JPS616837A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPS616837A JPS616837A JP12678484A JP12678484A JPS616837A JP S616837 A JPS616837 A JP S616837A JP 12678484 A JP12678484 A JP 12678484A JP 12678484 A JP12678484 A JP 12678484A JP S616837 A JPS616837 A JP S616837A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はダイナミック・バイアス・テスト用の回路を内
蔵した半導体集積回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a semiconductor integrated circuit incorporating a dynamic bias test circuit.
(従来技術)
半導体集積回路(以下、ICという。)は、その信頼性
を保証するために、バイアス・テストが行われている。(Prior Art) Semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as ICs) are subjected to bias tests to ensure their reliability.
従来のバイアス・テストは、10パーセント位高い電源
電圧をかけ、入力t”o”あるいは1”に固定して、高
温の炉内に数十〜数百時間入れておくように行なわれて
いた。そのため、特に相補型半導体集積回路(以下、C
MO8ICという。)では、その回路特性がらして、人
力信号が変動しない状態では、回路内に殆んど電流が流
れず、通常のバイアス・テストでは負荷テストとしては
不十分であった。従って、特にCMOSICの場合には
、バイアス・テスト中に入力信号を変動させるテスト(
以下、ダイナミック・バイアス・テストという。)を行
なうこともあるが、入力信号を変動さ゛せるための外部
回路に次のように多くの問題があり、高価な回路が必要
であった。Conventional bias testing involves applying a 10% higher power supply voltage, fixing the input to t"o" or 1", and placing the device in a high-temperature furnace for tens to hundreds of hours. Therefore, especially complementary semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as C
It's called MO8IC. ), due to its circuit characteristics, almost no current flows in the circuit when the human input signal does not fluctuate, and a normal bias test was insufficient as a load test. Therefore, especially in the case of CMOSICs, tests that vary the input signal during bias testing (
Hereinafter, this is called a dynamic bias test. ), but the external circuit for varying the input signal had many problems, as described below, and required an expensive circuit.
1)被試験ICの品種毎に入力信号の本数、端子位置が
異なるため、各々専用の実装ボードが必要であること。1) Since the number of input signals and terminal positions differ depending on the type of IC under test, a dedicated mounting board is required for each type.
2)高温炉の中に外部から多数の信号を供給するため、
多数の配線が必要であること、及び使用電気部品が長時
間高温に耐える必要があること。2) To supply a large number of external signals into the high temperature furnace,
A large number of wiring is required, and the electrical components used must be able to withstand high temperatures for long periods of time.
:3)外部回路を実装するために大きな場所が必要とな
ること。:3) A large space is required for mounting external circuits.
(発明の目的)
本発明の目的は、上記の問題点を解消することにより容
易にダイナミック・バイアス・テストが行なえるように
した半導体集積回路を提供することにある。(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that can easily perform a dynamic bias test by solving the above-mentioned problems.
(発明の構成)
イアス・テスト指令によって内部にシフト・クロックを
供給するクロック発生手段と、前記ダイナミック・バイ
アス・テスト指令によってシフト・イノ・データを生成
し前記シフト・バス回路の入力に供給するデータ生成手
段とを含むことから構成される。(Structure of the Invention) Clock generation means for internally supplying a shift clock according to the bias test command, and data that generates shift ino data according to the dynamic bias test command and supplies it to the input of the shift bus circuit. and generating means.
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
本実施例は、シフト・クロック発生回路1と、ダイナミ
ック・バイアス・テスト指令を入力するBT端子30と
、通常時のシフト・クロックを入力するCLK端子10
と、CLK端子10からの信号とシフト・クロック発生
回路1からの信号とを選択切換えするNANDゲート1
1,12.13と、シフト・イン・データ生成ビ憤りと
、通常時のシフト・イノ・データを入力するSIN端子
20と、SIN端子2oからの信号とシフト・イノ・デ
ータ生成回路2からの信号とを選択切換えするNAND
ゲート21,22.23と、シフト動作指令を入力す
るSFT端子40と、シフト・バスを構成するフリップ
フロップ51,52,53゜54を含む主回路5とを含
むことから構成されている。なお、31はインバータ、
41はORゲートである。This embodiment consists of a shift clock generation circuit 1, a BT terminal 30 to which a dynamic bias test command is input, and a CLK terminal 10 to which a normal shift clock is input.
and a NAND gate 1 that selectively switches between the signal from the CLK terminal 10 and the signal from the shift clock generation circuit 1.
