JPS6186724A - グレ−テイング型光制御素子 - Google Patents
グレ−テイング型光制御素子Info
- Publication number
- JPS6186724A JPS6186724A JP20926084A JP20926084A JPS6186724A JP S6186724 A JPS6186724 A JP S6186724A JP 20926084 A JP20926084 A JP 20926084A JP 20926084 A JP20926084 A JP 20926084A JP S6186724 A JPS6186724 A JP S6186724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- light
- electrode
- diffracted light
- order diffracted
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光情報処理用、光通信用、画像処理用、光表
示用、光記録用等の各種装置に好適な光制御素子に関す
る。
示用、光記録用等の各種装置に好適な光制御素子に関す
る。
（２）従来技術
従来から光通信、光情報処理、光演算処理等に使用する
装置の基本コンポーネントとして、光スィッチや光偏向
器等の光制御素子の開発が盛んに行なわれてきた。従来
の光制御素子として代表的なものには、ね械的方法と電
気的に制御する方法とがある。
装置の基本コンポーネントとして、光スィッチや光偏向
器等の光制御素子の開発が盛んに行なわれてきた。従来
の光制御素子として代表的なものには、ね械的方法と電
気的に制御する方法とがある。
機械的方法は機械的に光路の切換を行なうもので、確実
でコントラスト比も高いが装置を小型化することが困＆
、ｉ［であり、応答速度も比較的遅い。一方電気的に制
御する方法には、薄膜導波路型の光スィッチや液晶もし
くは結晶の電気光学効果や電気光学効果を利用した装置
等があり、薄膜導波路を用いたものは高速性に優れコン
トラスト比も高いが、実用上外部との結合が困難であり
大口径、高出力の光を制御するには不向きである。又、
液晶を利用したものは１１′ｌ成が簡便で比軟的コント
ラスト比が優れている反面、応答特性や光束利用効率に
問題があり、ｇ：ｉ晶を用いたものは応完は優れている
が、コントラスト比や光束利用効率に問題があった。
でコントラスト比も高いが装置を小型化することが困＆
、ｉ［であり、応答速度も比較的遅い。一方電気的に制
御する方法には、薄膜導波路型の光スィッチや液晶もし
くは結晶の電気光学効果や電気光学効果を利用した装置
等があり、薄膜導波路を用いたものは高速性に優れコン
トラスト比も高いが、実用上外部との結合が困難であり
大口径、高出力の光を制御するには不向きである。又、
液晶を利用したものは１１′ｌ成が簡便で比軟的コント
ラスト比が優れている反面、応答特性や光束利用効率に
問題があり、ｇ：ｉ晶を用いたものは応完は優れている
が、コントラスト比や光束利用効率に問題があった。
（３）発明の概要
本発明の目的は、従来の欠点を除去すると共に（、′ｑ
成が簡便で、高度な機能を有する光制御素子を提供する
ことにある。
成が簡便で、高度な機能を有する光制御素子を提供する
ことにある。
本発明に係るグレーティング型光制御素子は、ＨｉＮ子
をｕ４成するグレーティングに基づく回折効果を利用し
、入射光を回折光に変換することにより、光スィッチ、
光偏向、光分配等の制御を可能にしたことを特徴とする
。
をｕ４成するグレーティングに基づく回折効果を利用し
、入射光を回折光に変換することにより、光スィッチ、
光偏向、光分配等の制御を可能にしたことを特徴とする
。
出射する回折光は、前記グレーティングの形状と入射光
の入射角度及びグレーティングの変調度を変える事によ
り様々な制御が可能であり、所定の回折光間の光量和を
入射光の光量に対してほぼ一定に保ち、該回折光間の光
量比を変える事が可能である。上記のグレーティング変
調度は、グレーティングの屈折率変化と厚みの積の関数
