JPS62103843A - 垂直磁気記録材料 - Google Patents
垂直磁気記録材料Info
- Publication number
- JPS62103843A JPS62103843A JP24491885A JP24491885A JPS62103843A JP S62103843 A JPS62103843 A JP S62103843A JP 24491885 A JP24491885 A JP 24491885A JP 24491885 A JP24491885 A JP 24491885A JP S62103843 A JPS62103843 A JP S62103843A
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- JP
- Japan
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- acid
- magnetic material
- treatment
- voltage
- magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はアルミニウム又はアルミニウム合金の陽極酸化
皮膜の微細孔に磁性体を析出させた垂直磁気記録材料に
関するものである。
皮膜の微細孔に磁性体を析出させた垂直磁気記録材料に
関するものである。
（従来技術と問題点）
この種の垂直磁気記録材料について、数多くの提案がな
されている。その中に、バリヤー層の調整処理がある。
されている。その中に、バリヤー層の調整処理がある。
これは、アルミニウム又はアルミニウム合金に一次の陽
極酸化処理で生成した陽極酸化皮膜では、個々の微細孔
の長さが均一でなく、微細孔に磁性体を析出した場合に
、微細孔ごとの磁性特性が均一にならないため、二次の
陽極酸化処理して個々の微細孔の長さを均一にする処理
である。しかし、この処理では、微細孔の底部は技別れ
現象を生じ、あたかも分離して成長した木の根のような
孔部を形成する。この孔部を含む底部に磁性体を析出し
た場合、底部における磁気異方性が悪く、特に微細孔の
全長と底部の長さ比が小さいときは、磁気異方性に対し
て影響が大きく、磁気異方性が悪くなり、即ち角型比が
落ちる。
極酸化処理で生成した陽極酸化皮膜では、個々の微細孔
の長さが均一でなく、微細孔に磁性体を析出した場合に
、微細孔ごとの磁性特性が均一にならないため、二次の
陽極酸化処理して個々の微細孔の長さを均一にする処理
である。しかし、この処理では、微細孔の底部は技別れ
現象を生じ、あたかも分離して成長した木の根のような
孔部を形成する。この孔部を含む底部に磁性体を析出し
た場合、底部における磁気異方性が悪く、特に微細孔の
全長と底部の長さ比が小さいときは、磁気異方性に対し
て影響が大きく、磁気異方性が悪くなり、即ち角型比が
落ちる。
（発明の目的）
本発明は、バリヤー層の調整処理により技別れ現象を生
じた微細孔の底部に６磁性体を析出させたときに生ずる
磁気異方性の悪さを除去することを目的とする。
じた微細孔の底部に６磁性体を析出させたときに生ずる
磁気異方性の悪さを除去することを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、陽極酸化皮膜を生成したアルミニウム又はア
ルミニウム合金のバリヤー層の８１処理後、陽極酸化皮
膜の微細孔において、底部に非磁性体を析出させ、その
非ｆｎ性体の上に、磁性体を析出させた、二重構造を有
する垂直磁気記録材料である。
ルミニウム合金のバリヤー層の８１処理後、陽極酸化皮
膜の微細孔において、底部に非磁性体を析出させ、その
非ｆｎ性体の上に、磁性体を析出させた、二重構造を有
する垂直磁気記録材料である。
本発明の特徴は、微細孔の底部に非磁性体を析出させて
磁気異方性を有しない非磁性部分とする。この非磁性部
分の上に、磁性体を析出させて磁性体の部分のみが磁気
異方性を有するので、角型比が向上する。
磁気異方性を有しない非磁性部分とする。この非磁性部
分の上に、磁性体を析出させて磁性体の部分のみが磁気
異方性を有するので、角型比が向上する。
本発明におけるバリヤー層の調整処理は、−次の陽極酸
化処理で生成した陽極酸化皮膜を、例えば次のように処
理する。燐酸、硫酸などの無機酸、スルフォサリチル酸
、スルファミン酸などの有ａ酸の単独又は混酸、又は無
機酸と有機酸の混酸の約１〜５００ ｇ ／ ｌの酸性
液で、液温約−５〜５０°Ｃ１直流電圧約１０〜４０Ｖ
、時間約１〜３０分で、陽極酸化処理する。
化処理で生成した陽極酸化皮膜を、例えば次のように処
理する。燐酸、硫酸などの無機酸、スルフォサリチル酸
、スルファミン酸などの有ａ酸の単独又は混酸、又は無
機酸と有機酸の混酸の約１〜５００ ｇ ／ ｌの酸性
液で、液温約−５〜５０°Ｃ１直流電圧約１０〜４０Ｖ
、時間約１〜３０分で、陽極酸化処理する。
