JPS62102582A - 半導体レ−ザの検査方法 - Google Patents
半導体レ−ザの検査方法Info
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- JPS62102582A JPS62102582A JP24212585A JP24212585A JPS62102582A JP S62102582 A JPS62102582 A JP S62102582A JP 24212585 A JP24212585 A JP 24212585A JP 24212585 A JP24212585 A JP 24212585A JP S62102582 A JPS62102582 A JP S62102582A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの検査方法に関し、特にウェハ
ー状態で半導体レーザの良否を判定し、特性を検査する
検査方法に関するものである。
ー状態で半導体レーザの良否を判定し、特性を検査する
検査方法に関するものである。
本発明は、半導体レーザの良否判定及び特性の検査方法
において、基板上に前記半導体レーザとそれと同一構造
をもった受光素子を複数形成し、前記半導体レーザの発
振方法として、一対の共振面をウェハー状態のままエツ
チング工程により形成したファプリーペロー共振器でレ
ーザ発振し、前記受光素子で前記レーザ発振を検知する
ことにより、ウェハー状態で半導体レーザの良否判定及
び特性を検査することを可能にしたものである。
において、基板上に前記半導体レーザとそれと同一構造
をもった受光素子を複数形成し、前記半導体レーザの発
振方法として、一対の共振面をウェハー状態のままエツ
チング工程により形成したファプリーペロー共振器でレ
ーザ発振し、前記受光素子で前記レーザ発振を検知する
ことにより、ウェハー状態で半導体レーザの良否判定及
び特性を検査することを可能にしたものである。
（従来の技術〕
従来の半導体レーザの検査方法は、基板上に形成した半
導体レーザを１チツプごとに何間し、全チップをヒート
シンク上にろう材で接着し、それをマウントに固定した
後、雪掻をボンディングで形成しパッケージをかぶせ、
その後良否の判定及び特性の検査をするものであった。
導体レーザを１チツプごとに何間し、全チップをヒート
シンク上にろう材で接着し、それをマウントに固定した
後、雪掻をボンディングで形成しパッケージをかぶせ、
その後良否の判定及び特性の検査をするものであった。
更に検査工程を簡略化するために各ウェハーロフトの中
から任意抽出し、良否の判定及び特性の検査をし、１品
でも異常があればそのロフトのチップは全部廃却すると
いうような方法を用いていた。
から任意抽出し、良否の判定及び特性の検査をし、１品
でも異常があればそのロフトのチップは全部廃却すると
いうような方法を用いていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来技術では、検査する前に、基板上に形成した半導体レ
ーザを１チツプごとに襞間する時に襞間する時に何間面
の不良を起こすという問題点を有していた。更に全チッ
プを実装するという手間及び不良品に対しても実装する
というむだがあった。
来技術では、検査する前に、基板上に形成した半導体レ
ーザを１チツプごとに襞間する時に襞間する時に何間面
の不良を起こすという問題点を有していた。更に全チッ
プを実装するという手間及び不良品に対しても実装する
というむだがあった。
そこで本発明は、従来のこのような問題点を解決するた
め、ウェハー状態で半導体レーザの良否判定及び特性の
検査を行うことを目的としている。
め、ウェハー状態で半導体レーザの良否判定及び特性の
検査を行うことを目的としている。
本発明の半導体レーザの検査方法は、基板上に前記半導
体レーザとそれと同一構造をもった受光素子を複数形成
し、前記半導体レーザの発振方法として、一対の共振面
をウェハー状態のままエツチング工程により形成したフ
ァプリーベロー共振器でレーザ発振し、前記受光素子で
前記レーザ発振を検知することを特徴とする。
体レーザとそれと同一構造をもった受光素子を複数形成
し、前記半導体レーザの発振方法として、一対の共振面
をウェハー状態のままエツチング工程により形成したフ
ァプリーベロー共振器でレーザ発振し、前記受光素子で
前記レーザ発振を検知することを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図に基板上に形成した半導体レーザの９チツプ分を示す
。６はｎ型基板、５はｎ型クラフト層、２は活性層、４
はｐ型りランド層、９はｐ型バッファ層、１０は酸化膜
である。３，７は電極、１は共振面、８は半導体レーザ
、１１は受光素子である。
図に基板上に形成した半導体レーザの９チツプ分を示す
。６はｎ型基板、５はｎ型クラフト層、２は活性層、４
はｐ型りランド層、９はｐ型バッファ層、１０は酸化膜
である。３，７は電極、１は共振面、８は半導体レーザ
、１１は受光素子である。
以下、詳細は工程を追いながら説明していく。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板６上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層５を液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）により形
成する。その上に、ＧａＡｓ活性層２、１）型ＧａＡｌ
Ａｓクラツド１ｉ４．ｐ型ＧａＡＳバツフア層９を順次
ＬＰＥにより形成する０次にｓ ｉＯｚ ｋｆＡ縁酸縁
膜化膜１０相成長法等で形成し、レジストを塗布した後
、第１図の酸化膜パターンになるようフォトエッチ工程
を行う、その後：ウハーの上下にＷｉ３．７を形成し、
最後に共振面１を反応性イオンスパッタ法等によるフォ
トエッチ工程で、ｎ型クラフト層５まで削ることにより
、レーザ共振器をウェハー状態で形成する。
ド層５を液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）により形
成する。その上に、ＧａＡｓ活性層２、１）型ＧａＡｌ
Ａｓクラツド１ｉ４．ｐ型ＧａＡＳバツフア層９を順次
ＬＰＥにより形成する０次にｓ ｉＯｚ ｋｆＡ縁酸縁
膜化膜１０相成長法等で形成し、レジストを塗布した後
、第１図の酸化膜パターンになるようフォトエッチ工程
を行う、その後：ウハーの上下にＷｉ３．７を形成し、
最後に共振面１を反応性イオンスパッタ法等によるフォ
トエッチ工程で、ｎ型クラフト層５まで削ることにより
、レーザ共振器をウェハー状態で形成する。
半導体レーザは、下電極３にプラスを、下電極７にマイ
ナスを、すなわち順方向バイアスを印加することにより
、活性ＩＷ２から共振面１に垂直方向にレーザを発振す
る。一方、同じ構造の素子にただ逆方向バイアスを印加
することにより、フォトダイオードとして作動する。
ナスを、すなわち順方向バイアスを印加することにより