で表わすことができる。
の入射角度及びグレーティングの変調度を変える事によ
り様々な制御が可能であり、所定の回折光間の光量和を
入射光の光量に対してほぼ一定に保ち、該回折光間の光
量比を変える事が可能である。上記のグレーティング変
調度は、グレーティングの屈折率変化と厚みの積の関数
で表わすことができる。
本紫子を構成するグレーティングは、屈折率可変媒体と
透明光つ部材もしくは二つの屈折率可変斥“１２体より
成り、該屈折率可変媒体の屈折率を電界、Ｕ界、ｉ′：
、’・は等によって変化させることによって該グレーテ
ィングの変調度を制御する事が可能であり、ひいて／／
′ｉ回折光の伏線を制御する事ができる。該屈折率可変
媒体としては、００４．、’ｌ：ｔｏ、、ＰＭＭＡ。
透明光つ部材もしくは二つの屈折率可変斥“１２体より
成り、該屈折率可変媒体の屈折率を電界、Ｕ界、ｉ′：
、’・は等によって変化させることによって該グレーテ
ィングの変調度を制御する事が可能であり、ひいて／／
′ｉ回折光の伏線を制御する事ができる。該屈折率可変
媒体としては、００４．、’ｌ：ｔｏ、、ＰＭＭＡ。
０、Ｈ，ＯＨ等の熱によって屈折率を変化させるもの、
ＭｎＢ１．ＥｕＯ等の磁界によって屈折率を変化させる
％（Ｄ、Ｏ８２，二）ロベンゼン等の光によって屈折率
を変化させるもの、及び液晶、ｌｒ ｉＮｂ Ｏａ ｇ
ＺｎＯｙＰＬＺ’！’、ＫＩＩＰ、ＡＤＰ、ＢＳＯ等
の電界によって屈折率を変化させるものなどが挙げられ
る。又、本光制御素子に使用する光源は単色光又はＬＥ
Ｄ等の波長域に幅のある光源で購わない。
ＭｎＢ１．ＥｕＯ等の磁界によって屈折率を変化させる
％（Ｄ、Ｏ８２，二）ロベンゼン等の光によって屈折率
を変化させるもの、及び液晶、ｌｒ ｉＮｂ Ｏａ ｇ
ＺｎＯｙＰＬＺ’！’、ＫＩＩＰ、ＡＤＰ、ＢＳＯ等
の電界によって屈折率を変化させるものなどが挙げられ
る。又、本光制御素子に使用する光源は単色光又はＬＥ
Ｄ等の波長域に幅のある光源で購わない。
（４）実施例
第１図は本発明に係るグレーティング型光制御素子の基
本構成を示す。１は屈折率可変媒体、２は第２の屈折率
可変媒体、３は透明光学部材を示す。
本構成を示す。１は屈折率可変媒体、２は第２の屈折率
可変媒体、３は透明光学部材を示す。
第Ｘ１（ａ）及び（０）は屈折率可変媒体１及び透明光
学部材３によってグレーティングを構成したもの、第１
図（ｂ）は屈折率可変媒体ｌ及び２によってグレーティ
ングを構成したものである。
学部材３によってグレーティングを構成したもの、第１
図（ｂ）は屈折率可変媒体ｌ及び２によってグレーティ
ングを構成したものである。
第１図（−〜（０）に示されているように該グレーティ
ングの断面形状は矩形状、鋸歯状もしくは正弦波状等ど
のような形状であっても購わない。以下第１図（Ｃ）の
米子を用いて本発明に係るグレーティング型光制御素子
の（ｔ１龍を説明する。
ングの断面形状は矩形状、鋸歯状もしくは正弦波状等ど
のような形状であっても購わない。以下第１図（Ｃ）の
米子を用いて本発明に係るグレーティング型光制御素子
の（ｔ１龍を説明する。
、ｇＪ ２図は本グレーティング型光制御素子の機能を
示した図であり、４は入射光、５は０次回折光、６（は
高次回折光を示す。
示した図であり、４は入射光、５は０次回折光、６（は
高次回折光を示す。
本素子に入射角０で光束を入射する場合、屈折率可変媒
体ｌの屈折率を変化葛せることにより、畝屈折率可変媒
体１と透明光学部材３によって構成されたグレーティン
グの変調度を制御し、０次回折光５の光量を調たｊする
ことが可能である。又これに伴ない高次回折光６の光量
も変化するため、０次及び所定の開広回折光との光量比
を変える事も可能である。この時、入射光の波長をλ。
体ｌの屈折率を変化葛せることにより、畝屈折率可変媒
体１と透明光学部材３によって構成されたグレーティン
グの変調度を制御し、０次回折光５の光量を調たｊする
ことが可能である。又これに伴ない高次回折光６の光量
も変化するため、０次及び所定の開広回折光との光量比
を変える事も可能である。この時、入射光の波長をλ。
