JPS6162882A - 磁界検出装置 - Google Patents
磁界検出装置Info
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- JPS6162882A JPS6162882A JP18583584A JP18583584A JPS6162882A JP S6162882 A JPS6162882 A JP S6162882A JP 18583584 A JP18583584 A JP 18583584A JP 18583584 A JP18583584 A JP 18583584A JP S6162882 A JPS6162882 A JP S6162882A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明Ｃ，磁気光学素子によるファラデー効果を利用１
〜たイ１琺界検出装置に関するものである。
〜たイ１琺界検出装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
ファラデー効果を利用した磁界検出装置は信号伝送路が
電磁調心を受けないなどの特徴を持つ光ファイバを用い
ていることから近年多方面への応用展開が進められてい
る。
電磁調心を受けないなどの特徴を持つ光ファイバを用い
ていることから近年多方面への応用展開が進められてい
る。
以下に従来のファラデー効果を利用した磁界検出装置に
ついて説明する。第１図は従来の反射型構成の磁界検出
装置の一例を示す構成図であり、１は発光ダイオードな
どの光源、２は光源からの光を伝送する光ファイバ、３
は光ファイバ２から出射される自然偏光のあるひとつの
直線偏光成分のみ選択透過する方解石あるいはルチル（
ＴｉＯ２）結晶などからなる偏光子、４はロッドレンズ
、５はガーネット系結晶、鉛ガラス、 Ｚｎ５ｅ な
どからなるファラデー効果を有するファラデー素子、６
はミラー、７は偏光子３と同じ月質からなる検光子、８
は光ファイバ２から出射されミラー６によりファラデー
素子５内をｒｔ復伝搬した光がロッドレンズ４により効
率良く集光できる」：うに固定された光ファイバ、９ｄ
、光ファイバ８からの出射光を電気信号に変換する尤検
１１冒９じである。光源１と光ファイバ２の光入射端面
の間及び光検１］口（１ニと光ファイバ８の光出射端面
の間にはそれぞれ光を集光するだめのレンズが必要であ
るが省略しである。
ついて説明する。第１図は従来の反射型構成の磁界検出
装置の一例を示す構成図であり、１は発光ダイオードな
どの光源、２は光源からの光を伝送する光ファイバ、３
は光ファイバ２から出射される自然偏光のあるひとつの
直線偏光成分のみ選択透過する方解石あるいはルチル（
ＴｉＯ２）結晶などからなる偏光子、４はロッドレンズ
、５はガーネット系結晶、鉛ガラス、 Ｚｎ５ｅ な
どからなるファラデー効果を有するファラデー素子、６
はミラー、７は偏光子３と同じ月質からなる検光子、８
は光ファイバ２から出射されミラー６によりファラデー
素子５内をｒｔ復伝搬した光がロッドレンズ４により効
率良く集光できる」：うに固定された光ファイバ、９ｄ
、光ファイバ８からの出射光を電気信号に変換する尤検
１１冒９じである。光源１と光ファイバ２の光入射端面
の間及び光検１］口（１ニと光ファイバ８の光出射端面
の間にはそれぞれ光を集光するだめのレンズが必要であ
るが省略しである。
それぞれの光学部品はエポキシ系の接着剤で固定されて
いる。光ファイバ２，８の偏・検光子端部側は石英ガラ
ス板で挾み偏・検光子３，７にエポキ／系の接着済で固
定されているがここでは省略しである。また、Ａは偏光
子３、ロッドレンズ４、ファラデー素子５、ミラー６及
び検光子７から構成される磁界検出部、Ｂは光源１及び
光検出部で構成される泪測部である。
いる。光ファイバ２，８の偏・検光子端部側は石英ガラ
ス板で挾み偏・検光子３，７にエポキ／系の接着済で固
定されているがここでは省略しである。また、Ａは偏光
子３、ロッドレンズ４、ファラデー素子５、ミラー６及
