JPS6175502A - Resistance material - Google Patents

Resistance material

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JPS6175502A
JPS6175502A JP59197656A JP19765684A JPS6175502A JP S6175502 A JPS6175502 A JP S6175502A JP 59197656 A JP59197656 A JP 59197656A JP 19765684 A JP19765684 A JP 19765684A JP S6175502 A JPS6175502 A JP S6175502A
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resistor
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glass
powder
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正一 登坂
鬼形 和治
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で厚膜抵抗体等を
形成するための抵抗材料に関する。この抵抗材料を使用
すれば、共通のセラミック基板に厚膜抵抗体と卑金属配
線導体とを同時に形成することが出来る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a resistive material for forming a thick film resistor or the like by firing in a non-oxidizing atmosphere. By using this resistance material, it is possible to simultaneously form a thick film resistor and a base metal wiring conductor on a common ceramic substrate.

従来の技術 最近、電子回路装置を超小型化するために、多層セラミ
ック基板が使用されるようになった。この種の多層セラ
ミック基板な低コスト化するために、配線導体”rニッ
ケル等の卑金属で形成することが試みられている。
BACKGROUND OF THE INVENTION Recently, multilayer ceramic substrates have been used to miniaturize electronic circuit devices. In order to reduce the cost of this type of multilayer ceramic substrate, attempts have been made to form wiring conductors from base metals such as nickel.

発明が解決しようとする問題点 上述の如く、卑金属で配線導体を形成する揚台には、未
焼成セラミツクシート(生シート]に導体ペーストを塗
布したものを非酸化性雰囲気中で焼成しなければならな
−・。ところが、導体ペーストと同時に非酸化性雰囲気
中で焼成し、実用可能な特性を得ることが出来る抵抗材
料はまだ開発されて−・なり・。従って、卑金属で配線
導体を形成する従来の多層セラミック基板においては、
各セラミック層間に配lIM導体を設け、基板表面上に
、抵抗等の受す素子、トランジスタ等の能動素子、及び
これ等の配線導体を設けなければならなかった。
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, in order to form a base metal wiring conductor, an unfired ceramic sheet (green sheet) coated with a conductive paste must be fired in a non-oxidizing atmosphere. However, a resistor material that can be fired in a non-oxidizing atmosphere at the same time as the conductor paste and obtain practical characteristics has not yet been developed. In conventional multilayer ceramic substrates,
It was necessary to provide an IIM conductor between each ceramic layer, and provide receiving elements such as resistors, active elements such as transistors, and wiring conductors for these on the substrate surface.

この結果、セラミック層中の配線パターンが粗でアルに
も拘らず、セラミック基板表面に36ける配線パターン
及び回路素子の配置が密になり、電子回路装置の小型化
に限界があった。上述の如き問題及びこれに類似した問
題は、非酸化性雰囲気中で焼成可能な抵抗材料が得られ
れば解決される。
As a result, although the wiring pattern in the ceramic layer is rough and aluminum, the wiring pattern and circuit elements are densely arranged on the surface of the ceramic substrate, which limits the miniaturization of electronic circuit devices. The above-mentioned problems and similar problems would be solved if a resistive material was available that could be fired in a non-oxidizing atmosphere.

従って、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中で焼成可能
な抵抗材料を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a resistive material that can be fired in a non-oxidizing atmosphere.

問題点を解決するための手段 上記目的を達成するための本発明の抵抗材料は、炭化モ
リブデン 39.0〜so、ox重量部弗化カルシウム
、弗化ストロンチウム、及び弗化バリウムの内の少なく
とも1褌の弗化金属 1.0〜51.0重量部、ガラス
 10.0〜60.0重量部から成る。
Means for Solving the Problems To achieve the above object, the resistance material of the present invention comprises molybdenum carbide 39.0~so, ox weight parts at least one of calcium fluoride, strontium fluoride, and barium fluoride. The loincloth consists of 1.0 to 51.0 parts by weight of metal fluoride and 10.0 to 60.0 parts by weight of glass.

作  用 上記組成の抵抗材料を使用して抵抗体ペーストを作り、
こ7″Lヒセラミツク生シート上に印刷し、非酸化性雰
囲気中で焼成すれば、実用可能な特性を有する厚層抵抗
を得ることが出来る。従って。
Function: Make a resistor paste using the resistor material with the above composition.
By printing on this 7"L Hiceramic raw sheet and firing it in a non-oxidizing atmosphere, a thick layer resistor with practically usable characteristics can be obtained. Therefore.