1, 12.13, the shift-in data generation circuit, the SIN terminal 20 which inputs the shift-in data during normal operation, the signal from the SIN terminal 2o, and the signal from the shift-in data generation circuit 2. NAND to select and switch signals
The main circuit 5 includes gates 21, 22, 23, an SFT terminal 40 for inputting a shift operation command, and flip-flops 51, 52, 53, and 54 forming a shift bus. In addition, 31 is an inverter,
41 is an OR gate.
本実施例は、通常時、BT端子300Å力は0”にされ
、インバータ31の出力が′1″になってNANDゲー
ト11を介してCLK端子10からシフト・クロックを
受け、またNANDゲート22を介してSIN端子20
からシフト・イン・データを受ける状態になっており、
SFT端子40が1”になるとシフト動作を行なうよう
になっている。In this embodiment, normally, the BT terminal 300 Å voltage is set to 0'', the output of the inverter 31 becomes '1'', and a shift clock is received from the CLK terminal 10 via the NAND gate 11, and the NAND gate 22 is via SIN terminal 20
It is ready to receive shift-in data from
A shift operation is performed when the SFT terminal 40 becomes 1''.
ダイナミック・バイアス・テストを行なうときは、BT
端子30の入力を1”にすることにより、シフト・クロ
ック発生回路l及び7フト・イン・データ生成回路2の
動作を開始させ、シフト・クロック発生回路1の出力を
NAND ゲート12゜13を介して、フリップ・フロ
ップ51〜54に供給し、シフト・イン・データ生成回
路2の出力を、NAND ゲート21.23を介して、
フリラップ・フロップ51〜54のシフト動作を開始さ
せる。一般に同期式論理回路はクリップ・クロックの動
きによって、その周辺の回路も一緒に動くようになって
おり、本実施例においても、主回路5内の大部分の回路
はフリップ・フロッグ51〜54と一緒に動くようにな
っている。従って、上記のようにクリップ・フロップ5
1〜54がシフト動作を始めると、主回路5内の他の回
路も一緒に動作を始める。なお、このときの回路の動作
は論理的には何らの意味も持たないが、ダイナミック・
バイアス・テストの目的には十分かなうものである。When performing a dynamic bias test, BT
By setting the input to the terminal 30 to 1'', the operation of the shift clock generation circuit 1 and the 7ft-in data generation circuit 2 is started, and the output of the shift clock generation circuit 1 is sent through the NAND gates 12 and 13. The output of the shift-in data generation circuit 2 is supplied to the flip-flops 51 to 54 through the NAND gates 21 and 23.
Shift operations of flip-wrap flops 51 to 54 are started. Generally, in a synchronous logic circuit, the peripheral circuits also operate together with the movement of the clip clock, and in this embodiment, most of the circuits in the main circuit 5 are connected to the flip-flops 51 to 54. They are supposed to move together. Therefore, as shown above, the clip flop 5
When the circuits 1 to 54 start the shift operation, the other circuits in the main circuit 5 also start operating together. Although the circuit operation at this time has no logical meaning, it is a dynamic circuit.
This is sufficient for the purpose of bias testing.
第2図(alは第1図のシフト・クロック発生回路1の
一例を示す回路図である。本回路は奇数段の信号反転ゲ
ートをループ状に接続しただけの発振回路である。ゲー
ト間の抵抗は発振周期を適度に落とすためである。第2
図(b)のタイミング図は回路の中のA、B、C各点の
動きを示す。出力Cは第1図のNANDゲート12に接
続されている。FIG. 2 (al is a circuit diagram showing an example of the shift clock generation circuit 1 in FIG. 1. This circuit is an oscillation circuit in which odd-numbered stages of signal inverting gates are connected in a loop. The purpose of the resistor is to reduce the oscillation period appropriately.Second
The timing diagram in Figure (b) shows the movements of points A, B, and C in the circuit. Output C is connected to NAND gate 12 of FIG.
第3図は第1図のシフト・イ/・データ生成回路2の一
例を示す回路図である。同図において、7fir只ばに
lL n t L Iイ^hT^?1Jrl J−’
LすAインバータ25.26はループ状に接続されて
発振回路を構成している。ゲート間の抵抗は発掘周期を
適度に落とすためである。ゲート26の出力は排他的論
理和ゲート27に接続きれている。排他的論理オ0ゲー
ト27の他の入力には、主回路5内でシフト動作時に適
当に動くと考えられる信号を任意に複数個選んで入力し
である。これらはシフト・イノ・データとして、適度に
ランダムなデータを生成させる目的の回路であり、その
他の特別な意味はない。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the shift I/data generation circuit 2 of FIG. 1. In the same figure, 7fir is just lLntLIi^hT^? 1Jrl J-'
The LSU inverters 25 and 26 are connected in a loop to form an oscillation circuit. The purpose of the resistance between the gates is to moderately reduce the excavation cycle. The output of gate 26 is connected to exclusive OR gate 27. A plurality of arbitrarily selected signals that are considered to operate appropriately during the shift operation within the main circuit 5 are input to the other inputs of the exclusive logic 0 gate 27. These are circuits whose purpose is to generate moderately random data as shift ino data, and have no other special meaning.