、グレーティングの厚さをＴ％Ｍグレーティングのピッ
すれば、前記各パラメータを所定の値に設定することに
より、０次と１次の回折光のみを出射させて釣用射光の
間で光制御が可能となる。以下その条ｆ１・を（１）〜
（７）式に示す。
すれば、前記各パラメータを所定の値に設定することに
より、０次と１次の回折光のみを出射させて釣用射光の
間で光制御が可能となる。以下その条ｆ１・を（１）〜
（７）式に示す。
λＯ
Ｐ ＜ −−−−（３）
１−ｓｉｎθ
上記（υ式は１次回折光が存在する条件、（２）式は２
次回折光が存在しない条件、（３）式は一１次回折光が
存在しない条件を示している。
次回折光が存在しない条件、（３）式は一１次回折光が
存在しない条件を示している。
上記３式を同時に満足すれば、０次と１次の回折光のみ
が出射する。第３図にＰとθの条件範囲を示す。又、次
の（４）〜（７）式の条件を満足することにより、０次
もしくは１次の回折光の一方だけを出射させることが可
能である。
が出射する。第３図にＰとθの条件範囲を示す。又、次
の（４）〜（７）式の条件を満足することにより、０次
もしくは１次の回折光の一方だけを出射させることが可
能である。
Ｍｙ ：’：Ｚ１６ −−一（４）（顯−ｎ＞
） 、Ｔ！＝λｏ／２ −−＝（５）ｎｙ＝ｎｅ−−
（６） （ｎ）−ｎｏ） 、Ｔ＝λｏ／２−（７）上記（４）及
び（６）式を満足する場合、入射光は全て透過し０次回
折光となり、（５）及び（７）式を満足する場合Ｆｉｏ
次回折光は発生せず全て１次回折光となる。
） 、Ｔ！＝λｏ／２ −−＝（５）ｎｙ＝ｎｅ−−
（６） （ｎ）−ｎｏ） 、Ｔ＝λｏ／２−（７）上記（４）及
び（６）式を満足する場合、入射光は全て透過し０次回
折光となり、（５）及び（７）式を満足する場合Ｆｉｏ
次回折光は発生せず全て１次回折光となる。
以下、屈折率可変媒体として液晶を用いて透明絶縁体と
グレーティングを形成し、電界により該グレーティング
の変調度を制御するグレーティング型光制御素子の作成
過程と性能評価の結果を示す。
グレーティングを形成し、電界により該グレーティング
の変調度を制御するグレーティング型光制御素子の作成
過程と性能評価の結果を示す。
第４図は本発明に係るグレーティング型光制御、：ζ子
の作成過程を示し、７は透明基板、８は透明亀砿、９は
透明絶縁体、ｌＯは液晶、１１は櫛状透明亀杼、１２は
接地電極、１３は電界印加電極を示す。
の作成過程を示し、７は透明基板、８は透明亀砿、９は
透明絶縁体、ｌＯは液晶、１１は櫛状透明亀杼、１２は
接地電極、１３は電界印加電極を示す。
テンパックス、ガラス（ショット製２５ Ｘ ２５×１
ｉｄ）の両面をニュートンリング数本以内の平面Ｕｊに
研心した後、メタノール、トリクレン、アセトン、純水
による通常の超音波洗浄を行ない、音素ガスを吹きつけ
て乾燥させ、さらに窒素中１２０℃、２０分間のベーキ
ングを行なった。続いて上記ガラス板に、イオン、ブレ
ーティング法を用いて工Ｔｏｌ１％を１０００ Ａの厚
さに成膜した。該工ＴｏｌｌＱの面抵抗２０Ｑ／ｓｆ、
波長４００〜９００ ｎｍ の光に対する６過率は、
８０％以上であった。上記工ＴＯ膜にエツチングを行な
い第４図（荀に示すような電極形状とした。続いて電子
ビーム蒸χｆ法によりショット８３２９蒸着用ガラス（
ショット製）をすμｍの厚さに成膜した後、ＲＤ−ｚｏ
ｏｏＮ（日立製作所製ネガ型レジスト）をスピナー塗布
し厚さ２μｍのレジスト膜を得た。１４０℃、２０分間
のプリベーキング後、遠紫外光を用いたマスク露光を行
なってピッチ１μｍのレリーフ状レジストグレーティン
グを形成した。続いてイオン、ミリング法により該レジ
ストグレーティング脹を深さ１．４６μｍまで食刻を行
ない第４図（ｂ）に示す基板を得た。
ｉｄ）の両面をニュートンリング数本以内の平面Ｕｊに
研心した後、メタノール、トリクレン、アセトン、純水
による通常の超音波洗浄を行ない、音素ガスを吹きつけ
て乾燥させ、さらに窒素中１２０℃、２０分間のベーキ
ングを行なった。続いて上記ガラス板に、イオン、ブレ
ーティング法を用いて工Ｔｏｌ１％を１０００ Ａの厚