ニッケル等の卑金属導体ペーストによる厚膜導体の形成
と同時に卑金属厚膜抵抗ケ形成することが出来る。
A base metal thick film resistor can be formed simultaneously with the formation of a thick film conductor using a base metal conductor paste such as nickel.

実施例1 次に1本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこt′L′
(!−オリ用した多層セラミック回路基板の形成方法に
つ(゛て述べる。
Example 1 Next, a resistive material and a material according to an example of the present invention
(!-) The method for forming the multilayer ceramic circuit board using the original method will be described below.

市ず、二酸化珪素[5jot) 78−0重量部、酸化
亜鉛(ZnOJ5−5重量部、酸化ジルコニウム(Zr
O,〕12.0 ’71(i部、炭酸カルシウム(Ca
CO,) 3.0重量部、及び酸化アルミニウム(A1
10j) 1.5重量部を混合し、アルミナルツボ中、
1400℃で30分間溶融し、この溶融液ケ水中に投入
し、急冷させた。
Ichizu, silicon dioxide [5jot] 78-0 parts by weight, zinc oxide (ZnOJ5-5 parts by weight, zirconium oxide (Zr
O,]12.0'71 (part i, calcium carbonate (Ca
CO, ) 3.0 parts by weight, and aluminum oxide (A1
10j) Mix 1.5 parts by weight in an aluminium crucible,
The mixture was melted at 1400° C. for 30 minutes, poured into water, and rapidly cooled.

このガラスをアルミナ乳鉢で約50μm程度に粉砕し、
更にこれをエタノールと共にポリエチレン製ボットミル
の中に入れ、アルミナボールで150時間粉砕し、粒径
が10Itm以下の粉末状のガラスを得た。
This glass is crushed to about 50 μm in an alumina mortar,
Further, this was placed in a polyethylene bot mill together with ethanol, and ground with alumina balls for 150 hours to obtain powdered glass having a particle size of 10 Itm or less.

次に、上記ガラスと、 MnCと、CaF、とを第1表
に示す割合に秤量し、ボールミルに入れて混合した。次
いで、この混合物をアルゴンガス雰囲気中1200℃で
1時間熱処理を行なった。そして、これをエタノールと
共にポリエチレン袈のボットミル中に入れ、アルミナボ
ールで24時間粉砕し、104m以下、好ましくは5μ
m以下の抵抗材料の粉末を得た。なお、この粉末(抵抗
体組成物]の組成は、最初の原料の組成と実質的に同じ
である。しかる後、上記抵抗材料の粉末100重量部ト
、有機’<インダ【ニトロセルロース10i量iをブチ
ルカルピトール90重量部で溶かしたもの)25重基部
とを3本ロールミルで混練して約800ボイズの抵抗体
ペーストとした。
Next, the above glass, MnC, and CaF were weighed in the proportions shown in Table 1, and mixed in a ball mill. Next, this mixture was heat-treated at 1200° C. for 1 hour in an argon gas atmosphere. Then, this was placed in a polyethylene bot mill with ethanol and ground for 24 hours with an alumina ball.
A powder of a resistive material having a size of less than m was obtained. The composition of this powder (resistance composition) is substantially the same as the composition of the initial raw material.Thereafter, 100 parts by weight of the powder of the above-mentioned resistance material, organic' was dissolved in 90 parts by weight of butylcarpitol) and 25 parts by weight were kneaded in a three-roll mill to obtain a resistor paste with approximately 800 voids.

