JPS6181010A - Btl circuit - Google Patents

Btl circuit

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JPS6181010A
JPS6181010A JP59203751A JP20375184A JPS6181010A JP S6181010 A JPS6181010 A JP S6181010A JP 59203751 A JP59203751 A JP 59203751A JP 20375184 A JP20375184 A JP 20375184A JP S6181010 A JPS6181010 A JP S6181010A
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transistor
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detection
transistors
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Kazuhiro Mori
森 数洋
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3081Duplicated single-ended push-pull arrangements, i.e. bridge circuits

Abstract

PURPOSE:To prevent the breakdown of a transistor (TR) by providing a protecting circuit, which cuts off the TR not to flow an overcurrent to the TR when an output terminal is grounded, in an output circuit of a power amplifier or the like. CONSTITUTION:The output of a detecting circuit 20 is connected to an input terminal 201 of a comparing circuit 26 through a level shifting circuit 24, and the output of a detecting circuit 22 is connected to an input terminal 101 of a comparing circuit 25 through a level shifting circuit 23. If the output of the comparing circuit 25 or 26 goes to the high level, a control circuit 27 is operated to cut off a driving circuit 16 or 17, and TRs Q11-Q14 are turned off. Outputs of detecting circuits 19-22 go to the high level when it is detected that a difference is generated between collector currents of TRs Q11 and Q14 or TRs Q12 and Q13.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電力増幅器などの出力回路として用いられる
BTL回路(Ba1lanced Tranaform
erLegs回路)に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a BTL circuit (Ba1lanced Tranform) used as an output circuit of a power amplifier or the like.
erLegs circuit).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第6図はBTL回路の従来の一例を示す回路図である。 FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional BTL circuit.

NPN)ランジスタ(以下、NPN )ランジスタ。NPN) transistor (hereinafter referred to as NPN) transistor.

PNP )ランジスタ共に単にトランジスタというψQ
l、Q2及びトランジスタQ3 、Q4がそれぞれ直列
接続されてプッシュプル回路を構成し、電源端子5と接
地間に接続される。そして、トランジスタQ1.Q2の
ペースは入力端子1からの入力信号によシトライブ回路
6を介して駆動され、一方トランジスタQs 、Q4の
ペースは入力端子2からの逆相入力信号によυドライブ
回路7を介して駆動され、それぞれ出力を出力端子3,
4かも出力する。
PNP) Both transistors are simply called transistors ψQ
1, Q2 and transistors Q3 and Q4 are connected in series to form a push-pull circuit, which is connected between power supply terminal 5 and ground. And transistor Q1. The pace of Q2 is driven by the input signal from the input terminal 1 via the drive circuit 6, while the pace of the transistors Qs and Q4 is driven by the negative phase input signal from the input terminal 2 via the υ drive circuit 7. , output terminal 3,
It also outputs 4.

同図において8は負荷である。In the figure, 8 is a load.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第6図に示す従来のBTL回路において、トランジスタ
Q□+Q4が動作状態にある時、出力端子3が接地され
た場合、及びトランジスタQs 、Qzが動作状態にあ
る時、出力端子4が接地された場合、前者の場合はトラ
ンジスタQ1 に過電流が流れ、後者の場合はトランジ
スタQ3に過電流が流れ、トランジスタQ□+Q3が破
壊してしまうという問題点があった。
In the conventional BTL circuit shown in Fig. 6, when the transistor Q□+Q4 is in the operating state, the output terminal 3 is grounded, and when the transistors Qs and Qz are in the operating state, the output terminal 4 is grounded. In the former case, an overcurrent flows through the transistor Q1, and in the latter case, an overcurrent flows through the transistor Q3, resulting in destruction of the transistor Q□+Q3.

