JPS6184814A - セラミツクコンデンサ - Google Patents
セラミツクコンデンサInfo
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- JPS6184814A JPS6184814A JP20736884A JP20736884A JPS6184814A JP S6184814 A JPS6184814 A JP S6184814A JP 20736884 A JP20736884 A JP 20736884A JP 20736884 A JP20736884 A JP 20736884A JP S6184814 A JPS6184814 A JP S6184814A
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- Japan
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- ceramic
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- dielectric ceramic
- connection electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はセラミックコンデンサ、特に高温時における
絶縁抵抗の劣化を防止した高信頼性のセラミックコンデ
ンサに関する。
絶縁抵抗の劣化を防止した高信頼性のセラミックコンデ
ンサに関する。
（従来の技術）
近年、電子部品の小型化、軽量化に伴ない、セラミック
コンデンサについても小型化、軽量化の追求が行われて
いる。特に、セラミックコンデンサについては、小型化
が進められるのと並行して大容量化の検討が行われてお
り、その手段として薄膜化が試みられている。
コンデンサについても小型化、軽量化の追求が行われて
いる。特に、セラミックコンデンサについては、小型化
が進められるのと並行して大容量化の検討が行われてお
り、その手段として薄膜化が試みられている。
セラミックコンデンサの薄膜化の手段としては、次のよ
うな改良手段が考えられる。
うな改良手段が考えられる。
■スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法、気相蒸着法などの真空薄膜形成手段により薄膜状
の誘電体セラミック層を形成する方法。
グ法、気相蒸着法などの真空薄膜形成手段により薄膜状
の誘電体セラミック層を形成する方法。
■誘電体セラミック材料の微結晶化を図って誘電体セラ
ミック層の膜厚をできるだけ薄膜状とする方法。
ミック層の膜厚をできるだけ薄膜状とする方法。
■薄膜状の半導体セラミック層の結晶粒界に絶縁層を形
成して粒界絶縁型の誘電体セラミック庵を得る方法。
成して粒界絶縁型の誘電体セラミック庵を得る方法。
■上記■〜■の方法において、少数の誘電体セラミック
層の間に内部電極を形成し、積層型のセラミックコンデ
ンサを構成して、ざらに大容量化を図る方法などがある
。
層の間に内部電極を形成し、積層型のセラミックコンデ
ンサを構成して、ざらに大容量化を図る方法などがある
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の方法により誘電体セラミック層を
薄膜化した上で、容量取出のための電極セラミックコン
デンサを構成した場合、種々のトラブルの発生が見られ
る。特に顕著に現われるのは高温使用時での絶縁抵抗の
劣化である。
薄膜化した上で、容量取出のための電極セラミックコン
デンサを構成した場合、種々のトラブルの発生が見られ
る。特に顕著に現われるのは高温使用時での絶縁抵抗の
劣化である。
このトラブルの最も大きな原因となっているのは、誘電
体セラミックが金属酸化物からなること、一方電極が金
属からなることによるものである。
体セラミックが金属酸化物からなること、一方電極が金
属からなることによるものである。
ずなわら、このような組み合わせによると、誘電体セラ
ミックを構成する金属酸化物と電極を構成する金属とが
接触する界面において、酸素の授受が不可避的な現象と
して起こることが考えられる。
ミックを構成する金属酸化物と電極を構成する金属とが
接触する界面において、酸素の授受が不可避的な現象と
