JPS6166222A - 金属薄膜型磁気テ−プ - Google Patents
金属薄膜型磁気テ−プInfo
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- JPS6166222A JPS6166222A JP18830484A JP18830484A JPS6166222A JP S6166222 A JPS6166222 A JP S6166222A JP 18830484 A JP18830484 A JP 18830484A JP 18830484 A JP18830484 A JP 18830484A JP S6166222 A JPS6166222 A JP S6166222A
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- layer
- magnetic tape
- thin film
- metal thin
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/05—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container
- G11B15/06—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape
- G11B15/08—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape by photoelectric sensing
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は金属薄膜型磁気テープの終端検出に関するもの
である。
である。
従来例の構成とその問題点
近年、金属薄膜型磁気テープは高密度磁気記録媒体とし
て注目され、次第に実用化されつつある。
て注目され、次第に実用化されつつある。
金属薄膜型磁気テープの電磁変換特性は従来用いられて
きた塗布型磁気テープの電磁変換特性と較べ、高密度記
録時に非常に優れた°特性を示すことが知られている。
きた塗布型磁気テープの電磁変換特性と較べ、高密度記
録時に非常に優れた°特性を示すことが知られている。
一般に高密度記録時に優れた電磁変換特性を得る為には
スペーシングロスによる記録、再生損失が発生し、スペ
ーシングロスを低減することが非常に重要な問題となる
。従って金属薄膜型磁気テープの優れた電磁変換特性を
生かすには従来の塗布型磁気テープの表面性よりさらに
平滑な表面性が求められる。１μｍ程度の記録波長を用
いる場合には平均粗さ５００八以下の表面性であること
が望ましいと考えられている。金属薄膜型磁気テープに
おいて磁性層表面の平均粗さｔ−５００人にすると、表
面は金属材料であるから反射率が高く、研磨された金属
表面のように金属光沢を有し、金属特有の表面反射が顕
著になる。
スペーシングロスによる記録、再生損失が発生し、スペ
ーシングロスを低減することが非常に重要な問題となる
。従って金属薄膜型磁気テープの優れた電磁変換特性を
生かすには従来の塗布型磁気テープの表面性よりさらに
平滑な表面性が求められる。１μｍ程度の記録波長を用
いる場合には平均粗さ５００八以下の表面性であること
が望ましいと考えられている。金属薄膜型磁気テープに
おいて磁性層表面の平均粗さｔ−５００人にすると、表
面は金属材料であるから反射率が高く、研磨された金属
表面のように金属光沢を有し、金属特有の表面反射が顕
著になる。
一方、磁気テープを磁気記録、再生装置の中で用いる場
合、透過光によシ終端検出を行うのが一般的であるが、
磁性層表面が金属光沢を有する場合、特に走行状態が不
安定な時、磁性層表面での反射により終端検出の誤動作
が起きる場合がある。即ち、磁気テープが存在し、透過
光が遮断されるべき時に、発光部から出た光が磁性層表
面と、周囲の金属物とで光が反射され、受光部に検知さ
れ誤動作を生じる場合がある。このように従来の金属薄
膜型磁気テープにおいては表面の反射率が高いので、透
過光による終端検出の誤動作の原因になるという問題点
があった。
合、透過光によシ終端検出を行うのが一般的であるが、
磁性層表面が金属光沢を有する場合、特に走行状態が不
安定な時、磁性層表面での反射により終端検出の誤動作
が起きる場合がある。即ち、磁気テープが存在し、透過
光が遮断されるべき時に、発光部から出た光が磁性層表
面と、周囲の金属物とで光が反射され、受光部に検知さ
れ誤動作を生じる場合がある。このように従来の金属薄
膜型磁気テープにおいては表面の反射率が高いので、透