本発明の目的は、かかる問題点を解決することによシ、
いずれか一方の出力端子が接地された場合でも、トラン
ジスタに過電流が流れない様にし中断する保護回路を備
えたBTL回路を提供すると本発明のBTL回路は、第
1.第2のトランジスタが直列接続されその中点を第1
の出力端子として構成する第1のプッシュプル回路と、
第3.第4のトランジスタが直列接続されその中点を第
2の出力端子として構成する第2のプッシュプル回路と
、該第1.第2のグツシープル回路の入力をそれぞれ逆
相で駆動する第1.第2の駆動回路とを含むBTL回路
において、それぞれ前記第1.第2、第3及び第4のト
ランジスタのペース−エミッタ間電圧を検出する第1.
第2.第3及び第4の検出回路と、前記第1の検出回路
の出力及び第1のレベルシフト回路を介した前記第4の
検出回路の出力を比較する第1の比較回路と、前記第3
の検出回路の出力及び第2のレベルシフト回路を介した
前記第2の検出回路の出力を比較する第2の比較回路と
、該第2の比較回路の出力及び前記第1の比較回路の出
力を入力として前記第1.第2の駆動回路を制御する制
御回路とを有している。
The purpose of the present invention is to solve such problems by
The BTL circuit of the present invention provides a BTL circuit equipped with a protection circuit that prevents and interrupts overcurrent from flowing into the transistor even when either one of the output terminals is grounded. The second transistors are connected in series and the middle point is the first transistor.
a first push-pull circuit configured as an output terminal of;
Third. a second push-pull circuit in which fourth transistors are connected in series and whose midpoint is configured as a second output terminal; The first one drives the inputs of the second sheep pull circuit in opposite phases. and a second drive circuit. The first .
Second. a third and fourth detection circuit, a first comparison circuit that compares the output of the first detection circuit and the output of the fourth detection circuit via the first level shift circuit;
a second comparison circuit that compares the output of the detection circuit and the output of the second detection circuit via the second level shift circuit; the output of the second comparison circuit and the output of the first comparison circuit; As input, the first . and a control circuit that controls the second drive circuit.

〔作用〕[Effect]

第1図は本発明のBTL回路の基本的構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the basic configuration of the BTL circuit of the present invention.

本発明のBTL回路は、第1.第2のトランジスタQl
l l Q12が直列接続されその中点を第1の出力端
子13として構成する第1のプッシュプル回路と、第3
.第4のトランジスタQ1!1Q14が直列接続されそ
の中点を第2の出力端子14として構成する第2のプツ
シ−プル回路と、この第1゜第2のプツシ−プル回路の
入力であるトランジスタQll + Qtz及びQ工3
1Q14のペースをそれぞれ逆相で駆動する第1.第2
の駆動回路16.17とを含むBTL回路において、そ
れぞれ第1.第2゜第3及び第4のトランジスタ(ht
〜Q□4のベース・エミッタ間電圧Vagt−検出する
第1.第2.第3及び第4の検出回路19〜22と、第
1の検出回路19の出力及び第1のレベルシフト回路2
3を介した第4の検出回路22の出力を比較する差動構
成の第1の比較回路25と、第3の検出回路21の出力
及び第2のレベルシフト回路24を介した第2の検出回
路20の出力を比較する差動構成の第2の比較回路26
と、第2の比較回路26の出力及び第1の比較回路25
の出力を入力として第1.第2の駆動回路16.17を
制御する制御制御回路27が動作する条件としては、比
較回路25又は比較回路26の出方がハイレベルトなっ
た時に動作し、駆動回路16又は駆動回路17をし中断
することKより、トランジスタQ□1〜Q、4をし中断
する。又、検出回路19〜22の出方は、トランジスタ
Q□、とQ工4又はQtzと。、3のコレクタ電流IC
I〜IC4に差が生じたことを検知するとハイレベルを
出力する。
The BTL circuit of the present invention has the following features: 1. second transistor Ql
l l A first push-pull circuit in which Q12 are connected in series and whose midpoint is configured as the first output terminal 13;
.. A second push-pull circuit in which fourth transistors Q1!1Q14 are connected in series and whose middle point is configured as the second output terminal 14; + Qtz and Q engineering 3
The 1st. Second
In the BTL circuit including first and second drive circuits 16 and 17, respectively. 2nd degree third and fourth transistors (ht
~Q□4 base-emitter voltage Vagt-Detected 1st. Second. Third and fourth detection circuits 19 to 22, the output of the first detection circuit 19 and the first level shift circuit 2
A first comparison circuit 25 with a differential configuration that compares the output of the fourth detection circuit 22 via the third detection circuit 21 and a second detection via the output of the third detection circuit 21 and the second level shift circuit 24. A second comparator circuit 26 with a differential configuration that compares the outputs of the circuit 20
, the output of the second comparison circuit 26 and the first comparison circuit 25
The first output is the input. The conditions for the operation of the control circuit 27 that controls the second drive circuit 16 and 17 are that it operates when the output of the comparison circuit 25 or 26 becomes a high level, and stops the operation of the drive circuit 16 or 17. From the action K, the transistors Q□1-Q, 4 are interrupted. Furthermore, the detection circuits 19 to 22 are connected to transistors Q□ and Q4 or Qtz. , 3 collector current IC
When detecting that there is a difference between I to IC4, a high level is output.