び検光子７から構成される磁界検出部、Ｂは光源１及び
光検出部で構成される泪測部である。
以上の」＝うに構成された磁界検出装置について、以下
その動作を説明する。まず光源１から出射された光仁ル
ンズで光ファイバ２に集光される。光ファイバ２から出
射される自然偏光は偏光：ｒ３で直線偏光へされ、次い
でロッドレンズ４で平行光にされファラデー素イ５内を
ミラー６を介して往復伝搬する。この往復伝搬中に外部
磁界強度Ｈ（光の伝搬方向と平行の磁界）に応じて直線
偏光に１偏波面か回転し、ロッドレンズ４により検光子
７を介１７て光ファイバ８に集光さノ圭る。（ｌｒｎ彼
面が度変調に変換される。この直線偏光面の回転角（フ
ァラデー回転角）をθ、偏光子３と検光子７の（ｊｉｂ
！光透過力向のなす角をΦ、人力光をＰｌｎとすると光
フン・イバ８からの出力光ＰＯｕｔけＰｏｕｔｃｘＰｌ
ｎＣＯ８２（Φ−θ） ・＝−（１）と表わ
せる。ここでΦにπ／４とするとＰｏｕｔ ｃｘ Ｐｉ
ｎ 、 Ｓｉｎ ’ （１＋Ｓｉｎ ２θ）（２）とな
りθに対する出力変動が最大となりθの小さい領域でｄ と近（ＩＪできθす々わち磁界強度とＰｏｕｔは直線性
が保たれていることがわかる。ここでファラデー回転角
θは θ＝ＶＨＬ ・・・・・（４
）と表わされＶはファラデー素子固有のベルデ定数〔度
／ Ｏｓ−融〕で素子の感度を表わすものであり、Ｈは
光の透過力向に平行に印加された磁界強度〔Ｏｅ〕、Ｌ
はファラデー素子内を透過する光の光路長〔備〕である
。この従来例の反射型構成では、ファラデー素子内を光
が往復透過するため、ファラデー素子の片端から光を入
射し他端からの出射光を検出する方式と比べるとファラ
デー素子長は約半分で済み小型化できる。
その動作を説明する。まず光源１から出射された光仁ル
ンズで光ファイバ２に集光される。光ファイバ２から出
射される自然偏光は偏光：ｒ３で直線偏光へされ、次い
でロッドレンズ４で平行光にされファラデー素イ５内を
ミラー６を介して往復伝搬する。この往復伝搬中に外部
磁界強度Ｈ（光の伝搬方向と平行の磁界）に応じて直線
偏光に１偏波面か回転し、ロッドレンズ４により検光子
７を介１７て光ファイバ８に集光さノ圭る。（ｌｒｎ彼
面が度変調に変換される。この直線偏光面の回転角（フ
ァラデー回転角）をθ、偏光子３と検光子７の（ｊｉｂ
！光透過力向のなす角をΦ、人力光をＰｌｎとすると光
フン・イバ８からの出力光ＰＯｕｔけＰｏｕｔｃｘＰｌ
ｎＣＯ８２（Φ−θ） ・＝−（１）と表わ
せる。ここでΦにπ／４とするとＰｏｕｔ ｃｘ Ｐｉ
ｎ 、 Ｓｉｎ ’ （１＋Ｓｉｎ ２θ）（２）とな
りθに対する出力変動が最大となりθの小さい領域でｄ と近（ＩＪできθす々わち磁界強度とＰｏｕｔは直線性
が保たれていることがわかる。ここでファラデー回転角
θは θ＝ＶＨＬ ・・・・・（４
）と表わされＶはファラデー素子固有のベルデ定数〔度
／ Ｏｓ−融〕で素子の感度を表わすものであり、Ｈは
光の透過力向に平行に印加された磁界強度〔Ｏｅ〕、Ｌ
はファラデー素子内を透過する光の光路長〔備〕である
。この従来例の反射型構成では、ファラデー素子内を光
が往復透過するため、ファラデー素子の片端から光を入
射し他端からの出射光を検出する方式と比べるとファラ
デー素子長は約半分で済み小型化できる。
しかしながら−１記の従来構成では、光ファイバ２から
出た光を結合損失を少なくして光ファイバ８に戻すため
にはそわぞれの光学部品の相互位置を正確に調整する必
要があり、さらに反射型構成にすることで小型とは々っ
ているがそれでも偏光：ｆ３、検光子７、ロッドレンズ
４はそれぞれ２×２ Ｘ ２ ＷＪ 、 ２ Ｘ ２
Ｘ ２ ｍＡ 、 ５闘径２φ程度の大きさを必要とし
小型化に限度があるという問題点を有していた。捷だそ
れぞれの光学部品は光学研磨を必要とし部品点数が多い
ことから製作に際し］数が多くなるという問題点も有し
ていた。
出た光を結合損失を少なくして光ファイバ８に戻すため
にはそわぞれの光学部品の相互位置を正確に調整する必
