JPS6171529A

JPS6171529A - 螺旋分巻型溶断遅速型ヒユーズ

Info

Publication number: JPS6171529A
Application number: JP60199273A
Authority: JP
Inventors: セイバン・オー
Original assignee: Littelfuse Inc
Current assignee: Littelfuse Inc
Priority date: 1984-09-10
Filing date: 1985-09-09
Publication date: 1986-04-12
Also published as: US4560971A; EP0307018A1; CA1246128A; ES8700497A1; DE3572080D1; EP0307018B1; DE3587679D1; DE3587679T2; EP0176129A1; ES546815A0; EP0176129B1; JPS6220649B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は分巻型の螺旋溶断遅遅型ヒユーズに関するもの
である。米国特許第４．４４５．１０６号及び第４．４
０９．７２９号は非分巻型の螺旋ヒユーズを開示してい
る。本発明の最良の実施例はこれらの米国特許のものと
類似しているが、不発明は、米国特許でも用いられてい
る１杢の螺旋フィラメントに加え、これと独特の関連を
有する１本または２本のヒューズ・フィラメント′？：
支に使用している点で異っている。

〔従来の技術〕

前記米国特許の螺旋ヒユーズは、透明な円筒ケースと、
その両端ン閉鎖するカップ型端子用金鞘キャップと、両
端子間に張設されてはんだ付されたヒユーズワイア部と
から成っている。ヒユーズワイア部は、プイジングなど
ｔしていないセラミック繊維を撚り合わせて形成した柔
かい芯を含み、この芯上にヒユーズワイア（以下ヒュー
ズ・フィラメントとも呼ぶ）ｙｔ螺旋状に巻いてやや硬
い部材に仕上げ、その硬さは両端のキャップ間にはんだ
げげしたとぎにその形状を保持できるよ５になっている
。この絶縁性芯は熱吸収機舵を有し、これにより、ヒユ
ーズは比較的低い過大−流下で溶断遅速性を具備するこ
ととなる。

この型の遅速性ヒユーズにおいては、ヒユーズワイアは
概ね妬めつぎした銅線で構ｇされている。

（概して、錫めっきによりはだか銅線の厚みが約１．１
６の割合で増す。）錫めっき材がヒユーズワイアの鋼内
に浸透して合体すると、錫めっきが無い場合に比べ、銅
線の抵抗を増大させ、溶断温度を低下させる。めっき銅
巌が所定割合の過大電流を所定の最少時間１１＄、続し
て受けることによ’ＩＭ足の温度に加熱されるまでは、
錫めっき材は＊ｉとしてヒユーズワイアの鋼本体を破＆
する。錫が鋼内に所定量浸透すると、純銅よりも溶断温
度がはるかに低い銅錫合金を形成する。この過大電流が
所定時間継続すると、銅合金は溶＠温度に違し、ヒユー
ズが飛ぶことになる。

〔発明が牌決しよ５とする問題点〕錫めっきの浸透度は銅線の各部の温度にばらつきがある
と、部位ごとに異って（る。また、銅線に傷があったり
すると、温度や錫のｆｉ−を一定として考えた場合、よ
り短時間のうちに錫が銅線内にすっかり浸透し、ヒユー
ズの溶断を早めてしまう。

すなわち、＠森の協などのために、ヒユーズが耐久限度
に達する前に切れてしまうといつ問題がある。

中心の金属内に浸透して七の溶断温度を低下させる錫、
その他のめつぎをした遅速型ヒユーズの最大の問題は、
めつぎ相がいったん浸透すると元へは戻らないこと、そ
して、この浸透は過大’１ＪＬＮに満たない電流、すな
わち定格−流以下の電流でも、ゆつ（９ではあるが進行
することである。従って、遅速型ヒユーズはすべて、時
１ｕ］とともに品質が低下する。そこで、ヒユーズの耐
久性ン維持し溶断温度の低下を防止するためには、通常
の電流がある定格−流の８割を越える回路には、その定
格［流のヒユーズはなるべく使用しない方がよいとされ
ている。錫またはこれと同等のめっきの没迫は上述した
よ５に、定格電流にｆ４たない電流でも進行するから、
使用している５ちに徐々に品質が低下し、その結果、長
時聞使用すると正常な一流でも切れてしまプことがある
からである。