して起こることが考えられる。
この酸素の授受は常温においては認められにくいが、温
度が高くなるにつれて酸素の授受が行われるようになる
。
度が高くなるにつれて酸素の授受が行われるようになる
。
たとえば、誘電体セラミックがＴｉＯ２、電極がＣ１ｌ
からなるセラミックコンデンサを例にして説明すると、
高温状態、たとえば１５０℃において、ＴｉＯ２および
Ｃ１１は次のように変化する。
からなるセラミックコンデンサを例にして説明すると、
高温状態、たとえば１５０℃において、ＴｉＯ２および
Ｃ１１は次のように変化する。
ＴｌＯ２−Ｊ！ｉ−訂ｉ ０２−ｘ
ＣＵ ４ ＣＬＩ ＯＸ
（０＜Ｘ ＜ ２＞
このように誘電体セラミックと電極との間で酸素の授受
が起ると、誘電体セラミックの誘電率（ε）が変化する
のはもちろんのこと、絶縁抵抗（［Ｒ）が大きく変化し
、その値はＩｔ！！ｆｉ ２桁以上低下する。
が起ると、誘電体セラミックの誘電率（ε）が変化する
のはもちろんのこと、絶縁抵抗（［Ｒ）が大きく変化し
、その値はＩｔ！！ｆｉ ２桁以上低下する。
このような減少は誘電体セラミック層を薄膜化したとき
に特に顕著に現われ、上記したセラミックコンデンサの
薄膜化のための改良手段■〜■によって得られたセラミ
ックコンデンサに当て嵌る事柄である。
に特に顕著に現われ、上記したセラミックコンデンサの
薄膜化のための改良手段■〜■によって得られたセラミ
ックコンデンサに当て嵌る事柄である。
（発明の目的）
したがって、この発明は高温使用時において誘電体セラ
ミックを還元させない構造とすることにより、誘電率の
変化や絶縁抵抗の劣化が生じない高信頼性のセラミック
コンデンサを提供することを目的とする。
ミックを還元させない構造とすることにより、誘電率の
変化や絶縁抵抗の劣化が生じない高信頼性のセラミック
コンデンサを提供することを目的とする。
（発明の構成）
すなわち、この発明は誘電体セラミックと、該とするセ
ラミックコンデンサである。
ラミックコンデンサである。
ここで、誘電体セラミックとしては、たとえばチタン酸
バリウム系、チタン酸ストロンチウム系などの７：ＪＩ
誘電率系のもの、またたとえば酸化チタン系、チタン酸
マグネシウム系、酸化マグネシウム−酸化チタン系、酸
化硅素系、などの温度補償系のもの、あるいは半導体セ
ラミックの結晶粒界を絶縁体化した粒界絶縁型の誘電体
セラミックなどが含まれる。
バリウム系、チタン酸ストロンチウム系などの７：ＪＩ
誘電率系のもの、またたとえば酸化チタン系、チタン酸
マグネシウム系、酸化マグネシウム−酸化チタン系、酸
化硅素系、などの温度補償系のもの、あるいは半導体セ
ラミックの結晶粒界を絶縁体化した粒界絶縁型の誘電体
セラミックなどが含まれる。
また誘電体セラミックの厚みが５０ａｍ以下のものにつ
いて、第１岡の酸化ニッケル層と第２苦の窒化ニッケル
層を誘電体セラミックと外部接続用電極の間に介在させ
た場合にその効果が強く現われる。つまり、誘電体セラ
ミックの厚みが５０μｍを越えると、高温使用時におい
て電橿による誘電体セラミックの還元が生じているとし
ても、ＨＨ体セラミックが十分な厚みを有するため、誘
電率の変化や絶縁抵抗の劣化が顕著には現れない。した
がって、この発明における誘電体セラミックとしてはＩ
７みが５０Ｌｔｍ以下のものについて特に有効である。
いて、第１岡の酸化ニッケル層と第２苦の窒化ニッケル
層を誘電体セラミックと外部接続用電極の間に介在させ
た場合にその効果が強く現われる。つまり、誘電体セラ
ミックの厚みが５０μｍを越えると、高温使用時におい
て電橿による誘電体セラミックの還元が生じているとし
ても、ＨＨ体セラミックが十分な厚みを有するため、誘
電率の変化や絶縁抵抗の劣化が顕著には現れない。した
がって、この発明における誘電体セラミックとしてはＩ
７みが５０Ｌｔｍ以下のものについて特に有効である。
しかしながら、５０μｍを越える厚みの誘電体セラミッ
クについてこの発明を適用しても何ら不都合はなく、誘
電体セラミックと外部接続用電極との間に酸化ニッケル
図と窒化ニッケル層を・介在させることは任意である。
クについてこの発明を適用しても何ら不都合はなく、誘
電体セラミックと外部接続用電極との間に酸化ニッケル
図と窒化ニッケル層を・介在させることは任意である。
酸化ニッケル層および窒化ニッケル層の形成手段として