非磁性体の析出処理は、錫、銅、亜鉛、モリブデン、銀
、金などの１つ又は２つ以上の塩を含有した約１〜３０
０ ｇ ／ ｌの水溶液で、液温約５〜５０℃、交流電
圧約１〜４０Ｖ、時間約５〜４５分で、電解する。水溶
液に、グリセリン、クレゾールスルフォン酸などの有機
溶媒を添加してもよい。
、金などの１つ又は２つ以上の塩を含有した約１〜３０
０ ｇ ／ ｌの水溶液で、液温約５〜５０℃、交流電
圧約１〜４０Ｖ、時間約５〜４５分で、電解する。水溶
液に、グリセリン、クレゾールスルフォン酸などの有機
溶媒を添加してもよい。
磁性体の析出処理は、コバルト、ニッケル、鉄の１つ又
は２つ以上の塩を含有した約５〜３００ｇ／Ｉの水溶液
で、液温約５〜５０℃、交流電圧約５〜３０Ｖ、時間約
５〜１２０分で、電解する。水溶液に、金属塩と錯イオ
ンを形成する有機酸（例えば、酒石酸、グルコン酸、フ
マル酸、フタル酸）、クリセリン、クレゾールスルフォ
ン酸などの有機溶媒を添加してもよい。
は２つ以上の塩を含有した約５〜３００ｇ／Ｉの水溶液
で、液温約５〜５０℃、交流電圧約５〜３０Ｖ、時間約
５〜１２０分で、電解する。水溶液に、金属塩と錯イオ
ンを形成する有機酸（例えば、酒石酸、グルコン酸、フ
マル酸、フタル酸）、クリセリン、クレゾールスルフォ
ン酸などの有機溶媒を添加してもよい。
バリヤー層の調整処理の前に又は後に、微細孔の孔径拡
大処理をして微細孔における磁性体の析出量を増大する
ことができる。
大処理をして微細孔における磁性体の析出量を増大する
ことができる。
（発明の製造例）
製造例１
アルミニウム板（マグネシウム４％含有）を、４０ｇ／
ｌの蓚酸液（１５℃）で直流電圧５０Ｖ、６分間、陽極
酸化処理して陽極酸化皮膜を生成し、次いで、１００ｇ
／Ｉの燐酸液（３０°Ｃ）で直流電圧５０Ｖから２０Ｖ
へ３．５分間で電圧を徐々に降下させて２０Ｖで１分間
保持し、陽極酸化処理してバリヤー層の調整処理した。
ｌの蓚酸液（１５℃）で直流電圧５０Ｖ、６分間、陽極
酸化処理して陽極酸化皮膜を生成し、次いで、１００ｇ
／Ｉの燐酸液（３０°Ｃ）で直流電圧５０Ｖから２０Ｖ
へ３．５分間で電圧を徐々に降下させて２０Ｖで１分間
保持し、陽極酸化処理してバリヤー層の調整処理した。
このアルミニウム板を、硝酸銀１０ｇ／ｌの溶液（２０
℃）で交流電圧９■、 分間、電解処理し、微細孔の底
部に銀を析出させた。次いで、硫酸第一鉄アンモニウム
１００ｇ／ｌの溶液（３０”ｃ ）で交流電圧ｌＩＶ、
３０分間、電解処理し、銀のとに、鉄を析出させ、二重
構造を有する垂直磁気記録材料を得た。
℃）で交流電圧９■、 分間、電解処理し、微細孔の底
部に銀を析出させた。次いで、硫酸第一鉄アンモニウム
１００ｇ／ｌの溶液（３０”ｃ ）で交流電圧ｌＩＶ、
３０分間、電解処理し、銀のとに、鉄を析出させ、二重
構造を有する垂直磁気記録材料を得た。
製造例２
アルミニウム板（マグネシウム４％含有）を、３０ｇ／
Ｉの蓚酸液（２０℃）で直流電圧４８Ｖ、７分間、陽極
酸化処理して陽極酸化皮膜を生成し、次いで、１００ｇ
／ｌの燐酸液（３０℃）で直流電圧４８Ｖから２５Ｖへ
３．５分間で電圧を徐々に降下させて２５Ｖで２分間保
持し、陽極酸化処理してバリヤー層の調整処理した。
Ｉの蓚酸液（２０℃）で直流電圧４８Ｖ、７分間、陽極
酸化処理して陽極酸化皮膜を生成し、次いで、１００ｇ
／ｌの燐酸液（３０℃）で直流電圧４８Ｖから２５Ｖへ
３．５分間で電圧を徐々に降下させて２５Ｖで２分間保
持し、陽極酸化処理してバリヤー層の調整処理した。
このアルミニウム１反を、モリフ′デン酸アンモニウム
１００ｇ／ｌ、硝酸銀Ｌｏｇ／Ｉの溶液（２０℃）で交
流電圧１０．５’ｌ １分間、電解処理し、微細孔の底
部にモリブデン−銀の合金を析出させた。次いで、硫酸
第一鉄１００ｇ／ｌの溶液（２０℃）で交流電圧１０Ｖ
、４０分間、電解処理し、モリブデン−銀の合金の上に
、鉄を析出させ、二重構造を有する垂直磁気記録材料を
得た。
１００ｇ／ｌ、硝酸銀Ｌｏｇ／Ｉの溶液（２０℃）で交
流電圧１０．５’ｌ １分間、電解処理し、微細孔の底
部にモリブデン−銀の合金を析出させた。次いで、硫酸
第一鉄１００ｇ／ｌの溶液（２０℃）で交流電圧１０Ｖ
、４０分間、電解処理し、モリブデン−銀の合金の上に
、鉄を析出させ、二重構造を有する垂直磁気記録材料を
得た。
比較例１
製造例１において、銀を析出させる電解処理をせず、３
０分間、電解処理して鉄を析出させて、垂直磁気記録材
料を得た。
０分間、電解処理して鉄を析出させて、垂直磁気記録材
料を得た。
比較例２
製造例２において、モリブデン−銀の合金を析出させる
電解処理をせず、４０分間、電解処理して鉄を析出させ
て、垂直磁気記録材料を得た。
電解処理をせず、４０分間、電解処理して鉄を析出させ
て、垂直磁気記録材料を得た。
製造例１、製造例２および比較例１、比較例２で得られ