錫めっきに帰因したもつ一つの問題として、錫めっきが
あま９厚（なると、螺旋ヒユーズワイアのｌｌＩ曲部で
内側の錫めっき層が寄れてかさばり、溶断温度に達する
前にヒユーズワイア自身が短絡するとい５事態を招く恐
れがある。このよった場合、蔭ｊ！ｙｒ条件が変化して
、ヒユーズの機能が不安定になってしまう。

２本の錫めっきヒユーズワイアを互いに接触させるよう
に配設したヒユーズにおいては、２本の＠４線間ＶＣ２
ｇの厚みの錫層が介在することになるので、上述の欠点
が更に大き（なることがわがった。特に、１本の錫めっ
きヒユーズワイアの上に上述したような錫めっき螺旋ヒ
ユーズワイア’ｔ％くことにより機能の改畳ンを工かっ
―分巻ヒユーズの場合、この現象が生じゃすい。

分％ヒ−Ｌ−，ｔ、の一例として、内側の錫めっきヒユ
ーズワイアがヒユーズの絶縁芯に浴って厘肪状に延ひて
いるものがある。この場合、外側の螺旋錫めっきヒユー
ズワイアは一回転ごとに、互いに陥れ′ｒＳ地点で、内
側の直祿状ヒユーズワイアと交差接触し、ヒユーズの長
さ方向に並び且つ二ｌの錫めっき層で分離された一遂の
並列珈続ヒユーズワイア小位群ｌ構成している。

〔問題点を屏決するための手段及びその作用〕従来の分
巻ヒユーズで舎工、２本の並列接続されたヒューズワイ
アは同時に切れるか、同時でない場合でも、１本のヒユ
ーズワイアのｍ　Ｐｆｒｉ、別のヒユーズワイアに全電
流が流れて急激にＮ熱されるため、相次いで切れるよプ
になっているのが普通である。

本発明の特徴は、分巻ヒユーズの２本の交差するヒユー
ズワイアが従来各ヒユーズワイアを′Ｍ覆していにと同
じ厚みの錫層を片方にだげ設けて、これを２本のヒユー
ズワイアが共有するよ５にしたことである。この場合、
後述する理由で、錫めっきは短い方のヒユーズワイアに
するとよい。過大電流時に、両ヒユーズワイアが加熱さ
れ、錫が両ヒユーズワイア内に浸透して、その溶断＠度
を低下させる。

本発明の最上位概念は、内側の直触状または螺旋状ヒユ
ーズワイアにはめつぎ加工しないで、この外側に巻く螺
旋ヒユーズワイアを錫めっきして構成した分巻ヒユーズ
をも包含しているが、比較的高い定格電流ヒユーズの場
合は特に、外側忙巷かれるヒユーズワイアにはめっぎ加
工せずく、内側のヒユーズワイアを軸方向に延びる直線
形状にし工、１本あるいは１対１ハその１本に錫めっき
するとよい。−ｊ７：、交差するヒユーズワイアの５ち
短い刀のワイアに錫めっきしたものを用いれは、錫めっ
ぎをするワイアの長さを生体として短縮でざる。このよ
うに構成することにより、錫めつきにより上述のような
ヒユーズの欠点を低頭することができろ。また、短い刀
のヒユーズワイアだけを錫めっきすることにより、製造
コストヲ低減することができる。ただし、比較的低い定
格電流ヒユーズの場合には、後述の理由で、外側に巻き
つけられる螺旋ヒユーズワイアに錫めっきする刀がよい
。