は、一般にスパッタリング法、イオンプ酸化ニッケル層
を形成する場合、スパッタリング法ではたとえば金属ニ
ッケルをターゲットとして用い、アルゴンと酸素の混合
気体とすることにより実施することができる。また真空
蒸着法で酸化ニッケル層を形成する場合、たとえば金属
二・ノケルまたは金属ニッケル粉末を加熱するとともに
、酸素含有雰囲気中で蒸発させることによって酸化だの
ち、熱酸化により酸化ニッケル層を形成することができ
る。次いで、窒化ニッケルかを形成する場合、スパッタ
リング法では、金属ニッケルをターゲットとして用い、
スパッタリングの雰囲気をアルゴンと窒素の混合気体と
することにより実施することができる。またイオンブレ
ーティング法で窒化ニッケル裔を形成する場合には、金
属ニッケルを窒素雰囲気中で加熱して蒸発することによ
り実施することができる。 この酸化ニッケル苦および
窒化ニッケル層の膜厚としてはそれぞれ２μｍ以下の範
囲で形成することが好ましい。これは２μｍを越えると
Ｅ、、Ｓ、Ｒが高くなるからである。
は、一般にスパッタリング法、イオンプ酸化ニッケル層
を形成する場合、スパッタリング法ではたとえば金属ニ
ッケルをターゲットとして用い、アルゴンと酸素の混合
気体とすることにより実施することができる。また真空
蒸着法で酸化ニッケル層を形成する場合、たとえば金属
二・ノケルまたは金属ニッケル粉末を加熱するとともに
、酸素含有雰囲気中で蒸発させることによって酸化だの
ち、熱酸化により酸化ニッケル層を形成することができ
る。次いで、窒化ニッケルかを形成する場合、スパッタ
リング法では、金属ニッケルをターゲットとして用い、
スパッタリングの雰囲気をアルゴンと窒素の混合気体と
することにより実施することができる。またイオンブレ
ーティング法で窒化ニッケル裔を形成する場合には、金
属ニッケルを窒素雰囲気中で加熱して蒸発することによ
り実施することができる。 この酸化ニッケル苦および
窒化ニッケル層の膜厚としてはそれぞれ２μｍ以下の範
囲で形成することが好ましい。これは２μｍを越えると
Ｅ、、Ｓ、Ｒが高くなるからである。
外部接続用電極としては、特に金属の種類を限定するも
のではなく、一般に用いられる金属、たとえば、Ａｑ、
Ａｕ、Ｏｒ、、Ｚｒ、ｌ、Ｎｉ 、Ｚｎ、Ｃｕ、３ｎ、
Ｐｂ−３ｎ、Ｍｎ、Ｍ’０．Ｗ、Ｔｉ 、 ｐｄ 、
八りなどの一種あるいは２種以上の組み合わせがあり、
またこの外部接続用電極は多層ｔ？４ 造としてもよく
、その例としてはｃｒ−ｃｕ 、 ｃｒ−Ｎｉ−Ａりな
どがある。
のではなく、一般に用いられる金属、たとえば、Ａｑ、
Ａｕ、Ｏｒ、、Ｚｒ、ｌ、Ｎｉ 、Ｚｎ、Ｃｕ、３ｎ、
Ｐｂ−３ｎ、Ｍｎ、Ｍ’０．Ｗ、Ｔｉ 、 ｐｄ 、
八りなどの一種あるいは２種以上の組み合わせがあり、
またこの外部接続用電極は多層ｔ？４ 造としてもよく
、その例としてはｃｒ−ｃｕ 、 ｃｒ−Ｎｉ−Ａりな
どがある。
またこの発明にかかるセラミックコンデンサの構造例と
しては、単一層の誘電体セラミックからなるセラミック
コンデンサ、ｔＡＧ型のセラミックコンデンサなどがあ
る。また上記した各種のせラミックコンデンサを粒界絶
縁型とした場合にもこの発明が適用される。
しては、単一層の誘電体セラミックからなるセラミック
コンデンサ、ｔＡＧ型のセラミックコンデンサなどがあ
る。また上記した各種のせラミックコンデンサを粒界絶
縁型とした場合にもこの発明が適用される。
〈実施例）
以下、この発明を実施例にしたがって詳細に説明する。
実施例１゜
セラミック誘電体原料粉末として次に示す組成のものを
準備した。
準備した。
Ｎｄ２Ｔｉ ２０７ ：６３モル％、Ｂａ Ｔｉ ０
３ ：１４モル％、ＴｉＱ２：２３モル％ この原料粉末をバインダであるポリビニルアルコール、
界面活性剤、分散剤、水とともに混合してスラリーを作
成した。次いでこのスラリーを用いてドクターブレード
法により厚み３５μｍのセラミックグリーンシートを作
成した。
３ ：１４モル％、ＴｉＱ２：２３モル％ この原料粉末をバインダであるポリビニルアルコール、
界面活性剤、分散剤、水とともに混合してスラリーを作
成した。次いでこのスラリーを用いてドクターブレード
法により厚み３５μｍのセラミックグリーンシートを作
成した。
このセラミックグリーンシートを長さ７．０＋ｎｍ、幅
