JPS6197175A - 非酸化物セラミツクスと金属の接合体およびその接合法 - Google Patents

非酸化物セラミツクスと金属の接合体およびその接合法

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JPS6197175A
JPS6197175A JP21916284A JP21916284A JPS6197175A JP S6197175 A JPS6197175 A JP S6197175A JP 21916284 A JP21916284 A JP 21916284A JP 21916284 A JP21916284 A JP 21916284A JP S6197175 A JPS6197175 A JP S6197175A
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oxide
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雅也 三宅
修 小村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は窒化珪素などの非酸化物セラミックスと金属
の接合体並びにその接合法に関するものである。
〈従来の技術〉 窒化珪素、炭化珪素などの非酸化物セラミックスは、金
属に比べて高温強度、耐摩耗性、耐食性などの面ですぐ
れた特性を有しているため、この特性を生かした用途の
開発が進められている。
窒化珪素セラミックスや炭化珪素セラミックスを自動車
用エンジンならびにそのターボチャージ。
ヤーなどに使用しようとするのはその一例であるが、こ
のようにセラミックスを構造材料として使用する際には
、金属部材との接合が必要となる場合が多い。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、窒化珪素や炭化珪素などの非酸、化物セ
ラミックスは、金属との反応性が低く、安定という性質
を有しており、金属どの接合が難しい上に非酸化物セラ
ミックスと金属の熱膨張係数の差に起因して接合界面に
大きな熱応力が残留し、接合体が破壊するなどの問題が
起っている。
例えば、窒化珪素セラミックスと鋼の熱膨張係数は、そ
れぞれ、3x 10/ ’C115X10/”Cであり
、1300℃で接合した場合を想定すると、接合後室温
まで冷却してくる間に窒素珪素と鋼の接合界面の両端の
窒化珪素側に約100kIi4jの熱応力が発生するこ
とが計算によって求められている。
このため、従来非酸化物セラミックス部材と金属部材と
の接合については、焼きばめやネジ止めなどによる機械
的な接合が行なわれてきた。
ところが、これらの接合方法は複雑な形状の機械部品の
接合には不向きであり、熱サイクルに対しての信頼性に
欠けるという問題点が指摘されている。
〈問題点を解決するための手段〉 この発明は上記した従来の非酸化物セラミックスと金属
の接合法における問題点を解消すべく検討の結果見出さ
れたものである。
即ち、この発明は大量の非酸化物セラミックス部材と金
属部材を接合するのに適した接合体の構造とその接合方
法を提供するものであり、詳しくのべると、非酸化物セ
ラミックス部材と金属部材との接合において、両部材間
にfqa族金属とAlならびに被接合金属部材を構成す
る金属よりなる複数層を設けた非酸化物セラミックスと
金属の接合体とその接合方法である。
〈作  用〉 この発明の特徴は非酸化物セラミックス部材の金属部材
との接合面にrVa族金属層を形成した後にMを鑞材と
してIVa族金属層に被接合金属部材を鑞付けするとこ
ろにある。
ここでIVa族金属とはT5.7.r、Hfをいい、非
酸化物セラミックス部材の接合面上には王1、Zr1k
gを単体であるいは2種以上を組合わせて合金として薄
層を形成する。薄層を形成する方法としては、蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティングなどの物理蒸着法
、即ちP V D (P hysical V apo
r[) eposition )を用いる。
IVa族金属を非酸化物セラミックス表面に積層する直
前に、真空下で不活性ガスによるスパッタリングあるい
はイオン銃によるイオンエツチングを行ない、非酸化物
セラミックス表面層の除去、清浄化を行なってセラミッ
クス表面を活性化することによってIVa族金属層と非
酸化物セラミックスの密着性を高めることが好ましい。
非酸化物セラミックスとIVa族金属層の接合の機構に