以上説明したように、本実施例によると、0MO8IC
のダイナミック・バイアス・テストを、従来のように特
別に専用ボードを用意するためのいろいろな問題もなく
、容易に実施することができる。As explained above, according to this embodiment, 0MO8IC
Dynamic bias testing can be easily performed without the problems of preparing a special board as in the past.
なお、本発明の目的はバイアス・テスト時に主回路5内
を適当に111作させることであるから、シフト・クロ
ック発生回路1.シフト・イン・データ生成回路2とも
にあまり厳密きは必要でなく、本実施例程度の回路で十
分であるが、場合によっては他の適当な回路を用いても
よい。Incidentally, since the purpose of the present invention is to appropriately perform 111 operations in the main circuit 5 during a bias test, the shift clock generation circuit 1. The shift-in data generation circuit 2 does not need to be very precise, and a circuit similar to that of this embodiment is sufficient, but other suitable circuits may be used depending on the case.
(発明の効果)
以上、詳細説明したように、本発明の半導体集積回路は
、シフト・クロック発生回路と、シフト・イン・データ
生成回路とを内蔵することにより、容易にダイナミック
・バイアス・テストを行なうことができるという効果を
有する。(Effects of the Invention) As described above in detail, the semiconductor integrated circuit of the present invention incorporates a shift clock generation circuit and a shift-in data generation circuit, thereby easily performing a dynamic bias test. It has the effect that it can be carried out.
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図(
al及び(b)はそれぞれ第1図のシフト・クロック発
生回路の一例を示す回路図及びそのタイミング図、第3
図は第1図のシフト・イノ・データ生成回路の一例を示
す回路図である。
l・・・・・・シフト・クロック発生回路、2・・・・
・シフト・イン・データ生成回路、5・・・・・・主回
路、10・・・・・・CLK端子、11,12.13・
・・・・NAN Dゲート、20・・・・・・SIN端
子、21,22,23゜24・・・・・・NAND ゲ
ート、25.26・・・・・・インバータ、27・・・
・・・排他的論理和ゲート、30・・・・・・BT端子
、31・・・・・・インバータ、40・・・・・・SF
T端子、41・・・・・・OII’ −ト、50・・・
・・シフト・バス入力信号線、51〜54・・・フリッ
プ・70ング。
代理人 弁理士 内 原 晋
茅 1回FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 (
al and (b) are a circuit diagram and its timing diagram showing an example of the shift clock generation circuit in Fig. 1, and Fig. 3, respectively.
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the shift ino data generation circuit shown in FIG. l...Shift clock generation circuit, 2...
・Shift-in data generation circuit, 5... Main circuit, 10... CLK terminal, 11, 12.13.
...NAND gate, 20...SIN terminal, 21, 22, 23゜24...NAND gate, 25.26...Inverter, 27...
...Exclusive OR gate, 30...BT terminal, 31...Inverter, 40...SF
T terminal, 41...OII'-T, 50...
...Shift bus input signal lines, 51-54...Flip/70 rings. Agent: Patent Attorney Shinkyo Uchihara 1 time
Claims (1)
イナミック・バイアス・テスト指令によって内部にシフ
ト・クロックを供給するクロック発生手段と、前記ダイ
ナミック・バイアス・テスト指令によってシフト・イン
・データを生成し、前記シフト・バス回路の入力にデー
タを供給するデータ生成手段とを含むことを特徴とする
半導体集積回路。In a semiconductor integrated circuit having a shift bus circuit, there is provided a clock generating means for internally supplying a shift clock according to a dynamic bias test command, and a clock generating means for generating shift-in data according to the dynamic bias test command, - A semiconductor integrated circuit characterized by comprising: data generation means for supplying data to an input of a bus circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12678484A JPS616837A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12678484A JPS616837A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS616837A true JPS616837A (en) | 1986-01-13 |
Family
ID=14943849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12678484A Pending JPS616837A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS616837A (en) |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12678484A patent/JPS616837A/en active Pending
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