JPS6182425A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
荷電ビ−ム露光装置Info
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- JPS6182425A JPS6182425A JP59204823A JP20482384A JPS6182425A JP S6182425 A JPS6182425 A JP S6182425A JP 59204823 A JP59204823 A JP 59204823A JP 20482384 A JP20482384 A JP 20482384A JP S6182425 A JPS6182425 A JP S6182425A
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- Japan
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- drawn
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- size
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-
- H10P95/00—
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕・
本発明は、可変寸法ビームを用いた荷電ビーム露光装置
の改良に関する。
の改良に関する。
従来、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に微細パタ
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が用いられている。そして、最近では、ビームの寸法を
可変することにより、描画スループットの向上をは、か
った可変寸法ビーム方式の電子ビーム露光装置が注目さ
れている。
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が用いられている。そして、最近では、ビームの寸法を
可変することにより、描画スループットの向上をは、か
った可変寸法ビーム方式の電子ビーム露光装置が注目さ
れている。
可変寸法ビーム方式の電子ビーム露光装置では、可変寸
法ビームの寸法を大きくすると、空間電荷効果のためビ
ームエツジ分解能が悪くなり、高精度のパターン形成が
できない。このため、ビームの最大寸法は、描画すべき
パターンの最小線幅により決まってしまう。ここで、空
間電荷効果によってビーム分解能が略決っている場合に
は、ビーム最大寸法を最小線幅の３倍程度にしたとき最
も高いスルーブツトになることが知られており、従来こ
の程度に定められている。なお、この場合のビーム面積
は（最小線幅Ｘ最小線幅の３倍）となる。
法ビームの寸法を大きくすると、空間電荷効果のためビ
ームエツジ分解能が悪くなり、高精度のパターン形成が
できない。このため、ビームの最大寸法は、描画すべき
パターンの最小線幅により決まってしまう。ここで、空
間電荷効果によってビーム分解能が略決っている場合に
は、ビーム最大寸法を最小線幅の３倍程度にしたとき最
も高いスルーブツトになることが知られており、従来こ
の程度に定められている。なお、この場合のビーム面積
は（最小線幅Ｘ最小線幅の３倍）となる。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、ＩＣ，ＬＳＩ。
があった。即ち、ＩＣ，ＬＳＩ。
超ＬＳＩのパターンを調べて見ると、ダイシングライン
やポンディングパッド等は大きい面積に屋って描画する
必要があり、上に述べた最大寸法のビームで描画しても
、このようなパターンを描画するのみで長時間を要して
しまい、描画スルーブツトの低下を招く。特に、試料ス
テージを連続移動する方式にあっては、上記ダイシング
ライン及びポンディングパッド等の描画に要する時間で
試料ステージの移動速度が決まってしまい、ＬＳＩ内部
の微細パターン等を描画するのに必要なステージ移動速
度より遥かに遅い移動速度にする必要があり、描画スル
ーブツトの大幅な低下を招くことになる。
やポンディングパッド等は大きい面積に屋って描画する
必要があり、上に述べた最大寸法のビームで描画しても
、このようなパターンを描画するのみで長時間を要して
しまい、描画スルーブツトの低下を招く。特に、試料ス
テージを連続移動する方式にあっては、上記ダイシング