ついては、未だ明らかになっていない部分が多いが、P
VD法では■族金属層形成中の非酸化物セラミックス基
材の温度は、現在の仁ころ基材を加熱しても500℃が
精一杯であり、500℃までの温度域では非酸化物セラ
ミックスとIVa族金属層の間にはミクロンメーター(
μm)オーダーの反応層は認められなかった。このため
主には非酸化物セラミックスとIVa族金属の機械的な
絡み合いによって接合が起っているものと考えられる。
しかしながら、IVa族金属は非常に活性の高い金属で
あるため、不活性ガススパッタリングやイオンエツチン
グによって表面層を除去された高活性な非酸化物セラミ
ックス表面とIVa族金属原子あるいはクラスターが接
触した場合、ミリメートル(叩)オーダーでの反応層が
生成している可能性は大きいが、確認できていない。
非酸化物セラミックスと金属を接合する際のもう一つの
大きな問題である熱応力の発生については、非酸化物セ
ラミックス部材と被接合金属部材の間にNの層を介在さ
せることにより解消できる。
Nは弾性率が小さく、展延性(すぐれているため、非酸
化物セラミックス部材と被接合金属部材を非酸化性の雰
囲気中でN鑞付けしたのち、V温まで冷却していく途中
で塑性変形を起し、非酸化物セラミックスと被接合金属
の熱膨張係数の差によって生じる熱応力を緩和するため
である。
さらに、このN層が適当な量の空隙を含むことによりこ
の熱応力緩和の効果が顕著になるのである。
N層内の空隙率が大きくなれば、当然#li!i自身の
強度は低下するが、それ以上に残留熱応力除去の効果が
大きく、接合体全体としての強度が向上する範囲がある
N層としては3〜30%の空隙率を有しているものが強
度的には好ましい。そして該N層にはli!IMばかり
でなく、Mに数%のへや1などを添加したN合金も使用
することができる。
上記の如く非酸化物セラミックス部材の金属部材との接
合面にPVD法によってIVa族金WA層を形成したの
ら、N合金を用いて鑞付けを行なうと、1?a族金属と
Mが反応して非酸化物セラミックスに隣接してIVa族
金属とAlよりなる反応層が生成する。
また、Alと被接合金属部材の反応によっても化合物層
が生成することが多い。このため接合体全体の構造は非
酸化物セラミックス部材−IVa族金属とAlよりなる
層−生としてAlよりなる層−Alと被接合金属部材を
構成する金属よりなる層−被接合金属部材となる。
く実 施 例〉 以下実施例によって、この発明の詳細な説明する。
実施例1 窒化珪素セラミックス部材の接合面を1×10torr
の真空中でにガススパッタリングした後、該接合面にス
パッタリングにて10μmのTL層を形成した。
このlHと炭素鋼(845G>の間に 100μmのM
箔をサンドイッチしてAr気流中700℃でN鑞付けを
行ない、窒化珪素セラミックスー炭素鋼の接合体を得た
。この接合体の引張り強度は10.3kllJであった
。そしてこの接合体の接合界面近傍の組織は図面、即ち
200倍拡大の顕微鏡写真に示す通りであり、E PM
A (E Iectron Probe  M icr
Analysis )によってそれぞれの層の組成を同
定した結果、左より■ 窒化珪素セラミックス、■ T
、とAlよりなる相、■ 〜相、■ AlとFeよりな
る相、■ 炭素鋼であることがわかった。
 ′図面から明らかなようにN相は多数の気孔を含む組
織になっており、この部分で熱応力が緩和されている。
実施例2 窒化珪素セラミックス部材の接合面に実施例1と同様に
して10μmのTL層を形成した。
このTL層と炭素鋼(845G)との間に100μmの
N箔をサンドイッチして接合圧力を種々に変化させ、A
r気流中700℃で#li付けを行ない、種々の空隙率
のN層を持った窒化珪素セラミックス−炭素鋼の接合体
を(qた。これらの接合体の引張り強度は第1表に示し
た。
第  1  表 、、− 上表から/V層に適当な空隙率を持たせることにより、
接合強度を向上させることが、処゛きた。
試料1’J0.1.2ではN層の空隙率が小さいことに
より、熱応力の解放・が十分に行なわれず、このため引
張り強度が窒化珪素セラミックスと隣接するTL −#
層の真の接着強度よりも小さい値になっているものと考
えられる。
これに対してN o、3.4の試料では残留熱応力の解
放が十分に行なわれ、引張り強度が窒化珪素セラミック
スと隣接するTL −#層の接着強度によつて律速され
でいることを示している。
N015の試料ではM層中の空隙率が大きすぎるためM
層中で破断が起った。
実施例3 炭化珪素セラミックス部材の接合面を、真空中でxeイ
