速信号やG1
1z帯の高周波信号の伝送に好適し2回路基板間の接続
に利用可能なフラットケーブルに関する。
+Ins以下の立上がり時間を有する超高速信号やG1
1z帯の高周波信号の伝送に好適し2回路基板間の接続
に利用可能なフラットケーブルに関する。
従来、超高速信号の伝送に用いられる伝送用線路として
は、同軸ケーブルや、誘電体層の片面に導線路をその他
面に接地電極を貼付けたマイクロストリップ線路、さら
には誘電体層を介して導線路を2枚の接地電極で挟むよ
うに形成したストリップ線路等が知られている。
は、同軸ケーブルや、誘電体層の片面に導線路をその他
面に接地電極を貼付けたマイクロストリップ線路、さら
には誘電体層を介して導線路を2枚の接地電極で挟むよ
うに形成したストリップ線路等が知られている。
しかし、一般の同軸ケーブルは可撓性を有する利点があ
る反面、端末処理が面倒である。しかも。
る反面、端末処理が面倒である。しかも。
複数の信号を伝送する場合には、その信号の数だけ同軸
ケーブルの本数を増加させなければならなず、専有容積
もかなりなものとなるうえ、a着も極めて面倒であるか
ら、同軸ケーブルを回路基板間における信号伝送に用い
るには困難が伴う。
ケーブルの本数を増加させなければならなず、専有容積
もかなりなものとなるうえ、a着も極めて面倒であるか
ら、同軸ケーブルを回路基板間における信号伝送に用い
るには困難が伴う。
その点、マイクロストリップ線路は、プリント基板にエ
ツチング等の手段によって複数の導線路を極めて簡単に
形成できるから、複数の線路を並行に配置して複数の信
号伝送ができる利点がある。
ツチング等の手段によって複数の導線路を極めて簡単に
形成できるから、複数の線路を並行に配置して複数の信
号伝送ができる利点がある。
しかし、後述する理由によって可撓性が乏しいので1回
路基板間を接続するフラットケーブルの如き使い方が困
難であって、その用途は同一基板上の信号伝送に限定さ
れ、異なる回路基板間で超高速信号を伝送する場合には
不向きであった。
路基板間を接続するフラットケーブルの如き使い方が困
難であって、その用途は同一基板上の信号伝送に限定さ
れ、異なる回路基板間で超高速信号を伝送する場合には
不向きであった。
また、マイクロストリップ線路の諸寸法は、誘電体層の
比誘電率および厚み、導線路の幅および厚み、並びに特
性インピーダンスによって一義的に決定されるのが一般
的である。
比誘電率および厚み、導線路の幅および厚み、並びに特
性インピーダンスによって一義的に決定されるのが一般
的である。
従って2例えば特性インピーダンス、導線路の幅と厚み
、並びに誘電体層の比誘電率が決定されると、誘電体層
の厚みが決定され、誘電体層の厚みを薄くする等、厚み
を任意に選定することが困難である。一方2例えば誘電
体層の厚みを薄くすると、導線路の幅を小さくする必要
が生じて導線路の抵抗骨が増加し、損失の増加や超高速
特性の劣化を招くうえ、エツチング等の加工誤差の影響
を受は易くなって特性インピーダンスのばらつきが無視
できなくなる。
、並びに誘電体層の比誘電率が決定されると、誘電体層
の厚みが決定され、誘電体層の厚みを薄くする等、厚み
を任意に選定することが困難である。一方2例えば誘電
体層の厚みを薄くすると、導線路の幅を小さくする必要
が生じて導線路の抵抗骨が増加し、損失の増加や超高速
特性の劣化を招くうえ、エツチング等の加工誤差の影響
を受は易くなって特性インピーダンスのばらつきが無視
できなくなる。
なお、ストリップ線路も同様であるが、マイクロストリ
ップ線路が可撓性に乏しい理由は、上述したように導線
路の幅をある程度の寸法以上に確保する必要性から誘電
体層の厚みをあまり薄くできないことに加えて、折り曲
げ時に誘電体層の両面に貼付けられた導線路や接地電極
等の導電性金属板に加わる引張応力や圧縮応力に対して
、それら金泥板が延びや縮み応力を殆ど吸収できないか
らと考えられる。
ップ線路が可撓性に乏しい理由は、上述したように導線
路の幅をある程度の寸法以上に確保する必要性から誘電
体層の厚みをあまり薄くできないことに加えて、折り曲
げ時に誘電体層の両面に貼付けられた導線路や接地電極
等の導電性金属板に加わる引張応力や圧縮応力に対して
、それら金泥板が延びや縮み応力を殆ど吸収できないか
らと考えられる。
このように従来、超高速信号の伝送に用いる伝送用線路
であって2回路基板間の接続に好適する可撓性のフラッ
トケーブルが実現されておらず。
であって2回路基板間の接続に好適する可撓性のフラッ
トケーブルが実現されておらず。
本発明はこのような状況の下になされたものである。