従来は分巻徽を用いなかった定格−流値におい工も、上
述の構成ヲ用いることＫより（ワイアがあまり癲（なら
なければ）、螺旋遅速型ヒユーズの信頼度を著しく改善
できることがわかった。すなわち、１本の直廁状ヒユー
ズワイアだけにめ−）キンスることで錫めっきの量暑少
くしたので、こ九によってヒユーズの信！ｌｖが烏まっ
た。そればかりでなく、上述の理由、史には簡単には解
明できない他の何らかの理由で、しユーズが耐久限反に
達しない５ちに切れてしまうという不部会に実際に減少
した。１！泥状態の良し悪したかかわらず、ヒユーズの
使用中は常に錫の浸透が進行するので、錫めっきヒユー
ズワイアの抵抗が徐々に増加し・元に戻ることがない。

非めっきヒユーズワイア内への錫の浸透量はめつきされ
たヒユーズワイアへの浸透量に比べてはるかに少いので
、非めつきワイアで分流されているめつきワイア内の電
流量が次謁に減少し、非めつきワイア内の電流量の割合
が徐々に増加していく。めっきワイア内の電流が減少す
ると、あまり加熱されなくなり、従って、めつきワイア
内への錫の浸透量も減少する。一方、非めつきワイアは
それ自身、あるいはこれと交差するヒユーズワイアが断
面円形状をしているために、交差点においてめつきワイ
アと点接触あるいは巌接触しているにすぎず、非めっき
ワイア内に錫が浸透したとしても、その量は極（わずか
である。従って、めつきワイア内への錫浸透量が非めつ
きワイア内への浸透量よりもはるかに多いという関係は
変らない。その結果、非めっきワイアの時間当りの抵抗
値増大量ははるかに少ない。従って、めつきワイアから
非めつきワイアへ電流が移流してめつきワイア内への錫
の浸透′？：減少させ、正常！流下におけるヒユーズの
耐久性を数音することができろ。

ヒユーズを溶断すべき過大電流があったときは、めっき
ワイアの温度は錫が両ヒユーズーワイアに浸透する程度
まで上昇する。そしてこの過大電流が溶断を要する時間
だけ継続すると、めっきワイアの最も高温の部分がまず
溶断し、次いで、その溶断による増加ｔＪｔ流を受けて
非めつきワイアが溶断する。

〔実施例〕

以下、ｊｉ４１−４図に示した実施例に基いて、本発明
の溶断遅速型ヒユーズを詳細に説明する。

ヒユーズ２は、ガラスやセラミックなどＱ転半な絶縁材
料製の円筒状ケース４と、その両端を閉基する導電性キ
ャップ６．６′とから成っている。

キャップ６．６間に亘り、ｔｇＩＡ＃！ヒユーズ部８が
設けられ、Ｃのヒユーズ部８のヒユーズワイア部ヲキャ
ップ６．６’ｔＣはんだ１０．１０’で固着することに
より、両者ｔ′ＲＬ気的に接続する。

ヒユーズ１ｌｓ８の芯８人として、絶縁性、熱吸収性材
料、できれば、スリーエム（３Ｍ）社製のＮＥＸ置　（
登録商標）３１２セラミツクフアイバと呼ばれるセラミ
ック材料に＠述する特殊加工ｔして得られる撚り糸で形
成した柔軟なデッドセーンビ用いると、芯８Ａをブイジ
ング処理したり、ヒユーズ溶断時に炭化するような材料
で結び束ねにすする必要がない。ヒユーズワイアは、短
路時や、定格電流以下であっても後述するよ５な錫の浸
透を進行させる過剰電流が長く続いに時に、速やかに溶
断する銅、その他の材料？めっき無しで用いて形成する
のが最もよい。

ここに説明する本発明の最良の実施例では、まず、柔軟
な撚り糸の芯８人の外周上に約１８０”隔てて、錫めっ
きした断面円形状の銅線８ｃと、めっきしていない断面
円形状の銅ｉ８Ｄとを配設し、その後これらの銅ｉ８ｃ
、８Ｄと密着するよ５に、螺旋状ヒユーズワイア８Ｂｉ
＠っ（巷いている。