過光による終端検出の誤動作の原因になるという問題点
があった。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、透過光に
よる終端検出の誤動作を低減する金属薄膜型磁気テープ
を提供するものである。
よる終端検出の誤動作を低減する金属薄膜型磁気テープ
を提供するものである。
発明の構成
本発明は波長ｓｏｏｎｍの拡散照明による垂直受光にお
いて、磁性層表面側の反射率が５０％以下である金属薄
膜型磁気テープであり、透過光による終端検出の誤動作
を低減することのできるものである。
いて、磁性層表面側の反射率が５０％以下である金属薄
膜型磁気テープであり、透過光による終端検出の誤動作
を低減することのできるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例における金属薄膜型磁気テープ
の基本構成を示す図である。第１図において１は基板、
２は金属薄膜磁性層、３は表面処理層である。
の基本構成を示す図である。第１図において１は基板、
２は金属薄膜磁性層、３は表面処理層である。
ここで基板１としてはポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリアミド、ポリイミド等の材料から適宜選択され、金
属薄膜磁性層２はＣｏＣｒ 、 ＣｏＮｉ 。
ポリアミド、ポリイミド等の材料から適宜選択され、金
属薄膜磁性層２はＣｏＣｒ 、 ＣｏＮｉ 。
Ｇｏ 、 ＦｅＣｏＣｒ 、 Ｎｉ 、 Ｎ１−Ｐ 、
Ｇｏ−Ｐ、 ＣｏＮ１−Ｐ等の金属磁性材料から構成
され、金属薄膜磁性層２の形成方法としてはスパッタ法
、真空蒸着法、イオンブレーティング法、メッキ法等従
来知られた薄膜の製造方法から適宜選択される。表面処
理層３は窒化物、酸化物、炭化物、塩化物、硫化物、樹
脂等の表面反射率の低い材料から構成され、形成方法と
してはスパッタ法、真空蒸着法、コーティング法、ＣＶ
Ｄ法、イオン注入法等、従来知られた様々な薄膜の製造
方法から適宜選択される。又表面処理層３の形成方法と
しては金属薄膜層２の一部に％囲気ガス又は＠液中で化
学反応させ、変化させることも考えられる。第１図にお
いては最も基本的な構成を示したものであり、本発明に
おいてはこの構成に加えてバックコート層、滑剤層。
Ｇｏ−Ｐ、 ＣｏＮ１−Ｐ等の金属磁性材料から構成
され、金属薄膜磁性層２の形成方法としてはスパッタ法
、真空蒸着法、イオンブレーティング法、メッキ法等従
来知られた薄膜の製造方法から適宜選択される。表面処
理層３は窒化物、酸化物、炭化物、塩化物、硫化物、樹
脂等の表面反射率の低い材料から構成され、形成方法と
してはスパッタ法、真空蒸着法、コーティング法、ＣＶ
Ｄ法、イオン注入法等、従来知られた様々な薄膜の製造
方法から適宜選択される。又表面処理層３の形成方法と
しては金属薄膜層２の一部に％囲気ガス又は＠液中で化
学反応させ、変化させることも考えられる。第１図にお
いては最も基本的な構成を示したものであり、本発明に
おいてはこの構成に加えてバックコート層、滑剤層。
磁性層側表面形状を制御する為の形状賦与層、金属薄膜
層を伴なった他の磁性層、磁性層の下地層等、磁気記録
媒体としての特性を向上させる為の様々な構成を成した
金属薄膜型磁気テープ全も含むものである。
層を伴なった他の磁性層、磁性層の下地層等、磁気記録
媒体としての特性を向上させる為の様々な構成を成した
金属薄膜型磁気テープ全も含むものである。
磁性層側表面粗さ、即ち表面処理層３の表面性はスペー
シングロスを低減し良好な電磁変換特性を得る為に平均
粗さＳＯＯÅ以下であることが望ましい。金属薄膜磁性
層２も良好な電磁変換特性を得る為に５００人〜３００
０人の膜厚が適当である。表面処理層３の膜厚は５０〜
５００八が適当であり、５０Å以下では表面反射率を下
げることができず、６００Å以上ではスペーシングロス
による電磁変換特性の劣化が激しい。
シングロスを低減し良好な電磁変換特性を得る為に平均
粗さＳＯＯÅ以下であることが望ましい。金属薄膜磁性
層２も良好な電磁変換特性を得る為に５００人〜３００
０人の膜厚が適当である。表面処理層３の膜厚は５０〜
５００八が適当であり、５０Å以下では表面反射率を下
げることができず、６００Å以上ではスペーシングロス
による電磁変換特性の劣化が激しい。
以上のように構成された金属薄膜型磁気テープは表面処
理層３の効果により磁性層側表面の反射率が低く、終端
検出光を反射することによって、誤まって終端検出光を
受光することが少なくなる。
理層３の効果により磁性層側表面の反射率が低く、終端
検出光を反射することによって、誤まって終端検出光を
受光することが少なくなる。