要があり、さらに反射型構成にすることで小型とは々っ
ているがそれでも偏光：ｆ３、検光子７、ロッドレンズ
４はそれぞれ２×２ Ｘ ２ ＷＪ 、 ２ Ｘ ２
Ｘ ２ ｍＡ 、 ５闘径２φ程度の大きさを必要とし
小型化に限度があるという問題点を有していた。捷だそ
れぞれの光学部品は光学研磨を必要とし部品点数が多い
ことから製作に際し］数が多くなるという問題点も有し
ていた。
発明の目的
本発明は」二紀従来の問題点を解消するもので、工数が
少々く、さらに小型化された磁界検出装置を提１ノ（す
るものであり、特に非接触の回転検出センサ、位置検出
→ｌｌササして有用な磁界検出装置を提供することを目
的とする。
少々く、さらに小型化された磁界検出装置を提１ノ（す
るものであり、特に非接触の回転検出センサ、位置検出
→ｌｌササして有用な磁界検出装置を提供することを目
的とする。
発明の構成
本発明は、偏波面保存光ファイバの片端に光源を、他端
には反射膜を蒸着したファラデー回転能を有する磁気光
学結晶薄片を備え、前記光源と前記偏波面保存光ファイ
バの片端の間には光源からの光を直線偏光にし前記光伝
路を通り戻ってきた出射光の内入射光の直線偏光方向と
９０°を々す直線偏光成分のみを反射させ光検出部に導
く偏光ビームスプリンタを備え、光検出部で光量の強弱
を電気信号に変換し磁界を検出できるものであり、磁界
検出部にレンズ、偏光子、検光子をもたずファラデー素
子となる磁気光学結晶薄片は前記偏波面保存光ファイバ
の直径程度捷で小型化でき、磁界検出部の部品点数２組
立Ｔ数を小々くしさらに小型化でき、機械的強度も大き
くできるものである。
には反射膜を蒸着したファラデー回転能を有する磁気光
学結晶薄片を備え、前記光源と前記偏波面保存光ファイ
バの片端の間には光源からの光を直線偏光にし前記光伝
路を通り戻ってきた出射光の内入射光の直線偏光方向と
９０°を々す直線偏光成分のみを反射させ光検出部に導
く偏光ビームスプリンタを備え、光検出部で光量の強弱
を電気信号に変換し磁界を検出できるものであり、磁界
検出部にレンズ、偏光子、検光子をもたずファラデー素
子となる磁気光学結晶薄片は前記偏波面保存光ファイバ
の直径程度捷で小型化でき、磁界検出部の部品点数２組
立Ｔ数を小々くしさらに小型化でき、機械的強度も大き
くできるものである。
実施例の説明
第２図は本発明の一実施例における磁界検出装置の構成
図を示すものである。第２図において、１０は偏波面保
存光ファイバ、１１はファラデー回転能を有する磁性ガ
ーネノ１−薄膜、１２は磁性ガーネット薄膜１１に直接
蒸着された金属又は誘電体多層膜の反射膜、１３は偏光
ビームスプリンタ、１は光源、９は光検出器、１４は光
源１の光を偏波面保存光ファイバ１ｏに集光するための
ロッドレンズ、１５は偏波面保存光ファイバ１０からの
出射光を光検出器９に集光するためのロット゛レンズで
ある。捷だＡは磁性ガーネソ１−薄膜１１及び反射膜１
２で構成される磁界検出部、Ｂは偏光ビーノ・スプリッ
タ１３、光源１、光検１１１１蒲９、ロッドレンズ１４
．１５で構成されるＪ１側部である。磁＋’ｌガーネッ
ト薄膜１１は平行板であり、端面を尤の出射方向に列し
て垂直に研磨された偏波ｍｌ保（ｒ光ファイバ１０にエ
ポキシ糸の接着剤等で固定されている。またこの磁性ガ
ーネット薄膜ｄ必要と１−る磁界検出感度（ベルデ定数
Ｖとファラデー素子内の光路長の積）に応じて組成、欅
さｄ選ばＪＬ、 ’ｌｉ’？和エピタキシ法、化学気相
成長法等で成長されたものであり、接着剤で固定する代
わりにスパッタ法等により偏波面保存光ファイバ１０の
端面に直接蒸着してもよい。
図を示すものである。第２図において、１０は偏波面保
存光ファイバ、１１はファラデー回転能を有する磁性ガ
ーネノ１−薄膜、１２は磁性ガーネット薄膜１１に直接
蒸着された金属又は誘電体多層膜の反射膜、１３は偏光
ビームスプリンタ、１は光源、９は光検出器、１４は光
源１の光を偏波面保存光ファイバ１ｏに集光するための
ロッドレンズ、１５は偏波面保存光ファイバ１０からの