−万、上記抵抗体ペーストを印刷するための磁器生ジー
トン次の方法で作製した。AI、0.粉末5ON量部、
 Sin、粉末20重量部、SrO粉宋粉本重量部、L
i、O粉末1型景部、及びMgO粉末4重量部からなる
セラミック原料粉末と、アクリル酸エステルポリマーの
水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、カルボン
酸塩及び水と、をそれぞれボールミルに入れて混合して
、スリップを作製し、脱泡処理した後にドクターブレー
ド法により厚さ200μmの長尺の生シートヲ作製した
。そして、この生シートから、9 mm X 9 mm
と6 mm X 9 mmの2種類の生シート片を切り
抜−・た。
- 10,000, a porcelain raw material for printing the above resistor paste was prepared by the following method. AI, 0. 5ON parts of powder,
Sin, 20 parts by weight of powder, SrO powder, parts by weight of Song powder, L
i. A ceramic raw material powder consisting of 1 part of O powder and 4 parts by weight of MgO powder, a binder consisting of an aqueous solution of acrylic acid ester polymer, glycerin, a carboxylic acid salt, and water are placed in a ball mill and mixed. A slip was prepared, and after degassing, a long raw sheet with a thickness of 200 μm was prepared using a doctor blade method. Then, from this raw sheet, 9 mm x 9 mm
Two types of raw sheet pieces of 6 mm x 9 mm were cut out.

次に、第1図に示す如(、前者の生シート片fil上に
、ニッケルLNi)粉末と有機バインダとを3=1の比
で混練した導電性ペーストを200メツシユのスクリー
ンを用いて印刷し、125℃、10分間乾燥することに
よって第1図に示す如< Ni導体膜(2)を形成した
Next, as shown in FIG. 1, a conductive paste made by kneading nickel LNi powder and an organic binder in a ratio of 3=1 was printed on the former raw sheet piece fil using a 200-mesh screen. By drying at 125° C. for 10 minutes, a Ni conductor film (2) as shown in FIG. 1 was formed.

次に、本発明に係わる抵抗体ペース)Y導電性ペースト
と同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第
1図に示す如く抵抗体膜+31 ’l?形成した。
Next, by screen printing in the same manner as the resistor paste (resistor paste) Y conductive paste according to the present invention and drying, a resistor film +31 'l? Formed.

次に、生シート片山の上に鎖線で示す大きさのもう一方
の生シート片(4)ヲ積層し、100℃、150 kg
/cm″で熱圧着し、これ火酸化性雰囲気中500℃で
熱処理して有機バインダをとばし、Nx (9’8・5
容積%)十几(1,5容積%)の還元性雰囲気中で12
00℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、磁器層(1
aN4a)の中に、厚膜導体(2a)と厚膜抵抗体(3
aJとを有する混成集積回路用の多層磁器回路基板ケ完
成させた。なX、抵抗体[3aJの導体(2a)にかか
らない部分の太きさは、3mm+X3mmであり、膜厚
は18μmである。
Next, the other raw sheet piece (4) of the size shown by the chain line was stacked on top of the pile of raw sheet pieces, and heated at 100°C and weighed 150 kg.
/cm'', heat-treated at 500℃ in an oxidizing atmosphere to blow off the organic binder, and
12 in a reducing atmosphere of 10 liters (1.5% by volume)
After firing at 00°C for 2 hours, a porcelain layer (1
aN4a), a thick film conductor (2a) and a thick film resistor (3
A multilayer ceramic circuit board for hybrid integrated circuits with aJ was completed. The thickness of the part of the resistor [3aJ that is not covered by the conductor (2a)] is 3 mm+X3 mm, and the film thickness is 18 μm.

次に、この抵抗体(3aJの25℃におけるシート抵抗
をブリッジ法で測定し、且つ、25℃から125℃の温
度範囲での抵抗温度係数ン測定したところ、第1表の結
果が得られた。
Next, the sheet resistance of this resistor (3aJ) at 25°C was measured using the bridge method, and the temperature coefficient of resistance was measured in the temperature range from 25°C to 125°C, and the results shown in Table 1 were obtained. .

上述から明らかなフ1](、本実施例の抵抗体ペースト
Z磁器生シートに塗布して還元性雰囲気中で焼成するこ
とにより、厚膜抵抗体が得られる。従ってs N+ #
?の卑金楕ペーストと同時に焼成することが出来る。こ
のため、磁器層内に、N1等のペーストによる厚膜導体
と共に、厚膜抵抗ケ設けることが可能になり、混成乗積
回路の低コスト化、小仰化が出来る。
It is clear from the above that a thick film resistor can be obtained by applying the resistor paste Z of this example to a raw porcelain sheet and firing it in a reducing atmosphere. Therefore, s N+ #
? It can be fired at the same time as base gold oval paste. Therefore, it is possible to provide a thick film resistor as well as a thick film conductor made of paste such as N1 in the ceramic layer, and the cost and size of the hybrid multiplication circuit can be reduced.

また、第1表から明らかな如(、 ガラス  10.0〜60.01亀部。Also, as is clear from Table 1 (, Glass 10.0-60.01 Kamebe.

λ4oC39,0〜80.Omltt部。λ4oC39,0~80. Omltt club.

CaF、     1.0〜51−07Jf ft部の
組成によって、シート抵抗500300〜182300
0Ω/口の厚膜抵抗ン得ることか出来る。従って、m酸
比ケ適宜選択することによって、任意の抵抗値を得るこ
とが出来る。
CaF, 1.0~51-07Jf Depending on the composition of ft, sheet resistance 500300~182300
It is possible to obtain a thick film resistance of 0 Ω/mm. Therefore, by appropriately selecting the m-acid ratio, any resistance value can be obtained.

また、抵抗温度係数は−1950〜−759ppm7℃
に収まるので、実用可能な抵抗を提供することが出来る
In addition, the temperature coefficient of resistance is -1950 to -759ppm 7℃
, it is possible to provide a practical resistance.

実施例2 ガラスの組成が変化しても、実施例1と同様な作用効果
が得られることを確かめるために、次の如(ガラス粉末
を作製した。二酸化珪素(Sift)75.0重量部、
三酸化ニホウ素(BtOmJ  t a−o重量部、炭
酸カルシウム(CaCO,) 10.0重量部、及び酸
化アルミニウム(Al2O2) 2.0重量部を混合し
、実施例1と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
Example 2 In order to confirm that the same effects as in Example 1 could be obtained even if the composition of the glass was changed, glass powder was prepared as follows: 75.0 parts by weight of silicon dioxide (Sift),
Parts by weight of diboron trioxide (BtOmJ t a-o, 10.0 parts by weight of calcium carbonate (CaCO), and 2.0 parts by weight of aluminum oxide (Al2O2) were mixed and powdered in the same manner as in Example 1. A shaped glass was obtained.

次に、このガラスとMoC及びCaF、Y第2表に示す
比率に混合し、実施例1と同一の方法で抵抗体組成物の
粉末を得、これを使用して実施例1と同一の方法で同一
構造の多層磁器回路基板を形成し。
Next, this glass was mixed with MoC, CaF, and Y in the ratio shown in Table 2 to obtain a resistor composition powder in the same manner as in Example 1. to form a multilayer porcelain circuit board with the same structure.

実施例1とlhJ様に電気的特性を測定したところ、第
2表の結果が得られた。
When the electrical characteristics of Example 1 and lhJ were measured, the results shown in Table 2 were obtained.

この実施例2から明らかなように、ガラスの組成を変え
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
As is clear from Example 2, there is no significant difference in resistance characteristics even if the composition of the glass is changed.

つまり、本発明において使用されるガラスは必ずしも特
定された1つの組成に限られるものではな(・。なお、
実施例1におけるS io、−ZnO−ZrO,−Ca
O−AI、03糸ガラス、実施例2のSlow  Bt
Og−CaOAltOi系ガラスはいずれも作業点(I
XIO’ホイズとなる温度〕が900〜1200℃のガ
ラスである。本発明の抵抗体組成物のガラスは、実施例
1及び2の組成のガラスに限ることな(,900〜12
00℃の作業点を有し、且つ還元性雰囲気で焼成する際
に金属化されやすい金属酸化物(PbO1SnO,、B
i、O,等)!含まrx y・4 f) テ、fi) 
tt ハ、どのような組成物でもよいことが確かめられ
ている0 実施例3 弗化金属が変化しても、実施例1と同様な作用効果が得
られることを確かめるために、弗化金属のSrF2’r
:用意し、実施例1と同一組成のガラスとMoCとSr
F2とを第3表の割合に秤量し、これを使用して、アル
ゴンガス雰囲気中の熱処理温度を900℃にした他は、
実施例1と同一方法で抵抗体組成物を形成した。しかる
後、実施例1と同一方法で、抵抗体ペーストy作り、更
に多層磁器回路基板を作製し、電気的特性を測定したと
ころ、第3表に示す結果が得られた。
In other words, the glass used in the present invention is not necessarily limited to one specified composition.
S io, -ZnO-ZrO, -Ca in Example 1
O-AI, 03 thread glass, Slow Bt of Example 2
All Og-CaOAltOi glasses have a working point (I
The glass has a temperature of 900 to 1200°C. The glass of the resistor composition of the present invention is not limited to the glasses having the compositions of Examples 1 and 2 (900 to 12
Metal oxides (PbO1SnO, B
i, O, etc.)! Includes rx y・4 f) te, fi)
tt c) It has been confirmed that any composition may be used.Example 3 In order to confirm that the same effect as in Example 1 can be obtained even if the metal fluoride is changed, the composition of the metal fluoride was changed. SrF2'r
: Prepared glass with the same composition as in Example 1, MoC, and Sr.
F2 and F2 were weighed in the proportions shown in Table 3, and using this, the heat treatment temperature in an argon gas atmosphere was set to 900°C.
A resistor composition was formed in the same manner as in Example 1. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a resistor paste y was prepared, and a multilayer ceramic circuit board was also prepared, and its electrical characteristics were measured, and the results shown in Table 3 were obtained.