次に、第1図の回路の基本動作を説明する。Next, the basic operation of the circuit shown in FIG. 1 will be explained.

検出回路19の出力をV□、検出回路2oの出力電圧を
V2%検比検出21の出力をVa、検出回路22の出力
電圧をv4、レベルシフト回路23゜240レベルシフ
ト電圧をvL1比較回路250入力端子101.102
の電圧をVIO□l Vlo、、比較回路26の入力端
子201.202の電圧をv2゜1゜v202とする0 検出回路20の出力はレベルシフト回路24を介して、
又検出回路22の出力はレベルシフト回路23を介して
、前者は比較回路26の入力端子201に、後者は比較
回路25の入力端子101に接続されているため、vl
。0.v2゜□及びV□。8゜V2O2は、 vl、、 (Vzot > xva <v2> −vL
   ・−・・・(i)Vro2 (V2O2) −V
l (V3 )     −−(2)となる。トランジ
スタQll〜Q工、のコレクタ電流をそれぞれICI 
* IC2* IC3s IC4とすると、正常動作時
には、;レクタ電流Ic工とI C4s又はIC2とI
(Jが等しくなシ、v4(v2)曙V、(V、)とする
と、(1)式と(2)式の関係からvlOl (V2O
1) < V1O2(V2O2)    −−<3)の
関係が成り立つ。比較回路25及び比較回路26の出力
は、(3)式の状態においては、aウレベルとなシ、従
って制御回路27もしゃ断状態である。
The output of the detection circuit 19 is V□, the output voltage of the detection circuit 2o is V2%, the output of the ratio detection 21 is Va, the output voltage of the detection circuit 22 is V4, the level shift circuit 23°240, the level shift voltage is VL1, the comparison circuit 250 Input terminal 101.102
The voltage at the input terminals 201 and 202 of the comparator circuit 26 is set to v2゜1゜v202.
Also, the output of the detection circuit 22 is connected to the input terminal 201 of the comparison circuit 26 and the latter to the input terminal 101 of the comparison circuit 25 via the level shift circuit 23, so that
. 0. v2゜□ and V□. 8゜V2O2 is vl,, (Vzot > xva <v2> -vL
・-・・・(i)Vro2 (V2O2) -V
l (V3) --(2). The collector currents of transistors Qll to Q, respectively are ICI
*IC2* IC3s IC4, during normal operation; Rector current Ic and I C4s or IC2 and I
(If J is equal to V, v4 (v2) Akebono V, (V, ), then from the relationship between equations (1) and (2), vlOl (V2O
1) The following relationship holds true: <V1O2(V2O2) --<3). In the state of equation (3), the outputs of the comparison circuits 25 and 26 are at the a-low level, and therefore the control circuit 27 is also in a cutoff state.

次に、コレクタ電流Ic工とIC4又はIC2とIC8
に差が生じてICI>IC4又はIcx>Iczとなる
異常時に検出回路19又は検出回路21の出力電圧V工
又はv3が Vl(V3 ) < V4(V2 ) −Vt、   
 −−(4)となると、 Vlol (V2O1) > Vlo2(V2O2) 
   ・−・・(5)の関係が成シ立つ。(5)式の状
態になった時に、比較回路25及び比較回路26の出力
がハイレベルとなる様な回路構成であれば、制御回路2
7が動作し、駆動回路16.171&:L中断すること
によりトランジスタQll〜Q□4をし中断させる。
Next, the collector current Ic and IC4 or IC2 and IC8
When there is a difference between ICI>IC4 or Icx>Icz, the output voltage V or v3 of the detection circuit 19 or 21 becomes Vl(V3)<V4(V2)-Vt,
--(4), Vlol (V2O1) > Vlo2(V2O2)
...The relationship (5) holds true. If the circuit configuration is such that the outputs of the comparator circuit 25 and the comparator circuit 26 become high level when the state of equation (5) is reached, the control circuit 2
7 operates, and the drive circuits 16, 171 &:L are interrupted, thereby causing the transistors Qll to Q□4 to be interrupted.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