ライン及びポンディングパッド等の描画に要する時間で
試料ステージの移動速度が決まってしまい、ＬＳＩ内部
の微細パターン等を描画するのに必要なステージ移動速
度より遥かに遅い移動速度にする必要があり、描画スル
ーブツトの大幅な低下を招くことになる。
また、上記した問題は、電子ビームの代りにイオンビー
ムを用いるイオンビーム露光装置についても同様に云え
ることである。
ムを用いるイオンビーム露光装置についても同様に云え
ることである。
本発明の目的は、ダイシングラインやポンディングパッ
ド等の描画のためにスループットが制限されるのを防止
することができ、スループットの向上及び描画精度の向
上をはかり得る荷電ビーム露光装置を提供することにあ
る。
ド等の描画のためにスループットが制限されるのを防止
することができ、スループットの向上及び描画精度の向
上をはかり得る荷電ビーム露光装置を提供することにあ
る。
〔発明の概要）
本発明の骨子は、描画すべきパターンの寸法によって荷
電ビームの最大寸法をｗＩＩｌｌすることにある。
電ビームの最大寸法をｗＩＩｌｌすることにある。
前述したように、ビーム分解能はビーム最大寸法が大き
くなるほど低下する。ここで、ＬＳＩ等の内部の綱かい
パターンは高い描画精度が必要で、線幅精度、スペース
精度９位直積度及びビーム分解能を良くする必要がある
。これに対し、ダイシングラインやポンディングパッド
等は１００［μＴｒＬ］程度の寸法があるので、これら
の寸法精度は１〔μｍコもあれば十分である。従って、
細かいパターンを描画するときにはビーム寸法を小さく
、例えばビーム面積を従来と同様に（最小線幅×最小線
幅×３）とし、大きなパターンを描画するときはビーム
寸法を大きく、例えばビーム面積を（最小線幅×最小線
幅×３）２とし、描画時間が長くならないように工夫し
た。
くなるほど低下する。ここで、ＬＳＩ等の内部の綱かい
パターンは高い描画精度が必要で、線幅精度、スペース
精度９位直積度及びビーム分解能を良くする必要がある
。これに対し、ダイシングラインやポンディングパッド
等は１００［μＴｒＬ］程度の寸法があるので、これら
の寸法精度は１〔μｍコもあれば十分である。従って、
細かいパターンを描画するときにはビーム寸法を小さく
、例えばビーム面積を従来と同様に（最小線幅×最小線
幅×３）とし、大きなパターンを描画するときはビーム
寸法を大きく、例えばビーム面積を（最小線幅×最小線
幅×３）２とし、描画時間が長くならないように工夫し
た。
＼、
即ち本発明は、可変寸法ビームを用いて試料上に所望パ
ターンを描画する荷電ビーム露光装置において、パター
ン寸法が予め決められた寸法より大きいパターンを露光
する場合にはビームの最大寸法を大きくし、且つパター
ン寸法が予め決められた寸法より小さい場合にはビーム
の最大寸法を小さく制御するようにしたものである。
ターンを描画する荷電ビーム露光装置において、パター
ン寸法が予め決められた寸法より大きいパターンを露光
する場合にはビームの最大寸法を大きくし、且つパター
ン寸法が予め決められた寸法より小さい場合にはビーム
の最大寸法を小さく制御するようにしたものである。
本発明によれば、描画精度の必要な部分についではビー
ム最大寸法の小ざなビームで描画することができ、且つ
描画精度の余り必要ない部分についてはビーム最大寸法
の大きなビームで描画することができる。このため、描
画精度の低下を沼くことなく、描画スループットの向上
をはかり得る。
ム最大寸法の小ざなビームで描画することができ、且つ
描画精度の余り必要ない部分についてはビーム最大寸法
の大きなビームで描画することができる。このため、描
画精度の低下を沼くことなく、描画スループットの向上
をはかり得る。
特に、試料ステージを連続移動する方式にあっては、ダ
イシングラインやポンディングパッド等を描画するに要
する時間が短くなることから、試料ステージの移動速度
を速く（従来の３倍程度）することができ、描画スルー
プットの大幅な向上（従来の３倍程度）をはかり得る。
イシングラインやポンディングパッド等を描画するに要
する時間が短くなることから、試料ステージの移動速度
を速く（従来の３倍程度）することができ、描画スルー
プットの大幅な向上（従来の３倍程度）をはかり得る。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露光装置
を示す概略構成図である。図中１１は防振架台１２上に
設けられた試料室であり、この試料室１１内には半導体
ウェハ等の試料１３を載置した試料ステージ１４が収容
されている。試料ステージ１４はステージ駆動系１５に
よりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向
）に移動され、該ステージ１４の移動位置はレーザ測長
系１６により測長されるものとなっている。なお、上記
駆動系１５はインターフェース１７を介して制御計算曙
１８に接続され、この計算機１８からの指令により作動
するものである。ざらに、上記レーザ測長系１６の測長
値は位置回路１９に供給され、この位置回路１９により
ステージ位置及び移動速度が測定される。そして、ステ
ージ位置情報はインターフェース１７を介して計算機１
８に送出されるものとなっている。
を示す概略構成図である。図中１１は防振架台１２上に
設けられた試料室であり、この試料室１１内には半導体
ウェハ等の試料１３を載置した試料ステージ１４が収容
されている。試料ステージ１４はステージ駆動系１５に
よりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向
）に移動され、該ステージ１４の移動位置はレーザ測長
系１６により測長されるものとなっている。なお、上記
駆動系１５はインターフェース１７を介して制御計算曙
１８に接続され、この計算機１８からの指令により作動
するものである。ざらに、上記レーザ測長系１６の測長
値は位置回路１９に供給され、この位置回路１９により
ステージ位置及び移動速度が測定される。そして、ステ
ージ位置情報はインターフェース１７を介して計算機１
８に送出されるものとなっている。
一方、前記試料苗１１の上方には、電子銃２１、各種偏
向器２２．２３．２４．２５、各種レンズ２６．２７．
２８．２９及びアパーチャマスク４１．４２等からなる
電子光学鏡筒２ｏが設けられている。上記偏向器２２は
電子銃２１から放射された電子ビームを０Ｎ−ＯＦＦす
るブランキング用偏向器であり、描画回路５１によりブ
ランキング電圧を与えられる。偏向器２３はアパーチャ
マスク４１．４２の光学内型なりを可変してビームの寸
法及び形状を可変するビーム成形用偏向器であり、ビー
ム成形回路５２により所定の偏向電圧が与えられる。偏
向器２５はビームを大きく偏向する主偏向器であり、主
偏向回路５３により偏向電圧を与えられる。また、偏向
器２４はビームを高速で小偏向する副偏向器であり、副
偏向回路５４により偏向電圧を与えられる。
向器２２．２３．２４．２５、各種レンズ２６．２７．
２８．２９及びアパーチャマスク４１．４２等からなる
電子光学鏡筒２ｏが設けられている。上記偏向器２２は
電子銃２１から放射された電子ビームを０Ｎ−ＯＦＦす
るブランキング用偏向器であり、描画回路５１によりブ
ランキング電圧を与えられる。偏向器２３はアパーチャ
マスク４１．４２の光学内型なりを可変してビームの寸
法及び形状を可変するビーム成形用偏向器であり、ビー
ム成形回路５２により所定の偏向電圧が与えられる。偏
向器２５はビームを大きく偏向する主偏向器であり、主
偏向回路５３により偏向電圧を与えられる。また、偏向
器２４はビームを高速で小偏向する副偏向器であり、副
偏向回路５４により偏向電圧を与えられる。
ここで、前記ビーム成形回路５２は、第２図にフローチ
ャートを示す如く描画すべきパターンの大きさによりビ
ーム最大寸法を可変するものとなっている。即ち、次に
描画すべきパターン寸法の大きさＡを求め、これと予め
設定したパターン寸法Ｂとを比較し、Ａ＜８のときビー
ム最大寸法を８１ （例えばビーム面積２μｒｒｔ２
）にする。また、Ａ２Ｂのときビーム最大寸法を３２
（例えばビーム面積９μＴｒＬ２）にする。これによ
り、大きいパターンを描画する際には最大寸法の大きな
ビームで描画し、小さいパターンを描画する際には最大
寸法の小さなビームで描画することになる。つまり、ダ
イシングラインやポンディングパッド等を描画する際に
は最大面積９［μ７ｒＬ２’］のビームで描画し、ＬＳ
Ｉ内部の微細パターンを描画する際には最大面積２［μ
ＴｒＬ２］のビームで描画するものとなっている。
ャートを示す如く描画すべきパターンの大きさによりビ
ーム最大寸法を可変するものとなっている。即ち、次に
描画すべきパターン寸法の大きさＡを求め、これと予め
設定したパターン寸法Ｂとを比較し、Ａ＜８のときビー
ム最大寸法を８１ （例えばビーム面積２μｒｒｔ２
）にする。また、Ａ２Ｂのときビーム最大寸法を３２
（例えばビーム面積９μＴｒＬ２）にする。これによ
り、大きいパターンを描画する際には最大寸法の大きな
ビームで描画し、小さいパターンを描画する際には最大
寸法の小さなビームで描画することになる。つまり、ダ