、活性ＩＷ２から共振面１に垂直方向にレーザを発振す
る。一方、同じ構造の素子にただ逆方向バイアスを印加
することにより、フォトダイオードとして作動する。
以下に第２図を用いて、半導体レーザの良否の判定及び
特性の検査方法を述べる。検査したい半導体レーザ８に
順方向バイアス、共振面１をはさんで隣り合う受光素子
１１に逆方向バイアスを印加することにより、半導体レ
ー゛ザ８の良否判定及び特性を検査することができる。
特性の検査方法を述べる。検査したい半導体レーザ８に
順方向バイアス、共振面１をはさんで隣り合う受光素子
１１に逆方向バイアスを印加することにより、半導体レ
ー゛ザ８の良否判定及び特性を検査することができる。
ピン電極１３゜１４をペアで次々に平行移動させていけ
ば、ウェハー上のすべてのチップを検査することができ
る。
ば、ウェハー上のすべてのチップを検査することができ
る。
以上、本発明の実施例をＬＰＥで形成したＧａＡｌＡｓ
系半導体レーザを用いて説明した。しかし、本発明の方
法で検査できるのは、成長方法としてＬＰＥに限らず、
ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等でも同様であり、また材料として
もＣａＡｌＡｓ系に限らすＧａｌ’ｎＡｓＰ系など他の
ｍ−ｖ化合物でも同様であり、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳ等のｎ
＝ｖ’＋化合物でも同様の検査方法を用いて、半導体
レーザの良否判定及び特性を検査することができる。
系半導体レーザを用いて説明した。しかし、本発明の方
法で検査できるのは、成長方法としてＬＰＥに限らず、
ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等でも同様であり、また材料として
もＣａＡｌＡｓ系に限らすＧａｌ’ｎＡｓＰ系など他の
ｍ−ｖ化合物でも同様であり、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳ等のｎ
＝ｖ’＋化合物でも同様の検査方法を用いて、半導体
レーザの良否判定及び特性を検査することができる。
以上説明したように本発明によれば、ウェハー状態で半
導体レーザの良否判定及び特性の検査をすることができ
、全チップを実装するという手間が省け、更に検査時間
が大幅に短縮でき、更に工程数が大幅に減り、更に人員
の数を大幅に削減でき、更に検査工程を自動化すること
により更に時間の短縮をすることができる。以上により
、量産性の向上、更にはコストの低下といった多大な効
果を有するものである。
導体レーザの良否判定及び特性の検査をすることができ
、全チップを実装するという手間が省け、更に検査時間
が大幅に短縮でき、更に工程数が大幅に減り、更に人員
の数を大幅に削減でき、更に検査工程を自動化すること
により更に時間の短縮をすることができる。以上により
、量産性の向上、更にはコストの低下といった多大な効
果を有するものである。
第１図は本説明による半導体レーザ形成Ｖのウェハーの
一部断面斜視図。 第２図は本発明による半導体レーザの良否の判定及び特
性の検査方法を示す構成図。 １・・・共振面 ６・・・基板 ８・・・半導体レーザ １１・・・受光素子 以 上
一部断面斜視図。 第２図は本発明による半導体レーザの良否の判定及び特
性の検査方法を示す構成図。 １・・・共振面 ６・・・基板 ８・・・半導体レーザ １１・・・受光素子 以 上
Claims (2)
- （１）基板上に複数個の半導体レーザ光発振部を形成し
、個々の前記半導体レーザの良否判定及び特性を検査す
る検査方法において、前記基板上に前記半導体レーザと
それと同一構造をもった受光素子を交互に複数個形成し
、前記受光素子で隣接する前記半導体レーザの良否判定
及び特性を検知することを特徴とする半導体レーザの検
査方法。 - （２）前記半導体レーザの共振面をエッチング工程によ
り形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24212585A JPS62102582A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24212585A JPS62102582A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102582A true JPS62102582A (ja) | 1987-05-13 |
Family
ID=17084670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24212585A Pending JPS62102582A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04340287A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-11-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| JP2016208040A (ja) * | 2011-12-08 | 2016-12-08 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 端面発光エッチングファセットレーザ |
| CN116995535A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 深圳市柠檬光子科技有限公司 | 激光芯片、激光模组及激光探测设备 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24212585A patent/JPS62102582A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04340287A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-11-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| JP2016208040A (ja) * | 2011-12-08 | 2016-12-08 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 端面発光エッチングファセットレーザ |
| CN116995535A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 深圳市柠檬光子科技有限公司 | 激光芯片、激光模组及激光探测设备 |
| CN116995535B (zh) * | 2023-09-28 | 2023-12-12 | 深圳市柠檬光子科技有限公司 | 激光芯片、激光模组及激光探测设备 |
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