JPS6191359A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6191359A JPS6191359A JP21386084A JP21386084A JPS6191359A JP S6191359 A JPS6191359 A JP S6191359A JP 21386084 A JP21386084 A JP 21386084A JP 21386084 A JP21386084 A JP 21386084A JP S6191359 A JPS6191359 A JP S6191359A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas introducing
- particles
- gas introduction
- target
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置に係わシ、特にガス導入部
を改良に関する。
を改良に関する。
スパうタリング技術は、１０〜ＩＰａ程度の低気圧中で
の放電によって′ＩＭ、離ガスが電極に衝突し、原子を
たたき出す現象を利用して、基板上基と必要な薄膜を形
成する技術である。このうち電場と磁場が直交するいわ
ゆるマグネトロン放電を利用しターゲット近傍に高密度
プラズマを得ることを特徴としたマグネトロンｇ遺のス
パッタリングは、低温高速スパッタリングとも呼ばれ、
従来の二極スパッタリング→に比べて多くの長所を有す
るため広く利用されている。（例えばｒＩＯＮＩｃ１創
刊号ＰＰ４３〜ＰＰ４ｇ） 〔発明が解決し工９とする間勉点〕 従来のマグネトロン構造のスパッタ装置において、ガス
導入７行ないながらターゲツト材をスパッタリングし、
基板に所定の薄ＰＡｔ−得る場合１一般的にガーｉ、Ａ
人はターゲットのスパッタリング面の近傍に設けたガス
導入部からターゲツト材のスパッタリングされる面に一
禄ｌζ、または所定の分布を持たせて行なうが、スパッ
タリングされたターゲツト材の粒子等がガス導入部に；
も達する為に、ガス導入部にスパッタリングされた粒子
が堆積して、例えばガス導入部が、外径１０簡程匪の円
筒状のパイプの様なものにガスの噴き出る直径１ｆｉ程
度の穴を複数個明けたものである場合、スパッタリング
粒子が堆積して、ついには、ガスの噴き出る穴の一部ま
たは全部をふさいでしまい、所定の分布をもったガス導
入が行なえなくなったシ、穴が全部ふさがった場合など
、全くガス導入の機能を失ってしまうという欠点がおる
。このようにガス導入部に堆積したスパッタリング粒子
は、定期的に除去してやらねばならないため装置運用上
の欠点ともなっている。
の放電によって′ＩＭ、離ガスが電極に衝突し、原子を
たたき出す現象を利用して、基板上基と必要な薄膜を形
成する技術である。このうち電場と磁場が直交するいわ
ゆるマグネトロン放電を利用しターゲット近傍に高密度
プラズマを得ることを特徴としたマグネトロンｇ遺のス
パッタリングは、低温高速スパッタリングとも呼ばれ、
従来の二極スパッタリング→に比べて多くの長所を有す
るため広く利用されている。（例えばｒＩＯＮＩｃ１創
刊号ＰＰ４３〜ＰＰ４ｇ） 〔発明が解決し工９とする間勉点〕 従来のマグネトロン構造のスパッタ装置において、ガス
導入７行ないながらターゲツト材をスパッタリングし、
基板に所定の薄ＰＡｔ−得る場合１一般的にガーｉ、Ａ
人はターゲットのスパッタリング面の近傍に設けたガス
導入部からターゲツト材のスパッタリングされる面に一
禄ｌζ、または所定の分布を持たせて行なうが、スパッ
タリングされたターゲツト材の粒子等がガス導入部に；
も達する為に、ガス導入部にスパッタリングされた粒子
が堆積して、例えばガス導入部が、外径１０簡程匪の円
筒状のパイプの様なものにガスの噴き出る直径１ｆｉ程
度の穴を複数個明けたものである場合、スパッタリング
粒子が堆積して、ついには、ガスの噴き出る穴の一部ま
たは全部をふさいでしまい、所定の分布をもったガス導
入が行なえなくなったシ、穴が全部ふさがった場合など
、全くガス導入の機能を失ってしまうという欠点がおる
。このようにガス導入部に堆積したスパッタリング粒子
は、定期的に除去してやらねばならないため装置運用上
の欠点ともなっている。
本発明の目的はかかる欠点を除去したガス導入部を具備
したスパッタリング装置を提供することにある。
したスパッタリング装置を提供することにある。
即ち、本発明によれば、複数個の穴を有するガス導入管
と断面がうずまき状でらるガス導入補助板とを有し、こ