第2図において、トランジスタQ1゜、とQl。2゜Q
sosとQ104 + QsosとQlog及びQ10
?とQ 108はダーリントン接続され抵抗R2p R
3y R5+ R7及び定電流源28.29とともに、
BTL構成の出力回路を構成する。又、トランジスタQ
111〜Q□14ト抵抗R1* R4r R6# Rs
 ””’ Rsx は検出回路を構成し、その中にレベ
ルシフト回路としてのダイオードDI、D2が含まれる
。そして、トランジスタQ1□5〜Q11.と定電流源
30 、31及び抵抗R1,、R16で差動構成の比較
回路が構成され、トランジスタQ119〜Q122と抵
抗R17〜R2゜で制御回路を構成し、トランジスタQ
1091Q□1゜は駆動回路を構成している。なお、ト
ランジスタのうちQ□。3゜QIO? + Qll!l
 ”QtlsはPNP )ランジスタで他はNPN )
ランジスタ、32は接地端子である。ここで、ダイオー
ドD工及びD2はその順方向電圧をそれぞれV D 1
及びVD2として、トランジスタQ1□6及びQ018
のペース電位をトランジスタQ1□5及びQ1□7のペ
ース電位に対してvDl及びVDまたけ下げている。
In FIG. 2, transistors Q1° and Ql. 2゜Q
sos and Q104 + Qsos and Qlog and Q10
? and Q108 are Darlington connected and resistor R2p R
3y R5+ R7 and constant current source 28.29,
Configure an output circuit with a BTL configuration. Also, transistor Q
111~Q□14 resistance R1* R4r R6# Rs
""' Rsx constitutes a detection circuit, which includes diodes DI and D2 as a level shift circuit. And transistors Q1□5 to Q11. A differential comparator circuit is made up of constant current sources 30, 31, and resistors R1, R16, and a control circuit is made up of transistors Q119 to Q122 and resistors R17 to R2.
1091Q□1° constitutes a drive circuit. Of the transistors, Q□. 3゜QIO? + Qll! l
"Qtls is PNP) transistor, others are NPN)
The transistor 32 is a ground terminal. Here, the diodes D and D2 each have their forward voltages V D 1
and VD2, transistors Q1□6 and Q018
The pace potential of transistors Q1□5 and Q1□7 is lowered across vDl and VD.

次に、本実施例の動作を第3図、第4図、第5図に示す
動作の説明図を参照して説明する。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to the explanatory diagrams of the operation shown in FIGS. 3, 4, and 5.

出力回路はプッシュプル構成であるため、正常動作時に
は、トランジスタQ1゜z r Qtosがオン状態で
、第3図の工、なる電流が流れ、又、トランジスタQ1
04 + Ql。6がオン状態で第3図のI′、なる電
流が流れる。トランジスタQ1゜2.Ql。8がオン状
態、トランジスタQ0゜4 + Q106がオフ状態又
は、トランジスタQroz + Q□。8がオフ状態、
トランジスタQ104 + Q□o6がオン状態となる
切換えは、入力端子11及び12に外部からそれぞれ逆
相の信号が印加され、その信号に応じて切換えを行なう
Since the output circuit has a push-pull configuration, during normal operation, the transistor Q1゜z r Qtos is in the on state, and a current as shown in Fig. 3 flows, and the transistor Q1
04 + Ql. 6 is on, a current I' in FIG. 3 flows. Transistor Q1゜2. Ql. 8 is on, transistor Q0°4 + Q106 is off, or transistor Qroz + Q□. 8 is off,
The transistors Q104+Q□o6 are switched on by applying signals of opposite phases to the input terminals 11 and 12 from the outside, and switching is performed in accordance with the signals.

又、オン動作時において、トランジスタQ□。1Qユ。Also, during the on operation, the transistor Q□. 1Q Yu.

、及ヒトランジスタQ1゜4+Q□o6  のエミッタ
面積、直流電流増幅率hrg等が同じでおれば、トラン
ジスタQ 1ozとQtoa + Q104とQsoe
のベース・エミッタ間電圧Milli (以下s VB
Kというψ は等しくなる。
, and transistors Q1゜4+Q□o6 have the same emitter area, DC current amplification factor hrg, etc., then transistors Q1oz, Qtoa + Q104, and Qsoe
The base-emitter voltage Milli (s VB
ψ K becomes equal.