５．０ｍｍの大きさに切断し、このシート上にΔｇ７０
ｗｔ％、Ｐ ６３０ｗｔ％のＡ（１−Ｐｄペーストを印
刷した。このように内部ｍｆｆ１を形成したセラミック
グリーンシートを１１枚積み重ね、その積層体の端面に
内部電極が露出するようにした。この積層体を空気中１
２５０℃で焼成して焼結ユニットを得た。、得られた積
層体の各誘電体層の厚みは２０μｍでめった。
５．０ｍｍの大きさに切断し、このシート上にΔｇ７０
ｗｔ％、Ｐ ６３０ｗｔ％のＡ（１−Ｐｄペーストを印
刷した。このように内部ｍｆｆ１を形成したセラミック
グリーンシートを１１枚積み重ね、その積層体の端面に
内部電極が露出するようにした。この積層体を空気中１
２５０℃で焼成して焼結ユニットを得た。、得られた積
層体の各誘電体層の厚みは２０μｍでめった。
次に、この積層焼結ユニットの内部電極が露出すＦる端
面に過４スパッタリング法によりまず酸化ニッ、゛ケル
層を形成した。
面に過４スパッタリング法によりまず酸化ニッ、゛ケル
層を形成した。
この酸化ニッケル層の形成は次の条件により行った。
スパッタ雰囲気：１０％の酸素を含有するアルゴン
圧力 ： ２ｘ１０−３ Ｔｏｒｒターゲ
ット ；直径５インチ、厚み２ｍｍのニッケル板 電圧 ： ５００Ｖ［）、 Ｃ。
ット ；直径５インチ、厚み２ｍｍのニッケル板 電圧 ： ５００Ｖ［）、 Ｃ。
電流 ： ２．ＯＡ
スパッタ時間 ： ５分
２ＱｏＯ。
酸化ニッケル層の膜厚嘗旨ＨＡ
続いて酸化ニッケル層の上に、窒化ニッケル層を下記の
条件により形成した。
条件により形成した。
スパッタ雰囲気−１０％の窒素を含有するアルゴン
圧カニ ３ｘｌＯ−３Ｔｏｒｒ
ターゲット：直径５インチ、厚み２ｍｍのニッケル板
電圧： ４７０Ｖ、 Ｄ、 Ｃ
電流： ０．５Ａ
スパッタ時間：ら０分
窒化ニッケル層の膜厚： ６００ＯＡ
そして、窒化ニッケル層の上に第１層の外部接続用電極
として、まず半田耐熱層としてのＮｉ１ｆｆｉをスパッ
タリング法により形成した。
として、まず半田耐熱層としてのＮｉ１ｆｆｉをスパッ
タリング法により形成した。
このＮｉ層の形成は次のような条件により行った。
スパッタ雰囲気：アルゴン
圧力 ： ２ｘｌＯ−３Ｔｏｒｒターゲッ
ト ：直径５インチ、厚み２ｍｍのニッケル板 電圧 ： ４８０ＶＤ、 Ｃ。
ト ：直径５インチ、厚み２ｍｍのニッケル板 電圧 ： ４８０ＶＤ、 Ｃ。
電流 ： ２．ＯＡ
時間 −１５分
膜厚 ： ５０００Ａ
ざらに、Ｎｉ層の上に第２層の外部接続用電極としてＡ
ｇ層をスパッタリング法により形成した。
ｇ層をスパッタリング法により形成した。
このＡＣＩ層は半田付は可能な層としての役割を果たす
ものである。
ものである。
Ａｇ層の形成は次のような条件により行った。
−スパッタ雰囲気：アルゴン
圧力 ： ２Ｘ１（１３Ｔｏｒｒターゲッ
ト ：直径５インチ、厚み５ｍｍのＡｇ板 電圧 ： ５４０ＶＤ、 Ｃ。
ト ：直径５インチ、厚み５ｍｍのＡｇ板 電圧 ： ５４０ＶＤ、 Ｃ。
電流 ： ２．ＯＡ
時１！ｌ ：６分
膜圧月、 ： １μｍ
上記した工程を経て１５られた積層コンデンサにつき次
の条件で高温加速負荷寿命試験を行った。
の条件で高温加速負荷寿命試験を行った。
つまり、このコンデンサを１５０℃の温度雰囲気に設置
し、定格電圧（５０Ｖ）の６倍の電圧である３００■を
印瘍し、１００時間後の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定したと
Ｃろ１０１１ Ωであった。ちなみに、この積層コン
デンサの絶縁抵抗＜ＩＲ）の初期値は１Ｑ１１ ′Ωで
あった。また、温度４５℃相対温度９５％の雰囲気に設
置し、定格電圧５０Ｖを印加し、５００時間後の絶縁抵
抗（ＩＲ）を測定したところ１０１１Ωであり、初期値
のそれにくらべて変化が見られなかった。
し、定格電圧（５０Ｖ）の６倍の電圧である３００■を
印瘍し、１００時間後の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定したと
Ｃろ１０１１ Ωであった。ちなみに、この積層コン
デンサの絶縁抵抗＜ＩＲ）の初期値は１Ｑ１１ ′Ωで
あった。また、温度４５℃相対温度９５％の雰囲気に設
置し、定格電圧５０Ｖを印加し、５００時間後の絶縁抵
抗（ＩＲ）を測定したところ１０１１Ωであり、初期値
のそれにくらべて変化が見られなかった。