出射光を光検出器９に集光するためのロット゛レンズで
ある。捷だＡは磁性ガーネソ１−薄膜１１及び反射膜１
２で構成される磁界検出部、Ｂは偏光ビーノ・スプリッ
タ１３、光源１、光検１１１１蒲９、ロッドレンズ１４
．１５で構成されるＪ１側部である。磁＋’ｌガーネッ
ト薄膜１１は平行板であり、端面を尤の出射方向に列し
て垂直に研磨された偏波ｍｌ保（ｒ光ファイバ１０にエ
ポキシ糸の接着剤等で固定されている。またこの磁性ガ
ーネット薄膜ｄ必要と１−る磁界検出感度（ベルデ定数
Ｖとファラデー素子内の光路長の積）に応じて組成、欅
さｄ選ばＪＬ、 ’ｌｉ’？和エピタキシ法、化学気相
成長法等で成長されたものであり、接着剤で固定する代
わりにスパッタ法等により偏波面保存光ファイバ１０の
端面に直接蒸着してもよい。
通常偏波面作存光ファイバはコア系が２〜１０μｍで必
りノｙ射膜１２が出射端面からＩｆ！Ｉｆれるに従い反
射されて再び入射さノする時の光ビームｆ’Ａは広がり
、２０μｍ１ｉ１１れている場合でコア径２〜１゜μｍ
ＫＪＩしてビーム径はコア径の１０〜２倍程度と々りこ
の比に応じた光のロスが生じるため必要とす光ハ１に応
じて厚さは制限される。液相エピタキシャル法、化学気
相成長法による磁性ガーイ・ノ１〜薄膜１１は一般には
基板」−に育成されるかこの基板は研磨、コーツチンク
等で取り除くことができ、ＩＶさを減少させることがで
きる。
りノｙ射膜１２が出射端面からＩｆ！Ｉｆれるに従い反
射されて再び入射さノする時の光ビームｆ’Ａは広がり
、２０μｍ１ｉ１１れている場合でコア径２〜１゜μｍ
ＫＪＩしてビーム径はコア径の１０〜２倍程度と々りこ
の比に応じた光のロスが生じるため必要とす光ハ１に応
じて厚さは制限される。液相エピタキシャル法、化学気
相成長法による磁性ガーイ・ノ１〜薄膜１１は一般には
基板」−に育成されるかこの基板は研磨、コーツチンク
等で取り除くことができ、ＩＶさを減少させることがで
きる。
ＪＬりのように構１反された本実施例の磁界検出装置ｆ
７について以下その動作を説明する。捷ず光源１からの
出射光にＪロッドレンズ１４を通過し偏光ビームスプリ
ンタ１３で直線偏光成分が選択透過され偏波面保存光フ
ァイバ１０に入射される。この直線偏光は偏波面保存光
ファイバ１０内を偏波面を保存されたま−まで伝送され
磁性ガーネット薄膜１１に入射される。
７について以下その動作を説明する。捷ず光源１からの
出射光にＪロッドレンズ１４を通過し偏光ビームスプリ
ンタ１３で直線偏光成分が選択透過され偏波面保存光フ
ァイバ１０に入射される。この直線偏光は偏波面保存光
ファイバ１０内を偏波面を保存されたま−まで伝送され
磁性ガーネット薄膜１１に入射される。
次にこの直線偏光は反射膜１２によって磁性ガーネット
薄膜１１内を往復伝搬する際に磁界がない場合はその一
１寸の偏光状態で、磁界がある場合はその磁界強度に応
じて偏波面が回転し偏波面保存光ファイバ１０に再び入
射され、偏光ビームスプリンタ１３に到達する。磁界検
出感度に磁界が印加されていない場合は偏波面保存光フ
ァイバ１０に光源１から入射された時の直線偏光と同じ
方向の偏波面をもつ直線偏光が偏光ビームスブリック１
３に戻り光検出部９の方へ反射される成分−〇となる。
薄膜１１内を往復伝搬する際に磁界がない場合はその一
１寸の偏光状態で、磁界がある場合はその磁界強度に応
じて偏波面が回転し偏波面保存光ファイバ１０に再び入
射され、偏光ビームスプリンタ１３に到達する。磁界検
出感度に磁界が印加されていない場合は偏波面保存光フ
ァイバ１０に光源１から入射された時の直線偏光と同じ
方向の偏波面をもつ直線偏光が偏光ビームスブリック１
３に戻り光検出部９の方へ反射される成分−〇となる。
これは従来例の所で述べだ式（１）の１（梢光イと（全
光イのなす角Φが−（：９０″′、） の時に相当し
この構成における光検出部９への出力光は、Ｐｏｕｔα
Ｐｌｎ、５１ｎ２θ ・・（６）と表わ
さｔする。ここでθｄ、磁％ｌ、ｊ検出部Ａ内での入射
直線偏光面の回転角であり従来例中の式（４）に示した