この第3表から明らかな如< 、 SrF、7使用して
も、 CaF*の場合とほぼ同様な作用効果が得られる
As is clear from Table 3, even when using SrF, almost the same effects as in the case of CaF* can be obtained.

実施例4 炭化モリブデンとしてMo、C% 弗化金属としてSr
F*’l使用しても実施例1と同様な作用効果が得られ
ることケ確かめるために、実施例1と同一組成の方ラス
、MO,C、SrF、ン第4表に示す割合に秤量し、ア
ルゴンガス雰囲気中の熱処理温度を1100℃にした他
は、実施例1と同一方法で抵抗体ME物の粉末馨作り、
これを使用して実施例1と同一方法で、抵抗体ペースト
ラ作り、更に多層磁器基板7作り、その電気的特性ン測
定またところ、第4表の結果が得られた。
Example 4 Mo, C% as molybdenum carbide Sr as metal fluoride
In order to confirm that the same effect as in Example 1 can be obtained even when F*'l is used, laths, MO, C, SrF, and N having the same composition as in Example 1 were weighed in the proportions shown in Table 4. The ME resistor powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment temperature in an argon gas atmosphere was 1100°C.
Using this, a resistor paste was made in the same manner as in Example 1, and a multilayer ceramic substrate 7 was also made, and its electrical characteristics were measured.The results shown in Table 4 were obtained.

実施例5 炭化モリブデンk MntCとし、且つ弗化金属を複数
種類としても実施例1と同様な作用効果が得られること
ケ確かめるために、実施例1と同一組成ノガラス、Mo
2C,CaFhBaF、’f7第5表に示す割合に秤量
し、アルゴンガス中での熱処理温度を1100℃にした
他は実施例1と同一方法で抵抗体組成物の粉末を作り、
これを使用して実施例1と同一方法で、ペーストを作り
、更に多層磁器回路基板を作り、電気的特性を測定した
ところ、第5表の結果が得られた。この結果から明らか
な如(、弗化金属を複数種としても1合計が1〜51N
量部の範四内であれば、1種の場合と同様な作用効果が
得られる。
Example 5 In order to confirm that the same effect as in Example 1 can be obtained even when using molybdenum carbide (MntC) and multiple types of metal fluorides, glass, Mo
2C, CaFhBaF, 'f7 were weighed in the proportions shown in Table 5, and a resistor composition powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment temperature in argon gas was 1100°C.
Using this, a paste was made in the same manner as in Example 1, and a multilayer ceramic circuit board was also made, and the electrical characteristics were measured, and the results shown in Table 5 were obtained. As is clear from this result (even if multiple types of metal fluorides are used, the total amount is 1 to 51N).
If the amount is within the range of four parts, the same effects as in the case of one type can be obtained.

変形例 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。Variant The invention is not limited to the embodiments described above.

例えば次の変形例が可能なものである。For example, the following modifications are possible.

[al  弗化金属の種類を3梅類にした場合、また炭
化モリブデンをMnCとMo、Cとの組み合せとした場
合も実施例1と同様な作用効果が得られることが確かめ
られている。
[al] It has been confirmed that the same effects as in Example 1 can be obtained when the type of metal fluoride is 3 types, and when the molybdenum carbide is a combination of MnC, Mo, and C.