従って、トランジスタQ1゜2 に接続された検出回路
を構成する検出用トランジスタQ1□、のペースと出力
端子13間の電圧と、トランジスタロ工。8に接続され
た検出回路を構成する検出用トランジスタQ1□4のペ
ースと接地間の電圧が等しく、又トランジスタQ8゜6
に接続された検出回路を構成する検出用トランジスタQ
1□3のペースと出力端子14間の電圧と、トランジス
タQ8゜4に接続された検出回路を構成する検出用トラ
ンジスタQ1□2のベースと接地間の電圧とが等しくな
る。このとき、検出用トランジスタQ111に流れるコ
レクタ電流ICI□は次ずのより%= 1+77 t=
さq東)。
Therefore, the voltage between the output terminal 13 and the output terminal 13 of the detection transistor Q1□, which constitutes the detection circuit connected to the transistor Q1゜2, and the transistor voltage. The voltage between the pace and ground of the detection transistor Q1□4 constituting the detection circuit connected to Q8 is equal, and the voltage between the transistor Q8゜6
A detection transistor Q forming a detection circuit connected to
The voltage between the output terminal 14 and the output terminal 14 becomes equal to the voltage between the base of the detection transistor Q1□2, which constitutes the detection circuit connected to the transistor Q8゜4, and the ground. At this time, the collector current ICI□ flowing through the detection transistor Q111 is as follows: %= 1+77 t=
Saq East).

+ I(11(1+ 1 / hrztt)J  ・・
・(6)ただし、K:ボルツマン定数、T:絶対温度、
q:電子の電荷、hrzlt ’ )ランジスタQ11
、の直流電流増幅EE、I。□、:トランジスタQ1□
□の逆方向飽和電流s vBE2 ’ )’ランジスタ
Q□。、のベース・エミッタ間弯目引詩電圧。
+ I(11(1+1/hrztt)J...
・(6) However, K: Boltzmann constant, T: absolute temperature,
q: electron charge, hrzlt') transistor Q11
, DC current amplification of EE, I. □, :Transistor Q1□
Reverse saturation current s vBE2 ')' transistor Q□. , the base-emitter curve voltage.

(6)式よシICI□を求めると、 T vBE2−−1゜ 同様に、検出用トランジスタQ1□4 に流れるコレク
タ電流IC工、は、 ただしs  hFE□、:トランジスタQ0.4の直流
電流増幅率s  l514 ’ )ランジスタQ□□4
の逆方向飽和N流、VB1@ : )5ンジスタQ1o
s Oベース・エミッタ間電圧。
Calculating ICI□ from equation (6), T vBE2--1゜Similarly, the collector current IC flowing through the detection transistor Q1□4 is, however, shFE□: DC current amplification of transistor Q0.4 rate s l514') transistor Q□□4
Reverse saturated N flow, VB1@: )5 transistor Q1o
s O base-emitter voltage.

ここで、トランジスタQ1゜、を流れるコレクタ電流I
C2とトランジスタQ□。8を流れるコレクタ電流IC
8と等しい場合、VDl2− VnE@ トfk b、
トラフジ3夕QlllとQ 114のvll・h、鳶及
びエミッタ面積が等しく、又、R1゜=R1,であれば
、(7)式。
Here, the collector current I flowing through the transistor Q1゜
C2 and transistor Q□. Collector current flowing through IC
If equal to 8, VDl2- VnE@ fk b,
If the vll·h, ridge and emitter areas of Torafuji 3 Yo Qllll and Q114 are equal, and if R1°=R1, then Equation (7).

(τ)式よシェC□1 ”” IC14となる。(τ) formula becomes She C□1 ”” IC14.

従って、差動構成の比較回路の入力電圧すなわちトラン
ジスタQよ□?1Q1□80ベース電位VB171VB
1gは、ダイオードD□+D2の順方向電圧がVDl、
 vD、であるので、 vB1s=vcc   IC14×R11−vD2  
 °°−−−−(8)VB17=VCCICIIXRI
O−−(9)となる。
Therefore, the input voltage of the differential comparator circuit, that is, the transistor Q? 1Q1□80 base potential VB171VB
1g, the forward voltage of diode D□+D2 is VDl,
vD, so vB1s=vcc IC14×R11−vD2
°°---(8)VB17=VCCICIIXRI
O--(9).

ここで、IC□□−Icm4.R1゜−R1□ である
ため% (8) 、 (9)式より、ダイオードD2の
順方向電圧VD2の差によりVBlg<VB□7となシ
、トランジスタQ11aはオン状態、トランジスタQ1
□7はオフ状態となり、抵抗R11には電圧降下を生じ
ないため制御回路を構成するトランジスタQ12□、Q
ユ2.は動作せず、出力回路も正常動作を維持する。
Here, IC□□-Icm4. Since R1° - R1□, % From equations (8) and (9), VBlg<VB□7 due to the difference in forward voltage VD2 of diode D2, transistor Q11a is in the on state, and transistor Q1
□7 is in the off state, and since no voltage drop occurs in the resistor R11, the transistors Q12□ and Q forming the control circuit
Yu 2. does not operate, and the output circuit maintains normal operation.