のガス導入補助板のうずまき状の中央付近にガス導入管
を配置したガス導入部を具備したことを特徴とするスパ
ッタリング装置が得られる。
と断面がうずまき状でらるガス導入補助板とを有し、こ
のガス導入補助板のうずまき状の中央付近にガス導入管
を配置したガス導入部を具備したことを特徴とするスパ
ッタリング装置が得られる。
次に本発明について図面を参嬰して詳細に説明する。第
１図は本発明の一実施例の断面図でおる。
１図は本発明の一実施例の断面図でおる。
図示しないスパッタリング装置のチャンバ１に配置した
ターゲット裏板２に例えばボンディングされたターゲッ
ト３を具備したプレーナマグネトロンカソード４と、ガ
ス導入管５とガス導入補助板６とより成るガス導入部７
と、基板８を取り付けた基板ホルダー９とチャンバ１内
を排気する手段（図示せず）と基板加熱手段（図示せず
）とからなシ、プレーナマグネトロンカソード４とチャ
ンバ１は絶縁部１０によシミ気的に絶縁し、チャンバ１
とターゲット３との間には、ターゲット３への放電のま
わシ込みを防止するためのターゲットシールド１１が設
けられている。第１図において、プレーナマグネトロン
カソード４と、チャンバ１お工びチャンバｌ内に配置さ
れた基板８を取シ付けた基板ホルダー９との間に例えば
直流電源１２をプレーナマグネトロンカソード４を負電
位にして接続する。次にチャンバ１内の圧力を例えば１
０ Ｐａ 程度まで排気した後、ガス導入管５に明け
られた複数個の穴より例えば、アルゴンガスを噴出１、
ガス導入補助板により導いたアルゴンガスをターゲット
３の表面に一様にま九は所定の分布を持たせてガス導入
して、チャンバ１内の圧力をｌ〜ｔｏ−”ｐａ 程度
にする。さらに、直流電源１２によシプレーナマグネト
ロンカンード４に例えば数百ボルト程度の電圧を印加し
てやると、ターゲット３と基板ホルダー９との間で放電
が起こり、ターゲット３の表面はスパッタリングされて
、基板８に薄膜が形成される。図示していないが、ター
ゲット３０表面近傍は、永久磁石による磁界と直流電源
１２による電界によるマグネトロン放電が行なわれてい
る。該スパッタリングされた粒子は基板８およびガス導
入部７の方向に飛んで行くが、ガス導入部７へ飛んでき
た粒子は、ガス導入補助板６へ主として付着し、ガス導
入管５に設けられた複数個の穴を断面がうずまき状のガ
ス導入補助板６の中心付辺へ設けることによシ、紋穴ま
でスパッタリングされた粒子はほとんど飛んでこないた
め、ガス導入管５に設けられた複数個の穴にスパッタ、
リングされた粒子が堆積することはほとんどない。ガス
導入補助板６の特にターゲット３に面する部分は、スパ
ッタリングされた粒子が堆積するが、ガス導入管５の複
数個の穴＝９噴出したガスは、ガス導入補助板６に導か
れて、断面がうずまき状のうずまきの外側開口部よシ噴
出すること番こなるが、該外側開口部のガス噴出口をガ
ス導入管５のガスが噴出する複数個の穴に対して十分大
きくしてやることにより、該ガス導入補助板６のガス噴
出口がスパッタリングされた粒子によシ目づまりするこ
とを防止することができる。
ターゲット裏板２に例えばボンディングされたターゲッ
ト３を具備したプレーナマグネトロンカソード４と、ガ
ス導入管５とガス導入補助板６とより成るガス導入部７
と、基板８を取り付けた基板ホルダー９とチャンバ１内
を排気する手段（図示せず）と基板加熱手段（図示せず
）とからなシ、プレーナマグネトロンカソード４とチャ
ンバ１は絶縁部１０によシミ気的に絶縁し、チャンバ１
とターゲット３との間には、ターゲット３への放電のま
わシ込みを防止するためのターゲットシールド１１が設
けられている。第１図において、プレーナマグネトロン
カソード４と、チャンバ１お工びチャンバｌ内に配置さ
れた基板８を取シ付けた基板ホルダー９との間に例えば
直流電源１２をプレーナマグネトロンカソード４を負電
位にして接続する。次にチャンバ１内の圧力を例えば１
０ Ｐａ 程度まで排気した後、ガス導入管５に明け
られた複数個の穴より例えば、アルゴンガスを噴出１、
ガス導入補助板により導いたアルゴンガスをターゲット
３の表面に一様にま九は所定の分布を持たせてガス導入
して、チャンバ１内の圧力をｌ〜ｔｏ−”ｐａ 程度
にする。さらに、直流電源１２によシプレーナマグネト
ロンカンード４に例えば数百ボルト程度の電圧を印加し
てやると、ターゲット３と基板ホルダー９との間で放電
が起こり、ターゲット３の表面はスパッタリングされて
、基板８に薄膜が形成される。図示していないが、ター
ゲット３０表面近傍は、永久磁石による磁界と直流電源
１２による電界によるマグネトロン放電が行なわれてい