ヒユーズワイア８Ｃ，８Ｄは互いに接触しない限り、緩
い螺旋状罠してもよいが、芯８人の軸方向［１７１びる
直線形状にする刀がよい。一方のヒユーズ’７（ア８Ｃ
は錫めっきされているので−これλ交差接縮する螺旋ヒ
ユーズワイア８Ｂとの間に錫の層が介在することＫなる
。すなわち第６図に示すよ５に、直臓状ヒユーズワイア
８ｃの銅芯１４周囲の錫め、つき層ルが、めっきされて
いない外側の螺旋ヒユーズワイア８Ｂに接している。し
かしながら、両ヒユーズワイア８Ｂ、８Ｃはいずれも断
面円形状なので、その接触面積は極（わずかである。

ニー・エル１９８ジー（ＵＬ−１９８Ｇ）仕琺に沿った
ヒユーズの一例を次に示す。

ヒユーズ（全体寸法と定格を流）：直径１インチ×長さ１−！−インチ。１５アンペア、１
２５ボルト。

ヒユーズワイア：８Ｂ＝直径０．０１１３インチのめつきされていない銅
線。

１インチ当り乙回転。

８Ｃ：＃さｏ、ｏｏｏｓイ／チの純錫めっきをした直径
（１００９６インチの銅線。

Ｑ　Ｔ’ｌ　’　ｉ宮予又＾＾へりつｌ＋ノルハ甑ハ多
六徊イ１−ない銅線。

コア二直径０．０３２インチのスリーエム（３Ｍ）社製
３１２ＮＥＸ置　（登録商標）セラミックファイバー・
ヤーン。これは米国特許第４．４０９，７２９号に開示
されたよ５にセラミック・フィラメント撚り合せ【得た
スート、Ｍ、４本から成り、１本のストランドは３９０
本のフィラメントから成る。

ケース：長さ１．２インチ、壁厚０，０２フインチ、内
径０．１６６インチのガラス裂円筒。

時間−を流特性（近似値）：１．１×定格電流工。のとき、ヒユーズは溶断しない。

１、３５　Ｘ　Ｉ。のとき、ヒユーズは１５分で溶断す
る。

５×Ｉｎのとき、ヒユーズは５６０ミリセカンドで溶断
する。

上述のよプに、ヒユーズワイア内に錫が浸透すると、抵
抗値が増し、もとへ戻らな（なる。明らかに、ヒユーズ
の耐久性は錫の浸透によって延び。

ヒユーズワイアの抵抗の変化は定格電流以下で最少にな
る。従って、上述の従来例のように、交差°　　する２
本のヒユーズワイアを複数箇所で並列接続し、且つ、両
者ｒＥｊＪ　Ｋ介在する錫めっき層の錫が両ワイア内に
同じように浸透する状態にあると、両ヒユーズワイア内
では同じよった抵抗の変化が生じ、本発明におけるよう
に、時間とともに電流を変化させて錫の浸透蓋を減少さ
せるとい５効来は期待できない。

これに対して本発明では、交差するヒユーズワイアの一
刀だけに錫めっきしているので、定格定電以下では、こ
の錫はめつざされていない方のヒユーズワイアにはほと
んど浸透しない。従って、めっきされたワイアの抵抗が
時間とともに徐々に増大するとぎ、これを通過する電流
が減少し、錫の浸透量ヲ減少させるとともに、ヒユーズ
の耐久性ン増すことになる。