」：うに印加磁界Ｈに比例している。実際の磁１イ１−
ガーネット薄膜では結晶の磁化によりファラデー回転が
起こるため結晶の磁化が飽和した時点でファラデー回転
も飽和しく式）６に従わなくなる。
光イのなす角Φが−（：９０″′、） の時に相当し
この構成における光検出部９への出力光は、Ｐｏｕｔα
Ｐｌｎ、５１ｎ２θ ・・（６）と表わ
さｔする。ここでθｄ、磁％ｌ、ｊ検出部Ａ内での入射
直線偏光面の回転角であり従来例中の式（４）に示した
」：うに印加磁界Ｈに比例している。実際の磁１イ１−
ガーネット薄膜では結晶の磁化によりファラデー回転が
起こるため結晶の磁化が飽和した時点でファラデー回転
も飽和しく式）６に従わなくなる。
この構成では式（６）からも解かる」こうに磁ν１七強
１ｆｊと出力光変化は比例の関係ではなく印加磁界の自
存光ファイバでは消光比は２６（ｉＢ程度であり磁１界
が無い場合は出力光は０ではなく磁Ｖ＾印加により偏波
面が９０°回転した時（出力光最人）の出力光のＩＪ□
が出力されていることになるか、偏波面が磁９．ｊ印加
により１°回転した場合でも磁界Ｏの時の出力光の約４
倍の出力光が得られ磁界有無の検出は可能である。寸だ
ファラデー効果によりこの構成で出力光の強弱を得るた
めには偏波面保存光ファイバ１０に反射膜１２から戻る
光は少々くとも磁性カーネジ１−薄膜１１内に発生する
磁区を２つ以」二通過してい力ければ寿ら々い。一般に
磁性カーネソ１〜薄膜の磁区幅は薄膜の組成、厚さによ
り変わるため使用する偏波面保存光ファイバのコア径に
応じて組成、厚さは決定される。
１ｆｊと出力光変化は比例の関係ではなく印加磁界の自
存光ファイバでは消光比は２６（ｉＢ程度であり磁１界
が無い場合は出力光は０ではなく磁Ｖ＾印加により偏波
面が９０°回転した時（出力光最人）の出力光のＩＪ□
が出力されていることになるか、偏波面が磁９．ｊ印加
により１°回転した場合でも磁界Ｏの時の出力光の約４
倍の出力光が得られ磁界有無の検出は可能である。寸だ
ファラデー効果によりこの構成で出力光の強弱を得るた
めには偏波面保存光ファイバ１０に反射膜１２から戻る
光は少々くとも磁性カーネジ１−薄膜１１内に発生する
磁区を２つ以」二通過してい力ければ寿ら々い。一般に
磁性カーネソ１〜薄膜の磁区幅は薄膜の組成、厚さによ
り変わるため使用する偏波面保存光ファイバのコア径に
応じて組成、厚さは決定される。
実用」−はコア径１ｏμｍ程度のものを使用した場合が
最も光の結合損失が低く光が感じる磁区数も多く磁界検
出が容易となる。また磁性ガーネッ１−薄膜としてＢｉ
を含んだものを用いると一般にファラデー効果が大き
く感度の大き々磁界検出装置となる。
最も光の結合損失が低く光が感じる磁区数も多く磁界検
出が容易となる。また磁性ガーネッ１−薄膜としてＢｉ
を含んだものを用いると一般にファラデー効果が大き
く感度の大き々磁界検出装置となる。
発明の効果
本発明は光伝送路として偏波面保存光ファイバを用い、
ファラデー素子として磁気光学結晶４１ｉ片を用いるこ
とにより磁界検出部にレンズ、偏光イ。
ファラデー素子として磁気光学結晶４１ｉ片を用いるこ
とにより磁界検出部にレンズ、偏光イ。
検光子を必要とせず正確表光軸合わせも必要とせず部品
点数、Ｔ数を減らすことができ、さらに磁気光学結晶薄
Ｊ４は偏波面保存光ファイバのファイバ径寸で小型化で
きる優れた磁界検出装置を実現できるものである。
点数、Ｔ数を減らすことができ、さらに磁気光学結晶薄
Ｊ４は偏波面保存光ファイバのファイバ径寸で小型化で
きる優れた磁界検出装置を実現できるものである。
４、（ツ１面の簡ｉｌｉ々説明
第１図は従来の反射型構造の磁界検出装置の構成図、第
２図は本発明の一実施例における磁界検出部ｆｆ！？の
構成図である。
２図は本発明の一実施例における磁界検出部ｆｆ！？の
構成図である。
１・・・・光源、１０・・・・偏波面保存光ファイバ、
１１・・・・・磁気光学結晶薄片、１２ ・・・反射膜
、１３・・ 偏光ヒームスプリンタ。
１１・・・・・磁気光学結晶薄片、１２ ・・・反射膜