本発明の第1の目的は、可撓性を有し伝送用線路として
好適するフラットケーブルを得ることにある。
好適するフラットケーブルを得ることにある。
本発明の第2の目的は、複数の導線路が形成容易な伝送
用線路のフラットケーブルを得ることにある。
用線路のフラットケーブルを得ることにある。
本発明の第3の目的は、導線路の幅を小さくすることな
く誘電体層の厚みを薄くすることが容易なフラットケー
ブルを得ることにある。
く誘電体層の厚みを薄くすることが容易なフラットケー
ブルを得ることにある。
本発明の第4の目的は、損失の少ないフラ・ノドケーブ
ルを実現することにある。
ルを実現することにある。
そのような問題点を解決して上述した諸口的を達成する
ために本発明は、導線路および板状の接地電極が合成樹
脂製の誘電体層を挟んで重なるように平面的に対向する
とともに、その接地電極の全面に前記誘電体層を露出さ
せる小孔状の導体除去部を四方に配列するように形成し
たものである。
ために本発明は、導線路および板状の接地電極が合成樹
脂製の誘電体層を挟んで重なるように平面的に対向する
とともに、その接地電極の全面に前記誘電体層を露出さ
せる小孔状の導体除去部を四方に配列するように形成し
たものである。
このような本発明の手段によれば、フラットケーブルを
曲げる場合にその導体除去部が伸びや縮み応力によって
変形し易く、その伸びや縮み応力による変形が導線路や
接地電極の金属部分に生じ難くても全体が曲がり易くな
る。それとともに。
曲げる場合にその導体除去部が伸びや縮み応力によって
変形し易く、その伸びや縮み応力による変形が導線路や
接地電極の金属部分に生じ難くても全体が曲がり易くな
る。それとともに。
導線路に対向する接地電極の面積が導体除去部の存在に
よって減少するので、導線路の特性インピーダンスが増
加し、この特性インピーダンスを所定の値2例えば50
Ωや75Ωに保つためには誘電体層の厚みを薄くしたり
導線路の幅を大きくする必要が生じる。
よって減少するので、導線路の特性インピーダンスが増
加し、この特性インピーダンスを所定の値2例えば50
Ωや75Ωに保つためには誘電体層の厚みを薄くしたり
導線路の幅を大きくする必要が生じる。
以下1本発明の詳細な説明する。
まず1本発明の具体的な実施例を説明する前に本発明の
詳細な説明する。
詳細な説明する。
第6図は本発明のフラットケーブルの原理をマイクロス
トリップ線路の構成を例にして示す部分斜視図である。
トリップ線路の構成を例にして示す部分斜視図である。
図において、薄板状の細長い誘電体層1の一生面(図中
上面)全面には接地電極3が形成されており、対向する
主面(図中下面)には接地電極3と重なるように幅ωの
細長い直線伏の導線路5が形成され、マイクロストリッ
プ線路7が構成されている。
上面)全面には接地電極3が形成されており、対向する
主面(図中下面)には接地電極3と重なるように幅ωの
細長い直線伏の導線路5が形成され、マイクロストリッ
プ線路7が構成されている。
接地電極3において導線路5と重なり合うように対向す
る領域には、導体除去部9がピッチdで導線路5に沿っ
て複数並行に形成されている。この導体除去部9は、導
線路5の長手方向と同方向の辺aおよび幅ωと同方向の
辺すを有する方形となっており、導体除去部9では誘電
体W11が露出している。
る領域には、導体除去部9がピッチdで導線路5に沿っ
て複数並行に形成されている。この導体除去部9は、導
線路5の長手方向と同方向の辺aおよび幅ωと同方向の
辺すを有する方形となっており、導体除去部9では誘電
体W11が露出している。
次に、このように構成されたマイクロストリップ線路7
について考察する。
について考察する。
第7図は第6図に示すマイクロストリップ線路7の特性
変化を示す図であり、誘電体層lとして超高周波帯にお
ける実効比誘電率2.25を有する厚さh =(1,7
mmのふっ素樹脂板の上面に接地電極3を形成し、その
ふっ素樹脂板の下面に厚さt−0,035mm 、幅ω
=3.51III11の導線路5を形成した長さ100
mmの試料を用い、導体除去部9間のピッチdを2.5
m+aとするとともに辺すを3.5IIIIlとして。
変化を示す図であり、誘電体層lとして超高周波帯にお
ける実効比誘電率2.25を有する厚さh =(1,7
mmのふっ素樹脂板の上面に接地電極3を形成し、その
ふっ素樹脂板の下面に厚さt−0,035mm 、幅ω
=3.51III11の導線路5を形成した長さ100
mmの試料を用い、導体除去部9間のピッチdを2.5
m+aとするとともに辺すを3.5IIIIlとして。
辺aを変化させた場合(便宜上、a/dで示す)。