この実施例では、ヒユーズワイア８ｃ内に錫が浸透する
前は、ｒｊＬ線状ヒユーズワイア８０内の電流は５２．
５％、螺旋ヒユーズワイア８Ｂの１１流は１７．７％、
めっきされていないＩｘ庫状状ヒユーズワイア８Ｄ内電
流は２９．８％であった。理論的に１ある定格電流にお
けるヒユーズの溶融を遅延させるためＫは、芯と螺旋ヒ
ユーズワイアの全体積を最大限にするとよいことになる
。例えは芯の断面積が一定のとき、理論上は螺旋ヒユー
ズワイアの断面積をできるだけ太き（するとよい。しか
しながら、本実施例のように最長のワイアとしてめっき
加工しχいないものを用いるとぎは、ヒユーズワイア８
Ｃ上の錫めっきＮＩ′？：十分に厚（して、両ワイア８
Ｂ、８ＣｒＢＪに十分な急の錫を介在させる必要がある
。従来の錫めっき装ｋを使用したところ、ヒユーズワイ
アの可法にかかわらず、めつき俊の直径をめっき前の直
径に対して一定の割合となるよ５定めると良いことがわ
かった。本出願人が用い定妬めつき装置によれは、最良
の割合は１．１６３であった。このとき、螺旋ヒユーズ
ワイア８Ｂの直径は＠融状ヒユーズワイア８ＣのＢめっ
きの厚さにより制限されることになる。すなゎ’ｌ−１
ｅ　−Ｐ　、、−＋＋口亀−一　Ｊへ↓〔八　−１４八
ｌＬ−一一五ｍ旋形ヒユーズワイア８Ｂの直径ｔ＠緑状
状ヒユーズワイアＣよりもはるかに大ぎくすることが望
ましいのだが、実際には両ヒユーズワイア８Ｂ、８Ｃと
もほぼ同径にするとよいことがわかった。

にだし、比較的高い定格−流用ヒユーズにおけろめっき
及び非めっきヒユーズワイアの直径比は比較的低い定格
電流用ヒユーズにおける直径比よりも大きくとることが
できる。

例えば、３アンペアおよびこれ以下の比較的低い定格電
流の賜金、所望の溶断遅速型ヒユーズを得ようとする：
６とフィラメント・ワイアの体ｍ＋最大限くしなければ
ならないので、直腺状ヒユーズワイア８ｃの代りに螺旋
ヒユーズワイア８Ｂに錫めっきをしＴ、、方が良いこと
Ｋなる。すなわち、低い定格電流では各ヒユーズワイア
は細（なるので、ヒユーズ全体の直径が最少となり、ヒ
ユーズワイアを十分な体積にする九は最長の螺旋ヒユー
％’；’イア８ＢＫ錫めっきした方がよい。しかしこの
場合、以下に述べるように、ヒユーズの製造コ−ｙＬ　
Ａ：々＋Ｉ−ｉシ訃〕定格電流の大きさは、ヒユーズワイアの直径ま１こは形
状、錫めっきの層、芯の熱吸収特性、更には面縁状ヒユ
ーズワイアの本数により定まる。

芯８人の材料、構成、寸法は適宜選択可能だが、前記本
山特許第４，４０９，７２９号に開示したものカー望ま
しい。

こｎまで述べたことは本願の特に重要な点であるが、本
発明の範凹内で種々変形が可能であることを１言５まで
もない。例えば、比較的高い定格電流用ヒユーズの場合
、８Ｃ，８Ｄのよプなヒユーズを史に迫力し工用い、ヒ
ユーズの定格ＪｉｊｌＬ流を高くするなどが可能である
。

また、明細書及び図面には、分巻ヒユーズを構成する１
対の交差ヒユーズワイアの一方に錫めつぎした場合のみ
を示しているが、他方のヒユーズワイアに同僚の錫めっ
きをし工もヒユーズの溶断特性にほとんど変化がない。