オン銃を用いて500V、301IAでイオンエツチン
グを施した後、Zyをイオンプレーティングして20μ
mのZr Jiを形成した。このZr層とインコネル7
00(46%Ni−28%co−15%Cr−他)との
間に300μmのN−−合金<AA記号5052)箔を
サンドイッチして^r気流中700℃で鑞付けを行ない
、炭化珪素セラミックス−炭素鋼の接合体を得た。
この接合体の引張り強度は9.7kgJであった。
この接合体の接合界面近傍の組織をEPMAで同定した
結果、炭化珪素セラミックス、T、とAlよりなる相、
N−−相、AlとN= 、 Co 、 Crよりなる相
、インコネル700の順であることがわかった。
〈発明の効果〉 以上、この発明は非酸化物セラミックス部材と金属部材
とを゛適当な空隙率を有するN合金を介在させて接合し
たので、接合部に熱サイクルが加わっても発生す、る熱
応力を緩和することができ、熱疲労破壊を起しにくい接
合体を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の実施例によって作製した窒化珪素セラ
ミックス−炭素鋼接合体の接合面近傍の200倍拡大の
顕微鏡写真である。 ■・・・窒化珪素セラミックス ■・・・TiとAlよりなる相  ■・・・N相■・・
・AlとF・よりなる相 ■・・・炭素鋼(S45C) 特許出願人  住友電気工業株式会社 代  理  人   弁理士  和  1)  昭手続
ネ市正側コ (方式) %式%

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非酸化物セラミックス部材と金属部材との接合に
    おいて、両部材間にIVa族金属とAlならびに被接合金
    属部材を構成する金属よりなる複数層を設けたことを特
    徴とする非酸化物セラミックスと金属の接合体。
  2. (2)非酸化物セラミックス部材と金属部材との接合に
    おいて、IVa族金属とAlよりなる層、主としてAlよ
    りなる層、Alと被接合金属部材を構成する金属よりな
    る層を非酸化物セラミックス部材側より順に設けたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の非酸化物セラ
    ミックスと金属の接合体。
  3. (3)主としてAlよりなる層が3〜30%の空隙率を
    有することを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
    2項記載の非酸化物セラミックスと金属の接合体。
  4. (4)非酸化物セラミックス部材と金属部材との接合に
    おいて、前記非酸化物セラミックス側にIVa族金属層を
    形成せしめたのち、Al合金を鑞材として該IVa族金属
    層に被接合金属部材を鑞付けすることを特徴とする非酸
    化物セラミックスと金属の接合法。
  5. (5)IVa族金属層の形成に際して、非酸化物セラミッ
    クスの表面を真空下で不活性ガススパッタリング、イオ
    ンエッチングなどの物理的エッチング法にて清浄化した
    のち、直ちにIVa族金属層を蒸着、スパッタリングある
    いはイオンプレーティングにて形成することを特徴とす
    る特許請求の範囲第4項記載の非酸化物セラミックスと
    金属の接合法。
JP21916284A 1984-10-17 1984-10-17 非酸化物セラミツクスと金属の接合体およびその接合法 Granted JPS6197175A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340775A (ja) * 1986-08-07 1988-02-22 セイコーインスツルメンツ株式会社 接合部材
JPS63190770A (ja) * 1987-02-02 1988-08-08 住友電気工業株式会社 高温特性の優れたセラミツクスと金属の接合体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59164679A (ja) * 1983-03-10 1984-09-17 日本特殊陶業株式会社 セラミツクと金属との接合体
JPS6065773A (ja) * 1983-09-16 1985-04-15 株式会社荏原製作所 窒化物系セラミツクスを接合してなる金属製品並びにその製造方法

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