JPS6199339A - 陽極酸化膜の形成方法 - Google Patents
陽極酸化膜の形成方法Info
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- JPS6199339A JPS6199339A JP22103384A JP22103384A JPS6199339A JP S6199339 A JPS6199339 A JP S6199339A JP 22103384 A JP22103384 A JP 22103384A JP 22103384 A JP22103384 A JP 22103384A JP S6199339 A JPS6199339 A JP S6199339A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/471—Inorganic layers
- H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば赤外線検知素子の製造工程に用いる陽極
酸化膜の形成方法に係り、特に赤外線検知素子を形成す
る基板材料の化合物半導体基板の陽極酸化膜を均一な厚
さで形成する方法に関する。
酸化膜の形成方法に係り、特に赤外線検知素子を形成す
る基板材料の化合物半導体基板の陽極酸化膜を均一な厚
さで形成する方法に関する。
例えばエネルギーギャップの狭い水銀（Ｉｌｇ）カドミ
ウム（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導体を
用いて赤外線検知素子を形成し、この素子の受光面に赤
外線を照射し、この赤外線の照射によって素子を形成す
る化合物半導体基板の抵抗の変化を検知して赤外線の照
射量を検知する光導電型の赤外線検知素子は周知である
。
ウム（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導体を
用いて赤外線検知素子を形成し、この素子の受光面に赤
外線を照射し、この赤外線の照射によって素子を形成す
る化合物半導体基板の抵抗の変化を検知して赤外線の照
射量を検知する光導電型の赤外線検知素子は周知である
。
このような赤外線検知素子を形成する場合、通常形成さ
れる素子の表面を保護するための素子形成用基板の陽極
酸化膜を基板表面に形成する工程があり、この陽極酸化
膜は素子の特性を均一となるようにするため、出来るだ
け均一な厚さで形成することが要望されている。
れる素子の表面を保護するための素子形成用基板の陽極
酸化膜を基板表面に形成する工程があり、この陽極酸化
膜は素子の特性を均一となるようにするため、出来るだ
け均一な厚さで形成することが要望されている。
従来の赤外線検知素子の製造方法は、水銀（Ｈｇ）・カ
ドミウム（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導
体基板ｌをサファイアよりなる絶縁性支持基板２に接着
剤を用いて貼着した後、基板１を約１０μｍの厚さの寸
法となる迄研磨した後、その表面を鏡面仕上げする。
ドミウム（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導
体基板ｌをサファイアよりなる絶縁性支持基板２に接着
剤を用いて貼着した後、基板１を約１０μｍの厚さの寸
法となる迄研磨した後、その表面を鏡面仕上げする。
このように支持基板を用いるのは、化合物半導体基板を
薄層化するためである。
薄層化するためである。
その後、基板１の表面に陽極酸化膜を形成するために第
３図に示すように基板の１の端部にインジウム（Ｉｎ）
を用いて金線３をボンディングした後、支持基板２の端
部を吸着管４を介して真空ポンプ（図示せず）用いて吸
着した後、エチレングリコール（（ＣＩ＋２ ） ２
（ＯＨ）２ ）とカセイカリ （ＫＯＨ）の混合液より
なる陽極酸化液５に前記基板１を浸漬する。更に前記金
線３を陽極とし、白金よりなる陰極６を別個に陽極酸化
液５中に設け、前記金線よりなる陽極３と、白金よりな
る陰極６間に直流電圧を印加して基板１の表面に陽極酸
化膜を形成している。
３図に示すように基板の１の端部にインジウム（Ｉｎ）
を用いて金線３をボンディングした後、支持基板２の端
部を吸着管４を介して真空ポンプ（図示せず）用いて吸
着した後、エチレングリコール（（ＣＩ＋２ ） ２
（ＯＨ）２ ）とカセイカリ （ＫＯＨ）の混合液より
なる陽極酸化液５に前記基板１を浸漬する。更に前記金
線３を陽極とし、白金よりなる陰極６を別個に陽極酸化
液５中に設け、前記金線よりなる陽極３と、白金よりな
る陰極６間に直流電圧を印加して基板１の表面に陽極酸
化膜を形成している。
ところでこのような従来の陽極酸化膜の形成方法では、