比較例１
実施例１で得られた積層焼結ユニットに酸化ニッケル層
と窒化ニッケル層を形成せずに、実施例１と同じ条件で
第１層の外部接続用電極であるＮ１層および第２層の外
部接続用電極であるＡｆＪ層を形成し、積層コンデンサ
を作成した。
と窒化ニッケル層を形成せずに、実施例１と同じ条件で
第１層の外部接続用電極であるＮ１層および第２層の外
部接続用電極であるＡｆＪ層を形成し、積層コンデンサ
を作成した。
この積層コンデンサについて実施例１と同様に試験を行
ったところ、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０時間後に１０９Ω
に低下し、２５時間後には１０６Ωにまで劣化した。
ったところ、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０時間後に１０９Ω
に低下し、２５時間後には１０６Ωにまで劣化した。
実施例２
３ｒ Ｔｉ ０３ ： ９９，３モル％、−；１２
０３ ＋ ０．３モル％、Ｓｉ ０２ ： ０．
２−Ｅ／Ｌ／％、ＡＱ２０：３： ０，２モル％の組
成となるように、各成分を秤量し、この秤♀原料に有機
バインダを１０重量％加え、ボールミルにて １６時間
回転し、十分に混合、粉砕を行った。これを造粒後、１
０００に！ｊ ／ｃｍ２の圧力で成形して円板状の成形
体を得た。この成形体を１３５０°Ｃ１２時間の条件で
焼成した。得られた磁器の表面にＰｂ 、ｆ３ｉなどの
金属酸化物を塗布し、１０００〜１２００°Ｃの温度Ｊ
ｉ処理を行い、磁器の結晶粒界を絶縁体化し、粒界絶縁
型半導体磁器素体を作成した。
０３ ＋ ０．３モル％、Ｓｉ ０２ ： ０．
２−Ｅ／Ｌ／％、ＡＱ２０：３： ０，２モル％の組
成となるように、各成分を秤量し、この秤♀原料に有機
バインダを１０重量％加え、ボールミルにて １６時間
回転し、十分に混合、粉砕を行った。これを造粒後、１
０００に！ｊ ／ｃｍ２の圧力で成形して円板状の成形
体を得た。この成形体を１３５０°Ｃ１２時間の条件で
焼成した。得られた磁器の表面にＰｂ 、ｆ３ｉなどの
金属酸化物を塗布し、１０００〜１２００°Ｃの温度Ｊ
ｉ処理を行い、磁器の結晶粒界を絶縁体化し、粒界絶縁
型半導体磁器素体を作成した。
この半導体磁器素体を用い、実施例１と同様の方法によ
りその表面に酸化ニッケル層、続いて窒化ニッケル図、
さらに第１層の外部接続用電極および第２層の外部接続
用電極を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを作
成した。
りその表面に酸化ニッケル層、続いて窒化ニッケル図、
さらに第１層の外部接続用電極および第２層の外部接続
用電極を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを作
成した。
このコンデンサについて、実施例１に記載の高温加速負
荷寿命試験を行った。その結果、初期値の絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０１Ｑ’ Ωであったのに対し、１００時間後
のそれは１０１０ Ωであり、はとんど絶縁抵抗＜Ｉ
Ｒ）の劣化がないことが確認できた。
荷寿命試験を行った。その結果、初期値の絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０１Ｑ’ Ωであったのに対し、１００時間後
のそれは１０１０ Ωであり、はとんど絶縁抵抗＜Ｉ
Ｒ）の劣化がないことが確認できた。
比較例２゜
実施例２で得られた粒界絶縁型半導体磁器素体を用い、
この磁器素体の表面に酸化ニッケル層および窒化ニッケ
ル層を形成せずに、実施例１と同じ条件で第１層の外部
接続用電極であるＮｉ層および第２層の外部接続用電極
であるＡＱ層を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サを作成した。
この磁器素体の表面に酸化ニッケル層および窒化ニッケ
ル層を形成せずに、実施例１と同じ条件で第１層の外部
接続用電極であるＮｉ層および第２層の外部接続用電極
であるＡＱ層を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サを作成した。
このコンデンサについて実施例１と同様に試験を行った