特性インピーダンスZoおよび伝播遅延時間tdO値を
測定したものである。
測定したものである。
これによると、a/d=oの構成では、特性インピーダ
ンスZo = 33Ω、伝播遅延時間td=0.5ns
となっている。a / dを増加させると、当初は導線
路5に対向する接地電極3の面積が減少することによっ
て生じる静電容量の減少率以上に導線路5のインダクタ
ンスが増加し、特性インピーダンスZoおよび伝播遅延
時間tdが共に増加する。
ンスZo = 33Ω、伝播遅延時間td=0.5ns
となっている。a / dを増加させると、当初は導線
路5に対向する接地電極3の面積が減少することによっ
て生じる静電容量の減少率以上に導線路5のインダクタ
ンスが増加し、特性インピーダンスZoおよび伝播遅延
時間tdが共に増加する。
さらに、a/dの増加によって静電容量は減少をつづけ
るが、インダクタンスは増加率が少なくなるので、特性
インピーダンスZoは増加をつづける反面、伝播遅延時
間tdは0.59ns程度を最大値として以降は逆に減
少する。
るが、インダクタンスは増加率が少なくなるので、特性
インピーダンスZoは増加をつづける反面、伝播遅延時
間tdは0.59ns程度を最大値として以降は逆に減
少する。
そして、a/d=l、すなわち接地電極3における導線
路5に重なって対向する部分を連続的に除去した場合に
は、特性インピーダンスZo=61.9Ω、伝播遅延時
間td=0.43nsとなり、伝播遅延時間tdはa
/ d = 0の場合よりも逆に減少する。これは、誘
電体層1の比誘電率と伝播遅延時間に係る従来の考え方
からすると、ふっ素樹脂の比誘電率が1.66〜3.1
3の範囲で等価的に増減したことに相当する。
路5に重なって対向する部分を連続的に除去した場合に
は、特性インピーダンスZo=61.9Ω、伝播遅延時
間td=0.43nsとなり、伝播遅延時間tdはa
/ d = 0の場合よりも逆に減少する。これは、誘
電体層1の比誘電率と伝播遅延時間に係る従来の考え方
からすると、ふっ素樹脂の比誘電率が1.66〜3.1
3の範囲で等価的に増減したことに相当する。
また、マイクロストリップ線路7の立ち上がり時間は、
a/dの変化範囲全てにおいて100psよりも低い超
高速性が得られた。
a/dの変化範囲全てにおいて100psよりも低い超
高速性が得られた。
第8図は、上述した第6図と同様なマイクロストリップ
線路7を用い、ピッチdも同じ2.5a+mとするとと
もに導体除去部9の辺aを0.25m−に一定にしてお
き、導体除去部9の辺すを変化させた場合(便宜上、b
/ωで示す)、特性インピーダンスZoおよび伝播遅延
時間tdの変化を測定したものである。
線路7を用い、ピッチdも同じ2.5a+mとするとと
もに導体除去部9の辺aを0.25m−に一定にしてお
き、導体除去部9の辺すを変化させた場合(便宜上、b
/ωで示す)、特性インピーダンスZoおよび伝播遅延
時間tdの変化を測定したものである。
これによると1辺すを細長く延ばしてゆ(と。
静電容量の減少率に比較してインダクタンスの増加率が
大きくなり、特性インピーダンスZoの増加率および伝
播遅延時間tdの増加率を同じ傾向にすることができる
。
大きくなり、特性インピーダンスZoの増加率および伝
播遅延時間tdの増加率を同じ傾向にすることができる
。
なお、この場合にも100psよりも低い超高速の立ち
上がり時間が得られた。
上がり時間が得られた。
これらから分かることは、接地電極3において導線路5
と重なるように対向する領域を含めて部分的に除去した
場合の特性変化が、単に導体除去部9の面積のみならず
その形状や寸法により影響を受け、導体除去部9の形状
や寸法的な選択によってマイクロストリップ線路7にお
ける単位長さ当たりの伝播遅延時間tdや特性インピー
ダンスZ。
と重なるように対向する領域を含めて部分的に除去した
場合の特性変化が、単に導体除去部9の面積のみならず
その形状や寸法により影響を受け、導体除去部9の形状
や寸法的な選択によってマイクロストリップ線路7にお
ける単位長さ当たりの伝播遅延時間tdや特性インピー
ダンスZ。
等を変化できることである。
しかも、マイクロストリップ線路7の接地電極3に、導
体除去部9を形成してその割合を大きくすれば、導線路
5の特性インピーダンスZoが増加するから、この特性
インピーダンスZoを実用的な例えば50Ωや75Ωに
保つためには、誘電体層1の厚みhを薄くするか導線路
5の幅Wを大きくするか、またはその双方を実施する必
要が生じる。
体除去部9を形成してその割合を大きくすれば、導線路
5の特性インピーダンスZoが増加するから、この特性