さに成膜した。該工ＴｏｌｌＱの面抵抗２０Ｑ／ｓｆ、
波長４００〜９００ ｎｍ の光に対する６過率は、
８０％以上であった。上記工ＴＯ膜にエツチングを行な
い第４図（荀に示すような電極形状とした。続いて電子
ビーム蒸χｆ法によりショット８３２９蒸着用ガラス（
ショット製）をすμｍの厚さに成膜した後、ＲＤ−ｚｏ
ｏｏＮ（日立製作所製ネガ型レジスト）をスピナー塗布
し厚さ２μｍのレジスト膜を得た。１４０℃、２０分間
のプリベーキング後、遠紫外光を用いたマスク露光を行
なってピッチ１μｍのレリーフ状レジストグレーティン
グを形成した。続いてイオン、ミリング法により該レジ
ストグレーティング脹を深さ１．４６μｍまで食刻を行
ない第４図（ｂ）に示す基板を得た。
次に相対する基板を得るため、テンパックスガラス板を
用いて前記と同様の方法で工ＴＯ膜よりなる櫛状電極を
、第４図（Ｃ）に示すように作成し、上記２枚の基板を
グレーティングの溝方向と櫛状電極方向が直交するよう
に、透明電極面を向い合わせて液晶を充填後シールした
。該液晶は正誘電性のネマチック液晶ＺＬ工１２８５
（メルク製）を用いた。最後に透明電極にリード朽Ｉを
ポンディングして′ｒｉＬ源と接続した。
用いて前記と同様の方法で工ＴＯ膜よりなる櫛状電極を
、第４図（Ｃ）に示すように作成し、上記２枚の基板を
グレーティングの溝方向と櫛状電極方向が直交するよう
に、透明電極面を向い合わせて液晶を充填後シールした
。該液晶は正誘電性のネマチック液晶ＺＬ工１２８５
（メルク製）を用いた。最後に透明電極にリード朽Ｉを
ポンディングして′ｒｉＬ源と接続した。
上記液晶の配向方向を制御する電界印加方法を以下に説
明する。
明する。
グレーティング（５’）造を有する基板の透明電極８に
ｔ、ｉ ′ｔ３時１′ニー庄が印加してあり、対向する
柵状を極１１ｉｔ接地１；Ｌ極１２と電界印加電極１３
によっても“り成されている。電界印加電５１３に透明
電（す３８と同相の電圧を印加すると、電界は電界印加
電極１３と接地ｒｄｒ ＦｊＥ １２の間で発生し、液
晶ｌＯはグレーティング１１・一方向に配向される。又
、電界印加電極１３に電圧を印加しない賜金は、電界は
電極面に垂直に発生して液晶１０はグレーティング溝平
面に匣直に配向される。
ｔ、ｉ ′ｔ３時１′ニー庄が印加してあり、対向する
柵状を極１１ｉｔ接地１；Ｌ極１２と電界印加電極１３
によっても“り成されている。電界印加電５１３に透明
電（す３８と同相の電圧を印加すると、電界は電界印加
電極１３と接地ｒｄｒ ＦｊＥ １２の間で発生し、液
晶ｌＯはグレーティング１１・一方向に配向される。又
、電界印加電極１３に電圧を印加しない賜金は、電界は
電極面に垂直に発生して液晶１０はグレーティング溝平
面に匣直に配向される。
Ｅｒ５４ 図０の素子に、グレーティング溝方向に偏光
させた半導体レーザ光（λｏ＝＝８２００Ａ ）を入射
角θ−２４°で入射して１ｏｋａ、 、 ３ｏＶ、、の
矩形状交流電圧を印加したところ、０次回折光から１次
回折光への切換え応答時間は１ｍｓθＱ、１次回折光か
らＯ次回折光への切換え応答時間は０．５ ｍ ｓ ｅ
ｃであった。
させた半導体レーザ光（λｏ＝＝８２００Ａ ）を入射
角θ−２４°で入射して１ｏｋａ、 、 ３ｏＶ、、の
矩形状交流電圧を印加したところ、０次回折光から１次
回折光への切換え応答時間は１ｍｓθＱ、１次回折光か
らＯ次回折光への切換え応答時間は０．５ ｍ ｓ ｅ
ｃであった。
又、この時の光束利用効率は８０％以上であり、コント
ラスト比は１００：ｌ であった。
ラスト比は１００：ｌ であった。
：４″３４図に示した素子における櫛状電極を平面電極
に替えた基板とグレーティングを有する基板を用いて作
成したグレーティング型光制御素子に強ｒ ？性液晶を
充填し、素子全体の湿度を６０℃に保って入射角２４°
でグレーティング溝方向に偏光したＨｅ −Ｍｅレーザ
ー光（λｏ＝＝６３２８Ａ）を入射させたところ、正負
のパルス電圧を電極間に印加することにより、前記同様
Ｏ次回折光と１次回折光の切替えが可能であった。この
時光束利用効率は８０％以上、コントラスト比け１００