イシングラインやポンディングパッド等を描画する際に
は最大面積９［μ７ｒＬ２’］のビームで描画し、ＬＳ
Ｉ内部の微細パターンを描画する際には最大面積２［μ
ＴｒＬ２］のビームで描画するものとなっている。
次に、上記構成された本装置を用いた電子ビーム描画方
法について説明する。ここでは、描画領域を偏向系の偏
向幅で決るフィールド及び該フィールドを微小領域（サ
ブフィールド）に分割し、ステージを一方向に連続移動
しながらフィールドを描画する方式とする。
法について説明する。ここでは、描画領域を偏向系の偏
向幅で決るフィールド及び該フィールドを微小領域（サ
ブフィールド）に分割し、ステージを一方向に連続移動
しながらフィールドを描画する方式とする。
まず、ステージ１４を一方向（例えばＸ方向）に連続移
動しながら、主偏向器２５により電子ビームを所定のサ
ブフィールドに偏向し、ブランキング用偏向器２２及び
副偏向器２４により描画すべき図形があるところにのみ
ビームを照射してサブフィールドの描画を順次行う。
動しながら、主偏向器２５により電子ビームを所定のサ
ブフィールドに偏向し、ブランキング用偏向器２２及び
副偏向器２４により描画すべき図形があるところにのみ
ビームを照射してサブフィールドの描画を順次行う。
このような描画方式は周知であり、本装置がこれと異な
る点は、描画すべきパターンの寸法に応じてビーム最大
寸法を制御することにある。即ち、前記ビーム成形回路
５２により描画すべきパターンの寸法Ａが予め設定した
パターン寸法Ｂと比較され、Ａ＜８のときビーム最大寸
法が例えば２［μＨ２］に、Ａ２Ｂのときビーム最大寸
法が例えば９．［μ７ＦＬ２］ Ｔ＃１’ｌｌＪサレル
。ココテ、ビーム最大寸法を２［μＴｒＬ２］にするか
９［μ′ｒｒＬ２］にするかは、次のように制御すれば
よい。即ち、予め設定するパターンの寸法８を例えば５
０［μｍ］としておき、描画すべきパターンのＸ方向及
びＹ方向の寸法Ａが両方共これを越える場合は９〔μ７
７１２］とし、片方でも５０［μｍ、］以下のパターン
については２［μ７ｒＬ２１とすることをデータ変換時
に行えばよい。
る点は、描画すべきパターンの寸法に応じてビーム最大
寸法を制御することにある。即ち、前記ビーム成形回路
５２により描画すべきパターンの寸法Ａが予め設定した
パターン寸法Ｂと比較され、Ａ＜８のときビーム最大寸
法が例えば２［μＨ２］に、Ａ２Ｂのときビーム最大寸
法が例えば９．［μ７ＦＬ２］ Ｔ＃１’ｌｌＪサレル
。ココテ、ビーム最大寸法を２［μＴｒＬ２］にするか
９［μ′ｒｒＬ２］にするかは、次のように制御すれば
よい。即ち、予め設定するパターンの寸法８を例えば５
０［μｍ］としておき、描画すべきパターンのＸ方向及
びＹ方向の寸法Ａが両方共これを越える場合は９〔μ７
７１２］とし、片方でも５０［μｍ、］以下のパターン
については２［μ７ｒＬ２１とすることをデータ変換時
に行えばよい。
かくして本実施例装置によれば、第３図に示す如くフィ
、−ルド６１を複数に分割したサブフィールド６２毎に
描画する際に、ダイシングライン６３やポンディングパ
ッド６４等の大きなパターンは最大寸法９［μ７７１２
］のビームで描画されることになり、内部の微細パター
ン６５は最大寸法２［μ７ＦＬ２］のビームで描画され
ることになる。
、−ルド６１を複数に分割したサブフィールド６２毎に
描画する際に、ダイシングライン６３やポンディングパ
ッド６４等の大きなパターンは最大寸法９［μ７７１２
］のビームで描画されることになり、内部の微細パター
ン６５は最大寸法２［μ７ＦＬ２］のビームで描画され
ることになる。
従って、ダイシングライン６３やポンディングパッド６
４等の大面積のパターンを従来より高速で描画すること
ができる。このため、試料ステージ１４の移動速度を速
くすることができ、描画スルーブツトの向上をはかり得
る。
４等の大面積のパターンを従来より高速で描画すること
ができる。このため、試料ステージ１４の移動速度を速
くすることができ、描画スルーブツトの向上をはかり得
る。
次に、上記実施例装置の効果を、本発明者等の実験によ
って更に詳しく説明する。本発明者等は、次に示す条件
でシステム設計を行った。
って更に詳しく説明する。本発明者等は、次に示す条件
でシステム設計を行った。
■ ビーム電流密度 ニア５Ａ／ｍ■ ビーム
面積 ： ２μＴｒＬ２■ フラッシュ ＝１０９フラッシュ／ウェハ ： ８２５００７ラツシユ１０．１ ｘｏ、５ ｔａｎ
２■ レジスト感度 ：２０μＣ／ｃ！１（２０Ｋ ｅ
Ｖ ＞■ ダイシングライン幅 ：１００μｍ■ サ
ブフィールドセトリングタイム／サブフィールド寸法