インピーダンスZoを実用的な例えば50Ωや75Ωに
保つためには、誘電体層1の厚みhを薄くするか導線路
5の幅Wを大きくするか、またはその双方を実施する必
要が生じる。
さらに9本発明の原理による導体除去部9を設けること
により、導線路5や接地電極3の金属部に延びや縮みが
生じ難くとも、導体除去部9で必要な延びや縮みを受は
持たせることが可能となり。
により、導線路5や接地電極3の金属部に延びや縮みが
生じ難くとも、導体除去部9で必要な延びや縮みを受は
持たせることが可能となり。
マイクロストリップ線路全体の可撓性が得られることが
分かった。
分かった。
一実施例を示す図である。
図において、ふっ素樹脂からなる薄板状の細長い誘電体
層11の上面には、3本の細長い導線路13が互い辷間
隔を置いて並行に形成されて誘電体層11の長手方向に
延びており、各導線路13相互間にはこれらと間隔を置
いて細長い遮蔽導体15が形成されている。この遮蔽導
体15は静電誘導等による導線路13間の結合を防ぐも
のである。
層11の上面には、3本の細長い導線路13が互い辷間
隔を置いて並行に形成されて誘電体層11の長手方向に
延びており、各導線路13相互間にはこれらと間隔を置
いて細長い遮蔽導体15が形成されている。この遮蔽導
体15は静電誘導等による導線路13間の結合を防ぐも
のである。
誘電体層11の下面には、これら導線路13や遮蔽導体
15とは約45°の傾きを有する格子状の薄板状の接地
電極17が形成され、この接地電極17は菱形をした小
孔状の導体除去部19を四方に配列するように有してい
る。その導体除去部19内では誘電体層11の表面が露
出しており。
15とは約45°の傾きを有する格子状の薄板状の接地
電極17が形成され、この接地電極17は菱形をした小
孔状の導体除去部19を四方に配列するように有してい
る。その導体除去部19内では誘電体層11の表面が露
出しており。
その接地電極17は遮蔽導体15と共に接地されている
。
。
なお、導線路13.遮蔽導体15および接地電極17は
エツチングやプリント加工等の公知技術で形成されるが
、遮蔽導体15は本発明に必須のものではない。
エツチングやプリント加工等の公知技術で形成されるが
、遮蔽導体15は本発明に必須のものではない。
そして、このフラットケーブルは、用途によっては接続
用にその端部を残し、第3図に示すように、絶縁性材料
によって外装被覆21が施される。
用にその端部を残し、第3図に示すように、絶縁性材料
によって外装被覆21が施される。
このように構成された本発明のフラットケーブルにあっ
ては1例えば導線路13を内側にして長さ方向に折り曲
げるようにしてカを加えると、導線路工3が長さ方向で
圧縮応力を、接地電極17が長さ方向で引張応力を受け
る。
ては1例えば導線路13を内側にして長さ方向に折り曲
げるようにしてカを加えると、導線路工3が長さ方向で
圧縮応力を、接地電極17が長さ方向で引張応力を受け
る。
導線路13は殆ど縮むことはないが、接地電極17は第
4図の破線のように、導体除去部19が変形することに
よって長さ方向に捻れるようにして寸法が延びるので、
結局フラットケーブルが折り曲げられ、力を除(と元の
形状に戻る。
4図の破線のように、導体除去部19が変形することに
よって長さ方向に捻れるようにして寸法が延びるので、
結局フラットケーブルが折り曲げられ、力を除(と元の
形状に戻る。
また、導線路13を外側にして折り曲げると。
第5図に示すように導体除去部19が破線の如く変形し
てフラットケーブルが折り曲げられる。
てフラットケーブルが折り曲げられる。
さらに、接地電極17には導体除去部19が形成されて
いるので、導線路13の特性インピーダンスZoが増加
し、この特性インピーダンスZoを実用的な値に保ため
に誘電体層1の厚みを薄くすることが必要となるから、
その導体除去部19の変形動作と相いまって良好な可撓
性が得られるし。
いるので、導線路13の特性インピーダンスZoが増加
し、この特性インピーダンスZoを実用的な値に保ため
に誘電体層1の厚みを薄くすることが必要となるから、
その導体除去部19の変形動作と相いまって良好な可撓
性が得られるし。
導線路13の幅を大きく保つことも必要となって超高速
信号における損失も改善される。
信号における損失も改善される。
本発明のフラットケーブルにおいて、接地電極17に形
成する導体除去部19の形状は、上述したように菱形に
限定されない。例えば、第9図A〜Cに示すように、六
角形、四角形9円形の導体除去部23,25.27等で
あってもよく、その寸法や相互の間隔も一律にする必要