：１．０次光と１次光間の切り替え応答時間は共に２０
μ８ｅＣであった。
に替えた基板とグレーティングを有する基板を用いて作
成したグレーティング型光制御素子に強ｒ ？性液晶を
充填し、素子全体の湿度を６０℃に保って入射角２４°
でグレーティング溝方向に偏光したＨｅ −Ｍｅレーザ
ー光（λｏ＝＝６３２８Ａ）を入射させたところ、正負
のパルス電圧を電極間に印加することにより、前記同様
Ｏ次回折光と１次回折光の切替えが可能であった。この
時光束利用効率は８０％以上、コントラスト比け１００
：１．０次光と１次光間の切り替え応答時間は共に２０
μ８ｅＣであった。
前記実施例ではＯ次回折光及び１次回折光の間での光量
変化を利用した光制御素子を示したが、以下に０次回折
光と二次以上の高次回折光の間での光量変化を利用した
光制御素子の一例を示す。
変化を利用した光制御素子を示したが、以下に０次回折
光と二次以上の高次回折光の間での光量変化を利用した
光制御素子の一例を示す。
第５図はブレーズド、グレーティングを有するグレーテ
ィング型光制御素子の概略を示し、符号は第４図と同様
の意味を有する。
ィング型光制御素子の概略を示し、符号は第４図と同様
の意味を有する。
図に示されたブレーズ角αは６２．５°とし、入射光は
グレーティング溝方向に偏光させて素子に垂直入射した
。この時、入射光のエネルギーＦｉｏ次回折光と３次の
回折光に集中して出射光の大ｒ３’ｌｓ分は両回折光と
なって出射する。該グレーティング型光制御素子に、１
０ｋＨｚ 、 ３０Ｖｐｐ の矩形状交流電圧を印加
したところ、０次回折光から３次回折光への切換え応答
時間は１ｍ５ｅｃ、 ３′次回折光から０次回折光への
切換え応答時間は０．５ ｍ５ｅａであり、光束利用効
率は８０％以上、フントラスト比は１００：１であった
。
グレーティング溝方向に偏光させて素子に垂直入射した
。この時、入射光のエネルギーＦｉｏ次回折光と３次の
回折光に集中して出射光の大ｒ３’ｌｓ分は両回折光と
なって出射する。該グレーティング型光制御素子に、１
０ｋＨｚ 、 ３０Ｖｐｐ の矩形状交流電圧を印加
したところ、０次回折光から３次回折光への切換え応答
時間は１ｍ５ｅｃ、 ３′次回折光から０次回折光への
切換え応答時間は０．５ ｍ５ｅａであり、光束利用効
率は８０％以上、フントラスト比は１００：１であった
。
（５）発明の詳細
な説明したように、本発明に係るグレーティング型光制
御、素子は、簡便な溝数で応答特性、コントラスト比に
優れ、光束利用効率が高く、広範囲の用途に対して好適
な素子である。
御、素子は、簡便な溝数で応答特性、コントラスト比に
優れ、光束利用効率が高く、広範囲の用途に対して好適
な素子である。
第１図は本発明に係るグレーティング型光制御素子の基
本構成を示す図。第２図は本グレーティング型光制御素
子の機能を示す図。第３図は０次及び１次の回折光のみ
を出射させるためのｐとθの範囲を示す図。第４図は本
グレーティング型光制御素子の作成過程を示す図。第５
図はブレーズド、グレーティングを有するグレーティン
グ型光制御素子の概略図。 １−−一屈折率可変媒体、２−一一第２の屈折率可変媒
体、３− ａ明光学部材、４−一一人射光、５−−
−０次回折光、６一−−高次回折光、７−−−透明基板
、８−ｍ−透明電極、９−−−６明細縁体、ｌＯ−ｍ−
液晶、１ｌ−−−ｑ口状透明電極、１２−ｍ−接地電極
、１３−ｍ−電界印加電極
本構成を示す図。第２図は本グレーティング型光制御素
子の機能を示す図。第３図は０次及び１次の回折光のみ
を出射させるためのｐとθの範囲を示す図。第４図は本
グレーティング型光制御素子の作成過程を示す図。第５
図はブレーズド、グレーティングを有するグレーティン
グ型光制御素子の概略図。 １−−一屈折率可変媒体、２−一一第２の屈折率可変媒
体、３− ａ明光学部材、４−一一人射光、５−−
−０次回折光、６一−−高次回折光、７−−−透明基板
、８−ｍ−透明電極、９−−−６明細縁体、ｌＯ−ｍ−
液晶、１ｌ−−−ｑ口状透明電極、１２−ｍ−接地電極
、１３−ｍ−電界印加電極
Claims (1)
- （１）所定の異なる回折光の光量和が、入射光束の光量