以下に本発明のざらに具体的な実施例を説明する０
（実施例１）
直径６００ ｍｍの水冷されたキャンを用いてＣｏＮ１
（２０ｗｔ％）合金の真空菜着を行った。基板には幅１
５０ｍｍ厚み１５μｍのポリエチレンテレフタレー［ｒ
用い、接線方向から蒸着を開始し最低入射角４ｏ０まで
走行速度２０ｍ／ｍｉｎで１５００人の膜厚に蒸着した
。蒸発源にジルコニア製ルツボを用い真空槽を１ｘ１ｏ
Ｔｏｒｒまで排気後、蒸着後端部より１５０ｃｃ／ｍ工
ｎの酸素と０．１０．２０゜３０ ＊ ４０ Ｃｏ／
πｉｎの亜硫酸ガスを導入して蒸着し磁気テープ試料人
、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｋを得た。試料に、 Ｂ
、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの磁性層側表面に波長ＳＯＯｎｍ
の拡散照明を行ない、垂直方向への反射光を受光し測定
したところ、標準白板の反射光に対し、それぞれ６６チ
、 ４ｅ％、ｓ１チ、２２チ、１６４であった。試料Ｂ
、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの表面全分析したところ、表面には
コバルト及びニッケルの硫化物が存在し、硫化物の膜厚
はオージェ分光法の分析によりそれぞれ６０人、１００
人、１３０人。
（２０ｗｔ％）合金の真空菜着を行った。基板には幅１
５０ｍｍ厚み１５μｍのポリエチレンテレフタレー［ｒ
用い、接線方向から蒸着を開始し最低入射角４ｏ０まで
走行速度２０ｍ／ｍｉｎで１５００人の膜厚に蒸着した
。蒸発源にジルコニア製ルツボを用い真空槽を１ｘ１ｏ
Ｔｏｒｒまで排気後、蒸着後端部より１５０ｃｃ／ｍ工
ｎの酸素と０．１０．２０゜３０ ＊ ４０ Ｃｏ／
πｉｎの亜硫酸ガスを導入して蒸着し磁気テープ試料人
、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｋを得た。試料に、 Ｂ
、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの磁性層側表面に波長ＳＯＯｎｍ
の拡散照明を行ない、垂直方向への反射光を受光し測定
したところ、標準白板の反射光に対し、それぞれ６６チ
、 ４ｅ％、ｓ１チ、２２チ、１６４であった。試料Ｂ
、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの表面全分析したところ、表面には
コバルト及びニッケルの硫化物が存在し、硫化物の膜厚
はオージェ分光法の分析によりそれぞれ６０人、１００
人、１３０人。
１６０人であることがわかった。なお試料ム〜Ｅの記録
波長１μｍでの記録再生による出力差は１ｄＢ以内であ
り、同等の電磁変換特性を示した。
波長１μｍでの記録再生による出力差は１ｄＢ以内であ
り、同等の電磁変換特性を示した。
次に試＄４Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｅを用いて終
端検出の誤動作実験を行った。発光ダイオードによる発
″１ｉ８０％遮断する条件を測光条件とし、磁性層側を
発光源側とし試料と発光部、受光部の間隔は各々２０ｍ
ｍで周囲を表面性が良く反射率の高いステンレスで覆っ
た。試料テープの走行速度は５０ ｃｍ ／ｍｉｎで走
行させ急停止時の誤動作率を測定した。測定は各々３ｏ
ｏＯ回行ない、試料Ａ・Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの誤動
作回数は各々４２，１４゜４．１，０回であった。これ
らの結果を第１表および第２図にまとめる。第１表及び
第２図から明らかな様にｅｏｏｎｍの反射率がｓｏ％以
下では終端検出の誤動作は大幅に減少し、望ましくは３
０％以下、更に望ましくは２０％以下ではほとんど誤動
作はなくなる。（以下余白） 第１表 以上のように本実施例によれば、金属薄膜型磁気テープ
の磁性層側表面の波長６００１ｍの拡散照明による垂直
受光において反射率全６０チ以下とすることにより、磁
気テープの終端検出の誤動作を防止することができる。
端検出の誤動作実験を行った。発光ダイオードによる発
″１ｉ８０％遮断する条件を測光条件とし、磁性層側を
発光源側とし試料と発光部、受光部の間隔は各々２０ｍ
ｍで周囲を表面性が良く反射率の高いステンレスで覆っ
た。試料テープの走行速度は５０ ｃｍ ／ｍｉｎで走
行させ急停止時の誤動作率を測定した。測定は各々３ｏ
ｏＯ回行ない、試料Ａ・Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｋの誤動
作回数は各々４２，１４゜４．１，０回であった。これ