はなく目的に合わせて選定すればよいが、良好な可撓性
を得るためには、小孔状の導体除去部を互いに接近させ
て縦横や斜め等四方に等間隔で配列することが好ましい
。
成する導体除去部19の形状は、上述したように菱形に
限定されない。例えば、第9図A〜Cに示すように、六
角形、四角形9円形の導体除去部23,25.27等で
あってもよく、その寸法や相互の間隔も一律にする必要
はなく目的に合わせて選定すればよいが、良好な可撓性
を得るためには、小孔状の導体除去部を互いに接近させ
て縦横や斜め等四方に等間隔で配列することが好ましい
。
また、導線路も第1図に示すような直線状に限らず、第
10図に示すようなじぐざぐ状の導線路29を用いるこ
とも可能であり、このようなじぐざぐ状の導線路29を
用いれば、フラットケーブル全体の可撓性が更に良好と
なることが期待できる。
10図に示すようなじぐざぐ状の導線路29を用いるこ
とも可能であり、このようなじぐざぐ状の導線路29を
用いれば、フラットケーブル全体の可撓性が更に良好と
なることが期待できる。
上述した実施例のフラットケーブルは、マイクロストリ
ップ線路の構成を用いた例を示しているが1本発明のフ
ラットケーブルは第11図〜第13図に示すようにスト
リップ線路の構成を用いて実施することも可能である。
ップ線路の構成を用いた例を示しているが1本発明のフ
ラットケーブルは第11図〜第13図に示すようにスト
リップ線路の構成を用いて実施することも可能である。
第11図の構成は、板状の誘電体J’tiif31の中
に第1図に示す如き導線路13や遮蔽導体15を埋設す
るように配置し、その誘電体[31の対向主面に接地電
極33.35を形成し、この接地電極33.35にやは
り第2図に示すような導体除去部を形成してなるもので
ある。
に第1図に示す如き導線路13や遮蔽導体15を埋設す
るように配置し、その誘電体[31の対向主面に接地電
極33.35を形成し、この接地電極33.35にやは
り第2図に示すような導体除去部を形成してなるもので
ある。
このような構成のフラットケーブルは、導線路13の両
面に接地電極33.35が配置されているから、上述し
た第1図や第2図の構成に比べて外部回路との誘導が少
なくなって安定した伝送特性が期待できる。
面に接地電極33.35が配置されているから、上述し
た第1図や第2図の構成に比べて外部回路との誘導が少
なくなって安定した伝送特性が期待できる。
さらに、第12図の構成は、遮蔽導体15に対向する位
置に切れ目37a、37b、39a、39bを設けて接
地電極を分離し、各導線路13毎に独立した接地電極3
3a、33b、33c、35a、35b、35cを対向
させたものであり。
置に切れ目37a、37b、39a、39bを設けて接
地電極を分離し、各導線路13毎に独立した接地電極3
3a、33b、33c、35a、35b、35cを対向
させたものであり。
小さい振幅の信号伝送に好適する。
なお、このように接地電極を導線路毎に分割する構成は
、第1図および第2図におけるマイクロストリップ線路
の構成を用いたフラットケーブルにおいても実施できる
。
、第1図および第2図におけるマイクロストリップ線路
の構成を用いたフラットケーブルにおいても実施できる
。
また、第13図に示すフラットケーブルは、遮蔽導体を
省略するとともに、隣合う導線路13の間において対向
する接地電極33.35を接合させ、誘電体層31を介
して接地電極33.35で導線路13を囲んで構成した
ものである。
省略するとともに、隣合う導線路13の間において対向
する接地電極33.35を接合させ、誘電体層31を介
して接地電極33.35で導線路13を囲んで構成した
ものである。
この構成では、各導線路13の周囲に接地電極33.3
5による閉回路が形成され、各導線路13毎に完全な遮
蔽がなされる。
5による閉回路が形成され、各導線路13毎に完全な遮
蔽がなされる。
また、第13図の構成では、接地電極33,35を各導
線路13毎に分離独立する必要がある場合に、接地電極
33.35の接合部41で互いに切り離した後、一定の
間隔を置いて配置して、外周被覆(図示せず)で覆って
一体的なフラットケーブルに構成すればよい。
線路13毎に分離独立する必要がある場合に、接地電極
33.35の接合部41で互いに切り離した後、一定の
間隔を置いて配置して、外周被覆(図示せず)で覆って
一体的なフラットケーブルに構成すればよい。
ところで1本発明における誘電体層11.31の材料と
しては、純然たる合成樹脂の他、これと無機材料例えば
ガラス繊維との複合体も含まれるものである。
しては、純然たる合成樹脂の他、これと無機材料例えば