又逆に出力トランジスタQ1as + Q1G4が動作
状態の場合も、検出用トランジスタQ112 + Ql
□、は上記と同様の動作上行なう。
Conversely, when the output transistor Q1as + Q1G4 is in the operating state, the detection transistor Q112 + Ql
□ performs the same operation as above.

次に第4図及び第5図の様に出力端子13か又は出力端
子14のどちらか一方が接地された場合を考えてみる。
Next, consider the case where either the output terminal 13 or the output terminal 14 is grounded as shown in FIGS. 4 and 5.

まず、第4図の様に、出力端子13が接地された場合は
、トランジスタQ 102のコレクタ’1K 流IC2
は、 Icz = Vcc / rscQto2−・(9)た
だし、rscQ工。2はトランジスタQ1゜2の飽和抵
抗。
First, as shown in FIG. 4, when the output terminal 13 is grounded, the collector '1K of the transistor Q102 and the current IC2
Icz = Vcc / rscQto2- (9) where rscQto2-. 2 is the saturation resistance of transistor Q1゜2.

なる電流が流れる。A current flows.

ここで出力端子13が接地されたとき、出方端子131
C発生する電圧V□3は、接地インピーダンスをR8%
接地点に流れる電流を工2とすると、Vla −R8X
 I2           ・・・・・・αQなる電
圧が生じる。従って、トランジスタ。108にもコレク
タ電流IC11が流れ、その電流値は、IC2−工2+
IC8よ’) Ics −1cx  IIとなる。
Here, when the output terminal 13 is grounded, the output terminal 131
The voltage V□3 generated by C increases the ground impedance by R8%.
If the current flowing through the ground point is 2, then Vla −R8X
I2...A voltage of αQ is generated. Hence, the transistor. Collector current IC11 also flows through 108, and its current value is IC2-
IC8') Ics -1cx II.

従っテs  Ics < IC2となるため、トランジ
スタ!: ’) Vnzz > Vnr、sとなる。
Therefore, since Ics < IC2, it is a transistor! : ') Vnzz > Vnr, s.

従って、トランジスタQ1゜2のvBEの検出用トラン
ジスタQ1□1のコレクタ電流ICIIは、(次頁へ続
く) R1 となる。
Therefore, the collector current ICII of the transistor Q1□1 for detecting vBE of the transistor Q1°2 becomes R1 (continued on next page).

又、トランジスタQ1゜口のVBEの検出用トランジス
タQ1□4のコレクタ電流IC14は、T VBts      1n IC+4 ”□ ここで、R1=R,及びl811− l514とすると
、VBIC2> Vnzsであるため、ICII > 
IC14の関係が成り立つ。
In addition, the collector current IC14 of the VBE detection transistor Q1□4 at the mouth of the transistor Q1° is TVBts 1n IC+4 ”□ Here, if R1=R and 1811-1514, VBIC2>Vnzs, so ICII>
The relationship of IC14 holds true.

次に比較回路のトランジスタQ□1B 1 Ql□7の
ペース電位v1111 + VBI?は、(8)式、 
(9)式! り、VBIII ” vcc  IC14
X R11VO2””・・(8)VDI7 = VCC
ICII XRIG      −−(9)で与えられ
、かつR11= Rto r Icu > IC14で
らるため、 Vo2 < (ICII  IC14) X R11−
−eAとなる状態で、VBQI□7<VIIQI□、と
なシ、トランジスタQ1□8はオフ状態、トランジスタ
Q1□7はオン状態となり、抵抗R□。K電圧降下が生
じるため、制御回路を構成するトランジスタQ工H+ 
QB2が動作し、トランジスタQ1゜2 p Qtog
のペースドライブ電流を吸収することで、トランジスタ
Q1021Q1osをカットオフして、トランジスタQ
ユ。8.Ql。8の過電流破壊に対し保護することがで
きる。
Next, the pace potential v1111 + VBI? of the transistor Q□1B 1 Ql□7 of the comparison circuit? is the formula (8),
(9) Formula! VBIII” vcc IC14
X R11VO2””...(8) VDI7 = VCC
ICII
-eA, VBQI□7<VIIQI□, the transistor Q1□8 is in the off state, the transistor Q1□7 is in the on state, and the resistor R□. Since a voltage drop occurs, the transistor Q and H+ that make up the control circuit
QB2 operates, transistor Q1゜2 p Qtog
By absorbing the pace drive current of
Yu. 8. Ql. It can protect against overcurrent damage of 8.