らの結果を第１表および第２図にまとめる。第１表及び
第２図から明らかな様にｅｏｏｎｍの反射率がｓｏ％以
下では終端検出の誤動作は大幅に減少し、望ましくは３
０％以下、更に望ましくは２０％以下ではほとんど誤動
作はなくなる。（以下余白） 第１表 以上のように本実施例によれば、金属薄膜型磁気テープ
の磁性層側表面の波長６００１ｍの拡散照明による垂直
受光において反射率全６０チ以下とすることにより、磁
気テープの終端検出の誤動作を防止することができる。
（実！＠例２）
基板として厚み３０μｍ、平均粗さ２００人の芳香族ポ
リアミドを用い、高周波スパッタ法により膜厚２０００
人のパーマロイ薄膜？形成し、さらにその上にｏ、ｏ
５ Ｔｏｒｒのムｒ雰囲気中でＧｏＯｒ（２０Ｗｔ ％
）薄膜を形成し試料Ｆを得たＯ試料Ｆを濃度２チの希硝
酸水溶液中を走行させることにより試料Ｇ・ ）Ｉ、
Ｉ、 Ｊ・ Ｋ、Ｌを得た０各々の希硝酸水浴液中
の浸漬時間を第２表に示す。試料Ｇ−Ｌの磁性層側表面
に波長６０ｏｎｍの拡散照明を行ない、垂直方向への反
射光を受光し測定し標準白板に対し求めた反射率を第２
表にまとめる。
リアミドを用い、高周波スパッタ法により膜厚２０００
人のパーマロイ薄膜？形成し、さらにその上にｏ、ｏ
５ Ｔｏｒｒのムｒ雰囲気中でＧｏＯｒ（２０Ｗｔ ％
）薄膜を形成し試料Ｆを得たＯ試料Ｆを濃度２チの希硝
酸水溶液中を走行させることにより試料Ｇ・ ）Ｉ、
Ｉ、 Ｊ・ Ｋ、Ｌを得た０各々の希硝酸水浴液中
の浸漬時間を第２表に示す。試料Ｇ−Ｌの磁性層側表面
に波長６０ｏｎｍの拡散照明を行ない、垂直方向への反
射光を受光し測定し標準白板に対し求めた反射率を第２
表にまとめる。
（以下余白）
第２表
試料Ｇ−Ｌの表面を分析したところ、Ｇｏ及びｃｒの酸
化物層が観測され、酸化物層の厚みは第２表のとおりで
あった。
化物層が観測され、酸化物層の厚みは第２表のとおりで
あった。
又、実施例１と同様の測定条件で終端検出を行なった誤
動作回数も第２表及び第３図にまとめる。
動作回数も第２表及び第３図にまとめる。
第２表及び７Ｊ！Ｊ３図から明らかな様に６００１ｍの
反射率が６０％以下では終端検出の誤動作は減少し望ま
しくは３０チ、更に望ましくは２０％以下ではほとんど
誤動作はなくなる。
反射率が６０％以下では終端検出の誤動作は減少し望ま
しくは３０チ、更に望ましくは２０％以下ではほとんど
誤動作はなくなる。
以上のように、本実施例によれば、金属薄膜型磁気テー
プの磁性層側表面の波長６００ｎｍの拡散照明による垂
直受光において反射率Ｑ５０％以下とすることにより、
磁気テープの終端検出の誤動作を防止することができる
。
プの磁性層側表面の波長６００ｎｍの拡散照明による垂
直受光において反射率Ｑ５０％以下とすることにより、
磁気テープの終端検出の誤動作を防止することができる
。
なお、本実施例では２種類の試料の組み合わせについて
具体的に効果を示したが、本発明を構成する前述の他の
材料の組み合わせにおいても、同嘩の効果を有すること
を確認した。例えば実施例１では亜硫酸ガスにより硫化
物を作っているが、反応性ガスとしては、亜硫酸ガスの
他に、−酸化窒素、二酸化窒素、窒素、塩素、シラン、
オゾン。
具体的に効果を示したが、本発明を構成する前述の他の
材料の組み合わせにおいても、同嘩の効果を有すること
を確認した。例えば実施例１では亜硫酸ガスにより硫化
物を作っているが、反応性ガスとしては、亜硫酸ガスの
他に、−酸化窒素、二酸化窒素、窒素、塩素、シラン、
オゾン。
酸素、−酸化炭素等の従来知られた反応性ガスを用いて
酸化物、窒化物、硫化物、塩化物、炭化物を作ることが
できる。又、実施例２においては希硝酸を用いて酸化物
を作ったが、硝酸の代わりに濃硝酸、希塩酸、濃塩酸、
希硫酸、ａ硫酸、過酸化水素水１重クロム酸カリ、等の
他の酸化剤により酸化物を作ることができる。実施例１
では反応性蒸着法、実施例２では水溶液中への浸漬を行
ったが、他の方法としては反応性スパッタ、プラズマ溶
射、雰囲気ガス中処理、雰囲気ガス中加熱処理、ｃｖｎ
法、イオン注入法、樹脂コーティング。
酸化物、窒化物、硫化物、塩化物、炭化物を作ることが
できる。又、実施例２においては希硝酸を用いて酸化物
を作ったが、硝酸の代わりに濃硝酸、希塩酸、濃塩酸、
希硫酸、ａ硫酸、過酸化水素水１重クロム酸カリ、等の
他の酸化剤により酸化物を作ることができる。実施例１
では反応性蒸着法、実施例２では水溶液中への浸漬を行
ったが、他の方法としては反応性スパッタ、プラズマ溶
射、雰囲気ガス中処理、雰囲気ガス中加熱処理、ｃｖｎ
法、イオン注入法、樹脂コーティング。
プラズマ重合等の従来知られた薄膜作成法を用いること