ガラス繊維との複合体も含まれるものである。
以上の各実施例では、導線路が複数本ある場合を示した
が1本発明においてはその数は任意であるし、導線路が
1本の場合にも構成が簡単で端末処理の容易なフラット
ケーブルが得られる。
が1本発明においてはその数は任意であるし、導線路が
1本の場合にも構成が簡単で端末処理の容易なフラット
ケーブルが得られる。
以上説明したように本発明のフラットケーブル番よ、接
地電極に導体除去部を四方に配列するように形成したか
ら、折り曲げ時にその導体除去部が伸びや縮み応力を吸
収して曲がり易くなるとともに、導線路の特性インピー
ダンスが増加して誘電体層の厚みを薄(する必要が生じ
るから良好な可撓性が得られるし、導線路の幅を小さく
する必要がなくむしろ大きくする必要も生じるから超高
速信号に対する損失も少ない。
地電極に導体除去部を四方に配列するように形成したか
ら、折り曲げ時にその導体除去部が伸びや縮み応力を吸
収して曲がり易くなるとともに、導線路の特性インピー
ダンスが増加して誘電体層の厚みを薄(する必要が生じ
るから良好な可撓性が得られるし、導線路の幅を小さく
する必要がなくむしろ大きくする必要も生じるから超高
速信号に対する損失も少ない。
また、エツチング等の製造技術によって簡単に形成可能
であるから、複数の導線路を簡単に具備させることがで
きる。
であるから、複数の導線路を簡単に具備させることがで
きる。
そのため、可撓性が良好でその端部を回路基板に重ねて
回路基板に接続可能となるから、扱いが簡単で回路基板
間の接続に好適する。
回路基板に接続可能となるから、扱いが簡単で回路基板
間の接続に好適する。
第1図〜第3図は本発明に係るフラットケーブルの一実
施例を示す部分斜視図および側面図、第4図および第5
図は第1図に示すフラットケーブルにおける動作の概要
を示す図、第6図は本発明の詳細な説明するために参考
となるマイクロストリップ線路の斜視図、第7図および
第8図は第6図のフラットケーブルにおける特性図、第
9図A。 B、Cは第2図のフラットケーブルにおける導体除去部
の他の例を示す図、第10図は本発明における導線路の
他の例を示す図、第11図〜第13図は本発明の他の実
施例を示す側面図である。 1.11.31・・誘電体層 3.17.33.33a〜33c、35゜35a〜35
c・・接地電極 5.13.29・・導線路 7・・・・・自・マイクロストリップ線路9.19,2
3,25.27 ・・導体除去部 15・・・・・・・・遮蔽導体 特許出願人 エルメック株式会社 第 1 図 第 2 。 第 3 図 I 第4図 第5m 第6図 第 7 図 Zo(nJ td(nS) u u、t LIA IJj+
0.8 10 ’第 8 図 第9図 (A) (B)再 10
図
施例を示す部分斜視図および側面図、第4図および第5
図は第1図に示すフラットケーブルにおける動作の概要
を示す図、第6図は本発明の詳細な説明するために参考
となるマイクロストリップ線路の斜視図、第7図および
第8図は第6図のフラットケーブルにおける特性図、第
9図A。 B、Cは第2図のフラットケーブルにおける導体除去部
の他の例を示す図、第10図は本発明における導線路の
他の例を示す図、第11図〜第13図は本発明の他の実
施例を示す側面図である。 1.11.31・・誘電体層 3.17.33.33a〜33c、35゜35a〜35
c・・接地電極 5.13.29・・導線路 7・・・・・自・マイクロストリップ線路9.19,2
3,25.27 ・・導体除去部 15・・・・・・・・遮蔽導体 特許出願人 エルメック株式会社 第 1 図 第 2 。 第 3 図 I 第4図 第5m 第6図 第 7 図 Zo(nJ td(nS) u u、t LIA IJj+
0.8 10 ’第 8 図 第9図 (A) (B)再 10
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導線路および接地電極が合成樹脂製の誘電体層を挟んで
重なるように対向され、 前記接地電極の全面に前記誘電体層を露出させる導体除
去部が四方に配列するように形成されてなることを特徴