以上の説明は、トランジスタQ102 * Q1o6が
オン状態の場合で、出力端子13が接地された場合の保
護回路の動作説明であるが、トランジスタQlog +
 Qto4がオン状態の場合で、出力端子14が接地さ
れた場合も、トランジスタQ1□2+Q□、3゜Qst
s + Qllgが、上記と同様の動作を行ない、制御
回路を構成しているトランジスタQsts + Q1□
The above explanation describes the operation of the protection circuit when the transistor Q102 * Q1o6 is in the on state and the output terminal 13 is grounded.
Even when Qto4 is on and the output terminal 14 is grounded, the transistor Q1□2+Q□, 3°Qst
s + Qllg performs the same operation as above, and transistors Qsts + Q1□ constitute a control circuit.
.

がオンしトランジスタQ工。4+Q□。6のペースドラ
イブ電流を吸収することで、トランジスタQ0゜4゜Q
工。6をカットオフしてその破壊を防ぐ。
is turned on and the transistor Q is turned on. 4+Q□. By absorbing the pace drive current of 6, the transistor Q0゜4゜Q
Engineering. 6 is cut off to prevent its destruction.

次に、第5図の様に出力端子14が接地された場合で、
トランジスタQxoz、Ql。8がオン状態の場合は、
トランジスタQ102のコレクタ電流IC2は、ただし
、R,は負荷インピーダンス、vcΣ(8AT)2はト
ランジスタQ□。2のコレクタ・エミッタ間飽和電圧。
Next, when the output terminal 14 is grounded as shown in Figure 5,
Transistors Qxoz, Ql. If 8 is on,
In the collector current IC2 of the transistor Q102, R is the load impedance, and vcΣ(8AT)2 is the transistor Q□. 2 collector-emitter saturation voltage.

となる。becomes.

ここでIC2は接地点に流れる電流を工3、トランジス
タQ1゜8のコレクタ電流をICIIとすると、IC2
= I s + Ics          −・・(
A4となシ、又 XCSoI(J  I3         ・・・・・
・(ト)となるため、IC2>IC8となる。
Here, for IC2, if the current flowing to the ground point is 3, and the collector current of transistor Q1゜8 is ICII, then IC2
= Is + Ics −...(
A4 and Nasi, also XCSoI (J I3...
・(G) Therefore, IC2>IC8.

従って、上記の様に、VBE2 > Vniaとすb、
■。、t > IC14となる。
Therefore, as mentioned above, VBE2 > Vnia and b,
■. , t > IC14.

ここで、上記の様にs  IC2> IC8の関係が成
り立つため、差動構成の比較回路の入力電圧は、VDI
7<VDI8となり差が生じるため、制御回路を構成し
ているトランジスタQ12□、Q□2□カオ/L、出力
回路をしゃ断し破壊を防ぐ。
Here, since the relationship s IC2 > IC8 holds as described above, the input voltage of the comparator circuit with a differential configuration is VDI
Since 7<VDI8 and a difference occurs, the transistors Q12□, Q□2□Kao/L, which constitute the control circuit, and the output circuit are cut off to prevent destruction.

又、トランジスタQ1os + Qt。4がオン状態で
、出力端子13が接地された場合も、上記と同様の動作
を行い、制御回路を構成しているトランジスタQ)n 
* Qlzoがオンし、出力回路をi断じ破壊を防ぐ。
Also, the transistor Q1os + Qt. 4 is in the on state and the output terminal 13 is grounded, the same operation as above is performed, and the transistor Q)n forming the control circuit
* Qlzo is turned on, cutting off the output circuit and preventing damage.

以上、本実施例によればトランジスタQ□。2とQ 1
os又は1 トランジスタQ10gとQ104の″′ク
タ電流がアンバランスとなった時に、保護回路が動作す
るため、数オームの抵抗で接地された場合でも誤動作す
ることはない。
As described above, according to this embodiment, the transistor Q□. 2 and Q 1
os or 1 Since the protection circuit operates when the transistor currents of the transistors Q10g and Q104 become unbalanced, there will be no malfunction even if the transistor is grounded with a resistor of several ohms.