る。該スパッタリングされた粒子は基板８およびガス導
入部７の方向に飛んで行くが、ガス導入部７へ飛んでき
た粒子は、ガス導入補助板６へ主として付着し、ガス導
入管５に設けられた複数個の穴を断面がうずまき状のガ
ス導入補助板６の中心付辺へ設けることによシ、紋穴ま
でスパッタリングされた粒子はほとんど飛んでこないた
め、ガス導入管５に設けられた複数個の穴にスパッタ、
リングされた粒子が堆積することはほとんどない。ガス
導入補助板６の特にターゲット３に面する部分は、スパ
ッタリングされた粒子が堆積するが、ガス導入管５の複
数個の穴＝９噴出したガスは、ガス導入補助板６に導か
れて、断面がうずまき状のうずまきの外側開口部よシ噴
出すること番こなるが、該外側開口部のガス噴出口をガ
ス導入管５のガスが噴出する複数個の穴に対して十分大
きくしてやることにより、該ガス導入補助板６のガス噴
出口がスパッタリングされた粒子によシ目づまりするこ
とを防止することができる。
従って本発明によるガス導入部を用いることによりガス
導入口の目づまシを防止できるという効果があるため、
ターゲットに対して所定の分布を持たせたガス導入を行
なっても、目づまシにより分布が変化することがないと
いう効果がある。
導入口の目づまシを防止できるという効果があるため、
ターゲットに対して所定の分布を持たせたガス導入を行
なっても、目づまシにより分布が変化することがないと
いう効果がある。
第１図は、本発明の実施例の断面図であり、第２図は、
第１図におけるガス導入部の斜視図である。 同、図において、 １・・・・・・チャンバ、２・・・・・・ターゲットａ
板、３・・・・・・・・・ターゲット、４・・・・・・
プレーナマグネトロンカソード、５・・・・・・ガス導
入管、６・・・・・・ガス導入補助板、７・・・・・・
ガス導入部、８・・・・・・基板、９・・・・・・基板
ホルダー、１０・・・・・・絶縁部、１１・・・・・・
ターゲットシールド、１２・・・・・・直流電源。 第１図
第１図におけるガス導入部の斜視図である。 同、図において、 １・・・・・・チャンバ、２・・・・・・ターゲットａ
板、３・・・・・・・・・ターゲット、４・・・・・・
プレーナマグネトロンカソード、５・・・・・・ガス導
入管、６・・・・・・ガス導入補助板、７・・・・・・
ガス導入部、８・・・・・・基板、９・・・・・・基板
ホルダー、１０・・・・・・絶縁部、１１・・・・・・
ターゲットシールド、１２・・・・・・直流電源。 第１図
Claims (1)
- 複数個を穴を有するガス導入管と断面がうずまき状であ
るガス導入補助板とを有し、該ガス導入補助板のうずま
き状の中央付近に該ガス導入管を配置したガス導入部を
具備したことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21386084A JPS6191359A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21386084A JPS6191359A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191359A true JPS6191359A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16646215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21386084A Pending JPS6191359A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687097A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-03-29 | Takasago Denki Sangyo Kk | 空き缶圧縮処理装置 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21386084A patent/JPS6191359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687097A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-03-29 | Takasago Denki Sangyo Kk | 空き缶圧縮処理装置 |
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