基板ｌの端部は陽極酸化液５に浸漬されておらず、また
この基板１が陽極酸化液５の表面より突出している部分
で、電界の集中がこの基板１と陽極酸化液５の境界面で
起こりやすく、形成される陽極酸化膜に厚さムラが生じ
、また基板の端部には陽極酸化膜が形成されない不都合
があった。
基板ｌの端部は陽極酸化液５に浸漬されておらず、また
この基板１が陽極酸化液５の表面より突出している部分
で、電界の集中がこの基板１と陽極酸化液５の境界面で
起こりやすく、形成される陽極酸化膜に厚さムラが生じ
、また基板の端部には陽極酸化膜が形成されない不都合
があった。
また前記支持板２を吸着している吸着管４を直接基板１
の端部に設け、この吸着管４を陽極とする方法もあるが
、このような方法でも前記したのと同様な問題があり、
またこのようにすると吸着管自体が大きいため、基板１
の面積を大きくする必要がある。
の端部に設け、この吸着管４を陽極とする方法もあるが
、このような方法でも前記したのと同様な問題があり、
またこのようにすると吸着管自体が大きいため、基板１
の面積を大きくする必要がある。
上記問題点は、支持基板に化合物半導体基板を貼着し、
該半導体基板に導線を接続して、陽極酸化液に浸漬し前
記導線を陽極とし、前記陽極酸化液中に陰極を設け、前
記陽極と陰極間に電圧を印加して半導体基板上ば陽極酸
化膜を形成する方法に於いて、前記支持基板に予め貫通
孔を設けた後、該支持基板に化合物半導体基板を貼着し
、前記貫通孔を通じて陽極酸化の陽極用導線を取り出し
て、前記支持基板の背面を吸着しながら半導体基板表面
全体を陽極酸化液に浸漬して陽極酸化する本発明の陽極
酸化膜の形成方法により解決される。
該半導体基板に導線を接続して、陽極酸化液に浸漬し前
記導線を陽極とし、前記陽極酸化液中に陰極を設け、前
記陽極と陰極間に電圧を印加して半導体基板上ば陽極酸
化膜を形成する方法に於いて、前記支持基板に予め貫通
孔を設けた後、該支持基板に化合物半導体基板を貼着し
、前記貫通孔を通じて陽極酸化の陽極用導線を取り出し
て、前記支持基板の背面を吸着しながら半導体基板表面
全体を陽極酸化液に浸漬して陽極酸化する本発明の陽極
酸化膜の形成方法により解決される。
即ち、本発明の陽極酸化膜の形成方法は、サファイアよ
りなる絶縁性支持基板に予め機械加工等の方法で開孔部
を設けた後、該支持基板に化合物半導体基板を貼着した
後、薄層化し、この開孔部を通じて陽極とな番電極用導
線を取り出し、支持基板の背面側を吸着しながら基板表
面全床を陽極酸化液に浸漬せしめて、基板表面全体に均
一な厚さの陽極酸化膜を形成するようにしたものである
。
りなる絶縁性支持基板に予め機械加工等の方法で開孔部
を設けた後、該支持基板に化合物半導体基板を貼着した
後、薄層化し、この開孔部を通じて陽極とな番電極用導
線を取り出し、支持基板の背面側を吸着しながら基板表
面全床を陽極酸化液に浸漬せしめて、基板表面全体に均
一な厚さの陽極酸化膜を形成するようにしたものである
。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の陽極酸化膜の形成方法を説明するため
の模式図で、図示するように水銀（Ｈｇ）・カドミウム
（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導体基板１
１が開孔部・１２を有するサファイアよりなる絶縁性支
持基板１３に接着剤にて貼着されている。
の模式図で、図示するように水銀（Ｈｇ）・カドミウム
（Ｃｄ）・テルル（Ｔｅ）よりなる化合物半導体基板１
１が開孔部・１２を有するサファイアよりなる絶縁性支
持基板１３に接着剤にて貼着されている。
この開孔部１２は図では１個しか設けていないが、多数
適宜設けても良い。この開孔部１２を通じて陽極となる
金線１４を基板１１とＩｎを用いて熔融接続した後、支
持基板１３の背面側を吸着管１５を介して真空ポンプ（
図示せず）で吸引しながら、基板１１の表面全体が前記
した組成の陽極酸化液１６と接触するようにする。この
ようにすると、陽極酸化液１６はその表面張力で浮き上
がり、基板１１の表面全体に接触するようになる。この
状態で白金よりなる陰極１７を陽極酸化液１６中に設け
、この陰極１７と前記金線よりなる陽極１４間に直流電
圧を印加して陽極酸化を行い、基板１１表面に陽極酸化
膜を形成する。
適宜設けても良い。この開孔部１２を通じて陽極となる
金線１４を基板１１とＩｎを用いて熔融接続した後、支
持基板１３の背面側を吸着管１５を介して真空ポンプ（
図示せず）で吸引しながら、基板１１の表面全体が前記
した組成の陽極酸化液１６と接触するようにする。この
ようにすると、陽極酸化液１６はその表面張力で浮き上
がり、基板１１の表面全体に接触するようになる。この