に対してほぼ一定に保たれる構成を有し、グレーテイン
グ変調度を変化させることにより、所定の異なる回折光
間の光量比を変化せしめると共に前記所定の回折光の光
量をほぼ一定に保つ事を特徴とするグレーテイング型光
制御素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926084A JPS6186724A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | グレ−テイング型光制御素子 |
| US06/782,558 US4729640A (en) | 1984-10-03 | 1985-10-01 | Liquid crystal light modulation device |
| DE19853535391 DE3535391A1 (de) | 1984-10-03 | 1985-10-03 | Fluessigkristall-lichtmodulationsvorrichtung |
| GB8524445A GB2166562B (en) | 1984-10-03 | 1985-10-03 | Liquid crystal light modulation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926084A JPS6186724A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | グレ−テイング型光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186724A true JPS6186724A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16570003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20926084A Pending JPS6186724A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-04 | グレ−テイング型光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186724A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486940A (en) * | 1993-06-17 | 1996-01-23 | Optical Shields, Inc. | Liquid crystal light polarizer and method |
| WO2002042839A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Konovalov Victor A | Multidomain liquid crystal display and method for manufacturing thereof |
| JP2011154370A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc | 回折格子を利用した光学装置 |
| JP2014006529A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Seereal Technologises Sa | スイッチング可能な体積回折格子を有する光変調器 |
| WO2018150662A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光学デバイス及び光学システム |
| WO2018150675A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光学デバイス及び光学システム |
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