ところ、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０時間後に１０７Ωに低
下し、２５時間後には１０５Ωにまで劣化した。
ところ、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０時間後に１０７Ωに低
下し、２５時間後には１０５Ωにまで劣化した。
実施例３゜
アルミナ基板上に、下部電極としてＡｇ層、Ｎｉ層を実
施例１と同様の方法により順次形成し、さらに窒化ニッ
ケル層と酸化ニッケル層をこれも実施例１と同様の方法
により形成した。
施例１と同様の方法により順次形成し、さらに窒化ニッ
ケル層と酸化ニッケル層をこれも実施例１と同様の方法
により形成した。
次いで、酸化ニッケル層の上に誘電体セラミックである
ＳｉＯ２膜を高周波スパッタリング法により５０００Ａ
の厚みに形成した。
ＳｉＯ２膜を高周波スパッタリング法により５０００Ａ
の厚みに形成した。
なお、５ｉ０２ｊｌを高周波スパッタリング法により形
成する条件は次のとおりである。
成する条件は次のとおりである。
スパッタ雰囲気： ５％の酸素を含有するアル、ボン
圧力 ： ５Ｘ１０−３ Ｔｏｒｒターゲ
ット ；直径５インチ、厚み５ｍｍの石英板 役人電力 ： ｓｏｏｗ 時間 ；１００分 ５ｉ０２膜厚 ： ５０００Ａ そののち、ＳｉＯ２膜の上に酸化ニッケル層と窒化ニッ
ケル層を実施例１と同様の方法により順次形成し、さら
にその−ヒにＮｉ層、へ〇層を実施例１と同様の方法に
より順次形成しｔ Ｓ ！ ０２からなる？ＪＩＩ６１
コ、ンデンサを作成した。
ット ；直径５インチ、厚み５ｍｍの石英板 役人電力 ： ｓｏｏｗ 時間 ；１００分 ５ｉ０２膜厚 ： ５０００Ａ そののち、ＳｉＯ２膜の上に酸化ニッケル層と窒化ニッ
ケル層を実施例１と同様の方法により順次形成し、さら
にその−ヒにＮｉ層、へ〇層を実施例１と同様の方法に
より順次形成しｔ Ｓ ！ ０２からなる？ＪＩＩ６１
コ、ンデンサを作成した。
このコンデンサについて実施例１に記載の高温加速負荷
寿命試験を行った。その結果、初期値の絶縁抵抗（ＩＲ
）が１０１３ ０であったのに対し、１００時間後のそ
れは１０１３・Ωであった。
寿命試験を行った。その結果、初期値の絶縁抵抗（ＩＲ
）が１０１３ ０であったのに対し、１００時間後のそ
れは１０１３・Ωであった。
比較例３゜
実施例３による薄膜コンデンサを作成する際において、
酸化ニッケル層および窒化ニッケル層を形成せずに、そ
の他については実施例３に記載の方法を実施することに
よって”１１ ＩＩＩコンデンサを作成した。
酸化ニッケル層および窒化ニッケル層を形成せずに、そ
の他については実施例３に記載の方法を実施することに
よって”１１ ＩＩＩコンデンサを作成した。
このコンデンサについて実施例１と同様に試験を行った
ところ、絶縁抵抗は１０８Ωにまで低下した。
ところ、絶縁抵抗は１０８Ωにまで低下した。
（効果〉
以上のようにこの発明によれば、誘電体セラミックと外
部接続用電極との間に第１層として酸化ニッケル層を、
第２層として窒化ニッケルを介在させることにより、高
温使用時において見られる電極による誘電体セラミック
の還元を防止することができ、その結果電気特性の劣化
、特に絶縁抵抗の劣化を生じさせないという効果をもた
らすものである。
部接続用電極との間に第１層として酸化ニッケル層を、
第２層として窒化ニッケルを介在させることにより、高
温使用時において見られる電極による誘電体セラミック
の還元を防止することができ、その結果電気特性の劣化
、特に絶縁抵抗の劣化を生じさせないという効果をもた
らすものである。
特 許 出 願 人
株式会社村田製作所
Claims (6)
- （１）誘電体セラミックと、該誘電体セラミックの表面
に形成された外部接続用電極とを含むセラミックコンデ
ンサにおいて、 前記誘電体セラミックと前記外部接続用電極との間に、
第１層として酸化ニッケル層、第２層として窒化ニッケ
ル層が形成されていることを特徴とするセラミックコン
デンサ。 - （２）基板上に第１の外部接続用電極が形成され、該第
１の外部接続用電極の上に誘電体セラミックが形成され
、該誘電体セラミックの上に第２の外部接続用電極が形
成されてなるセラミックコンデンサにおいて、前記誘電