この上りな方法で本し願から生じる特許権が侵害される
のを防止するために、本願特許請求の範囲では、交差す
るヒユーズワイアのプち一方だけρ；錫の　効果　層を
有する、との文言により、十分な厚みｔ有する鵡ま冗は
その他の物質で形成されに一つの層カー、十分に錫をａ
透させ、もってヒユーズのむ断性性に影響を与えるもの
であることを表現した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による遅速型ヒユーズの斜ネ見図第２図
は謁１図のヒユーズの２−２籾縦断面図、第３図は第１
，２図のヒユーズの一呂りン拡大した側面図、第４図＆
Ｓ第３図に示した部分を直角方向から示しπ図、第５図
＆；賜４図に示した部分の５−５線断面図、第６図＆″
Ｓ第３図に示した部分の６−６線断面図である。２・・・螺旋遅速型分巻ヒユーズ、４・・・円筒ケース
６．６′・・・導電性キャップ、８・・・ヒュース部、
８人・・・芯、８Ｂ・−・螺旋ヒユーズワイア、８Ｃ，
８Ｄ・・・ヒユーズワイア、１２°°−めつざ層、１４
・・・パー芯。特　許　ｌ１ｆｌ　　願　人　　リトルヒユーズ・イン
コーボレーテット。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）互いに離れて設けられた１対の端子と両端子間に
接続保持されたヒューズワイア部とを有し、このヒュー
ズワイア部が絶縁性の芯とこの周囲に螺旋状に巻かれた
ヒューズ・フィラメントとから成る溶断遅速型ヒューズ
において、前記芯上に、前記螺旋ヒューズ・フィラメン
トとその軸方向に離れた複数位置で接し且つ電気的に接
続された第２のヒューズ・フィラメントを設けることに
より、少くともこれらの２本のフィラメントを複数位置
で交差させて電気的に並列接続し、各ヒューズ・フィラ
メントの本体材料としては、短絡電流時に即時に溶断す
るとともに、過大電流が継続して与えられその結果少く
とも当初はこの本体材料の外側にあつた溶断温度低下用
錫めつきその他の被膜材がこの本体材料内に徐々に浸透
して所定効果値に達したときに溶断するような金属を用
い、前記溶断温度低下用錫その他のめつき材としては、
前記両ヒューズ・フィラメントの本体金属の外周に接し
両ヒューズ・フィラメント内に浸透し得る単一の効果層
を用い、前記両ヒューズ・フィラメントが前記各接触位
置において前記錫めつきその他の被膜材の単一層を共有
し、過大電流時にそのめつき材が両ヒューズ・フィラメ
ント内へ浸透することを特徴とする、溶断遅速型ヒュー
ズ。
（２）前記錫めつきその他の被膜材の前記共有された単
一層は、前記位置で互いに接する前記両ヒューズ・フィ
ラメントの一方に予め塗布された被膜であることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項に記載した溶断遅速型ヒ
ューズ。
（３）前記位置で互いに接する前記載ヒューズ・フィラ
メントの一方が他方のヒューズ・フィラメントよりはる
かに短く、前記錫めつき被膜が短い方のヒューズ・フィ
ラメントにのみ塗布されていることを特徴とする特許請
求の範囲第２項に記載した溶断遅速型ヒューズ。
（４）前記過大電流値未満の電流であつて且つ前記錫め
つきその他の被膜で被覆されているヒューズ・フィラメ
ントの抵抗を徐々に増大させる電流が流れるときに、こ
の被膜の材料が少くともそのヒューズ・フィラメント内
に浸透するようになつており、はだかのヒューズ・フィ
ラメントが被覆ヒューズ・フィラメントと接する位置で
は、はだかのヒューズ・フィラメント内への錫めつき材
などの浸透量がほとんど無いか、あるいは、前記過大電
流値未満の電流時に被覆ヒューズ・フィラメントに浸透
する量よりもはるかに少ないことを特徴とする特許請求
の範囲第３項に記載した溶断遅速型ヒューズ。
（５）前記交差するヒューズ・フィラメント間の接触面
積を少くするように少くとも一方のヒューズ・フィラメ
ントを曲回し、これにより、はだかのヒューズ・フィラ
メントへの錫などの浸透度を前記被覆ヒューズワイアに
比して少くしたことを特徴とする特許請求の範囲第４項
に記載した溶断遅速型ヒューズ。
（６）前記共有された錫めつき材などの被膜が、ヒュー
ズ内の前記継続過大電流に満たない電流のときにはだか
のヒューズ・フィラメントに浸透するよりもはるかに速
く、被覆ヒューズ・フィラメント内に浸透し、もつて、