又、出力トランジスタのアンバランスの比は(6)式よ
)V□/R□□(又はVDI / R9)で設定出来る
Further, the unbalance ratio of the output transistor can be set by V□/R□□ (or VDI/R9) according to equation (6).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したとおシ、本発明のBTL回路は上
記の構成になる出力端子が接地されたときトランジスタ
に過電流が流れないようにしゃ断する保護回路を有して
いるので、従来のようにトランジスタが破壊されること
が無いという効果を有する。
As described above in detail, the BTL circuit of the present invention has a protection circuit that cuts off overcurrent to the transistor when the output terminal configured as described above is grounded, so it is different from the conventional one. This has the effect that the transistor is not destroyed during the process.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のBTL回路の基本的構成を示すブロッ
ク図、第2図は本発明の一実施例を示す回路図、第3図
、第4図、第5図はその動作の説明図、第6図は従来の
BTL回路の一例を示す回路図である。 11.12・・・・・・入力端子、13.14・・・・
・・出力端子、15・・・・・・電源端子、16.17
・・・・・・駆動回路、18・・・・・・負荷、19〜
22・・・・・・検出回路、23.24・・・・・・レ
ベルシフト回路、25.26・・・・・・比較回路、2
7・・・・・・制御回路、28〜31・・・・・・定電
流源、32・・・・・・接地端子、101 、102 
、201 、202・・・・・・比較回路の入力端子、
D□、D2・・・・・・ダイオード、R工〜ate・・
・・・・抵抗、Qll 〜Q14 ! QIOI + 
Qloz p Qsoa 〜Qlo6* Q1os〜Q
114・Q 11+1〜Q122°−−NPN)ランジ
スタ、Q103 、 Q1G? T QIIS −Qt
ts−・・PNP )ランジスタ。 すJト 癌3圀 茅ダ回
Fig. 1 is a block diagram showing the basic configuration of the BTL circuit of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the invention, and Figs. 3, 4, and 5 are explanatory diagrams of its operation. , FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional BTL circuit. 11.12... Input terminal, 13.14...
...Output terminal, 15...Power terminal, 16.17
......Drive circuit, 18...Load, 19~
22...detection circuit, 23.24...level shift circuit, 25.26...comparison circuit, 2
7... Control circuit, 28-31... Constant current source, 32... Ground terminal, 101, 102
, 201, 202... input terminals of the comparison circuit,
D□, D2...Diode, R-ate...
...Resistance, Qll ~Q14! QIOI+
Qloz p Qsoa ~Qlo6* Q1os~Q
114・Q 11+1~Q122°−-NPN) transistor, Q103, Q1G? TQIIS-Qt
ts-...PNP) transistor. Su J Togan 3 Kuni Kayada times

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1、第2のトランジスタが直列接続されその中点を第
1の出力端子として構成する第1のプッシュプル回路と
、第3、第4のトランジスタが直列接続されその中点を
第2の出力端子として構成する第2のプッシュプル回路
と、該第1、第2のプッシュプル回路の入力をそれぞれ
逆相で駆動する第1、第2の駆動回路とを含むBTL回
路において、それぞれ前記第1、第2、第3及び第4の
トランジスタのベース・エミッタ間電圧を検出する第1
、第2、第3及び第4の検出回路と、前記第1の検出回
路の出力及び第1のレベルシフト回路を介した前記第4
の検出回路の出力を比較する第1の比較回路と、前記第
3の検出回路の出力及び第2のレベルシフト回路を介し
た前記第2の検出回路の出力を比較する第2の比較回路
と、該第2の比較回路の出力及び前記第1の比較回路の
出力を入力として前記第1、第2の駆動回路を制御する
制御回路とを含むことを特徴とするBTL回路。
A first push-pull circuit in which first and second transistors are connected in series and their midpoint is configured as a first output terminal, and a third and fourth transistor are connected in series and their midpoint is configured as a second output terminal. A BTL circuit including a second push-pull circuit configured as a terminal, and first and second drive circuits that drive inputs of the first and second push-pull circuits in opposite phases, respectively. , a first detecting base-emitter voltage of the second, third and fourth transistors.
, second, third and fourth detection circuits, and the output of the first detection circuit and the fourth level shift circuit.
a first comparison circuit that compares the outputs of the detection circuits; and a second comparison circuit that compares the outputs of the third detection circuit and the output of the second detection circuit via the second level shift circuit. , a control circuit that controls the first and second drive circuits by using the output of the second comparison circuit and the output of the first comparison circuit as inputs.
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