体セラミックと第１の外部接続用電極および第２の外部
接続用電極との間に、第１層として酸化ニッケル層、第
２層として窒化ニッケル層が形成されている特許請求の
範囲第（１）項記載のセラミックコンデンサ。 - （３）複数層の誘電体セラミックと、該誘電体セラミッ
クを介して互いに積層された状態で配置され静電容量を
形成するための複数層の内部電極とからなる積層型の誘
電体セラミック素体に、前記内部電極の所定のものに接
続される静電容量取出のための１対の外部接続用電極が
形成された積層型のセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体セラミック素体と前記外部接続用電極との間に
、第１層として酸化ニッケル層、第２層として窒化ニッ
ケル層が形成されている特許請求の範囲第（１）項記載
のセラミックコンデンサ。 - （４）前記誘電体セラミックの厚みは５０μｍ以下であ
る特許請求の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミ
ックコンデンサ。 - （５）前記第１層としての酸化ニッケル層と、第２層と
しての窒化ニッケル層の厚みはそれぞれ２μｍ以下であ
る特許請求の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミ
ックコンデンサ。 - （６）前記外部接続用電極はスパッタリング法、真空蒸
着法、イオンプレティング法、気相蒸着法あるいは無電
解メッキ法のいずれかにより形成されたものである特許
請求の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミックコ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20736884A JPS6184814A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20736884A JPS6184814A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184814A true JPS6184814A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0332904B2 JPH0332904B2 (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=16538570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20736884A Granted JPS6184814A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184814A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5115573A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Hitachi Ltd | Sentakukiniokeru itokuzuhoshufuirutaa |
| JPS57203537U (ja) * | 1982-05-17 | 1982-12-24 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20736884A patent/JPS6184814A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5115573A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Hitachi Ltd | Sentakukiniokeru itokuzuhoshufuirutaa |
| JPS57203537U (ja) * | 1982-05-17 | 1982-12-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332904B2 (ja) | 1991-05-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |