JPS6173400A - 電波吸収ガスケツト - Google Patents
電波吸収ガスケツトInfo
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- JPS6173400A JPS6173400A JP59193943A JP19394384A JPS6173400A JP S6173400 A JPS6173400 A JP S6173400A JP 59193943 A JP59193943 A JP 59193943A JP 19394384 A JP19394384 A JP 19394384A JP S6173400 A JPS6173400 A JP S6173400A
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- H05B6/64—Heating using microwaves
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子レンジ用電波吸収ガスケットに関し、特に
１０ＧＨｚ以上のマイクロ波エネルギーに対する吸収性
の高いガスケットに関する。
１０ＧＨｚ以上のマイクロ波エネルギーに対する吸収性
の高いガスケットに関する。
マイクロ波電波エネルギーを用いた電子レンジは広く用
いられている。この種の電子レンジは一般には２４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを用いている
が、この波長の゛ｔＨ波エネルギーは人体に対して有害
な作用を有する。従って、この対策として電子レンジの
周部を金ねＳ板や金＃ｌｉ！で囲み、さらに電子レンジ
の本体とドアの対向面の隙間の電波漏洩通路となる個所
にチョークや電波吸収材をＷＨすることが一般に行われ
ている。
いられている。この種の電子レンジは一般には２４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを用いている
が、この波長の゛ｔＨ波エネルギーは人体に対して有害
な作用を有する。従って、この対策として電子レンジの
周部を金ねＳ板や金＃ｌｉ！で囲み、さらに電子レンジ
の本体とドアの対向面の隙間の電波漏洩通路となる個所
にチョークや電波吸収材をＷＨすることが一般に行われ
ている。
電波吸収材とし５ては高透磁率のフェライト粉末をゴム
またはプラスチックに混合した複合フェライトより成る
ガスケットが広く使用されている。
またはプラスチックに混合した複合フェライトより成る
ガスケットが広く使用されている。
このようなガスケットは主として２．４５ＧＨｚとそれ
に近い周波数の電波を吸収するように設計されており、
その高調波、特に１０ＧＨｚ以上の成分に対しては吸収
・減衰の必要性は検討されていないし、またかかる成分
を抑制できるガスケットは開発されていない。しかしな
がら、例えばヨーロッパその他の地域などのようにｊＯ
ＧＨｚ以上、例えば１２ＧＨｚを用いた放送あるいは通
信事業があり、電子レンジからかかる高周波電波が漏洩
すると電波障害を生じるので望ましくない。
に近い周波数の電波を吸収するように設計されており、
その高調波、特に１０ＧＨｚ以上の成分に対しては吸収
・減衰の必要性は検討されていないし、またかかる成分
を抑制できるガスケットは開発されていない。しかしな
がら、例えばヨーロッパその他の地域などのようにｊＯ
ＧＨｚ以上、例えば１２ＧＨｚを用いた放送あるいは通
信事業があり、電子レンジからかかる高周波電波が漏洩
すると電波障害を生じるので望ましくない。
現在用いられているゴムまたはプラスチックフェライト
ガスケツトの一例にはＭｎ−Ｚｎ系のフェライト粉末を
用いるものがあり、このフェライトはモル比で表わして
Ｍｎ０２８〜２４％、２３０１２〜１６％、Ｆ ｅ１０
３５２〜５６％ から成っている。このガスケットは第
１図に示したように２〜１２ ＧＨｚの範囲で透過減衰
量２０ ｄＢ／Ｉ’ｌ１以上を有する。しかし、この特
性は１０ＧＨｚ以上においてすぐれた減衰ないし吸収特
性を有することを何ら意味せず、約２．４５ＧＨｚ〜第
４高調波（９，８ＧＨｚ）に対して有効なことを意味す
るものに過ぎない。
ガスケツトの一例にはＭｎ−Ｚｎ系のフェライト粉末を
用いるものがあり、このフェライトはモル比で表わして
Ｍｎ０２８〜２４％、２３０１２〜１６％、Ｆ ｅ１０
３５２〜５６％ から成っている。このガスケットは第
１図に示したように２〜１２ ＧＨｚの範囲で透過減衰
量２０ ｄＢ／Ｉ’ｌ１以上を有する。しかし、この特
性は１０ＧＨｚ以上においてすぐれた減衰ないし吸収特
性を有することを何ら意味せず、約２．４５ＧＨｚ〜第
４高調波（９，８ＧＨｚ）に対して有効なことを意味す
るものに過ぎない。
何故なら、ガスケットは金属板及びチョークと組合わさ
れてその効果を発揮するが、１［］Ｇ）ＬＺ以上では十
分な効果が得られないからである。
れてその効果を発揮するが、１［］Ｇ）ＬＺ以上では十
分な効果が得られないからである。
従って、本発明者等は、電子レンジの構造の改善には限
界があり、ガスケットそのものの特性を改善しなければ
問題の解決にならないことをｔ’Ｊし、鋭意研究を行っ
て本発明を行うに至った。
界があり、ガスケットそのものの特性を改善しなければ
問題の解決にならないことをｔ’Ｊし、鋭意研究を行っ
て本発明を行うに至った。
本発明の目的は１０ＧＨｚ以上の電波を十分に減衰でき
るゴムまたはプラスチックフェライトガスケットを提供
することを目的とする。
るゴムまたはプラスチックフェライトガスケットを提供
することを目的とする。
本発明はフェライト粉末をゴムまたはプラスチックと混
合して成る電子レンジのための電波吸収ガスケットにお
いて、フェライトをＭｎＯ４〜２２ｍｏｌ％、ＺｎＯ１
０〜１８ｍｏｌ％及びＦ ＠１２０１６６〜７８ｍｏｌ
％より構成したことを特徴とする。
合して成る電子レンジのための電波吸収ガスケットにお
いて、フェライトをＭｎＯ４〜２２ｍｏｌ％、ＺｎＯ１
０〜１８ｍｏｌ％及びＦ ＠１２０１６６〜７８ｍｏｌ
％より構成したことを特徴とする。
本発明のガスケットは１０ＧＨｚ以上の周波数を有する
電波に対して大きい吸収作用を有し、これにより電子レ
ンジ等の隙間より漏洩して来る電波を十分に減衰させる
ことができる。
電波に対して大きい吸収作用を有し、これにより電子レ
ンジ等の隙間より漏洩して来る電波を十分に減衰させる
ことができる。
本発明者は第１図に示される特性のガスケットにおいて
、フェライトの組成をずらすことにより特性の変化を観
察した。それによると、飽和磁束密度（４πＩｓ）
が増大すると吸収特性は向上することもあるし、低下す
ることもあって一定せず、特に１０ＧＨｚ以上での改善
は見るべきものがなかった。そこで、本発明者は従来ガ
スケット材料として最良と考えられていたＭｎ−Ｚｎ系
フェライトの上記組成範囲ないしその近傍での改良努力
を断念し、改めてＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライト全体の
見直しを行い本発明をなすに至った。
、フェライトの組成をずらすことにより特性の変化を観
察した。それによると、飽和磁束密度（４πＩｓ）
が増大すると吸収特性は向上することもあるし、低下す
ることもあって一定せず、特に１０ＧＨｚ以上での改善
は見るべきものがなかった。そこで、本発明者は従来ガ
スケット材料として最良と考えられていたＭｎ−Ｚｎ系
フェライトの上記組成範囲ないしその近傍での改良努力
を断念し、改めてＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライト全体の
見直しを行い本発明をなすに至った。
すなわち、本発明者は従来のＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェラ
イトにおけるよりも大幅に鉄成分を増大し、マンガン成
分を大幅に減少させたところ、１０ＧＨｚ以上ですぐれ
た電波吸収特性を有するガスケットが提供できることを
発見した。フェライトの電波吸収特性その他の特性は周
波数依存性が強く、２．４５ＧＩ（Ｚでのテスト結果か
らｌｏＧＨｚ以上の特性を予測することは不可能である
。事実、２．４５ＧＨｚについてはＭ ｎ −Ｚ ｎ系
フェライトにおいて上に述べた組成が最良とされていた
のであるが、１０ＧＨｚ以上では本発明の組成範囲を用
いなければならない。
イトにおけるよりも大幅に鉄成分を増大し、マンガン成
分を大幅に減少させたところ、１０ＧＨｚ以上ですぐれ
た電波吸収特性を有するガスケットが提供できることを
発見した。フェライトの電波吸収特性その他の特性は周
波数依存性が強く、２．４５ＧＩ（Ｚでのテスト結果か
らｌｏＧＨｚ以上の特性を予測することは不可能である
。事実、２．４５ＧＨｚについてはＭ ｎ −Ｚ ｎ系
フェライトにおいて上に述べた組成が最良とされていた
のであるが、１０ＧＨｚ以上では本発明の組成範囲を用
いなければならない。
本発明のＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトの組成は酸化物
を基準に表わしたときＭｎ０４〜２２ ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏ１０〜１１Ｌｎｉｏｌ ％及びＦｅｚＯ３６６〜７８
ｍｏ １％より成る。ＺｎＯはこの範囲にあるとき４
πＩｓが大きく、好ましい電波吸収材となる。しかし、
４πＩａが大きいだけでは不十分であることはすでに検
討した通りである。Ｍ ｎ Ｏが２２ｍｏｌ％よりも大
きくなると１０ＧＨｚ以上での電波吸収特性が低下する
。同様にＦ Ｊ ０３が６６ｍｏｌ％以下になると１０
ＧＨｚ以上での電波吸収特性が低下する。また、Ｍ ｎ
Ｏが４ｍｏｌ％以下になっても同様でありさらにＦｅ
ｚＯＨが７８％以上になっても同様である。それに、Ｆ
ｅｌ ０３が多くなると磁気特性を安定に保つには製
造技術的に難しくなる。
を基準に表わしたときＭｎ０４〜２２ ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏ１０〜１１Ｌｎｉｏｌ ％及びＦｅｚＯ３６６〜７８
ｍｏ １％より成る。ＺｎＯはこの範囲にあるとき４
πＩｓが大きく、好ましい電波吸収材となる。しかし、
４πＩａが大きいだけでは不十分であることはすでに検
討した通りである。Ｍ ｎ Ｏが２２ｍｏｌ％よりも大
きくなると１０ＧＨｚ以上での電波吸収特性が低下する
。同様にＦ Ｊ ０３が６６ｍｏｌ％以下になると１０
ＧＨｚ以上での電波吸収特性が低下する。また、Ｍ ｎ
Ｏが４ｍｏｌ％以下になっても同様でありさらにＦｅ
ｚＯＨが７８％以上になっても同様である。それに、Ｆ
ｅｌ ０３が多くなると磁気特性を安定に保つには製
造技術的に難しくなる。
本発明で用いるゴムまたはプラスチックは従来から用い
られているもので良く、例えばクロロプレンゴム、その
他の合成ゴム、ポリプロピレン、ポリアミド、その他の
熱可塑性または硬化性プラスチックなどである。
られているもので良く、例えばクロロプレンゴム、その
他の合成ゴム、ポリプロピレン、ポリアミド、その他の
熱可塑性または硬化性プラスチックなどである。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例
ｔ′目立を変えて）、ｉ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトを
辺遺し、粉砕して約２〜５μ程度の平均粒径を有するフ
ェライト粉末を得た。これをクロロブレンゴムにゴム対
フェライトの重へ比が１：５となるようにして混合し、
二本ロールにより約１０分間練って厚さ約３ｒｒＬｍ
のシ三伶〜列１で所定のガスケット試験片に切出して
プレス加机した。次いで４πＩｓ及び重過減衰量をジｉ
定した。
辺遺し、粉砕して約２〜５μ程度の平均粒径を有するフ
ェライト粉末を得た。これをクロロブレンゴムにゴム対
フェライトの重へ比が１：５となるようにして混合し、
二本ロールにより約１０分間練って厚さ約３ｒｒＬｍ
のシ三伶〜列１で所定のガスケット試験片に切出して
プレス加机した。次いで４πＩｓ及び重過減衰量をジｉ
定した。
第２図は１２ ＧＨｚの透過減衰量をプロットした三元
図であり、座標は酸化物のモル比で表わしである。また
１２ＧＨｚにおける減衰量が３０ｄＢ／ｃ！ｎ以上にな
るＦｌを線で囲って示した。
図であり、座標は酸化物のモル比で表わしである。また
１２ＧＨｚにおける減衰量が３０ｄＢ／ｃ！ｎ以上にな
るＦｌを線で囲って示した。
圧粉体試料作製方法
フェライト粉末２０！！を所定の金型に入れ５０ｋｙ／
ｃＩｎのプレス圧で成型しφ２ Ｑ ｉｎ Ｘ １０
ｍｍ の円筒状圧粉体試料を作製し、圧粉体の４π工
３を測定した。
ｃＩｎのプレス圧で成型しφ２ Ｑ ｉｎ Ｘ １０
ｍｍ の円筒状圧粉体試料を作製し、圧粉体の４π工
３を測定した。
測定方法
この世は２．４５ＧＨｚにおいてはＷＲＪ−２導波管、
８〜１２ ＧＨｚにおいてはＷＲＪ −１０′２ｓ波管
を使用し測定を行なった。その中間の周波数においては
これらの間の導波管を用いた。電子レンジ本体と扉のす
き間の電波漏洩通路に似せるために導波管の内部にその
すき間を狭めるべく、また系の前後でインピーダンスが
変化しない杵なテーパー状あるいはステップ状の治具を
挿入し、そのすき間に試料を置いたときと置かないとき
の測定値からガスケットの長さ１０あたりの減衰量に換
算して求めた。
８〜１２ ＧＨｚにおいてはＷＲＪ −１０′２ｓ波管
を使用し測定を行なった。その中間の周波数においては
これらの間の導波管を用いた。電子レンジ本体と扉のす
き間の電波漏洩通路に似せるために導波管の内部にその
すき間を狭めるべく、また系の前後でインピーダンスが
変化しない杵なテーパー状あるいはステップ状の治具を
挿入し、そのすき間に試料を置いたときと置かないとき
の測定値からガスケットの長さ１０あたりの減衰量に換
算して求めた。
この結果を第３図に示し、また同時に第１図に一部示し
たことは前述の通りである。
たことは前述の通りである。
第３図の結果を第１図の従来例と比較すれば明らかなよ
うに、本発明のガスケットは従来のガスケットとは全く
異った吸収特性を示し、特に１０ＧＨｚ 以上におい
て減衰量が非常に大きくなっている。１２ＧＨｚにおけ
る減衰量は第２図から分るように本発明の組成範囲では
大きく、その俊秀性は明らかである。尚、本発明のガス
ケットでは、２．４５ＧＨｚにおいて電波吸収性が従来
例よりも低いが、すでに述べたように電子レンジの構造
を工夫することでこの点に対処することは十分に可能で
ある。一方、１０ＧＨｚ以上においては対策がなかった
電波漏洩防止が本発明では十二分に解決されるのである
。
うに、本発明のガスケットは従来のガスケットとは全く
異った吸収特性を示し、特に１０ＧＨｚ 以上におい
て減衰量が非常に大きくなっている。１２ＧＨｚにおけ
る減衰量は第２図から分るように本発明の組成範囲では
大きく、その俊秀性は明らかである。尚、本発明のガス
ケットでは、２．４５ＧＨｚにおいて電波吸収性が従来
例よりも低いが、すでに述べたように電子レンジの構造
を工夫することでこの点に対処することは十分に可能で
ある。一方、１０ＧＨｚ以上においては対策がなかった
電波漏洩防止が本発明では十二分に解決されるのである
。
第１図は従来のゴム・プラスチックフェライトによるガ
スケットの電波吸収特性を示すグラフ、第２図は本発明
のＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトを用いたガスケットの
三元図、及び第６図は本発明のガスケットの電波吸収特
性を示すグラフである。
スケットの電波吸収特性を示すグラフ、第２図は本発明
のＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトを用いたガスケットの
三元図、及び第６図は本発明のガスケットの電波吸収特
性を示すグラフである。
手続補正書
昭和６０年１月 ９日
特許庁長官 志 賀 学 殿
事件の表示 昭和５９年特 願第１９５９４５号発明ノ
名称 電波吸収ガスケット 補正をする者
名称 電波吸収ガスケット 補正をする者
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＭｎＯ４〜２２ｍｏｌ％、ＺｎＯ１０〜１８ｍｏｌ
％及びＦｅ＿２Ｏ＿３６６〜７８ｍｏｌ％より成るＭｎ
−Ｚｎフェライトの粉末をゴムまたはプラスチックと均
一に混合した電波吸収ガスケット。 ２、圧粉体（プレス圧力１ｔｏｎ／ｃｍ＾２）の飽和磁
束密度（４πＩｓ）が３８００Ｇ以上である前記第１項
記載のガスケット。 ３、ゴム、又は樹脂と混合した場合の飽和磁束密度（４
πＩｓ）が２９００Ｇ以上である前記第１項記載の電波
吸収ガスケット。 ４、単位長当りの透過減衰量が１０〜１４ＧＨｚ付近に
最大値をもつ前記第１項記載の電波吸収ガスケット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193943A JPS6173400A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 電波吸収ガスケツト |
| DE19853508791 DE3508791A1 (de) | 1984-09-18 | 1985-03-12 | Radiowellen absorbierende dichtung |
| GB08506769A GB2186582B (en) | 1984-09-18 | 1985-03-15 | Radio-wave absorptive gasket |
| US06/713,518 US4731286A (en) | 1984-09-18 | 1985-03-19 | Radio-wave absorptive gasket |
| FR8504310A FR2570568A1 (fr) | 1984-09-18 | 1985-03-22 | Joint absorbant les ondes radio-electriques |
| KR1019850001883A KR900000499B1 (ko) | 1984-09-18 | 1985-03-22 | 전파흡수 가스켓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193943A JPS6173400A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 電波吸収ガスケツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173400A true JPS6173400A (ja) | 1986-04-15 |
| JPH0247116B2 JPH0247116B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=16316326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59193943A Granted JPS6173400A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 電波吸収ガスケツト |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731286A (ja) |