： ５０ｎｓｅｃ／ ６４μｍ角■ メインフィー
ルドセトリングタイム／メインフィールド寸法 ：１
５μｓｅｃ １５００μｍ角■ ２μＴＩ′Ｌ２のビー
ム寸法以下でのビーム分解能： Ｏ，”Ｉμｒｒｔ２ このような条件下で、描画時の試料ステージ１Ａの移動
速度を見積もってみる。５００μ乳（偏向幅）×１００
μ７７１（ダイシングライン幅）の領域を２［μｍ２］
の最大ビームで塗り潰すには、２５０００スロツトが必
要である。このとき、ステージ移動速度は である。一方、ダイシングライン（及びポンディングパ
ッド）以外では、ステージ移動速度はである。ステージ
連続移動で描画する場合は、最も密な部分でステージ移
動速度が決まるので、従来、ステージ移動速度９．７
［ｇｏ＋／ｓｅｃ ］で描画する必要があったのである
。
面積 ： ２μＴｒＬ２■ フラッシュ ＝１０９フラッシュ／ウェハ ： ８２５００７ラツシユ１０．１ ｘｏ、５ ｔａｎ
２■ レジスト感度 ：２０μＣ／ｃ！１（２０Ｋ ｅ
Ｖ ＞■ ダイシングライン幅 ：１００μｍ■ サ
ブフィールドセトリングタイム／サブフィールド寸法
： ５０ｎｓｅｃ／ ６４μｍ角■ メインフィー
ルドセトリングタイム／メインフィールド寸法 ：１
５μｓｅｃ １５００μｍ角■ ２μＴＩ′Ｌ２のビー
ム寸法以下でのビーム分解能： Ｏ，”Ｉμｒｒｔ２ このような条件下で、描画時の試料ステージ１Ａの移動
速度を見積もってみる。５００μ乳（偏向幅）×１００
μ７７１（ダイシングライン幅）の領域を２［μｍ２］
の最大ビームで塗り潰すには、２５０００スロツトが必
要である。このとき、ステージ移動速度は である。一方、ダイシングライン（及びポンディングパ
ッド）以外では、ステージ移動速度はである。ステージ
連続移動で描画する場合は、最も密な部分でステージ移
動速度が決まるので、従来、ステージ移動速度９．７
［ｇｏ＋／ｓｅｃ ］で描画する必要があったのである
。
これに対し本実施例では、ダイシングライン（及びポン
ディングパッド）を描画するときは、ビーム最大寸法を
３ ［μｍコＸ３［μＴｒＬｌ−９［μＴｒＬ２］にし
ているので、ダイシングライン等を描画するときのステ
ージ移動速度は となり、ダイシングライン以外での移動速度２２、８
［ｍ／ｓｅｃ ］より速くなる。コノタメ、ダイシング
ライン以外でのステージ移動速度２２ 、８ ［ＩｎＩ
ｎ、／ｓｅｃ ］で描画すルコトカテｅ ル。
ディングパッド）を描画するときは、ビーム最大寸法を
３ ［μｍコＸ３［μＴｒＬｌ−９［μＴｒＬ２］にし
ているので、ダイシングライン等を描画するときのステ
ージ移動速度は となり、ダイシングライン以外での移動速度２２、８
［ｍ／ｓｅｃ ］より速くなる。コノタメ、ダイシング
ライン以外でのステージ移動速度２２ 、８ ［ＩｎＩ
ｎ、／ｓｅｃ ］で描画すルコトカテｅ ル。
即ち、従来に比べ、２．３５倍のステージ移動速度で描
画できることになる。
画できることになる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記試料ステージを連続移動するものに限
らず、該ステージをステップアンドリピートで移動しな
がら描画する方式にも適用することができる。ざらに、
予め設定するパターンの寸法Ｂ、ビーム最大寸法の大き
い方（９μＴｒＬ２）及び小ざい方（２μ７７１２）の
寸法等の条件は、ＬＳＩ内部の微細パターンの最小寸法
及びダイシングラインやポンディングパッド等の寸法に
応じて適宜窓めればよい。また、電子ビームの代りにイ
オンビームを用いるイオンビーム露光装置に適用するこ
とも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
い。例えば、前記試料ステージを連続移動するものに限
らず、該ステージをステップアンドリピートで移動しな
がら描画する方式にも適用することができる。ざらに、
予め設定するパターンの寸法Ｂ、ビーム最大寸法の大き
い方（９μＴｒＬ２）及び小ざい方（２μ７７１２）の
寸法等の条件は、ＬＳＩ内部の微細パターンの最小寸法
及びダイシングラインやポンディングパッド等の寸法に
応じて適宜窓めればよい。また、電子ビームの代りにイ
オンビームを用いるイオンビーム露光装置に適用するこ
とも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露光装置
を示す慨略構成図、第２図は上記装置におけるビーム成
形回路の作用を説明するためのフローチャート、第３図
は上記装置を用いた描画方法を説明するための模式図で
ある。 １１・・・試料室、１３・・・試料、１４・・・試料ス