、１３・・ 偏光ヒームスプリンタ。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名〜−
−−−＝１１
−−−＝１１
Claims (4)
- （１）光源と、この光源からの光を偏光ビームスプリッ
タを介して偏波面保存光ファイバに集光する第１のレン
ズと、前記偏波面保存光ファイバの光出射端に接して設
けられた磁気光学結晶薄片と、前記磁気光学結晶薄片の
光出射端に設けられた反射膜と、前記反射膜で反射され
た光が前記偏光ビームスプリッタにより分岐された後、
第２のレンズで集光された光を検出する光検出器とを有
する事を特徴とする磁界検出装置。 - （２）磁気光学薄片に磁性ガーネット薄膜を用いる事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁界検出装置。 - （３）磁性ガーネット薄膜にＢｉを含む磁性ガーネット
薄膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁界検出装置。 - （４）強磁性ガーネット結晶として、液相エピタキシャ
ル法又は化学気相成長法又はスパッタ蒸着法で成長させ
た結晶を用いることを特徴とした特許請求の範囲第１項
記載の磁界検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18583584A JPS6162882A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁界検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18583584A JPS6162882A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁界検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162882A true JPS6162882A (ja) | 1986-03-31 |
Family
ID=16177710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18583584A Pending JPS6162882A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁界検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162882A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005241489A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nec Corp | 磁界測定装置 |
| WO2007004691A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Nec Corporation | 電界／磁界センサおよびそれらの製造方法 |
| US20130038324A1 (en) * | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Dong Ho Wu | Apparatus method and system of an ultra sensitivity optical fiber magneto optic field sensor |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18583584A patent/JPS6162882A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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