とするフラットケーブル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60242293A JPS62103906A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | フラツトケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60242293A JPS62103906A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | フラツトケ−ブル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62103906A true JPS62103906A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17087081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60242293A Pending JPS62103906A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | フラツトケ−ブル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62103906A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6843660B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cable systems and related methods |
JP2007179995A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Adorinkusu:Kk | 可撓性平面ケーブル |
JP2008521646A (ja) * | 2004-11-24 | 2008-06-26 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 改善されたastme−84延焼指数及び煙蔓延指数を有する積層ポリイソシアヌレート発泡構造体 |
US7700882B2 (en) | 2006-08-07 | 2010-04-20 | Sony Corporation | Cable device |
WO2010082593A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 株式会社フジクラ | コネクタ及びケーブルアセンブリ |
JP2018117131A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | フレキシブルプリント回路基板 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60242293A patent/JPS62103906A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6843660B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cable systems and related methods |
JP2008521646A (ja) * | 2004-11-24 | 2008-06-26 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 改善されたastme−84延焼指数及び煙蔓延指数を有する積層ポリイソシアヌレート発泡構造体 |
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US7700882B2 (en) | 2006-08-07 | 2010-04-20 | Sony Corporation | Cable device |
WO2010082593A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 株式会社フジクラ | コネクタ及びケーブルアセンブリ |
US8202111B2 (en) | 2009-01-16 | 2012-06-19 | Fujikura Ltd. | Connector and cable assembly |
JPWO2010082593A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2012-07-05 | 株式会社フジクラ | コネクタ及びケーブルアセンブリ |
JP2018117131A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | フレキシブルプリント回路基板 |
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