ができる。又、表面処理層の形成は金属薄膜磁性層の形
成と同時に行うこともできるし、金属薄膜磁性層の一部
を金属薄膜磁性層の形成後に改質することもできるし、
金属薄膜磁性層の上に形成することもできる。
ができる。又、表面処理層の形成は金属薄膜磁性層の形
成と同時に行うこともできるし、金属薄膜磁性層の一部
を金属薄膜磁性層の形成後に改質することもできるし、
金属薄膜磁性層の上に形成することもできる。
発明の効果
以上のように本発明は金属薄膜型磁気テープの磁性層側
表面の波長ｅｏｏｎｍの拡散照明による垂直受光におけ
る反射率を６０チ以下にすることにより、磁気テープの
終端検出の誤動作を防止することができ、その実用的効
果は大きい。
表面の波長ｅｏｏｎｍの拡散照明による垂直受光におけ
る反射率を６０チ以下にすることにより、磁気テープの
終端検出の誤動作を防止することができ、その実用的効
果は大きい。
第１図は本発明の実施例における金属薄膜型磁気テープ
を示す断面図、第２図、第３図は本発明による終端検出
の誤動作の減少を示す図である。 １・・−・・・基板、２・・・・・−金属薄膜磁性層、
３・・・・・・表面処理層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ６００圃９叉＃ｊキ（シ４〕
を示す断面図、第２図、第３図は本発明による終端検出
の誤動作の減少を示す図である。 １・・−・・・基板、２・・・・・−金属薄膜磁性層、
３・・・・・・表面処理層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ６００圃９叉＃ｊキ（シ４〕
Claims (1)
- 波長６００ｎｍの拡散照明による垂直受光において、磁
性層表面側の反射率が５０％以下であることを特徴とす
る金属薄膜型磁気テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188304A JPH0658733B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 金属薄膜型磁気テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188304A JPH0658733B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 金属薄膜型磁気テ−プ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166222A true JPS6166222A (ja) | 1986-04-05 |
| JPH0658733B2 JPH0658733B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16221266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59188304A Expired - Lifetime JPH0658733B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 金属薄膜型磁気テ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658733B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01224984A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Tdk Corp | 媒体用部材およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189823A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59188304A patent/JPH0658733B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189823A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01224984A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Tdk Corp | 媒体用部材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658733B2 (ja) | 1994-08-03 |
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