状態で白金よりなる陰極１７を陽極酸化液１６中に設け
、この陰極１７と前記金線よりなる陽極１４間に直流電
圧を印加して陽極酸化を行い、基板１１表面に陽極酸化
膜を形成する。
このようにすると、基板表面全体に均一な厚さの陽極酸
化膜が形成でき、形成される素子の特性が向上する。
化膜が形成でき、形成される素子の特性が向上する。
以上述べた実施例では、赤外線検知素子の製造の場合に
例を用いて説明したが、その他半導体レーザ素子、或い
は半導体素子の製造の場合に素子形成用基板の陽極酸化
膜を形成する工程を有する素子形成の場合に、本発明の
方法はすべて適用できる。
例を用いて説明したが、その他半導体レーザ素子、或い
は半導体素子の製造の場合に素子形成用基板の陽極酸化
膜を形成する工程を有する素子形成の場合に、本発明の
方法はすべて適用できる。
以上述べたように本発明の陽極酸化膜の形成方法によれ
ば、基板表面全体に均一な厚さで、厚さムラのない状態
で表面保護膜となる陽極酸化膜が形成できるので、素子
特性が向上する効果がある。
ば、基板表面全体に均一な厚さで、厚さムラのない状態
で表面保護膜となる陽極酸化膜が形成できるので、素子
特性が向上する効果がある。
第１図は本発明の陽極酸化膜の形成方法を説明するため
の模式図、 第２図は一般的な赤外線検知素子の形成方法を説明する
ための斜視図、 第３図は従来の陽極酸化膜の形成方法を説明するための
模式図である。 図に於いて、１１は化合物半導体基板、１２は開孔部、
１３は支持基板、１４は金線、１５は吸着管、１６は陽
極酸化液、１７は陰極を示す。 第１閃
の模式図、 第２図は一般的な赤外線検知素子の形成方法を説明する
ための斜視図、 第３図は従来の陽極酸化膜の形成方法を説明するための
模式図である。 図に於いて、１１は化合物半導体基板、１２は開孔部、
１３は支持基板、１４は金線、１５は吸着管、１６は陽
極酸化液、１７は陰極を示す。 第１閃
Claims (1)
- 支持基板に化合物半導体基板を貼着し、該半導体基板
に導線を接続して、陽極酸化液に浸漬し前記導線を陽極
とし、前記陽極酸化液中に陰極を設け、前記陽極と陰極
間に電圧を印加して半導体基板上に陽極酸化膜を形成す
る方法に於いて、前記支持基板に予め貫通孔を設けた後
、該支持基板に化合物半導体基板を貼着し、前記貫通孔
を通じて陽極酸化の陽極用導線を取り出して、前記支持
基板の背面を吸着しながら半導体基板表面全体を陽極酸
化液に浸漬して陽極酸化することを特徴とする陽極酸化
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22103384A JPS6199339A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 陽極酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22103384A JPS6199339A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 陽極酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199339A true JPS6199339A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16760428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22103384A Pending JPS6199339A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 陽極酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199339A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112018005897T5 (de) | 2017-12-20 | 2020-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP22103384A patent/JPS6199339A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112018005897T5 (de) | 2017-12-20 | 2020-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür |
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