(bl  ガラスと炭化モリブデンと弗化金属との混合
物の焼成温度を900〜1200℃の範囲にすることが
望まし−・ことが確認されている。また、この焼成は、
アルゴンガス以外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中
性雰囲気、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
(bl) It has been confirmed that it is desirable to set the firing temperature of the mixture of glass, molybdenum carbide, and metal fluoride in the range of 900 to 1200°C.
It may be carried out in an inert atmosphere other than argon gas, in vacuum, in a neutral atmosphere, or in a reducing atmosphere.

[cl  抵抗体ペーストラ作るための有機バインダは
、エチルセルロース等の樹脂を、テレピン油、ブチルカ
ルピトールアセテート等の高沸点溶剤に溶かしたもので
もよい。また、このバインダの量は15〜35重量部程
度承部ましい。
[cl The organic binder for making the resistor pastera may be one obtained by dissolving a resin such as ethyl cellulose in a high boiling point solvent such as turpentine oil or butyl carpitol acetate. The amount of this binder is preferably about 15 to 35 parts by weight.

fdl  生シートと共に抵抗体を焼成する際の雰囲気
は中性雰囲気であってもよい。
The atmosphere in which the resistor is fired together with the raw fdl sheet may be a neutral atmosphere.

[el  非酸化性雰囲気中での生シート及び抵抗体及
び導体の焼成は、1050〜1250℃の範囲で行うこ
とが望ましく・。7jお、この焼成の前に、400〜6
00℃の酸化性雰囲気で熱処理を施して有機vlJを分
解させることが望ましく゛。
[el] It is desirable that the raw sheet, resistor, and conductor be fired in a non-oxidizing atmosphere at a temperature in the range of 1050 to 1250°C. 7j Oh, before this firing, 400-6
It is desirable to decompose the organic VlJ by heat treatment in an oxidizing atmosphere at 00°C.

発明の効果 上述から明らかな如く1本発明に係わる抵抗材料は、非
酸化性雰囲気で焼成用能であるので、ニッケル等の卑金
楕による導体ペーストと共に焼成することが出来る。従
って1本発明は電子回路装置の小型化及び低コスト化に
寄与する。
Effects of the Invention As is clear from the above description, the resistance material according to the present invention can be fired in a non-oxidizing atmosphere, and therefore can be fired together with a conductive paste made of base metal such as nickel. Therefore, the present invention contributes to miniaturization and cost reduction of electronic circuit devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例に係わる多層磁器回路基板を作
製する際の生シートと導体及び抵抗体のパターンを示す
平面図、第2図は第1図の■−■線に相当する部分の焼
成後の多層磁器回路基板ン示す断面図である。 II+・・・生シート片、[2+・・・導体膜、(3)
・・・抵抗体膜、(4)・・・生シート片。
FIG. 1 is a plan view showing a green sheet and patterns of conductors and resistors when producing a multilayer ceramic circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a portion corresponding to the line ■-■ in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the multilayer ceramic circuit board after firing. II+...raw sheet piece, [2+...conductor film, (3)
...Resistor film, (4)...Raw sheet piece.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 炭化モリブデン 39.0〜80.0重量部、弗化カル
シウム、弗化ストロンチウム、及び弗化バリウムの内の
少なくとも1種の弗化金属 1.0〜51.0重量部、 ガラス 10.0〜60.0重量部、 から成る抵抗材料。 (2)前記炭化モリブデンは、1炭化1モリブデン(M
oC)、1炭化2モリブデン(Mo_2C)の内の少な
くとも1種である特許請求の範囲第1項記載の抵抗材料
。 (3)前記ガラスは、作業点が900〜1200℃の範
囲のものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
抵抗材料。
[Scope of Claims] Molybdenum carbide 39.0 to 80.0 parts by weight, at least one metal fluoride selected from calcium fluoride, strontium fluoride, and barium fluoride 1.0 to 51.0 parts by weight, A resistance material comprising 10.0 to 60.0 parts by weight of glass. (2) The molybdenum carbide is monomolybdenum carbide (M
2. The resistance material according to claim 1, which is at least one of molybdenum monocarbide (Mo_2C). (3) The resistance material according to claim 1 or 2, wherein the glass has a working point in the range of 900 to 1200°C.
JP59197656A 1984-09-20 1984-09-20 Resistance material Granted JPS6175502A (en)

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