テージ、１５・・・ステージ駆動系、１７・・・インタ
ーフェース、１８・・・制御計算機、２０・・・電子光
学鏡筒、２１・・・電子銃、２２．〜．２５−・・偏向
器、２６゜〜、２９・・・レンズ、４１．４２・・・ア
パーチャマスク、５１・・・描画回路、５２・・・ビー
ム成形回路、５３・・・主偏向回路、５４・・・副偏向
回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図
を示す慨略構成図、第２図は上記装置におけるビーム成
形回路の作用を説明するためのフローチャート、第３図
は上記装置を用いた描画方法を説明するための模式図で
ある。 １１・・・試料室、１３・・・試料、１４・・・試料ス
テージ、１５・・・ステージ駆動系、１７・・・インタ
ーフェース、１８・・・制御計算機、２０・・・電子光
学鏡筒、２１・・・電子銃、２２．〜．２５−・・偏向
器、２６゜〜、２９・・・レンズ、４１．４２・・・ア
パーチャマスク、５１・・・描画回路、５２・・・ビー
ム成形回路、５３・・・主偏向回路、５４・・・副偏向
回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図
Claims (4)
- （１）可変寸法ビームを用いて試料上に所望パターンを
描画する荷電ビーム露光装置において、パターン寸法が
予め決められた寸法より大きいパターンを露光する場合
はビームの最大寸法を大きくし、且つパターン寸法が予
め決められた寸法より小さい場合はビームの最大寸法を
小さく制御してなることを特徴とする荷電ビーム露光装
置。 - （２）前記試料は、一方向に連続移動されながら描画さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の荷電
ビーム露光装置。 - （３）前記ビームを偏向する偏向系は、該ビームを大偏
向する主偏向器及び該ビームを高速で小偏向する副偏向
器からなるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の荷電ビーム露光装置。 - （４）前記主偏向器は描画すべきフィールドを複数に分
割してなるサブフィールドの任意のサブフィールドにビ
ームを偏向するものにあり、前記副偏向器は該サブフィ
ールド内でビームを偏向して所望パターンを描画するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204823A JPS6182425A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204823A JPS6182425A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182425A true JPS6182425A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16496972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204823A Pending JPS6182425A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532760A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルを製造および検査するためのメカニズム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425675A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Electron beam exposure unit |
| JPS5489569A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS59151423A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および方法 |
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1984
- 1984-09-29 JP JP59204823A patent/JPS6182425A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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