前記継続過大電流があつたとき、被覆ヒューズ・フィラ
メントがまず溶断し、その結果、溶断したフィラメント
の電流の少くとも一部が、これと接しているはだかのヒ
ューズ・フィラメント内に移流し、はだかのヒューズ・
フィラメントが増加電流のために溶断することを特徴と
する特許請求の範囲第３項に記載した溶断遅速型ヒュー
ズ。
（７）前記両ヒューズ・フィラメントのうち長い方が、
短い方のヒューズ・フィラメントの周囲に巻かれている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または２項に記
載した溶断遅速型ヒューズ。
（８）前記両ヒューズ・フィラメントのうち短い方が、
前記芯の軸方向にほぼ直線状に延びていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または３項に記載した溶断遅
速型ヒューズ。
（９）前記両ヒューズ・フィラメントのうち短い方が、
前記芯の軸方向にほぼ直線状に延びており、その外側に
前記螺旋フィラメントが巻かれていることを特徴とする
特許請求の範囲第３項に記載した溶断遅速型ヒューズ。
（１０）少くとも３本の前記ヒューズ・フィラメントが
前記芯上で並列接続されており、そのうちの２本が前記
芯周囲の離れた角度位置でその軸方向にほぼ直線状に延
びて前記螺旋ヒューズ・フィラメントと接しており、こ
れら直線状ヒューズ・フィラメントの一方が錫めつき材
の効果被膜を有していることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載した溶断遅速型ヒューズ。
（１１）前記芯上に前記ヒューズ・フィラメントが少く
とも３本設けられ、そのうちの２本が前記芯周囲の離れ
た角度位置でその軸方向にほぼ直線上に延び、その外側
に前記螺旋ヒューズ・フィラメントが巻かれていること
を特徴とする特許請求の範囲第１、２または３項に記載
した溶断遅速型ヒューズ。
（１２）前記芯上に前記ヒューズ・フィラメントが少く
とも３本設けられ、そのうちの２本が前記芯周囲の対角
位置でその軸方向にほぼ直線状に延び、その外側に接し
て前記螺旋ヒューズ・フィラメントが巻かれていること
を特徴とする特許請求の範囲第１、２または３項に記載
した溶断遅速型ヒューズ。
（１３）前記螺旋ヒューズ・フィラメントによつて密接
囲繞され、この螺旋ヒューズ・フィラメントがその他の
各ヒューズ・フィラメントと複数位置で交差接触し、螺
旋ヒューズ・フィラメントの内側のヒューズ・フィラメ
ントの一方が錫めつき材の効果被膜を有していることを
特徴とする特許請求の範囲第３項に記載した溶断遅速型
ヒューズ。
（１４）互いに離れて設けられた１対の端子と両端子間
に接続保持されたヒューズワイア部とを有し、このヒュ
ーズワイア部が絶縁性の芯とこの周囲に螺旋状に巻かれ
たヒューズ・フィラメントとから成る溶断遅速型ヒュー
ズにおいて、前記芯上に、前記螺旋ヒューズ・フィラメ
ントとその軸方向に離れた複数位置で接し且つ電気的に
接続された第２のヒューズ・フィラメントを設けること
により、少くともこれらの２本のフィラメントを複数位
置で交差させて電気的に並列接続し、各ヒューズ・フィ
ラメントの本体材料としては、短絡電流時に即時に溶断
するとともに、過大電流が継続して与えられその結果少
くとも当初はこの本体材料の外側にあつた溶断温度低下
用錫めつきその他の被膜材がこの本体材料内に徐々に浸
透して所定効果値に達したときに溶断するような金属を
用い、前記ヒューズ・フィラメントの一方にのみ前記錫
めつきその他の効果被膜を設けてその浸透を容易にし、
もつて、前記継続的過大電流があつたときには、他方の
ヒューズ・フィラメントがまず溶断してその電流の少く
とも一部をこれと接する前記一方のヒューズ・フィラメ
ントに移流させ、この移流のために増大した電流を受け
て、前記一方のヒューズ・フィラメントが溶断すること
を特徴とする、溶断遅速型ヒューズ。
（１５）前記交差するヒューズ・フィラメント間の接触
面積を少くするように少くとも一方のヒューズ・フィラ
メントを曲回し、これにより、はだかのヒューズ・フイ
ラメントへの錫などの浸透度を前記被覆ヒューズワイア
に比して少くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
４項に記載した溶断遅速型ヒューズ。