た垂直磁気記録材料の磁気特性における（発明の効果） 本発明の垂直磁気記録材料は磁気特性における角型比が
すぐれており、有効な磁気材料となり得る。
た垂直磁気記録材料の磁気特性における（発明の効果） 本発明の垂直磁気記録材料は磁気特性における角型比が
すぐれており、有効な磁気材料となり得る。
第１図および第２図はそれぞれ製造例１および製造例２
で得られた垂直磁気記録材料のヒステリシス・ループ、
第３図および第４図はそれぞれ比較例１および比較例２
で得られた垂直磁気記録材料のヒステリシス・ループで
ある。 特許出願人 パイロット萬年筆株式会社第 １ 図
第 ２Ｎ第４図 手続補正書 昭和６０年１２月２０日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２４４９１８号 ２、発明の名称 垂直磁気記録材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補
正命令の日付 昭和 年 月 日
で得られた垂直磁気記録材料のヒステリシス・ループ、
第３図および第４図はそれぞれ比較例１および比較例２
で得られた垂直磁気記録材料のヒステリシス・ループで
ある。 特許出願人 パイロット萬年筆株式会社第 １ 図
第 ２Ｎ第４図 手続補正書 昭和６０年１２月２０日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２４４９１８号 ２、発明の名称 垂直磁気記録材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補
正命令の日付 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 陽極酸化皮膜を生成したアルミニウム又はアルミニウム
合金のバリヤー層の調整処理後、陽極酸化皮膜の微細孔
において、底部に非磁性体を析出させ、その非磁性体の
上に、磁性体を析出させた垂直磁気記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24491885A JPS62103843A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 垂直磁気記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24491885A JPS62103843A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 垂直磁気記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103843A true JPS62103843A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17125907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24491885A Pending JPS62103843A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 垂直磁気記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10048420A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsanordnungen sowie zugehörige Schaltungsanordnungen, insbesondere Tunnelkontaktelemente |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP24491885A patent/JPS62103843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10048420A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsanordnungen sowie zugehörige Schaltungsanordnungen, insbesondere Tunnelkontaktelemente |
| US6864175B2 (en) | 2000-09-29 | 2005-03-08 | Infineon Technologies Ag | Method for fabricating integrated circuit arrangements, and associated circuit arrangements, in particular tunnel contact elements |
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