| JP (1) | JPS6173400A (ja) |
| KR (1) | KR900000499B1 (ja) |
| DE (1) | DE3508791A1 (ja) |
| FR (1) | FR2570568A1 (ja) |
| GB (1) | GB2186582B (ja) |
Cited By (2)
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| JPH01292792A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-27 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 電子装置 |
| JPH0292693U (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-23 |
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| GB2269594B (en) * | 1992-08-11 | 1995-08-30 | Siemens Plessey Electronic | Load material for use in microwave lenses |
| US5498644A (en) * | 1993-09-10 | 1996-03-12 | Specialty Silicone Products, Inc. | Silcone elastomer incorporating electrically conductive microballoons and method for producing same |
| US6146691A (en) * | 1995-01-04 | 2000-11-14 | Northrop Grumman Corporation | High-performance matched absorber using magnetodielectrics |
| US6117517A (en) * | 1995-01-04 | 2000-09-12 | Northrop Grumman Corporation | Synthetic magnetodielectric with controlled off-normal TE and TM response |
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| US6157546A (en) * | 1999-03-26 | 2000-12-05 | Ericsson Inc. | Shielding apparatus for electronic devices |
| EP1479276A1 (en) * | 2001-12-07 | 2004-11-24 | Radiant Networks Plc | Shielding device, circuit assembly and method of manufacture |
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-
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- 1984-09-18 JP JP59193943A patent/JPS6173400A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-12 DE DE19853508791 patent/DE3508791A1/de active Granted
- 1985-03-15 GB GB08506769A patent/GB2186582B/en not_active Expired
- 1985-03-19 US US06/713,518 patent/US4731286A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-22 FR FR8504310A patent/FR2570568A1/fr not_active Withdrawn
- 1985-03-22 KR KR1019850001883A patent/KR900000499B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900000499B1 (ko) | 1990-01-31 |
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